CN110673670B - 原子气室温度闭环控制方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种原子气室温度闭环控制方法及装置,该方法包括:第一DDS电路产生电桥激励信号;非平衡电桥输出电桥输出信号,对电桥输出信号进行放大;解调器芯片输出解调器芯片输出信号,对解调器芯片输出信号进行滤波;模数转换器在当前时刻对滤波后的解调器芯片输出信号进行采样;ARM处理器解算热敏电阻在当前时刻的阻值和原子气室在当前时刻的温度;数模转换器输出电压信号,第二DDS电路产生加热驱动信号;可变增益放大器对加热驱动信号进行放大,控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整;重复步骤四至步骤八以实现原子气室温度的闭环控制。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中原子气室温度控制方法功耗高的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及原子气室技术领域,尤其涉及一种原子气室温度闭环控制方法及装置。
背景技术
原子气室是原子磁强计和原子陀螺的核心敏感单元,其温度稳定性直接影响传感器磁场测量及闭环控制的稳定性,制约着原子陀螺、磁强计精度的提升,因此原子气室温度闭环控制是该领域的一项关键技术。现有技术中,通常直接采用高速ADC、高速DAC和处理器等高功率器件对温度进行测量和控制,该方法对各器件的运行速度等指标要求较高,功耗较大,不宜用于低功耗的工程应用环境。
发明内容
本发明提供了一种原子气室温度闭环控制方法及装置,能够解决现有技术中原子气室温度控制方法功耗高的技术问题。
根据本发明的一方面,提供了一种原子气室温度闭环控制方法,该原子气室温度闭环控制方法具体包括:步骤一,ARM处理器控制第一DDS电路产生电桥激励信号;步骤二,非平衡电桥根据电桥激励信号输出电桥输出信号,对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号;步骤三,解调器芯片根据电桥激励信号和放大后的电桥输出信号输出解调器芯片输出信号,对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号;步骤四,模数转换器在当前时刻对滤波后的解调器芯片输出信号进行采样;步骤五,ARM处理器根据模数转换器在当前时刻的采样结果解算非平衡电桥中的热敏电阻在当前时刻的阻值,根据解算得到的热敏电阻在当前时刻的阻值解算原子气室在当前时刻的温度;步骤六,ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器输出电压信号,ARM处理器控制第二DDS电路产生加热驱动信号;步骤七,可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行放大以得到放大后的加热驱动信号,根据放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整;步骤八,重复步骤四至步骤八,对原子气室的任一采样时刻的温度进行实时调整以实现原子气室温度的闭环控制。
进一步地,步骤二中电桥激励信号和电桥输出信号之间满足其中,VOUT是电桥输出信号,VIN是电桥激励信号,R是热敏电阻在当前时刻的阻值,R0是非平衡电桥中桥臂电阻的阻值,电桥输出信号VOUT与电桥激励信号VIN同频。
进一步地,步骤三中电桥激励信号、放大后的电桥输出信号和解调器芯片输出信号之间满足其中,Pout是解调器芯片输出信号,V′OUT是放大后的电桥输出信号,V′out=N·VOUT,N是对电桥输出信号进行放大的倍数,A是电桥激励信号VIN的幅值,B是放大后的电桥输出信号V′OUT的幅值,θ1是电桥激励信号VIN的相位,θ2是放大后的电桥输出信号V′OUT的相位,ωc是电桥激励信号VIN和放大后的电桥输出信号V′OUT的频率,t是时间。
进一步地,步骤三中对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号具体包括:采用低通滤波器对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号,滤波后的解调器芯片输出信号满足其中Pout′是滤波后的解调器芯片输出信号。
进一步地,步骤六中ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器输出电压信号具体包括:ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度通过PID算法控制数模转换器输出电压信号。
进一步地,数模转换器输出电压信号根据计算,其中,u(k)是数模转换器输出电压信号,kp是比例系数,ki是积分系数,kd是微分系数;D是模数转换器的采样周期;e(k)是预期的原子气室温度和在当前时刻原子气室的温度的差值,e(k-1)是预期的原子气室温度和在上一采样时刻原子气室的温度的差值,Yi(k-1)是上一时刻的积分值。
进一步地,步骤七具体包括:可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行初级放大以得到初级放大的加热驱动信号,对初级放大的加热驱动信号进行二级放大得到二级放大后的加热驱动信号,根据二级放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整。
进一步地,步骤二中采用仪表放大器对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号;步骤七中采用功率放大器对初级放大的加热驱动信号进行二级放大得到二级放大后的加热驱动信号。
进一步地,热敏电阻包括PT1000热敏电阻。
根据本发明的另一方面,提供了一种原子气室温度闭环控制装置,该原子气室温度闭环控制装置采用如上所述的原子气室温度闭环控制方法实现原子气室温度的闭环控制。
应用本发明的技术方案,提供了一种原子气室温度闭环控制方法及装置,该原子气室温度闭环控制方法通过采用各类低功耗器件对原子气室的温度形成闭环控制,该方法在保证原子气室温度控制的稳定性的基础之上,大幅减小系统功耗,进而提高了系统的环境适应性,满足了工程应用需求。与现有技术相比,本发明的原子气室温度闭环控制方法及装置能够解决现有技术中原子气室温度控制方法功耗高的技术问题。
附图说明
所包括的附图用来提供对本发明实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本发明的实施例,并与文字描述一起来阐释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了根据本发明的具体实施例提供的原子气室温度闭环控制方法流程示意图;
图2示出了根据本发明的具体实施例提供的原子气室温度闭环控制装置结构示意图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如图1和图2所示,根据本发明的具体实施例提供了一种原子气室温度闭环控制方法,该原子气室温度闭环控制方法具体包括:步骤一,ARM(Advanced RISC Machines)处理器控制第一DDS(Direct Digital Synthesizer)电路产生电桥激励信号;步骤二,非平衡电桥根据电桥激励信号输出电桥输出信号,对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号;步骤三,解调器芯片根据电桥激励信号和放大后的电桥输出信号输出解调器芯片输出信号,对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号;步骤四,模数转换器(ADC)在当前时刻对滤波后的解调器芯片输出信号进行采样;步骤五,ARM处理器根据模数转换器在当前时刻的采样结果解算非平衡电桥中的热敏电阻在当前时刻的阻值,根据解算得到的热敏电阻在当前时刻的阻值解算原子气室在当前时刻的温度;步骤六,ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器(DAC)输出电压信号,ARM处理器控制第二DDS电路产生加热驱动信号;步骤七,可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行放大以得到放大后的加热驱动信号,根据放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整;步骤八,重复步骤四至步骤八,对原子气室的任一采样时刻的温度进行实时调整以实现原子气室温度的闭环控制。
应用此种配置方式,提供了一种原子气室温度闭环控制方法及装置,该原子气室温度闭环控制方法通过采用各类低功耗器件对原子气室的温度形成闭环控制,该方法在保证原子气室温度控制的稳定性的基础之上,大幅减小系统功耗,进而提高了系统的环境适应性,满足了工程应用需求。与现有技术相比,本发明的原子气室温度闭环控制方法及装置能够解决现有技术中原子气室温度控制方法功耗高的技术问题。
进一步地,在本发明中,为了对原子气室温度进行闭环控制,需要对原子气室的温度信号进行解调。首先ARM处理器控制第一DDS电路产生电桥激励信号,该电桥激励信号用于激励热敏电阻所在的非平衡电桥。作为本发明的一个具体实施例,信号频率为73kHz。
此外,在本发明中,第一DDS电路产生电桥激励信号之后,非平衡电桥根据电桥激励信号输出电桥输出信号。作为本发明的一个具体实施例,非平衡电桥中电桥激励信号和电桥输出信号之间满足其中,VOUT是电桥输出信号,VIN是电桥激励信号,R是热敏电阻在当前时刻的阻值,R0是非平衡电桥中桥臂电阻的阻值,电桥输出信号VOUT与电桥激励信号VIN同频。
进一步地,在本发明中,在获得电桥输出信号之后,对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号。作为本发明的一个具体实施例,采用仪表放大器对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号。在本实施例中,仪表放大器对电桥输出信号进行放大满足其中,V′OUT是放大后的电桥输出信号,N是对电桥输出信号进行放大的倍数,R1是仪表放大器的放大倍数调节电阻。
此外,在本发明中,在对电桥输出信号进行放大得到放大后的电桥输出信号之后,解调器芯片根据电桥激励信号和放大后的电桥输出信号输出解调器芯片输出信号。作为本发明的一个具体实施例,电桥激励信号、放大后的电桥输出信号和解调器芯片输出信号之间满足其中,Pout是解调器芯片输出信号,A是电桥激励信号VIN的幅值,B是放大后的电桥输出信号V′OUT的幅值,θ1是电桥激励信号VIN的相位,θ2是放大后的电桥输出信号V′OUT的相位,ωc是电桥激励信号VIN和放大后的电桥输出信号V′OUT的频率,t是时间。
进一步地,在本发明中,在获得解调器芯片输出信号之后,对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号。作为本发明的一个具体实施例,采用低通滤波器对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号,滤波后的解调器芯片输出信号满足其中Pout′是滤波后的解调器芯片输出信号。在本实施例中,由于VIN和V′OUT两信号间的相位差较小,即θ1≈θ2,进而上式可表示为:由于A,R1,R0均是设定值,所以只要获知滤波后的解调器芯片输出信号Pout″,即可得到热敏电阻的阻值R。
此外,在本发明中,在获得滤波后的解调器芯片输出信号之后,模数转换器在当前时刻对滤波后的解调器芯片输出信号进行采样。作为本发明的一个具体实施例,可采用高精度低速的模数转换器进行采样,以降低原子气室温度控制方法的功耗。
进一步地,在本发明中,模数转换器在当前时刻对滤波后的解调器芯片输出信号进行采样完成之后,将采样结果传递至ARM处理器,ARM处理器根据模数转换器在当前时刻的采样结果解算非平衡电桥中的热敏电阻在当前时刻的阻值,根据解算得到的热敏电阻在当前时刻的阻值解算原子气室在当前时刻的温度。作为本发明的一个具体实施例,热敏电阻可选用PT1000热敏电阻,其阻值R和温度T满足
此外,在本发明中,在完成解算原子气室在当前时刻的温度之后,即完成了对原子气室的温度信号进行解调,然后根据上述温度解调结果进行温度闭环控制。ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器输出电压信号,ARM处理器控制第二DDS电路产生加热驱动信号。作为本发明的一个具体实施例,ARM处理器根据原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度通过PID(Proportion IntegrationDifferentiation)算法控制数模转换器输出电压信号。在该实施例中,数模转换器输出电压信号根据计算,其中,u(k)是数模转换器输出电压信号,kp是比例系数,ki是积分系数,kd是微分系数;D是模数转换器的采样周期;e(k)是预期的原子气室温度和在当前时刻原子气室的温度的差值,e(k-1)是预期的原子气室温度和在上一采样时刻原子气室的温度的差值,Yi(k-1)是上一时刻的积分值。
进一步地,在本发明中,在获得数模转换器的输出电压信号和加热驱动信号之后,可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行放大以得到放大后的加热驱动信号,根据放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整。作为本发明的一个具体实施例,可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行初级放大以得到初级放大的加热驱动信号,采用功率放大器对初级放大的加热驱动信号进行二级放大得到二级放大后的加热驱动信号,根据二级放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整。二级放大后的加热驱动信号和加热驱动信号之间满足其中,VHEAT′是二级放大后的加热驱动信号,VHEAT是第二DDS电路产生的加热驱动信号,M是功率放大器的放大倍数,是可变增益放大器的放大倍数。
此外,在本发明中,通过上述对加热片的控制完成对当前时刻的原子气室温度的调整,使得原子气室当前时刻的温度等于预期的原子气室温度。然后重复步骤四至步骤八,对原子气室的下一采样时刻的温度进行实时调整,以实现原子气室温度的闭环控制。
在本发明中,上述原子气室温度闭环控制方法相比于现有技术能够降低50%以上的系统功耗,满足了原子气室的各类工程应用需求。
根据本发明的另一方面,提供了一种原子气室温度闭环控制装置,该原子气室温度闭环控制装置采用如上所述的原子气室温度闭环控制方法实现原子气室温度的闭环控制。
应用此种配置方式,提供了一种原子气室温度闭环控制装置,由于本发明的原子气室温度闭环控制方法能够在保证原子气室温度控制的稳定性的基础之上,大幅减小系统功耗,进而提高了系统的环境适应性,满足了工程应用需求。因此,通过将原子气室温度闭环控制方法应用到原子气室温度闭环控制装置中,能够极大地降低装置的功耗。
为了对本发明有进一步地了解,下面结合图1和图2对本发明的原子气室温度闭环控制方法及装置进行详细说明。
如图1和图2所示,根据本发明的具体实施例提供了一种原子气室温度闭环控制方法,该原子气室温度闭环控制方法具体包括以下步骤。
步骤一,ARM处理器控制第一DDS电路产生电桥激励信号。
步骤三,解调器芯片根据电桥激励信号和放大后的电桥输出信号输出解调器芯片输出信号,对解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号,电桥激励信号、放大后的电桥输出信号和解调器芯片输出信号之间满足
步骤五,ARM处理器根据模数转换器在当前时刻的采样结果解算非平衡电桥中的热敏电阻在当前时刻的阻值,根据解算得到的热敏电阻在当前时刻的阻值解算原子气室在当前时刻的温度。
步骤七,可变增益放大器根据数模转换器输出的电压信号对加热驱动信号进行放大以得到放大后的加热驱动信号,根据放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对原子气室的温度进行实时调整,二级放大后的加热驱动信号和加热驱动信号之间满足
步骤八,重复步骤四至步骤八,对原子气室的任一采样时刻的温度进行实时调整以实现原子气室温度的闭环控制。
综上所述,本发明提供了一种原子气室温度闭环控制方法及装置,该原子气室温度闭环控制方法通过采用各类低功耗器件对原子气室的温度形成闭环控制,该方法在保证原子气室温度控制的稳定性的基础之上,大幅减小系统功耗,进而提高了系统的环境适应性,满足了工程应用需求。与现有技术相比,本发明的原子气室温度闭环控制方法及装置能够解决现有技术中原子气室温度控制方法功耗高的技术问题。
为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而,示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位),并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外,需要说明的是,使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件,仅仅是为了便于对相应零部件进行区别,如没有另行声明,上述词语并没有特殊含义,因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种原子气室温度闭环控制方法,其特征在于,所述原子气室温度闭环控制方法具体包括:
步骤一,ARM处理器控制第一DDS电路产生电桥激励信号;
步骤二,非平衡电桥根据所述电桥激励信号输出电桥输出信号,对所述电桥输出信号进行放大得到放大后的所述电桥输出信号;
步骤三,解调器芯片根据所述电桥激励信号和放大后的所述电桥输出信号输出解调器芯片输出信号,对所述解调器芯片输出信号进行滤波处理得到滤波后的解调器芯片输出信号;
步骤四,模数转换器在当前时刻对所述滤波后的解调器芯片输出信号进行采样;
步骤五,所述ARM处理器根据所述模数转换器在当前时刻的采样结果解算所述非平衡电桥中的热敏电阻在当前时刻的阻值,根据解算得到的所述热敏电阻在当前时刻的阻值解算所述原子气室在当前时刻的温度;
步骤六,所述ARM处理器根据所述原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器输出电压信号,所述ARM处理器控制第二DDS电路产生加热驱动信号;
步骤七,可变增益放大器根据所述数模转换器输出的电压信号对所述加热驱动信号进行放大以得到放大后的加热驱动信号,根据所述放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对所述原子气室的温度进行实时调整;
步骤八,重复所述步骤四至所述步骤八,对所述原子气室的任一采样时刻的温度进行实时调整以实现原子气室温度的闭环控制;
所述步骤二中所述电桥激励信号和所述电桥输出信号之间满足其中,VOUT是所述电桥输出信号,VIN是所述电桥激励信号,R是所述热敏电阻在当前时刻的阻值,R0是所述非平衡电桥中桥臂电阻的阻值,所述电桥输出信号VOUT与所述电桥激励信号VIN同频;
3.根据权利要求1或2所述的原子气室温度闭环控制方法,其特征在于,所述步骤六中所述ARM处理器根据所述原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度控制数模转换器输出电压信号具体包括:所述ARM处理器根据所述原子气室当前时刻的温度和预期的原子气室温度通过PID算法控制数模转换器输出电压信号。
5.根据权利要求1所述的原子气室温度闭环控制方法,其特征在于,所述步骤七具体包括:可变增益放大器根据所述数模转换器输出的电压信号对所述加热驱动信号进行初级放大以得到初级放大的加热驱动信号,对所述初级放大的加热驱动信号进行二级放大得到二级放大后的加热驱动信号,根据所述二级放大后的加热驱动信号控制原子气室加热片对所述原子气室的温度进行实时调整。
6.根据权利要求5所述的原子气室温度闭环控制方法,其特征在于,所述步骤二中采用仪表放大器对所述电桥输出信号进行放大得到放大后的所述电桥输出信号;所述步骤七中采用功率放大器对所述初级放大的加热驱动信号进行二级放大得到二级放大后的加热驱动信号。
7.根据权利要求1所述的原子气室温度闭环控制方法,其特征在于,所述热敏电阻包括PT1000热敏电阻。
8.一种原子气室温度闭环控制装置,其特征在于,所述原子气室温度闭环控制装置采用如权利要求1至7中任一项所述的原子气室温度闭环控制方法实现原子气室温度的闭环控制。
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