CN110668845A - 一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法 - Google Patents

一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，方法如下：1）镁砂、氧化铝、氧化铬、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后注浆成型，得到陶瓷胚体；2）将硅化钼、硅化钽、玻璃粉、硼化硅、乙醇和羧甲基纤维素球磨得到的浆料涂覆在陶瓷胚体表面，干燥后进行热处理；3）将陶瓷胚体浸入经过纳米氧化铁分散液中，取出后用紫外灯进行照射处理；4）将釉料喷涂在陶瓷胚体表面进行釉面烧结即可。本发明通过对常规的陶瓷胚体原料以及釉料进行改进，并且对胚体表面进行处理，使得烧结后的釉面波化均匀，光泽度高，热稳定性好，同时可以很好的消除釉面出现波浪形纹、裂纹、针孔甚至脱釉等缺陷，提高釉面的完整性，使得产品质量得到明显改善。

Description

一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法
技术领域
本发明属于陶瓷釉料技术领域，具体涉及一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法。
背景技术
瓷釉又称陶瓷釉，覆盖在陶瓷制品表面的无色或有色的玻璃态薄层。釉料是中国古瓷鉴定的重要内容之一。釉的本质是依附于瓷胎表面的连续的玻璃质，有些特殊釉，则是玻璃与晶体的混合层面，具有与玻璃相类似的物理和化学性质。
由于人们生活水平的不断提高，人们的审美观念的多元化、个性化需求日趋突出，对陶瓷用品的装饰多元化、艺术化需求也在不断提高，作为中国传统陶瓷产业釉色装饰设计单调，制作工艺操作要求复杂，多色釉料不便于在同一产品上实施操作的工艺局限，而且工作效率低下，成本局高不下，产品外观装饰效果生涩呆板，缺乏自然流畅的设计要求，容易出现缩釉、色脏、颜色过渡堆釉，色差、薄釉等诸多缺陷，严重影响了陶瓷产品的艺术效果，同时也严重制约了陶瓷产品的研发与推广应用，也阻碍了企业与行业的发展壮大。
发明内容
本发明的目的是针对现有的问题，提供了一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，具体工艺步骤如下：
1）将镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后过200目筛，然后加入总量1.5-2倍量的水搅拌均匀形成陶瓷泥浆，再经球磨机连续球磨后进行陈腐，然后经注浆成型，干燥脱模后在800-1000℃下焙烧3-5h，得到陶瓷胚体；通过在常规的陶瓷胚体的原料中加入镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉与氧化钛，镁砂细粉、氧化铝微粉和氧化铬微粉在焙烧过程中发生原位反应形成镁铝尖晶石、镁铬尖晶石以及镁铝铬尖晶石，使得陶瓷胚体的体积发生膨胀，使得陶瓷胚体的线膨胀系数增大，从而使得陶瓷胚体的线膨胀系数稍大于釉料的线膨胀系数，在烧成冷却过程中，胚体的收缩大于釉的收缩，胚体将对釉面施加压缩作用，釉面受到压应力而处于压应力状态，由于釉面的抗压能力大于抗张能力，从而可以避免釉层产生裂纹甚至发生脱落；添加的氧化钛可以促进原位反应的进行，促进原位尖晶石的形成；
2）按照质量比为25-30:12-15:10-13:1的比例称取硅化钼、硅化钽、玻璃粉和硼化硅，放入球磨罐中，加入乙醇和羧甲基纤维素，以400-500r/min的转速混合球磨6-10h，然后将的到的硅化物浆料均匀的涂覆在陶瓷胚体表面，涂覆均匀后置于50-60℃恒温箱中干燥10-15h，然后升温至110-130℃继续干燥4-5h，将干燥后的陶瓷胚体放入升温至1300-1400℃的煅烧炉中热处理20-25min，取出后自然冷却至室温；通过将浆料均匀涂覆在陶瓷胚体表面，采用二段缓慢干燥方式进行干燥处理，可以使浆料中的挥发性气体受热后均匀逸出，形成均匀的孔道，可以加快热量在浆料中的传递，避免浆料因受热不均形成内外温差，从而降低浆料固化过程中内应力的产生，从而避免浆料在干燥固化过程中出现裂缝；通过高温热处理，浆料中的部分硅化钼和硼化硅氧化生成低熔点氧化物氧化钼和氧化硼，受热挥发形成多孔结构，使得浆料层表面形成微孔，并且浆料层外层部分氧化生成具有良好抗氧化性能的Ta-Si-O保护层，并将表面的微孔覆盖，从而形成外层密实内层微孔的浆料层结构，从而提高陶瓷的抗热震性，避免在后续的高温烧结过程中产生裂纹，形成的保护层可以保护微孔，避免后续上釉过程中釉料渗入微孔中堵塞微孔；添加的玻璃粉受热熔融后可以将硅化钼和硅化钽黏结在一起，有助于形成完整连续的保护膜，同时还可以与陶瓷胚体黏结在一起，提高浆料层的附着力，有助于形成具有良好结合能力的浆料层结构；
3）将硅烷偶联剂KH-550加入到无水乙醇中，搅拌溶解后加入纳米氧化铁，加热至80-90℃，在转速为800-1000r/min下高速搅拌40-50min，然后将过滤后的产物用无水乙醇溶液进行清洗，然后加入到无水乙醇溶液中，在300-400W超声波下振荡分散20-30min，制得质量分数为2-5%的改性氧化铁分散液，然后将冷却后的陶瓷胚体浸入分散液中，用超声波清洗器分散处理5-10min，功率为500-600W，将处理后的陶瓷胚体取出，在50-60℃烘箱中烘干5-7h，然后在紫外灯下照射处理30-40h即可；通过超声波分散处理，使得陶瓷胚体表面附着大量经硅烷偶联剂改性处理的纳米氧化铁粒子，然后经紫外灯照射处理，纳米氧化铁表面在紫外灯照射下会产生电子空穴对，部分空穴会与晶格中的氧发生反应而在表面产生氧空位，这些氧空位更容易被釉料浆液中的氢氧根吸附，从而使得氧化铁表面的接触角减小，使得陶瓷胚体表面的润湿性得到提高，有利于釉料在陶瓷胚体表面的均匀铺展，从而可以减少釉料表面出现缩釉现象；通过对纳米氧化铁进行硅烷偶联剂改性处理，一方面可以改善氧化铁粉末的团聚现象，使得氧化铁粉末分散均匀，另一方面则可以提升氧化铁的光催化性能，促进紫外灯照射下氧化铁表面电子空穴对的产生，从而提高氧化铁在紫外灯照射下的处理效率；
4）将经过处理的陶瓷胚体预热至60-70℃，然后将釉料在55-65℃下保温存放30-40h后喷涂在陶瓷胚体表面，烘干后进行二次喷釉，然后将喷釉后的陶瓷装窑进行釉面烧结，烧成温度为1200-1500℃，在此温度下保温2-3h；通过将普通的陶瓷釉料的主成分铝矾土、白云石、长石以及石英焙烧粉碎后与氟化钙进行高温烧结，在高温下氟化钙可以电离成为钙离子和氟离子，其中两个氟离子取代一个氧离子，从而使原本复杂的硅氧四面体逐步形成[SiF4]单体，通过添加氟化钙，能够破坏长石以及石英中的硅氧四面体结构，从而可以降低釉料在高温烧结时的粘度，使得釉料在高温下具有较好的流动性，从而降低釉面出现波浪形纹、橘釉甚至缩釉等缺陷，从而提高釉面的光泽度以及光滑平整性。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤1）中，所述镁砂细粉的粒径为50-70um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.5-1.5%；所述氧化铝微粉的粒径为20-40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05-0.2%；所述氧化铬微粉的的粒径为20-40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05-0.2%；所述氧化钛的粒径为30-50um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.03-0.07%；所述陶瓷胚体原料为常规陶瓷所选用的原料，原料重量百分比如下：方解石50-60%、钠长石5-15%、膨润土5-10%、硅灰石1-3%、熔块20-30%、增强剂纤维素醚0.1-1.0%、减水剂聚丙烯酸钠0.03-0.08%。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤1）中，所述球磨机的球磨介质的粒径以及配比如下：直径为40mm的二氧化锆中球占80%，直径20mm的二氧化锆中球占20%，球料比为6-10:1，转速为500-700r/min，球磨时间2-3h。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤2）中，所述乙醇与硅化钼的液固比为20-40:1ml/g；所述羧甲基纤维素的质量分数为1-3%，添加量为乙醇重量的3-5%；所述球磨罐的球料比为5-8:1；所述浆料层的厚度为50-80um。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤3）中，所述硅烷偶联剂KH-550的添加量为纳米氧化铁质量的5-10%；所述硅烷偶联剂KH-550与无水乙醇的固液比为1:400-500g/ml；所述紫外灯的功率为125-375W，波长为365-386nm。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤4）中，所述陶瓷胚体表面一次喷釉的厚度为0.1-0.2mm，二次喷釉的厚度为0.2-0.3mm。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤4）中，所述釉料的制备方法如下：将铝矾土20-30份、白云石10-15份、长石5-10份、石英5-10份混合后在500-550℃下焙烧4-5h，粉碎研磨过后50目筛，制得混合粉末，然后加入氟化钙3-7份，放入到石墨坩埚中，在氮气分为下以10-15℃/min的升温速率加热至1400-1500℃，保温2-3h，然后按照100-150℃/min的降温速度迅速冷却至室温，然后加入到球磨机中，再加入硼砂5-7份、粘土6-9份、氧化锌1-2份、氧化钴1-2份、二氧化硅2-3份、羧甲基纤维素钠3-5份以及适量的水，在50-60℃下球磨10-15h，制得粒度为20-30um的釉料，其中釉料中水分含量控制在30-40%。
优选地，一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其中步骤4）中，所述釉面烧结时的温度曲线为：先以20-40℃/min的升温速度升温至700-900℃，保温1-2h后再以60-100℃/min的升温速度升温至1200-1500℃，保温2-3h后以40-70℃的降温速度降温至500-600℃，保温3-4h后再以80-120℃的降温速度降温至室温即可。
本发明相比现有技术具有以下优点：本发明提供的釉料上釉方法，通过对常规的陶瓷胚体原料以及釉料进行改进，并且对胚体表面进行处理，使得烧结后的釉面波化均匀，光泽度高，热稳定性好，同时可以很好的消除釉面出现波浪形纹、橘釉甚至缩釉等缺陷，提高釉面的完整性，从而使得产品质量得到明显改善。
具体实施方式
下面结合具体实施方法对本发明做进一步的说明。
实施例1
一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，具体工艺步骤如下：
1）将镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后过200目筛，然后加入总量1.5倍量的水搅拌均匀形成陶瓷泥浆，再经球磨机连续球磨后进行陈腐，然后经注浆成型，干燥脱模后在800℃下焙烧5h，得到陶瓷胚体；
2）按照质量比为25:12:10:1的比例称取硅化钼、硅化钽、玻璃粉和硼化硅，放入球磨罐中，加入乙醇和羧甲基纤维素，以400r/min的转速混合球磨10h，然后将得到的浆料均匀的涂覆在陶瓷胚体表面，涂覆均匀后置于50℃恒温箱中干燥15h，然后升温至110℃继续干燥5h，将干燥后的陶瓷胚体放入升温至1300℃的煅烧炉中热处理25min，取出后自然冷却至室温；
3）将硅烷偶联剂KH-550加入到无水乙醇中，搅拌溶解后加入纳米氧化铁，加热至80℃，在转速为800r/min下高速搅拌50min，然后将过滤后的产物用无水乙醇溶液进行清洗，然后加入到无水乙醇溶液中，在300W超声波下振荡分散30min，制得质量分数为2%的改性氧化铁分散液，然后将冷却后的陶瓷胚体浸入分散液中，用超声波清洗器分散处理5min，功率为600W，将处理后的陶瓷胚体取出，在50℃烘箱中烘干7h，然后在紫外灯下照射处理20h即可；
4）将经过处理的陶瓷胚体预热至60℃，然后将釉料在55℃下保温存放40h后喷涂在陶瓷胚体表面，烘干后进行二次喷釉，然后将喷釉后的陶瓷装窑进行釉面烧结，烧成温度为1200℃，在此温度下保温3h即可。
作为优选，其中步骤1）中，所述镁砂细粉的粒径为50um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.5%；所述氧化铝微粉的粒径为20um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05%；所述氧化铬微粉的的粒径为20um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05%；所述氧化钛的粒径为30um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.03%；所述陶瓷胚体原料为常规陶瓷所选用的原料，原料重量百分比如下：方解石50%、钠长石15%、膨润土10%、硅灰石3%、熔块21.87%、增强剂纤维素醚0.1%、减水剂聚丙烯酸钠0.03%。
作为优选，其中步骤1）中，所述球磨机的球磨介质的粒径以及配比如下：直径为40mm的二氧化锆中球占80%，直径20mm的二氧化锆中球占20%，球料比为6:1，转速为500r/min，球磨时间3h。
作为优选，其中步骤2）中，所述乙醇与硅化钼的液固比为20:1ml/g；所述羧甲基纤维素的质量分数为1%，添加量为乙醇重量的3%；所述球磨罐的球料比为5:1；所述浆料层的厚度为50um。
作为优选，其中步骤3）中，所述硅烷偶联剂KH-550的添加量为纳米氧化铁质量的5%；所述硅烷偶联剂KH-550与无水乙醇的固液比为1:400g/ml；所述紫外灯的功率为125W，波长为365nm。
作为优选，其中步骤4）中，所述陶瓷胚体表面一次喷釉的厚度为0.1mm，二次喷釉的厚度为0.2mm。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉料的制备方法如下：将铝矾土20份、白云石10份、长石5份、石英5份混合后在500℃下焙烧5h，粉碎研磨过后50目筛，制得混合粉末，然后加入氟化钙3份，放入到石墨坩埚中，在氮气分为下以10℃/min的升温速率加热至1400℃，保温3h，然后按照100℃/min的降温速度迅速冷却至室温，然后加入到球磨机中，再加入硼砂5份、粘土6份、氧化锌1份、氧化钴1份、二氧化硅2份、羧甲基纤维素钠3份以及适量的水，在50℃下球磨15h，制得粒度为20um的釉料，其中釉料中水分含量控制在30%。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉面烧结时的温度曲线为：先以20℃/min的升温速度升温至700℃，保温2h后再以60℃/min的升温速度升温至1200℃，保温3h后以40℃的降温速度降温至500℃，保温4h后再以80℃的降温速度降温至室温即可。
实施例2
一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，具体工艺步骤如下：
1）将镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后过200目筛，然后加入总量0.8倍量的水搅拌均匀形成陶瓷泥浆，再经球磨机连续球磨后进行陈腐，然后经注浆成型，干燥脱模后在900℃下焙烧4h，得到陶瓷胚体；
2）按照质量比为28:13:12:1的比例称取硅化钼、硅化钽、玻璃粉和硼化硅，放入球磨罐中，加入乙醇和羧甲基纤维素，以450r/min的转速混合球磨8h，然后将得到的浆料均匀的涂覆在陶瓷胚体表面，涂覆均匀后置于55℃恒温箱中干燥12h，然后升温至120℃继续干燥4.5h，将干燥后的陶瓷胚体放入升温至1400℃的煅烧炉中热处理23min，取出后自然冷却至室温；
3）将硅烷偶联剂KH-550加入到无水乙醇中，搅拌溶解后加入纳米氧化铁，加热至85℃，在转速为900r/min下高速搅拌45min，然后将过滤后的产物用无水乙醇溶液进行清洗，然后加入到无水乙醇溶液中，在350W超声波下振荡分散25min，制得质量分数为4%的改性氧化铁分散液，然后将冷却后的陶瓷胚体浸入分散液中，用超声波清洗器分散处理7min，功率为550W，将处理后的陶瓷胚体取出，在55℃烘箱中烘干6h，然后在紫外灯下照射处理25h即可；
4）将经过处理的陶瓷胚体预热至65℃，然后将釉料在60℃下保温存放35h后喷涂在陶瓷胚体表面，烘干后进行二次喷釉，然后将喷釉后的陶瓷装窑进行釉面烧结，烧成温度为1350℃，在此温度下保温2.5h即可。
作为优选，其中步骤1）中，所述镁砂细粉的粒径为60um，添加量为陶瓷胚体原料重量的1.0%；所述氧化铝微粉的粒径为30um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.15%；所述氧化铬微粉的的粒径为30um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.10%；所述氧化钛的粒径为40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05%；所述陶瓷胚体原料为常规陶瓷所选用的原料，原料重量百分比如下：方解石55%、钠长石10%、膨润土8%、硅灰石2%、熔块24.15%、增强剂纤维素醚0.8%、减水剂聚丙烯酸钠0.05%。
作为优选，其中步骤1）中，所述球磨机的球磨介质的粒径以及配比如下：直径为40mm的二氧化锆中球占80%，直径20mm的二氧化锆中球占20%，球料比为8:1，转速为600r/min，球磨时间2.5h。
作为优选，其中步骤2）中，所述乙醇与硅化钼的液固比为30:1ml/g；所述羧甲基纤维素的质量分数为2%，添加量为乙醇重量的4%；所述球磨罐的球料比为6:1；所述浆料层的厚度为75um。
作为优选，其中步骤3）中，所述硅烷偶联剂KH-550的添加量为纳米氧化铁质量的8%；所述硅烷偶联剂KH-550与无水乙醇的固液比为1:450g/ml；所述紫外灯的功率为325W，波长为375nm。
作为优选，其中步骤4）中，所述陶瓷胚体表面一次喷釉的厚度为0.15mm，二次喷釉的厚度为0.25mm。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉料的制备方法如下：将铝矾土25份、白云石13份、长石7份、石英7份混合后在530℃下焙烧4.5h，粉碎研磨过后50目筛，制得混合粉末，然后加入氟化钙5份，放入到石墨坩埚中，在氮气分为下以12℃/min的升温速率加热至1450℃，保温2.5h，然后按照120℃/min的降温速度迅速冷却至室温，然后加入到球磨机中，再加入硼砂6份、粘土8份、氧化锌1.5份、氧化钴1.5份、二氧化硅2.5份、羧甲基纤维素钠4份以及适量的水，在55℃下球磨13h，制得粒度为25um的釉料，其中釉料中水分含量控制在35%。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉面烧结时的温度曲线为：先以30℃/min的升温速度升温至800℃，保温1.5h后再以80℃/min的升温速度升温至1350℃，保温2.5h后以60℃的降温速度降温至550℃，保温3.5h后再以100℃的降温速度降温至室温即可。
实施例3
一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，具体工艺步骤如下：
1）将镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后过200目筛，然后加入总量2倍量的水搅拌均匀形成陶瓷泥浆，再经球磨机连续球磨后进行陈腐，然后经注浆成型，干燥脱模后在1000℃下焙烧3h，得到陶瓷胚体；
2）按照质量比为30:15:13:1的比例称取硅化钼、硅化钽、玻璃粉和硼化硅，放入球磨罐中，加入乙醇和羧甲基纤维素，以500r/min的转速混合球磨6h，然后将得到的浆料均匀的涂覆在陶瓷胚体表面，涂覆均匀后置于60℃恒温箱中干燥10h，然后升温至130℃继续干燥4h，将干燥后的陶瓷胚体放入升温至1500℃的煅烧炉中热处理20min，取出后自然冷却至室温；
3）将硅烷偶联剂KH-550加入到无水乙醇中，搅拌溶解后加入纳米氧化铁，加热至90℃，在转速为1000r/min下高速搅拌40min，然后将过滤后的产物用无水乙醇溶液进行清洗，然后加入到无水乙醇溶液中，在400W超声波下振荡分散20min，制得质量分数为5%的改性氧化铁分散液，然后将冷却后的陶瓷胚体浸入分散液中，用超声波清洗器分散处理10min，功率为500W，将处理后的陶瓷胚体取出，在60℃烘箱中烘干5h，然后在紫外灯下照射处理30h即可；
4）将经过处理的陶瓷胚体预热至70℃，然后将釉料在65℃下保温存放30h后喷涂在陶瓷胚体表面，烘干后进行二次喷釉，然后将喷釉后的陶瓷装窑进行釉面烧结，烧成温度为1500℃，在此温度下保温2h即可。
作为优选，其中步骤1）中，所述镁砂细粉的粒径为70um，添加量为陶瓷胚体原料重量的1.5%；所述氧化铝微粉的粒径为40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.2%；所述氧化铬微粉的的粒径为40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.2%；所述氧化钛的粒径为50um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.07%；所述陶瓷胚体原料为常规陶瓷所选用的原料，原料重量百分比如下：方解石60%、钠长石5%、膨润土5%、硅灰石3%、熔块25.92%、增强剂纤维素醚1.0%、减水剂聚丙烯酸钠0.08%。
作为优选，其中步骤1）中，所述球磨机的球磨介质的粒径以及配比如下：直径为40mm的二氧化锆中球占80%，直径20mm的二氧化锆中球占20%，球料比为10:1，转速为700r/min，球磨时间2h。
作为优选，其中步骤2）中，所述乙醇与硅化钼的液固比为40:1ml/g；所述羧甲基纤维素的质量分数为3%，添加量为乙醇重量的5%；所述球磨罐的球料比为8:1；所述浆料层的厚度为80um。
作为优选，其中步骤3）中，所述硅烷偶联剂KH-550的添加量为纳米氧化铁质量的10%；所述硅烷偶联剂KH-550与无水乙醇的固液比为1:500g/ml；所述紫外灯的功率为375W，波长为386nm。
作为优选，其中步骤4）中，所述陶瓷胚体表面一次喷釉的厚度为0.2mm，二次喷釉的厚度为0.3mm。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉料的制备方法如下：将铝矾土30份、白云石15份、长石10份、石英10份混合后在550℃下焙烧4h，粉碎研磨过后50目筛，制得混合粉末，然后加入氟化钙7份，放入到石墨坩埚中，在氮气分为下以15℃/min的升温速率加热至1500℃，保温2h，然后按照150℃/min的降温速度迅速冷却至室温，然后加入到球磨机中，再加入硼砂7份、粘土9份、氧化锌2份、氧化钴2份、二氧化硅3份、羧甲基纤维素钠5份以及适量的水，在60℃下球磨10h，制得粒度为30um的釉料，其中釉料中水分含量控制在40%。
作为优选，其中步骤4）中，所述釉面烧结时的温度曲线为：先以40℃/min的升温速度升温至900℃，保温1h后再以100℃/min的升温速度升温至1500℃，保温2h后以70℃的降温速度降温至600℃，保温3h后再以120℃的降温速度降温至室温即可。
对比例1：去除步骤1）中的镁砂细粉，其余与实施例1相同。
对比例2：去除步骤1）中的氧化铝微粉，其余与实施例1相同。
对比例3：去除步骤1）中的氧化铬微粉，其余与实施例1相同。
对比例4：去除步骤1）中氧化钛，其余与实施例1相同。
对比例5：去除步骤2）中的硅化钼和硼化硅，其余与实施例1相同。
对比例6：去除步骤2）中的硅化钽，其余与实施例1相同。
对比例7：去除步骤2）中的玻璃粉，其余与实施例1相同。
对比例8：将步骤2）中的二段缓慢干燥方式替换成直接在90℃下干燥10h，其余与实施例1相同。
对比例9：去除步骤3）中的硅烷偶联剂KH-550，其余与实施例1相同。
对比例10：去除步骤3）中的纳米氧化铁，其余与实施例1相同。
对比例11：去除步骤3）中的紫外线照射处理，其余与实施例1相同。
对比例12：去除步骤4）中釉料中添加的氟化钙，其余与实施例1相同。
试验例：分别对实施例1-3和对比例1-12制得的产品进行比较，结果如下表所示：
波浪形纹/条 裂纹/条 针孔/个 釉层脱落面积/%
实施例1 0 0 0 0
实施例2 0 0 0 0
实施例3 0 0 0 0
对比例1 3 6 2 0.4
对比例2 2 3 1 0.3
对比例3 2 4 1 0.3
对比例4 1 1 2 0.1
对比例5 2 5 2 0.1
对比例6 2 3 1 0.2
对比例7 1 1 2 1.7
对比例8 3 5 4 0.4
对比例9 7 4 9 0.3
对比例10 15 7 18 0.5
对比例11 17 7 21 0.6
对比例12 10 8 5 0.6
注：所述釉层脱落面积%=脱落的釉层面积/釉层总面积×100%。
本发明提供的上釉方法，釉面波化均匀，光泽度高，热稳定性好，可以很好的消除釉面出现波浪形纹、裂纹、针孔甚至脱釉等缺陷，提高釉面的完整性，从而使得产品质量得到明显改善。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变换或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，具体工艺步骤如下：
1）将镁砂细粉、氧化铝微粉、氧化铬微粉、氧化钛与陶瓷胚体的原料混合研磨后过200目筛，然后加入总量1.5-2倍量的水搅拌均匀形成陶瓷泥浆，再经球磨机连续球磨后进行陈腐，然后经注浆成型，干燥脱模后在800-1000℃下焙烧3-5h，得到陶瓷胚体；
2）按照质量比为25-30:12-15:10-13:1的比例称取硅化钼、硅化钽、玻璃粉和硼化硅，放入球磨罐中，加入乙醇和羧甲基纤维素，以400-500r/min的转速混合球磨6-10h，然后将得到的浆料均匀的涂覆在陶瓷胚体表面，涂覆均匀后置于50-60℃恒温箱中干燥10-15h，然后升温至110-130℃继续干燥4-5h，将干燥后的陶瓷胚体放入升温至1300-1500℃的煅烧炉中热处理20-25min，取出后自然冷却至室温；
3）将硅烷偶联剂KH-550加入到无水乙醇中，搅拌溶解后加入纳米氧化铁，加热至80-90℃，在转速为800-1000r/min下高速搅拌40-50min，然后将过滤后的产物用无水乙醇溶液进行清洗，然后加入到无水乙醇溶液中，在300-400W超声波下振荡分散20-30min，制得质量分数为2-5%的改性氧化铁分散液，然后将冷却后的陶瓷胚体浸入分散液中，用超声波清洗器分散处理5-10min，功率为500-600W，将处理后的陶瓷胚体取出，在50-60℃烘箱中烘干5-7h，然后在紫外灯下照射处理20-30h即可；
4）将经过处理的陶瓷胚体预热至60-70℃，然后将釉料在55-65℃下保温存放30-40h后喷涂在陶瓷胚体表面，烘干后进行二次喷釉，然后将喷釉后的陶瓷装窑进行釉面烧结，烧成温度为1200-1500℃，在此温度下保温2-3h即可。
2.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤1）中，所述镁砂细粉的粒径为50-70um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.5-1.5%；所述氧化铝微粉的粒径为20-40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05-0.2%；所述氧化铬微粉的的粒径为20-40um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.05-0.2%；所述氧化钛的粒径为30-50um，添加量为陶瓷胚体原料重量的0.03-0.07%；所述陶瓷胚体原料为常规陶瓷所选用的原料，原料重量百分比如下：方解石50-60%、钠长石5-15%、膨润土5-10%、硅灰石1-3%、熔块20-30%、增强剂纤维素醚0.1-1.0%、减水剂聚丙烯酸钠0.03-0.08%。
3.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤1）中，所述球磨机的球磨介质的粒径以及配比如下：直径为40mm的二氧化锆中球占80%，直径20mm的二氧化锆中球占20%，球料比为6-10:1，转速为500-700r/min，球磨时间2-3h。
4.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤2）中，所述乙醇与硅化钼的液固比为20-40:1ml/g；所述羧甲基纤维素的质量分数为1-3%，添加量为乙醇重量的3-5%；所述球磨罐的球料比为5-8:1；所述浆料层的厚度为50-80um。
5.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤3）中，所述硅烷偶联剂KH-550的添加量为纳米氧化铁质量的5-10%；所述硅烷偶联剂KH-550与无水乙醇的固液比为1:400-500g/ml；所述紫外灯的功率为125-375W，波长为365-386nm。
6.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤4）中，所述陶瓷胚体表面一次喷釉的厚度为0.1-0.2mm，二次喷釉的厚度为0.2-0.3mm。
7.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤4）中，所述釉料的制备方法如下：将铝矾土20-30份、白云石10-15份、长石5-10份、石英5-10份混合后在500-550℃下焙烧4-5h，粉碎研磨过后50目筛，制得混合粉末，然后加入氟化钙3-7份，放入到石墨坩埚中，在氮气分为下以10-15℃/min的升温速率加热至1400-1500℃，保温2-3h，然后按照100-150℃/min的降温速度迅速冷却至室温，然后加入到球磨机中，再加入硼砂5-7份、粘土6-9份、氧化锌1-2份、氧化钴1-2份、二氧化硅2-3份、羧甲基纤维素钠3-5份以及适量的水，在50-60℃下球磨10-15h，制得粒度为20-30um的釉料，其中釉料中水分含量控制在30-40%。
8.如权利要求1所述的一种降低陶瓷表面产生缩釉缺陷的上釉方法，其特征在于，步骤4）中，所述釉面烧结时的温度曲线为：先以20-40℃/min的升温速度升温至700-900℃，保温1-2h后再以60-100℃/min的升温速度升温至1200-1500℃，保温2-3h后以40-70℃的降温速度降温至500-600℃，保温3-4h后再以80-120℃的降温速度降温至室温即可。
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