CN110708861A - 一种ccm模组用线路板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种CCM模组用线路板的制备方法,步骤:内层芯板制作;绝缘层贴合;贴合、压合铜箔;曝光显影;电镀铜柱;退膜后进行研磨;钻孔;沉镀铜;外层线路制作;阻焊制作。绝缘层为二层,底层不开窗,这样减少了铜柱高度,提高了铜柱电镀的生产效率,而且铜柱底部是直接与环氧树脂的半固化片直接粘合,结合力高,稳定性好;不需要“种子铜”和“去种子铜”工序,缩短了工艺流程,减少了成本和设备投入。本发明工艺简单合理,制备的产品不但散热性能好、平整度高,而且变形小,解像率高,有效提高了模组良率。
Description
技术领域
本发明属于电路板制作技术领域,涉及一种高像素CCM模组用线路板的制备方法。
背景技术
随着人们对生活品质的要求提升,摄像或照明已成为人们生活中必不可少的事情,而照相机、摄像机也向着小型化、低功率化和低成本化发展。
CCM是摄像模块(CMOS Camera Module)的简称,是用于各种新一代便携式摄像设备的核心器件,与传统摄像系统相比具有小型化,低功耗,低成本,高影像品质的优点。但是随着像素的提高,对线路板的要求也越来越高。现有的高像素CCM模组用线路板的制作如图1所示,其流程为:内芯软板10制作→绝缘层30贴合→贴合、压合铜箔40→钻孔50→沉镀铜60→线路制作(压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜)→阻焊70制作。制备好的线路板芯片80装配如图3所示,常规的制备方法存在以下缺陷:
一、摄像头模组类的线路板要求厚度较薄,但产品的刚性和厚度是成反比的;
二、软硬结合板需要使用到低流胶的半固化片,其刚性和杨氏模量有限,针对高像素,芯片面积大,要求在组装的过程中产品变形小,才能获得预期的解像率,减少像糊不良的产生;
三、芯片贴附在阻焊的表面,阻焊表面有高低差,会影响芯片的贴附平整度;
四、芯片面积大,底部散热不佳。
经查,现有专利号为201710357932.5的中国专利《一种CCM摄像模组线路板结构以及CCM摄像机》,其中,CCM摄像模组线路板结构包括线路板主体和设置在所述线路板主体表面与焊盘开窗口同侧的耐高温形变补强层,感光IC设置在所述耐高温形变补强层。该结构通过在线路板主体上设置耐高温形变补强层,将感光IC与底座搭载在所述耐高温形变补强层上,依靠所述耐高温形变补强层的耐高温特性,提高耐形变能力,从而实现线路板的表面平整,但是增设耐高温形变补强层,势必会增加线路板的厚度,影响散热,而且制作成本也有所增加。
因此,需要研发出一种新的高像素CCM模组用线路板的制备方法来满足生产的需要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺更加简单合理、成本更低、生产效率更高的CCM模组用线路板的制备方法,制备的线路板具有厚度薄、平整度好、散热效果好的特点。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种CCM模组用线路板的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)内层芯板制作:内层芯板采用贴合好覆盖膜的双面软板;
2)绝缘层贴合:将绝缘层贴合在内层芯板上,其中对应于内层芯板的芯片区域的一端的绝缘层为二层,底层不开窗,外层开窗;
3)贴合、压合铜箔:在绝缘层表面贴一层铜箔,经压合,将内层芯板与外层纯铜箔通过绝缘层粘接在一起;
4)曝光显影;去掉需要电镀铜柱区域的干膜;
5)电镀铜柱:在对应于绝缘层外层开窗的位置电镀铜柱;
6)退膜后进行研磨:去掉干膜,研磨去掉凸起的铜柱区域,使铜柱顶端与外侧的铜箔齐平;
7)钻孔:在需要层间导通的位置钻孔;
8)沉镀铜:沉铜是在孔壁绝缘层上沉积一层导电的铜层;镀铜是加厚孔铜铜层厚度和面铜铜层厚度;
9)外层线路制作;
10)阻焊制作。
作为改进,所述步骤2)的芯片区域若为双面,则绝缘层为二层对称粘贴。
作为改进,所述步骤3)的贴合、压合铜箔中对应于开窗的位置,铜箔与底层粘接在一起。
进一步,所述步骤4)曝光显影是指压膜→曝光→显影,去掉需要电镀铜柱区域的干膜。
进一步,所述步骤7)的钻孔为通孔或盲孔。
进一步,所述步骤9)的外层线路制作是指压膜→曝光→显影→蚀刻→去膜。
进一步,所述步骤10)的的阻焊制作是指阻焊丝印→阻焊预烤→阻焊曝光→阻焊显影→阻焊固化。
作为优选,所述步骤5)的铜柱高于外侧的铜箔5~10μm。此数据可根据产品具体电气性能要求而定。
所述步骤8)沉铜层厚度为0.3~1.0μm,镀铜层厚度10-30μm。此数据可根据产品具体电气性能要求而定。
最后,所述绝缘层采用PP材料或者其他树脂材料。
与现有技术相比,本发明的优点在于:在开窗处电镀铜柱,芯片直接贴在铜柱上,提高了散热量,同时铜柱的强度决定芯片的变形量,芯片经过模组组装工艺,在高温环境发生形变可忽略不计;铜柱电镀后增加研磨工序,使得表面平整,芯片贴附时无高低差;另外芯片贴在铜柱上,变形小,解像率高,像糊不良低;绝缘层为二层,底层不开窗,这样减少了铜柱高度,提高了铜柱电镀的生产效率,而且铜柱底部是直接与PP粘合,结合力高,稳定性好;不需要“种子铜”和“去种子铜”工序,缩短了工艺流程,减少了成本和设备投入。本发明工艺简单合理,制备的产品不但散热性能好、平整度高,而且变形小,解像率高,有效提高了模组优良率。
附图说明
图1是常规制作方法的工艺流程图,其中(1)为内层芯板制作,(2)为绝缘层贴合,(3)为贴合、压合铜箔,(4)为钻孔,(5)为沉镀铜,(6)线路制作,(7)为阻焊制作;
图2是本发明提供的高像素CCM模组用线路板的制备方法的工艺流程图,其中(1)为内层芯板制作,(2)为绝缘层贴合,(3)为贴合、压合铜箔,(4)为曝光显影,(5)为电镀铜柱,(6)为退膜,(7)为研磨,(8)为钻孔,(9)为沉镀铜,(10)为外层线路制作,(11)为阻焊制作;
图3是图1制备的线路板的芯片组装图;
图4是图2制备的线路板的芯片组装图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图2所示,一种CCM模组用线路板的制备方法,包括以下步骤:
1)内层芯板1制作:内层芯板1采用贴合好覆盖膜的双面软板;
2)绝缘层3贴合:将绝缘层3贴合在内层芯板1上,其中对应于内层芯板1的芯片区域的一端的绝缘层3为二层,并通常是采用PP材料,PP的含义是“半固化片”,一般由胶和玻纤布搭配少许填料和有机物组成,胶的成分是环氧树脂,起到粘结、增加强度和填充作用,玻纤布主要成分是二氧化硅,与环氧树脂充分浸润结合,提升PP的刚性和强度,所以可以称为底层PP 31和外层PP 32,底层PP 31不开窗,外层PP 32开窗30;芯片区域若为双面时,则绝缘层3为二层对称粘贴;
3)贴合、压合铜箔4:在绝缘层3表面贴一层纯铜箔4,经压合,将内层芯板1与外层纯铜箔4通过绝缘层3粘接在一起;对应于开窗30的位置,铜箔4与底层PP 31粘接在一起;
4)曝光显影;指压膜→曝光→显影,去掉需要电镀铜柱2区域的干膜7;
5)电镀铜柱2:在对应于绝缘层3开窗30的位置电镀铜柱2,且铜柱2高于外侧的铜箔4约5~10μm;
6)退膜后进行研磨:去掉非电镀铜柱2区域的干膜7,研磨去掉凸起的铜柱2区域,使铜柱2顶端与外侧的铜箔4齐平;
7)钻孔:在需要层间导通的位置钻孔5,钻孔5可以为通孔或盲孔;
8)沉镀铜:沉铜是在孔壁绝缘层上沉积一层导电的铜层,就是沉铜层,其厚度为0.3~1.0μm;镀铜是加厚孔铜铜层6厚度和面铜铜层6厚度,使镀铜层厚度10-30μm,此数据可根据产品具体电气性能要求而定;
9)外层线路制作:制备外层线路100,是指压膜→曝光→显影→蚀刻→去膜;这是常规工艺;
10)阻焊制作,制备阻焊层9,是指阻焊丝印→阻焊预烤→阻焊曝光→阻焊显影→阻焊固化,这是常规工艺。
芯片8的装配如图4所示,芯片8直接贴在铜柱2上即可。
本发明获得的优势在于:
一、芯片直接贴在铜柱上,铜柱的强度决定芯片的变形量,芯片经过模组组装工艺,在高温环境发生形变可忽略不计;
二、软硬结合板按照常规选材,无需采用特殊材料来提升产品的强度和杨氏模量;
三、芯片直接贴在铜柱上,散热量增加;
四、铜柱电镀后增加研磨工序,使得表面平整,芯片贴附时无高低差;
五、芯片贴在铜柱表面,变形小,解像率高,像糊不良低,有效提高了模组良率;
六、不需要“种子铜”和“去种子铜”工序,缩短了工艺流程,减少了“种子铜”和“去种子铜”设备投入,降低了成本;
七、铜柱底部直接与PP粘合,结合力至少在0.8kgf/cm以上,进一步保证了铜柱的附着力和稳定性;
八、底部增设一层绝缘层PP,可以减少铜柱的高度,提高铜柱电镀的生产效率。
Claims (10)
1.一种CCM模组用线路板的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)内层芯板制作:内层芯板采用贴合好覆盖膜的双面软板;
2)绝缘层贴合:将绝缘层贴合在内层芯板上,其中对应于内层芯板的芯片区域的一端的绝缘层为二层,底层不开窗,外层开窗;
3)贴合、压合铜箔:在绝缘层表面贴一层铜箔,经压合,将内层芯板与外层纯铜箔通过绝缘层粘接在一起;
4)曝光显影;去掉需要电镀铜柱区域的干膜;
5)电镀铜柱:在对应于绝缘层外层开窗的位置电镀铜柱,且铜柱高于外侧的铜箔;
6)退膜后进行研磨:去掉干膜,研磨去掉凸起的铜柱区域,使铜柱顶端与外侧的铜箔齐平;
7)钻孔:在需要层间导通的位置钻孔;
8)沉镀铜:沉铜是在孔壁绝缘层上沉积一层导电的铜层;镀铜是加厚孔铜铜层厚度和面铜铜层厚度;
9)外层线路制作;
10)阻焊制作。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤2)的芯片区域若为双面,则绝缘层为二层对称粘贴。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤3)的贴合、压合铜箔中对应于开窗的位置,铜箔与底层粘接在一起。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤4)曝光显影是指压膜→曝光→显影,去掉需要电镀铜柱区域的干膜。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤7)的钻孔为通孔或盲孔。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤9)的外层线路制作是指压膜→曝光→显影→蚀刻→去膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤10)的阻焊制作是指阻焊丝印→阻焊预烤→阻焊曝光→阻焊显影→阻焊固化。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤5)的铜柱高于外侧的铜箔5~10μm。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤8)沉铜层厚度为0.3~1.0μm,镀铜层厚度10-30μm,此数据可根据产品具体电气性能要求而定。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述绝缘层采用PP材料。
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