CN110707430A - 一种宽高频漏缆 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种宽高频漏缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体1、绝缘层2、外导体3以及护套4，所述外导体3沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组5；所述槽孔组5包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组6；所述阵列组6包括左阵列7和右阵列8，所述左阵列7和右阵列8呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；所述左阵列7和右阵列8沿二者连线的中垂线对称；所述左阵列7和右阵列8中心之间的距离为P/2。本发明提增加了低频的辐射性能和高频的传输性能，以250m的综合损耗评估，将使用频段内综合损耗差异控制在5dB内，从而使得其更适合在2G/3G/4G/5G合路中使用。

Description

一种宽高频漏缆

技术领域

本发明涉及射频同轴电缆的技术领域，具体为一种5G适用的宽高频异形八字槽漏泄同轴电缆。

背景技术

隧道，主要包括公路隧道、铁路隧道、地铁隧道等，是移动通信网络部署中的重要场景，由于隧道结构封闭，沿线呈带状分布，且不同的隧道具有不同的形状结构、横向尺寸，其修建材料、成分、比例也不尽相同，这些都会对无线信号的反射、吸收产生不同程度的影响，同时受到不同车体、隧道横向尺寸、电磁环境等因素的影响，信号穿透车体的损耗也会存在差异。隧道场景覆盖也就成为移动通信网络覆盖的难点。

漏泄同轴电缆作为一种具有传输线和天线双重功能的特殊同轴电缆，能在隧道内沿壁敷设且可随着隧道弯曲，在隧道内均匀地将无线信号释放出来，不受隧道形状、弯曲、坡度等因素的影响，是目前隧道场景无线覆盖的最佳选择。

传统的辐射型漏缆不支持5G系统的应用，而5G适用的新型漏缆也很难兼顾800～3600MHz各个频段的性能而满足系统频段的大跨度合路应用。现阶段5G适用的漏缆，要么是在系统选择上妥协——放弃2G(CDMA 800&GSM900)而针对5G专频开发的专用漏缆，要么就是在性能上妥协——以大幅度较低设备覆盖半径为代价而满足2G、3G、4G、5G覆盖的伪全频漏缆，这给5G隧道覆盖方案的确定和5G的共建共享设计带来了巨大的挑战。

若要实现2G、3G、4G、5G合用一根漏缆，需要兼顾2G、3G、4G、5G的承载频段，使用频段需涵盖800-3600MHz，使用频率需要跨度超2800MHz，电磁波波长需要跨度相差超4.5倍，还需要平衡各频率的电磁波辐射量等。

现有专利CN201310090200.6公开了一种漏泄同轴电缆，是一种宽高频低损耗均匀辐射漏泄同轴电缆，其由内到外依次包括内导体、绝缘层、外导体和护套，外导体上沿电缆轴线方向间隔均匀开有若干相同的槽缝组，槽缝组中的相对应的槽缝呈八字排列；每个槽缝组包括相邻的第一槽缝分组和第二槽缝分组，第一槽缝分组包括8条相同的第一槽缝，第二槽缝分组包括8条相同的第二槽缝，第一槽缝的长度大于第二槽缝的长度。本发明通过设计2组相同节距而不同槽孔长度的四八字槽槽孔，使得漏缆在800-2700MHZ频段内的耦合损耗和衰减性能处于一个更为均匀较为理想的范围内。

虽然现有专利CN201310090200.6解决了一部分问题，但是实现2G、3G、4G、5G合用一根漏缆，提供更好的专门针对宽频、高频优化设计的漏缆，是亟待解决的问题。

发明内容

本发明需要解决的问题是，提供一种漏缆，使其具有以下特性：使用频段满足800MHz～3600MHz的范围，各频段的辐射性能均匀、稳定，耦合损耗波动小，能够平衡使用频段内的传输性能和辐射性能，在实际应用中综合损耗相差控制在5dB内，有利于2G/3G/4G/5G漏缆开断的统一。

为解决上述问题，本发明提供了一种宽高频漏缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体1、绝缘层2、外导体3以及护套4，所述外导体3沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组5；所述槽孔组5包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组6；所述阵列组6包括左阵列7和右阵列8，所述左阵列7和右阵列8呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；所述左阵列7和右阵列8沿二者连线的中垂线对称；所述左阵列7和右阵列8中心之间的距离为P/2；所述左阵列7包括沿左阵列7倾角方向排列的左上槽孔71和左下槽孔72，所述左上槽孔71和左下槽孔72在长度上沿左阵列7倾角方向延伸，所述左上槽孔71的下长边与所述左下槽孔72的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔71的上长边与所述左下槽孔72的下长边位于同一直线上；所述右阵列8包括沿右阵列8倾角方向排列的右上槽孔81和右下槽孔82，所述右上槽孔81和右下槽孔82在长度上沿右阵列8倾角方向延伸，所述右上槽孔81的下长边与所述右下槽孔82的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔81的上长边与所述右下槽孔82的下长边位于同一直线上。

根据本发明的一个实施方式，所述左上槽孔71最低点高于所述左下槽孔72的最高点，或，所述左上槽孔71最低点与所述左下槽孔72的最高点共点；所述右上槽孔81最低点高于所述右下槽孔82的最高点，或，所述右上槽孔81最低点与所述右下槽孔82的最高点共点。

根据本发明的一个实施方式，P的取值范围为200～250mm。

根据本发明的一个实施方式，所述左上槽孔71和所述左下槽孔72结构尺寸上完全一致，并且以外导体3上某一点成中心对称。

根据本发明的一个实施方式，所述左阵列7相对于轴线的倾角为15°至30°。

根据本发明的一个实施方式，所述槽孔组5包括依次沿轴向错位重叠排列的四个阵列组6，分别是第一阵列组61、第二阵列组62、第三阵列组63、第四阵列组64，所述第一阵列组61与所述第二阵列组62中心点的距离为D1；所述第二阵列组62与所述第三阵列组63中心点的距离为D2；所述第三阵列组63与所述第四阵列组64中心点的距离为D3；所述第四阵列组64的左阵列7与所述第一阵列组61的右阵列8中心点的距离为D4；其中，D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4；或，D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30。

根据本发明的一个实施方式，所述第一阵列组61的左阵列7与轴线的夹角为α1；所述第二阵列组62的左阵列7与轴线的夹角为α2；所述第三阵列组63的左阵列7与轴线的夹角为α3；所述第四阵列组64的左阵列7与轴线的夹角为α4；其中，α1＝α2＝α3＝α4；或，α1＝α3，α2＝α4。

根据本发明的一个实施方式，所述第一阵列组61中槽孔形状和大小与所述第三阵列组63中槽孔形状和大小相同；所述第二阵列组62槽孔形状和大小与所述第四阵列组64槽孔形状和大小相同。

根据本发明的一个实施方式，所述左阵列7和右阵列8中的槽孔的长度范围为10mm-20mm，宽度范围为2mm-4mm。

根据本发明的一个实施方式，所述左阵列7和右阵列8的长度范围为20mm-40mm；所述左阵列7中左上槽孔71和所述左下槽孔72之间的距离范围为0mm-10mm。

根据本发明的一个实施方式，所述槽孔组5中的槽孔形状选择以下任一种：矩形、菱形、椭圆。

本发明既满足了低频(800MHz)辐射要求的槽长下限，同时规避了由于最高使用频段(3700MHz)限制的槽长上限，成功增强了低频辐射性能，减弱了槽长过长而对高频传输性能造成的影响，均衡了整根漏缆的辐射特性和传输特性。本发明增加了低频的辐射性能和高频的传输性能，以250m的综合损耗评估，将使用频段内综合损耗差异控制在5dB内，从而使得其更适合在2G/3G/4G/5G合路中使用。

附图说明

图1是一种宽高频漏缆的示意图；

图2是槽孔组和阵列组的示意图；

图3是左阵列和右阵列的示意图；

图4是左阵列的两种构成方式的示意图；

图5是包含四个阵列组的槽孔组的示意图；以及

图6是列阵组倾斜角的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，参考标号是指本发明中的组件、技术，以便本发明的优点和特征在适合的环境下实现能更易于被理解。下面的描述是对本发明权利要求的具体化，并且与权利要求相关的其它没有明确说明的具体实现也属于权利要求的范围。

图1示出了一种宽高频漏缆的示意图。

如图1所示，一种宽高频漏缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体1、绝缘层2、外导体3以及护套4，所述外导体3沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组5。

射频能量从内导体1的一端纵向传输到另一端，并由所述外导体3提供横向屏蔽，在外导体3上开设槽孔，使电磁场通过槽孔发生衍射，激发漏缆外导体3外侧的电磁场，使其射频能量从所述槽孔辐射出来，达到向外传播和接收外来电磁波的目的。

所述槽孔组5是指在所述外导体3上开设的呈周期性排列的多个槽孔的组合，槽孔的开设和排列形式与电磁波的频段具有直接的相关性。本发明将两个相邻槽孔组5之间的距离设置为P，P值的选择是根据适应较广的电磁波频段范围进行的P的范围为200～250mm。

图2示出了槽孔组和阵列组的示意图。

如图2所示，所述槽孔组5包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组6；所述阵列组6包括左阵列7和右阵列8，所述左阵列7和右阵列8呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；所述左阵列7和右阵列8沿二者连线的中垂线对称；所述左阵列7和右阵列8中心之间的距离为P/2。

所述阵列组6是所述槽孔组5的基本组成单位，每个阵列组6沿着漏缆的轴向平移一定的距离，会与另一个阵列组6重合。两个相邻阵列之间的距离以使相邻阵列中的左阵列7之间遵循谐波抑制原理；同时相邻右阵列8也遵循谐波抑制原理。

所述阵列组6包括两个部分，分别是左阵列7和右阵列8，左阵列7和右阵列8呈八字形分布，且其距离为P/2，根据四“八”字结构的频率特性，其辐射下限频段为

四八字结构的适用频段为f～7f。式中，c为光速，ε为电缆的等效相对介电常数。在本发明中，多个所述阵列组6覆盖多个频段，拓宽了电磁信号的辐射频段。

本发明中阵列组6采用“八”字结构，例如，左阵列7呈“/”形状，右阵列8呈“\”形状，使得“/”与“\”相互抑制-2和-4次等偶次谐波，“/”(“\”)与“/”(“\”)相互抑制-3或-5次谐波，使用频段内信号的辐射更为均匀，耦合损耗波动降低。

图3示出了左阵列和右阵列的示意图。

如图3所示，所述左阵列7包括沿左阵列7倾角方向排列的左上槽孔71和左下槽孔72，所述左上槽孔71和左下槽孔72在长度上沿左阵列7倾角方向延伸，所述左上槽孔71的下长边与所述左下槽孔72的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔71的上长边与所述左下槽孔72的下长边位于同一直线上；所述右阵列8包括沿右阵列8倾角方向排列的右上槽孔81和右下槽孔82，所述右上槽孔81和右下槽孔82在长度上沿右阵列8倾角方向延伸，所述右上槽孔81的下长边与所述右下槽孔82的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔81的上长边与所述右下槽孔82的下长边位于同一直线上。

在本实施方式中，槽孔以长方形为例进行说明，槽孔还可以是其它现有或将来发明的形式。

以左阵列7为例，在通过槽孔左右排列对奇次谐波进行抑制的基础上，本发明中的左上槽孔71和左下槽孔72之间对对方辐射的-3次谐波进行了进一步抑制，使得使用频段内信号的辐射更为均匀，耦合损耗波动降低。同时，本发明中左阵列7的这种组合方式，相对于现有技术中由单条槽孔组成的方式来说，将一个完整的矩形槽一分为二，然后经过特定方式的位移，满足了低频(800MHz)辐射要求的槽长下限，同时规避了由于最高使用频段(3700MHz)限制的槽长上限，成功增强了低频辐射性能，减弱了槽长过长而对高频传输性能造成的影响，均衡了整根漏缆的辐射特性和传输特性。

图4示出了左阵列的两种构成方式的示意图。

如图4所示所述左上槽孔71的下长边与所述左下槽孔72的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔71的上长边与所述左下槽孔72的下长边位于同一直线上。

在本发明中，左上槽孔71与左下槽孔72最多有一个交点。当槽孔为矩形时，本发明优选所述左上槽孔71的下长边与所述左下槽孔72的上长边位于同一直线上。本发明的上下槽孔的设置，在横向相邻的两个槽孔之间相互抑制-3和-5次谐波的基础上，进一步抑制-3次谐波，使得信号辐射的大小更为均匀，辐射场更为稳定，体现为耦合损耗波动小。

此外，本发明的上下槽孔错位设置的两种形式，使得对外导体3进行加工简单，易于外导体3纵包时槽孔保持原有形状。

根据本发明的一个实施方式，P的取值范围为200～250mm。

在本发明中，以槽孔组5包含四个阵列组6为例，上下“八”字排列，使一个周期槽孔组5内包含16个辐射单元，相对于传统四八字结构的8个辐射单元来说，辐射单元数量增加了一倍，同时，为使得800～3600MHz频段电磁信号能辐射出来，根据四“八”字结构的频率特性，其辐射频段为f1-7f1，

式中，c为光速，ε为电缆的等效相对介电常数。当P＝190mm时，按ε＝1.248计算，使用的辐射频段为745～5215MHz，P＝260mm时，适用的辐射频段为540～3820MHz，即190～260mm均可满足辐射要求。但由于辐射型漏缆存在谐振频率和不可用频率，需要设计在非民用通信频段(960～1710MHz，2025～2110MHz，2170～2300MHz，2400～2515MHz，2675～3300MHz)内。同时为均衡高低频的辐射性能，若将ε限制在1.2～1.29之间，则P的取值范围可分为三段即190～196mm&215～221&235～245mm。

根据本发明的一个实施方式，所述左上槽孔71和所述左下槽孔72结构尺寸上完全一致，并且以外导体3上某一点成中心对称。

所述左上槽孔71和所述左下槽孔72以某一点中心对称是指，沿二者中心线的连线的中点，旋转180度，二者重合。其作用对-3次谐波的抑制效果会由于结构尺寸的一致以及在本发明中这种相对位置的设置更佳。

由于右阵列8与左阵列7对称设置，因此，本发明只以左阵列7进行举例说明，在右阵列8中具有相同或类似的结构，其作用是相同的。

根据本发明的一个实施方式，所述左阵列7相对于轴线的倾角为15°至30°。

本发明以5/4”同轴电缆的结构尺寸为例，倾角在15°至30°区间为本发明中的异形八字槽结构传输性能、辐射性能以及宽频性能的平衡区间。本发明优选角在15°至30°区间，能够更好地满足覆盖800MHz～3600MHz的范围，以及各频段的辐射性能均匀、稳定。

图5示出了包含四个阵列组的槽孔组的示意图。

如图5所示，所述槽孔组5包括依次沿轴向错位重叠排列的四个阵列组6，分别是第一阵列组61、第二阵列组62、第三阵列组63、第四阵列组64，所述第一阵列组61与所述第二阵列组62中心点的距离为D1；所述第二阵列组62与所述第三阵列组63中心点的距离为D2；所述第三阵列组63与所述第四阵列组64中心点的距离为D3；所述第四阵列组64的左阵列与所述第一阵列组61的右阵列中心点的距离为D4；其中，D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4；或，D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30。

所述沿轴向错位重叠是指，所述第一阵列组61至第四阵列组64沿轴向依次排列，第二阵列组至第四阵列组的左阵列位于所述第一阵列组的左右阵列之间；所述第三阵列组和第四阵列组的左阵列以及第一阵列组的右阵列位于所述第二阵列组的左右阵列之间；所述第四阵列组的左阵列和第一阵列组的右阵列以及第二阵列组的右阵列位于所述第三阵列组的左右阵列之间；所述第一阵列组至第三阵列组的右阵列位于所述第四阵列组的左右阵列之间。第一阵列组61的右阵列与第四阵列组64的左阵列中心点之间的距离为D4。

由于阵列组中的左右阵列之间相对位置固定，所以，相邻阵列组6中心的距离等于图5中相邻左阵列中心之间的距离。

本发明中，采用D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4的方案；或者采用D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30的方案，使得槽组内的每个“/”形状的左阵列7与横向相邻的“/”形状左阵列7排布遵循谐波抑制原理，同时使每个“\”形状的右阵列8与横向相邻的“\”右阵列8排布遵循谐波抑制原理。

本发明主要采取将波形偏移半个周期(即1/2波长)，相位相差π的方法抑制高次谐波的方法。

即要抑制m次高次谐波,需在原缝隙的旁边距离P/2m处开一系列新缝隙(m取-3，-5，-7…..)。对于八字型结构漏缆来说，对称设计能有效抑制偶次谐波的产生，所以-3次谐波为主要干扰源，本发明采用在原槽孔距离P/6处开制新槽孔，可对-3次谐波进行有效的抑制。

经研究，本发明提出四八字槽设计有两种方案：第一种是继续抑制-5次谐波，即在原有的槽孔距离P/10处继续开孔，为不等距排列。第二种为在原相互抑制-3次谐波的两个槽孔之间再开制一个槽孔，即间距为P/6/2，同时新增槽孔也需对-3次谐波进行抑制，即等距排列。

在等距离设置的时候，D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4；在使用频段内，优化目的频段侧重于在中心频率及以下部分频段的中低频性能。例如，使用频段为800～3600MHz，中频优化侧重1700～2200MHz频段。

在非等距的时候，D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30，在使用频段内，优化目的频段侧重于在中心频率及以上部分频段的中高频性能。例如，使用频段为800～3600MHz，中频优化侧重2200～2700MHz频段。

图6示出了列阵组倾斜角的示意图。

如图6所示，所述第一阵列组61的左阵列与轴线的夹角为α1；所述第二阵列组62的左阵列与轴线的夹角为α2；所述第三阵列组63的左阵列与轴线的夹角为α3；所述第四阵列组64的左阵列与轴线的夹角为α4；其中，α1＝α2＝α3＝α4；或，α1＝α3，α2＝α4。

在第一阵列至第四阵列的左阵列与轴线的夹角中，α1＝α2＝α3＝α4时，若槽孔尺寸完全一致，则所有辐射单元辐射能力一致。而由于第一阵列组61的左阵列与第三阵列组63的左阵列之间、第二阵列组62的左阵列和第四阵列组64的左阵列之间相互抑制-3次谐波(辐射型射频同轴电缆的主要干扰源)，所以α1＝α3，α2＝α4设置时有利于降低谐波干扰。而第一阵列组61的左阵列与第二阵列组62的左阵列之间、第三阵列组63的左阵列与第四阵列组64的左阵列之间相互抑制-5次谐波，相对来说-5次谐波的干扰比例较小，对整体辐射场的影响程度较低，所以允许α1≠α2，α2≠α4的出现，这有利于在牺牲一定稳定性的代价下大幅度增加对辐射量控制的灵活性，或者换句话说：可让槽孔的设计具有性能特性、更具频段目的性。

根据本发明的一个实施方式，所述第一阵列组61中槽孔形状和大小与所述第三阵列组63中槽孔形状和大小相同；所述第二阵列组62槽孔形状和大小与所述第四阵列组64槽孔形状和大小相同。

根据本发明的一个实施方式，所述左阵列和右阵列中的槽孔的长度范围为10mm-20mm，宽度范围为2mm-4mm。所述左阵列7和右阵列8的长度范围为20mm-40mm；所述左阵列7中左上槽孔71和所述左下槽孔72之间的距离范围为0mm-10mm。

槽孔为矩形时，槽孔的长度需要满足L＜λ/4，λ为设计的最高使用频率。例如，在本发明中，最高使用频率为3700MHz，则L需满足L＜20.27mm，在在本发明中优选L∈[10mm，20mm]，W∈[2mm，4mm]。

设槽孔长度为L，那么，每个左阵列7内“/”形状的左上槽孔71与其对应的“/”形状的左下槽孔组5合后的总长度为Lα＝2*L+B，其中，L为槽孔长度，B为左上槽孔71和左下槽孔72在左阵列7倾角方向上的距离，α为左阵列7的倾角，α∈[15°，30°]，则Lα需满足：

其中，R指外导体3等效半径；

在本发明中，Lα∈[20mm，40mm]，B∈[0mm，10mm]。

根据本发明的一个实施方式，所述槽孔组5中的槽孔形状选择以下任一种：矩形、菱形、椭圆。

每个槽孔可进行形状微调，例如将矩形四个角导成圆角或将外侧两个角导圆角，导角的圆直径＝W，导角后使用模具冲孔时不易造成冲模磨损，外导体3纵包时易于成型，成型后纵包护套4不易变形。

本发明中，八字槽组上下“八”字排列，一个周期槽孔组5内包含16个辐射单元，相对于传统四八字结构的8个辐射单元来说，辐射单元数量增加了一倍。

本发明中，槽孔上下“八”字的排列方式，左阵列7中多个“/”形槽孔相互抑制-3次和-5谐波，右阵列8中多个(“\”)形槽孔相互抑制-3次和-5谐波；左阵列7中的“/”形槽孔与右阵列8中的“\”形槽孔相互抑制-2和-4次谐波；同时，左阵列7的左上槽孔71与左下槽孔72之间进一步相互抑制辐射的-3次谐波，右阵列8的右上槽孔81与右下槽孔82之间进一步相互抑制辐射的-3次谐波。本发明中的上述结构，使得在使用频段内信号的辐射更为均匀，耦合损耗波动降低。

本发明中，左阵列和右阵列中的槽孔分离设置并按照特定方式错位排布，使其既满足了低频(800MHz)辐射要求的槽长下限，同时规避了由于最高使用频段(3700MHz)限制的槽长上限，成功增强了低频辐射性能，减弱了槽长过长而对高频传输性能造成的影响，均衡了整根漏缆的辐射特性和传输特性。本发明提增加了低频的辐射性能和高频的传输性能，以250m的综合损耗评估，将使用频段内综合损耗差异控制在5dB内，从而使得其更适合在2G/3G/4G/5G合路中使用。

应该注意的是，上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。

Claims (10)

1.一种宽高频漏缆，其特征在于，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体(1)、绝缘层(2)、外导体(3)以及护套(4)，

所述外导体(3)沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组(5)；

所述槽孔组(5)包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组(6)；

所述阵列组(6)包括左阵列(7)和右阵列(8)，所述左阵列(7)和右阵列(8)呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；

所述左阵列(7)和右阵列(8)沿二者连线的中垂线对称；

所述左阵列(7)和右阵列(8)中心之间的距离为P/2；

所述左阵列(7)包括沿左阵列(7)倾角方向排列的左上槽孔(71)和左下槽孔(72)，所述左上槽孔(71)和左下槽孔(72)在长度上沿左阵列(7)倾角方向延伸，所述左上槽孔(71)的下长边与所述左下槽孔(72)的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔(71)的上长边与所述左下槽孔(72)的下长边位于同一直线上；

所述右阵列(8)包括沿右阵列(8)倾角方向排列的右上槽孔(81)和右下槽孔(82)，所述右上槽孔(81)和右下槽孔82)在长度上沿右阵列(8)倾角方向延伸，所述右上槽孔(81)的下长边与所述右下槽孔(82)的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔(81)的上长边与所述右下槽孔82)的下长边位于同一直线上。

2.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，P的取值范围为200～250mm。

3.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左上槽孔(71)和所述左下槽孔(72)结构尺寸上完全一致，并且以外导体(3)上某一点成中心对称。

4.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左阵列(7)相对于轴线的倾角为15°至30°。

5.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述槽孔组(5)包括依次沿轴向错位重叠排列的四个阵列组(6)，分别是第一阵列组(61)、第二阵列组(62)、第三阵列组(63)、第四阵列组(64)，

所述第一阵列组(61)与所述第二阵列组(62)中心点的距离为D1；

所述第二阵列组(62)与所述第三阵列组(63)中心点的距离为D2；

所述第三阵列组(63)与所述第四阵列组(64)中心点的距离为D3；

所述第四阵列组(64)的左阵列与所述第一阵列组(61)的右阵列中心点的距离为D4；

其中，D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4；

或，D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30。

6.根据权利要求5所述的漏缆，其特征在于，

所述第一阵列组(61)的左阵列与轴线的夹角为α1；

所述第二阵列组(62)的左阵列与轴线的夹角为α2；

所述第三阵列组(63)的左阵列与轴线的夹角为α3；

所述第四阵列组(64)的左阵列与轴线的夹角为α4；

其中，

α1＝α2＝α3＝α4；

或，α1＝α3，α2＝α4。

7.根据权利要求5所述的漏缆，其特征在于，所述第一阵列组(61)中槽孔形状和大小与所述第三阵列组(63)中槽孔形状和大小相同；

所述第二阵列组(62)槽孔形状和大小与所述第四阵列组(64)槽孔形状和大小相同。

8.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左阵列(7)和右阵列(8)中的槽孔的长度范围为10mm-20mm，宽度范围为2mm-4mm。

9.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左阵列(7)和右阵列(8)的长度范围为20mm-40mm；

所述左阵列(7)中左上槽孔(71)和所述左下槽孔(72)之间的距离范围为0mm-10mm。

10.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述槽孔组(5)中的槽孔形状选择以下任一种：矩形、菱形、椭圆。

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