CN110660832A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置包括：柔性基底，具有呈底切的凹槽；公共层，设置在柔性基底上，包括有机发光层，并通过凹槽断开；以及密封构件，设置在公共层上并覆盖公共层。柔性基底包括第一基底层和设置在第一基底层上的第一阻挡层。第一阻挡层相对于第一基底层在凹槽处突出。突出的第一阻挡层具有波形。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法
本申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第 10-2018-0075296号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的方面涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光二极管 (“OLED”)显示装置和一种制造该OLED显示装置的方法。
背景技术
显示装置是用于显示图像的设备，近来，OLED显示装置已经备受关注。这样的OLED显示装置具有自发射特性，因此，与液晶显示(“LCD”)装置不同，因为OLED显示装置中不需要单独的光源，所以可以减小OLED显示装置的厚度和重量。另外，OLED显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高反应速率的高质量特性。
为了改善OLED显示装置的性能和寿命，需要提供气密密封以使外部湿气和氧的影响基本最小化。然而，在传统的OLED显示装置中，存在OLED 显示装置中的OLED由于外部引入到OLED显示装置中的氧和湿气而劣化的问题。
为了基本防止OLED显示装置的湿气渗透，提出了使用具有底切的凹槽的方法。
然而，当完成使用例如激光来限定凹槽的工艺时，必须在形成公共层之前去除在限定凹槽的工艺期间产生的残余材料。为此，可以采用使用高压水的清洗方法。然而，在清洗工艺中会损坏突出的阻挡层，然后会降低湿气渗透防止功能的可靠性。
将理解的是，本背景技术部分意图提供用于理解技术的有用背景，并且如这里所公开的，背景技术部分可以包括在这里所公开的主题的相应有效提交日之前不是相关领域技术人员已知或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
实施例可以涉及有机发光二极管(“OLED”)显示装置，其能够增强OLED 显示装置的防止透湿性的可靠性。
根据实施例，一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：柔性基底，具有呈底切的凹槽；公共层，设置在柔性基底上，包括有机发光层，并且通过凹槽断开；以及密封构件，设置在公共层上并覆盖公共层。柔性基底包括第一基底层和设置在第一基底层上的第一阻挡层。第一阻挡层相对于第一基底层在凹槽处突出。突出的第一阻挡层具有波形。
第一阻挡层可以在第一阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状，并且在与第一方向垂直的第二方向上具有波形。
在第二方向上，波形可以具有脊和谷，并且脊和谷之间的高度差与脊中的相邻脊之间的距离的比率可以在约1/5至约5的范围内。
脊和谷之间的高度差与脊中的相邻脊之间的距离的比率在约1/2至约2 的范围内。
柔性基底可以具有通孔，并且凹槽可以包围通孔。
第一方向可以是穿过通孔的中心的方向，第二方向可以是相对于中心的圆周方向。
第一阻挡层的接触第一基底层的至少一部分可以具有波形。
在第一方向上，第一阻挡层的所述至少一部分的长度可以基本等于或长于第一阻挡层的突出部分的长度。
具有波形的第一阻挡层可以位于显示区域与通孔之间，图像被构造为在显示区域处显示。
第一阻挡层可以包括第一中间阻挡层，第一中间阻挡层将位于显示区域处的第一阻挡层和具有波形的第一阻挡层连接。
第一中间阻挡层可以从具有波形的第一阻挡层向上延伸。
第一中间阻挡层可以从具有波形的第一阻挡层向下延伸。
柔性基底还可以包括设置在第一阻挡层上的第二基底层和设置在第二基底层上的第二阻挡层。第二阻挡层可以相对于第二基底层在凹槽处突出。
突出的第二阻挡层可以具有波形。
第二阻挡层的波形可以与第一阻挡层的波形对应。
突出的第二阻挡层可以是平面的。
第一基底层可以包括从由聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)组成的组中选择的一种或更多种。
第二基底层可以包括从聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)组成的组中选择的一种或更多种。
根据实施例，一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：基底，包括显示区域、贯穿区域和外围区域，并且具有呈底切并被限定在外围区域处的凹槽；有机发光元件，设置在显示区域处的基底上；公共层，设置在外围区域处的基底上并且通过凹槽断开；以及密封构件，设置在有机发光元件和公共层上。基底包括基底层以及设置在基底层上并相对于基底层突出的阻挡层。在外围区域处的阻挡层具有波形。
外围区域可以位于显示区域与贯穿区域之间。阻挡层可以在阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状，并且在与第一方向垂直的第二方向上具有波形。
外围区域可以围绕贯穿区域。显示区域可以围绕外围区域。阻挡层可以在穿过贯穿区域的中心的方向上具有直线形状，并且在相对于中心的圆周方向上具有波形。
根据实施例，一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备载体基底；在载体基底上形成柔性基底；在柔性基底处限定呈底切的凹槽；清洗在其处限定有凹槽的柔性基底；在柔性基底上形成公共层，公共层包括有机发光层并通过凹槽断开；以及在公共层上形成密封构件以覆盖公共层。形成柔性基底的步骤包括：在载体基底上形成第一基底层；在与凹槽对应的区域处的第一基底层上形成波形；以及在第一基底层上形成第一阻挡层。
形成柔性基底的步骤还可以包括：在第一阻挡层上形成第二基底层；以及在第二基底层上形成第二阻挡层。
形成第二基底层的步骤可以包括在第二基底层上形成波形。
第二基底层的波形可以与第一基底层的波形对应。
第二基底层的上表面可以是平面的。
前述内容仅是说明性的，并不意图以任何方式进行限制。除了上述说明性的方面、实施例和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，进一步的方面、实施例和特征将变得明显。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的实施例，对发明构思的更完整的理解将变得更加明显，其中：
图1A和图1B是示意性地示出根据实施例的有机发光二极管(“OLED”) 显示装置的平面图；
图2是示出图1A的区域A的平面图；
图3是沿图1A的线I-I′截取的剖视图；
图4A和图4B是示出根据实施例的阻挡层的透视图；
图5A、图5B、图5C和图5D是示出根据实施例的OLED显示装置的剖视图；
图6A、图6B、图6C和图6D是示出根据实施例的OLED显示装置的剖视图；
图7A、图7B、图7C和图7D是示出根据实施例的OLED显示装置的剖视图；
图8是示出根据实施例的OLED显示装置的剖视图；
图9是示出图8中的区域C的剖视图；
图10是示出图8中的区域D的剖视图；
图11A、图11B、图11C、图11D、图11E和图11F是示出根据实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图；
图12A、图12B、图12C、图12D、图12E、图12F、图12G和图12H 是示出根据实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图；
图13是示出根据实施例的OLED显示装置的剖视图；以及
图14A、图14B、图14C、图14D、图14E和图14F是示出根据实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。尽管发明构思可以以各种方式修改并且具有若干实施例，但是实施例在附图中示出并且将主要在说明书中描述。然而，发明构思的范围不限于所述实施例，并且应该被解释为包括发明构思的精神和范围内包括的所有变化、等同物和替换。
在附图中，为了清楚和易于对其描述，以放大的方式示出了多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板上，或者在它们之间可以存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，在它们之间可以不存在中间层、区域或板。此外，当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下方”时，该层、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板下方，或者在它们之间可以存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、区域或板。
为了便于描述，这里可以使用诸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或组件与另外的元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中的装置被翻转的情况下，放置为“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以被放置“在”另一装置“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方位置和下方位置两者。该装置也可以在其它方向上定位，因此可以根据方位不同地解释空间相对术语。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到所述另一元件或“电连接”到所述另一元件，并且在它们之间置有一个或更多个中间元件。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以被类似地命名。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“约”或“近似地”包括所陈述的值，并表示对于如本领域普通技术人员所确定的特定值在可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的土30％、±20％、±10％、土5％内。
除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
可以不提供与描述无关的一些部分以便具体描述实施例，并且在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。
在下文中，将参照图1A和图1B来描述根据实施例的有机发光二极管 (“OLED”)显示装置100的示意性平面结构。
图1A和图1B是示意性地示出根据实施例的OLED显示装置100的平面图。
参照图1A和图1B，根据实施例的OLED显示装置100可以包括显示区域DA、贯穿区域TA和外围区域PA。在显示区域DA中，可以显示图像。均发射光的多个像素可以布置在显示区域DA中，从而可以显示图像。
贯穿区域TA可以是将设置有包括在OLED显示装置100中的例如照相机、传感器和/或扬声器的区域。贯穿区域TA可以通过如下步骤来设置：在基底上形成例如绝缘层、导电层和有机层，然后通过限定与贯穿区域TA对应的通孔。下面将详细地描述限定这样的通孔的方法。
尽管图1A和图1B中示出了贯穿区域TA具有大体圆形的形状，但是实施例不限于此。贯穿区域TA可以具有多边形形状，例如，正方形、三角形。
外围区域PA可以位于显示区域DA与贯穿区域TA之间。外围区域PA 可以围绕贯穿区域TA，并且显示区域DA可以围绕外围区域PA。用于向像素施加驱动信号(例如，数据信号、栅极信号等)的驱动电路等可以设置在外围区域PA处。
在下文中，将参照图2和图3来描述根据实施例的限定在OLED显示装置100中的通孔和凹槽。
图2是示出图1A的区域A的平面图，图3是沿图1A的线I-I′截取的剖视图。
参照图2和图3，根据实施例，通孔TH和凹槽GR可以限定在OLED 显示装置100中。贯穿区域TA可以通过通孔TH限定。凹槽GR可以限定在外围区域PA处。
凹槽GR可以位于显示区域DA与贯穿区域TA之间。凹槽GR可以具有包围通孔TH的形状。凹槽GR可以具有底切形状。具有底切形状的凹槽GR 可以是开口、狭缝(aperture)和孔中的一种。通孔TH可以具有与OLED显示装置100的整个厚度对应的形状。凹槽GR可以具有与OLED显示装置100 的厚度的一部分对应的形状。例如，呈圆形形状的凹槽GR在朝向通孔TH的中心CE的径向方向上具有一定宽度、在相对于通孔TH的中心CE的圆周方向上具有一定长度，并且在与径向方向和圆周方向垂直的方向上具有一定深度。
尽管图2和图3中通过示例的方式示出了一个凹槽GR限定在外围区域 PA处，但是实施例不限于此。可选地，包围通孔TH的多个凹槽GR可以限定在外围区域PA处。
在下文中，首先将参照图4A至图4B来描述根据实施例的OLED显示装置100的阻挡层的形状，稍后将描述根据实施例的OLED显示装置100的阻挡层与其它组件的布置关系。
图4A是示出根据实施例的阻挡层112的透视图，图4B是示出根据另一实施例的阻挡层112的透视图。阻挡层112包括阻挡层112a、112b、112c，即，阻挡层112的部分。
显示区域DA的阻挡层112a(有时被称为显示区域阻挡层112a)是平面的。外围区域PA的阻挡层112c在朝向通孔TH的中心CE的径向方向上具有直线形状，并且在与径向方向垂直的圆周方向上具有波形。
具有波形的阻挡层112c(有时被称为波形阻挡层112c)通过在阻挡层 112c的中间部分处的凹槽GR断开。位于凹槽GR与通孔TH之间的整个阻挡层112c在圆周方向上(或在凹槽GR的长度方向上)具有波形，并且阻挡层112c的一部分相对于阻挡层112c下方的基底层(和在阻挡层112c上方的基底层)朝向凹槽GR突出。
倾斜的(例如，垂直于显示区域DA的阻挡层112a延伸的)阻挡层112b (在下文中，被称为“中间阻挡层112b”)设置在外围区域PA的阻挡层112c 与显示区域DA的阻挡层112a之间，并且将外围区域PA的阻挡层112c和显示区域DA的阻挡层112a连接。
将外围区域PA的阻挡层112c和显示区域DA的阻挡层112a(即，具有波形的阻挡层112c和不具有波形的阻挡层112a)连接的中间阻挡层112b可以位于外围区域PA处。可选地，中间阻挡层112b可以位于显示区域DA与外围区域PA之间的边界处。然而，实施例不限于此，中间阻挡层112b可以位于显示区域DA处。中间阻挡层112b相对于凹槽GR被定位为与贯穿区域 TA相对，并且被(如下面进一步说明和讨论的)第一基底层111支撑。
具有波形的阻挡层112c的底表面的一部分是底切的(即，从第一基底层 111暴露)并且接触(如下面进一步说明和讨论的)密封构件150，具有波形的阻挡层112c的底表面的另一部分接触第一基底层111并且被第一基底层 111支撑。在穿过贯穿区域TA的中心CE的方向上，所述底表面的接触密封构件150的部分的长度可以基本等于或小于所述底表面的接触第一基底层 111的部分的长度。
如图4A中所示，外围区域PA的阻挡层112c可以具有基本等于或小于显示区域DA的阻挡层112a的(在Z轴方向上的)高度的高度。例如，外围区域PA的阻挡层112c的脊(例如线IV-IV′)的高度基本等于显示区域DA 的阻挡层112a的高度，外围区域PA的阻挡层112c的谷(例如线V-V′)的高度小于显示区域DA的阻挡层112a的高度。因此，中间阻挡层112b从显示区域DA的阻挡层112a向下延伸。
如图4B中所示，外围区域PA的阻挡层112c可以具有基本等于或高于显示区域DA的阻挡层112a的(在Z轴方向上的)高度的高度。例如，外围区域PA的阻挡层112c的谷(例如线VI-VI′)的高度基本等于显示区域DA 的阻挡层112a的高度，外围区域PA的阻挡层112c的脊(例如线VII-VII′) 的高度高于显示区域DA的阻挡层112a的高度。因此，位于阻挡层112a与阻挡层112c之间的中间阻挡层112b从显示区域DA的阻挡层112a向上延伸。阻挡层112a和112c的高度被定义为距与显示区域DA的阻挡层112a平行的任意平面(例如，(如下面进一步说明和讨论的)第一基底层111的底表面) 的距离。
阻挡层的上述结构可以应用于(如下面进一步说明和讨论的)第一阻挡层(例如，阻挡层112、212、312、412和512)和第二阻挡层(例如，阻挡层214、314、414和514)中的一者或两者。
在以上和下面的描述中，凹槽GR已经描述为包围通孔TH的圆形，并且基于此已经定义了宽度方向(径向方向)和长度方向(圆周方向)。如上所述，凹槽GR可以为多边形形状，例如，四边形、三角形，并且可以包括在长度方向上呈曲线或直线的任何类型的线性形状。任意形状的凹槽GR或具有波形的阻挡层112c的长度方向在平面(XY平面)上可以通过阻挡层112c 与凹槽GR之间的边界线限定，或者通过支撑阻挡层112c的第一基底层111 与凹槽GR之间的边界线来定义。宽度方向可以被定义为其中阻挡层112c从支撑阻挡层112c的第一基底层111突出的方向，即，与长度方向垂直的方向。
在下文中，将参照图5A、图5B、图5C和图5D详细地描述根据实施例的OLED显示装置的剖面结构。
图5A、图5B和图5C是在图1A中的径向方向上沿线I-I′截取的图3中的区域B的放大剖视图。更具体地，图5A是沿图4A中的线IV-IV′或图4B 中的线VI-VI′截取的剖视图。图5B是沿图4A中的线V-V′截取的剖视图。图 5C是沿图4B中的线VII-VII′截取的剖视图。图5D是在图2的圆周方向上沿线II-II′或线III-III′截取的剖视图。
首先将描述图5A、图5B、图5C和图5D共同的描述。根据实施例的 OLED显示装置100可以包括柔性基底110、子结构120、公共层140和密封构件150。
柔性基底110可以包括第一基底层111和第一阻挡层112。第一基底层 111可以包括玻璃层111。第一基底层111可以包括具有优异的耐热性和耐久性的聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES) 中的一种或更多种塑料材料。
与玻璃基底相比，塑料材料(即，形成第一基底层111的材料)容易渗透例如水和氧，因此会使易受湿气或氧影响的有机发光层劣化，并且降低 OLED的寿命。为了基本防止这种情况，可以在第一基底层111上设置第一阻挡层112。
第一阻挡层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、非晶硅的无机材料。期望的是，第一阻挡层112的透湿性为约10-5g/m2×天或更小。
如上所述，与凹槽GR相邻的第一阻挡层112具有其高度在圆周方向(长度方向)上改变的波形，并且在径向方向(宽度方向)上具有直线形状。
凹槽GR可以被限定在柔性基底110处。凹槽GR可以被限定在外围区域PA处。凹槽GR可以具有与柔性基底100的厚度的一部分对应的形状。例如，凹槽GR可以具有与第一阻挡层112的整个厚度和第一基底层111的厚度的一部分对应的形状。
凹槽GR可以具有底切形状。例如，在凹槽GR处，第一基底层111相对于第一阻挡层112可以是底切的。换言之，与第一基底层111相比，具有波形的第一阻挡层112可以在凹槽GR处突出。因此，凹槽GR在第一基底层111处的宽度可以大于凹槽GR在第一阻挡层112处的宽度。
子结构120可以设置柔性基底110上，并且公共层140可以设置在子结构120上。下面将参照图9来描述子结构120。公共层140可以包括有机发光层。
公共层140可以通过凹槽GR断开。公共层140可以包括设置在凹槽GR 外部的第一部分140a以及设置在凹槽GR中的第二部分140b。例如，第一部分140a可以设置在凹槽GR外部的第一阻挡层112上。另外，第二部分140b 可以设置在凹槽GR中的第一基底层111上。
公共层140的第一部分140a和第二部分140b可以彼此断开。公共层140 的第一部分140a和第二部分140b可以通过凹槽GR的底切形状和凹槽GR 的深度彼此断开。
可以在公共层140上设置覆盖公共层140的密封构件150。密封构件150 可以包括无机材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌。
密封构件150可以覆盖公共层140的第一部分140a、公共层140的第二部分140b以及柔性基底110的被凹槽GR暴露的表面。具体地，密封构件150 可以覆盖公共层140的第一部分140a的上表面和侧表面、公共层140的第二部分140b的上表面和侧表面、第一基底层111的被凹槽GR暴露的上表面和侧表面以及第一阻挡层112的底表面和侧表面。
在下文中，将参照图5A至图5D详细地描述第一阻挡层112的结构。如上所述，图5A和图5B分别是沿图4A的线IV-IV′和线V-V′截取的剖视图。图5A和图5C分别是沿图4B的线VI-VI′和线VII-VII′截取的剖视图。图5D 与图4A的剖视图和图4B的剖视图两者对应。
首先，参照图5A、图5B和图5D，将描述图4A中示出的类型的第一阻挡层112。
图5A是沿第一阻挡层112的脊截取的剖视图，图5B是沿第一阻挡层112 的谷截取的剖视图，图5D是在圆周方向上的剖视图。
参照图5A，外围区域PA的第一阻挡层112c与波形的脊对应，并且其高度基本等于第一阻挡层112a的高度。
参照图5B，外围区域PA的第一阻挡层112c与波形的谷对应，并且其高度低于显示区域DA的呈平面的第一阻挡层112a的高度。第一中间阻挡层 112b将外围区域PA的第一阻挡层112c和显示区域DA的第一阻挡层112a 连接。第一中间阻挡层112b可以从显示区域DA的第一阻挡层112a向下延伸。子结构120的上表面是平面的，因此设置在第一阻挡层112c上的公共层 140的第一部分140a和密封构件150可以是平面的。在实施例中，设置在第一阻挡层112c上的公共层140的第一部分140a和密封构件150可以具有根据第一阻挡层112a、112b和112c的波形。
第一中间阻挡层112b相对于凹槽GR位于通孔TH的背侧上。具有波形的第一阻挡层112c的底表面的一部分是底切的并接触密封构件150，并且具有波形的第一阻挡层112c的底表面的剩余部分接触第一基底层111。在径向方向上，底表面的接触密封构件150的部分的长度L1可以基本等于或小于底表面的接触第一基底层111的部分的长度L2。
参照图5D，外围区域PA的第一阻挡层112c具有其高度沿圆周方向变化的波形。设置在外围区域PA的第一阻挡层112c上的公共层140的第一部分 140a和密封构件150可以是平面的，或者可以具有与第一阻挡层112c的形状对应的波形。
幅值H相对于波长W的比率具有预定值，幅值H是外围区域PA的第一阻挡层112c的谷的顶部与脊的顶部之间的高度差，波长W是第一阻挡层 112c的相邻谷(或相邻脊)之间的距离。幅值H可以是外围区域PA的第一阻挡层112c的谷的底部与脊的底部之间的高度差。随着比率减小，第一阻挡层112c可能被沿竖直方向(Z方向)施加的力损坏。谷与脊之间的幅值H相对于其相邻谷(或其相邻脊)之间的波长W的比率可以在约1/5至约5的范围内，更合适的，在约1/2至约2的范围内。
参照图5D，在外围区域PA处的第一阻挡层112c的波形具有作为正弦函数(sinfunction)的曲线形状。然而，实施例不限于此，第一阻挡层112c的波形可以具有各种形状，例如三角形、四边形、梯形。
接着，将参照图5A、图5C和图5D来描述图4B中示出的类型的第一阻挡层112。
图5A是沿第一阻挡层112的谷的方向的剖视图，图5C是沿第一阻挡层 112的脊的方向的剖视图，图5D是在圆周方向上的剖视图。
参照图5A，外围区域PA的第一阻挡层112c与波形的谷对应，并且其高度基本等于显示区域DA的第一阻挡层112a的高度。
参照图5C，外围区域PA的第一阻挡层112c对应于波形的脊，并且其高度高于显示区域DA的第一阻挡层112a的高度。第一中间阻挡层112b将外围区域PA的第一阻挡层112c和显示区域DA的第一阻挡层112a连接。第一中间阻挡层112b可以从显示区域DA的第一阻挡层112a向上延伸。设置在第一阻挡层112c上的公共层140的第一部分140a和密封构件150可以是平面的或者具有如第一阻挡层112c的波形的波形。
另外，如上所述，第一中间阻挡层112b相对于凹槽GR位于通孔TH的背侧上。
参照图5D，图4B的外围区域PA处的第一阻挡层112c的波形具有与图 4A的外围区域PA处的第一阻挡层112c的波形的形状基本相同的形状。然而，图4B的外围区域PA的第一阻挡层112c的波形的高度可以比图4A的外围区域PA的第一阻挡层112c的高度高出波形的高度(脊与谷之间的高度差)。
在下文中，将参照图6A至图6D来详细地描述根据实施例的OLED显示装置的剖面结构。
图6A、图6B和图6C是在图1A的径向方向上沿线I-I′截取的图3的区域B的放大剖视图。具体地，图6A是沿图4A的线IV-IV′或图4B的线VI-VI′截取的剖视图。图6B是沿图4A的线V-V′截取的剖视图。图6C是沿图4B 的线VII-VII′截取的剖视图。图6D是在图2的圆周方向上沿线II-II′或线III-III′截取的剖视图。
在图6A至图6D的描述中将省略在上文中参照图5A至图5D已经给出的冗余描述。
首先将给出对图6A至图6D共同的描述。根据实施例的OLED显示装置200可以包括柔性基底210、子结构220、公共层240和密封构件250。
柔性基底210可以包括第一基底层211、第一阻挡层212、第二基底层 213和第二阻挡层214。第一基底层211可以包括第一玻璃层211，第二基底层213可以包括第二玻璃层213。第一阻挡层212具有在图4A或图4B中示出的波形。
第二基底层213可以包括具有优异的耐热性和耐久性的聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种或更多种塑料材料。
第二阻挡层214可以设置在第二基底层213上。第二阻挡层214可以包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、非晶硅。第二阻挡层214的透湿性基本等于或小于约10-5g/m2×天可以是合适的。
如上所述，与凹槽GR相邻的第一阻挡层212具有其高度在圆周方向(长度方向)上变化的波形，并且在径向方向(宽度方向)上具有直线形状。第二阻挡层214在显示区域DA和外围区域PA两者处是平面的。
凹槽GR可以被限定在柔性基底210处。凹槽GR可以具有与第二阻挡层214的整个厚度、第二基底层213的整个厚度、第一阻挡层212的整个厚度以及第一基底层211的厚度的一部分对应的形状。
凹槽GR可以具有底切形状。例如，在凹槽GR处，第二基底层213相对于第二阻挡层214可以是底切的。换言之，在凹槽GR处，第二阻挡层214 与第二基底层213相比可以突出。因此，凹槽GR在第二基底层213处的宽度可以大于凹槽GR在第二阻挡层214处的宽度W2。
凹槽GR的宽度可以从柔性基底210的上部到其下部大致上减小。例如，凹槽GR在第二阻挡层214处的宽度W2可以大于凹槽GR在第一阻挡层212 处的宽度W1。另外，凹槽GR在第二基底层213处的宽度可以大于凹槽GR 在第一基底层211处的宽度。
子结构220可以设置在柔性基底210上，公共层240可以设置在子结构 220上。子结构220将在下面参照图9来描述。公共层240可以包括有机发光层。
公共层240可以包括设置在凹槽GR外部的第一部分240a和设置在凹槽 GR中的第二部分240b。例如，第一部分240a可以设置在凹槽GR外部的第二阻挡层214上。另外，第二部分240b的一部分可以设置在凹槽GR中的第一阻挡层212上，第二部分240b的剩余部分可以设置在凹槽GR中的第一基底层211上。
密封构件250可以覆盖公共层240的第一部分240a的上表面和侧表面，公共层240的第二部分240b的上表面和侧表面，第一基底层211的被凹槽 GR暴露的上表面和侧表面，具有波形的第一阻挡层212的被凹槽GR暴露的底表面、侧表面和上表面，第二基底层213的侧表面以及具有平面形状的第二阻挡层214的被凹槽GR暴露的底表面和侧表面。
在下文中，将参照图6A至图6D来详细地描述第一阻挡层212的结构。如上所述，图6A和图6B分别是沿图4A的线IV-IV′和线V-V′截取的剖视图。图6A和图6C分别是沿图4B的线VI-VI′和线VII-VII′截取的剖视图。图6D 与图4A的剖视图和图4B的剖视图两者对应。
首先，将参照图6A、图6B和图6D来描述图4A中示出的类型的第一阻挡层212。
图6A是沿第一阻挡层212的脊截取的剖视图，图6B是沿第一阻挡层212的谷截取的剖视图，图6D是在圆周方向上的剖视图。
参照图6A，外围区域PA的第一阻挡层212c与波形的脊对应，并且其高度基本等于显示区域DA的第一阻挡层212a的高度。
参照图6B，外围区域PA的第一阻挡层212c与波形的谷对应，并且其高度低于显示区域DA的第一阻挡层212a的高度，第一阻挡层212a是平面的。第一中间阻挡层212b将外围区域PA的第一阻挡层212c和显示区域DA的第一阻挡层212a连接。第一中间阻挡层212b可以从显示区域DA的第一阻挡层212a向下延伸。第二基底层213设置在外围区域PA的具有波形的第一阻挡层212c的一部分、第一中间阻挡层212b以及显示区域DA的呈平面的第一阻挡层212a上。第二基底层213在具有波形的第一阻挡层212c上的上表面是平面的，因此，第二阻挡层214可以是平面的。
第一中间阻挡层212b相对于凹槽GR设置在通孔TH的背侧上。具有波形的第一阻挡层212c的底表面的一部分是底切的并且接触密封构件250，具有波形的第一阻挡层212c的底表面的剩余部分接触第一基底层211。在径向方向上，所述底表面的接触密封构件250的部分的长度L1可以基本等于或小于所述底表面的接触第一基底层211的部分的长度L2。
具有波形的第一阻挡层212c的上表面的一部分是底切(暴露)的并且接触公共层240的第二部分240b和密封构件250，具有波形的第一阻挡层212c 的上表面的剩余部分接触第二基底层213。在径向方向上，所述上表面的接触公共层240的第二部分240b和密封构件250的部分的长度L3可以基本等于或小于所述上表面的接触第二基底层213的部分的长度L4。
参照图6D，外围区域PA的第一阻挡层212c具有其高度在圆周方向上变化的波形。设置在外围区域PA的第一阻挡层212c上的第二基底层213可以具有平面的上表面。即，第二基底层213可以是平坦化的，因此设置在第二基底层213上的第二阻挡层214和公共层240的第一部分240a可以是不具有波形的平面层。然而，实施例不限于此，与第一阻挡层212类似，第二阻挡层214可以具有波形。
外围区域PA的第一阻挡层212c的谷与脊之间的高度差相对于第一阻挡层212c的相邻谷(或相邻脊)之间的距离的比率具有预定值。谷与脊之间的高度差相对于其相邻谷(或其相邻脊)之间的距离的比率可以在约1/5至约5 的范围内，更合适地，在约1/2至约2的范围内。
仍然参照图6D，外围区域PA处的第一阻挡层212c的波形是如正弦函数的曲线。然而，实施例不限于此，第一阻挡层212c的波形可以是例如三角形、四边形、梯形。
接着，将参照图6A、图6C和图6D来描述图4B中示出的类型的第一阻挡层212。
图6A是沿第一阻挡层212的谷截取的剖视图，图6C是沿第一阻挡层 212的脊截取的剖视图，图6D是在圆周方向上的剖视图。
参照图6A，外围区域PA的第一阻挡层212c与波形的谷对应，并且其高度基本等于显示区域DA的第一阻挡层212a的高度。
参照图6C，外围区域PA的第一阻挡层212c与波形的脊对应，并且其高度高于显示区域DA的第一阻挡层212a的高度。第一中间阻挡层212b将外围区域PA的第一阻挡层212c和显示区域DA的第一阻挡层212a连接。第一中间阻挡层212b可以从显示区域DA的第一阻挡层212a向上延伸。设置在外围区域PA的第一阻挡层212c上的第二基底层213可以具有平面的上表面。即，第二基底层213可以是平坦化的，因此设置在第二基底层213上的第二阻挡层214和公共层240的第一部分240a可以是不具有波形的平面层。第一中间阻挡层212b的位置如图6C的描述中那样。
参照图6D，外围区域PA处的第一阻挡层212c的波形如以上给出的描述中那样，因此将被省略。
在下文中，将参照图7A至图7D来详细地描述根据实施例的OLED显示装置的剖面结构。
图7A、图7B和图7C是在图1A的径向方向上沿线I-I′截取的图3的区域B的放大剖视图。具体地，图7A是沿图4A的线IV-IV′或图4B的线VI-VI′截取的剖视图。图7B是沿图4A的线V-V′截取的剖视图。图7C是沿图4B 的线VII-VII′截取的剖视图。图7D是在图2的圆周方向上沿线II-II′或线III-III′截取的剖视图。
将从图7A至图7D的描述中省略在上文中参照图6A至图6D给出的冗余描述。
首先将给出对图7A至图7D共同的描述。参照图7A至图7D，根据实施例的OLED显示装置300可以包括柔性基底310、子结构320、公共层340 和密封构件350。
子结构320可以设置在柔性基底310与公共层340之间。凹槽GR可以限定在子结构320和柔性基底310处。凹槽GR可以具有与子结构320的整个厚度、第二阻挡层314的整个厚度、第二基底层313的整个厚度、第一阻挡层312的整个厚度以及第一基底层311的厚度的一部分对应的形状。
子结构320可以包括多个无机层。子结构320的具体结构将在下面参照图9和图10来详细地描述。
公共层340可以包括设置在凹槽GR外部的第一部分340a和设置在凹槽 GR中的第二部分340b。例如，第一部分340a可以设置在凹槽GR外部的子结构320上。另外，第二部分340b的一部分可以设置在凹槽GR中的第二阻挡层314上，第二部分340b的另一部分可以设置在凹槽GR中的第一阻挡层 312上，第二部分340b的剩余部分可以设置在凹槽GR中的第一基底层311 上。
密封构件350可以覆盖公共层340的第一部分340a的上表面和侧表面，公共层340的第二部分340b的上表面和侧表面，第一基底层311的被凹槽 GR暴露的上表面和侧表面，具有波形的第一阻挡层312的被凹槽GR暴露的底表面、侧表面和上表面，第二基底层313的侧表面，具有波形的第二阻挡层314的被凹槽GR暴露的底表面和侧表面以及子结构320的侧表面。
在下文中，将参照图7A至图7D来详细地描述第二阻挡层314的结构。由于第一阻挡层312的结构与参照图6A至图6D描述的第一阻挡层212的结构基本相同，因此将省略其详细的描述。图7A和图7B分别是沿图4A的线 IV-IV′和线V-V′截取的剖视图。图7A和图7C分别是沿图4B的线VI-VI′和线 VII-VII′截取的剖视图。图7D与图4A的剖视图和图4B的剖视图两者对应。
首先，将参照图7A、图7B和图7D来描述图4A中示出的类型的第一阻挡层312和第二阻挡层314。
图7A是沿第一阻挡层312和第二阻挡层314的脊截取的剖视图。图7B 是沿第一阻挡层312和第二阻挡层314的谷截取的剖视图。图7D是在圆周方向上的剖视图。第一阻挡层312和第二阻挡层314的谷和脊可以彼此平行。然而，实施例不限于此，第一阻挡层312和第二阻挡层314的谷和脊可以以彼此不对齐的方式定位(即，它们可以不彼此平行)。
参照图7A，外围区域PA的第二阻挡层314c与波形的脊对应，并且其高度基本等于显示区域DA的第二阻挡层314a的高度。
参照图7B，外围区域PA的第二阻挡层314c与波形的谷对应，并且其高度低于显示区域DA的第二阻挡层314a的高度。第二中间阻挡层314b将外围区域PA的第二阻挡层314c和显示区域DA的第二阻挡层314a连接。第二中间阻挡层314b可以从显示区域DA的第二阻挡层314a向下延伸。
第二中间阻挡层314b相对于第二基底层313与凹槽GR之间的边界位于 (凹槽GR对面的)内侧。即，具有波形的第二阻挡层314c的底表面的一部分是底切的并且接触密封构件350，具有波形的第二阻挡层314c的底表面的剩余部分接触第二基底层313。在径向方向上，所述底表面的接触密封构件 350的部分的长度L1可以基本等于或小于所述底表面的接触第二基底层313 的部分的长度L2。
另外，第二中间阻挡层312b相对于凹槽GR设置在通孔TH的背侧上。具有波形的第一阻挡层312c的底表面的一部分是底切的并且接触密封构件 350，具有波形的第一阻挡层312c的底表面的剩余部分接触第一基底层311。在径向方向上，所述底表面的接触密封构件350的部分的长度可以基本等于或小于所述底表面的接触第一基底层311的部分的长度。
具有波形的第二阻挡层314c的上表面的一部分接触公共层340的第二部分340b，具有波形的第二阻挡层314c的上表面的剩余部分接触子结构320。
参照图7D，外围区域PA的第一阻挡层312c和第二阻挡层314c具有其高度在圆周方向上变化的波形。设置在外围区域PA的第二阻挡层314c上的子结构320可以具有平面的上表面。即，子结构320可以是平坦化的，因此设置在子结构320上的公共层340的第一部分340a可以是不具有波形的平面层。
参照图7D，外围区域PA处的第二阻挡层314c的波形与在上文中参照图5D和图6D描述的第一阻挡层112c和212c基本相同，因此将不对其描述。
接着，将参照图7A、图7C和图7D来描述图4B中示出的类型的第二阻挡层314。
图7A是沿第二阻挡层314的谷截取的剖视图，图7C是沿第二阻挡层 314的脊截取的剖视图，图7D是在圆周方向上的剖视图。
参照图7A，外围区域PA的第二阻挡层314c与波形的谷对应，并且其高度基本等于显示区域DA的第二阻挡层314a的高度。
参照图7C，外围区域PA的第二阻挡层314c与波形的脊对应，并且其高度高于显示区域DA的第二阻挡层314a的高度。第二中间阻挡层314b将外围区域PA的第二阻挡层314c和显示区域DA的第二阻挡层314a连接。第二中间阻挡层314b可以从显示区域DA的第二阻挡层314a向上延伸。设置在外围区域PA的第二阻挡层314c上的子结构320可以具有平面的上表面。第二中间阻挡层314b的位置如在上文中参照图7B描述的那样。
参照图7D，外围区域PA处的第二阻挡层314c的波形如上面描述的一样，因此将不对其描述。
在上文中，已经描述了包括均具有波形的第一阻挡层312和第二阻挡层 314的OLED显示装置300。然而，实施例不限于此，与凹槽GR相邻的第一阻挡层312可以不具有波形(即，是平面的)，并且仅第二阻挡层314可以具有波形。
在下文中，将参照图8来详细地描述根据实施例的OLED显示装置的剖面结构。
图8是示出根据实施例的OLED显示装置400的剖视图。
除了密封构件的构造之外，图8中示出的实施例与图7A中示出的实施例的构造基本相同，因此将省略重复的描述。
参照图8，根据实施例的OLED显示装置400可以包括柔性基底410、子结构420、公共层440和密封构件450。
密封构件450可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，密封构件450可以包括第一无机层451、有机层452和第二无机层453。
第一无机层451可以设置在公共层440上。第二无机层453可以设置在第一无机层451上。第一无机层451和第二无机层453中的每个可以包括诸如氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等的无机材料。
有机层452可以设置在第一无机层451与第二无机层453之间。有机层 452可以包括诸如环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯的有机材料。
密封构件450的至少一个无机层可以覆盖柔性基底410的被凹槽GR暴露的表面。例如，第一无机层451和第二无机层453可以从凹槽GR的外部沿凹槽GR的形状延伸到凹槽GR的内部。在这样的示例性实施例中，第一无机层451可以沿凹槽GR的形状覆盖第一基底层411的被凹槽GR暴露的表面、(具有或不具有波形的)第一阻挡层412的被凹槽GR暴露的表面、第二基底层413的被凹槽GR暴露的表面、(具有或不具有波形的)第二阻挡层 414的被凹槽GR暴露的表面、公共层440的第二部分440b的被凹槽GR暴露的表面以及子结构420的被凹槽GR暴露的表面。另外，第二无机层453 可以沿第一无机层451的形状覆盖第一无机层451。
密封构件450的至少一个有机层可以设置在凹槽GR外部。换言之，所述至少一个有机层可以不设置在凹槽GR中。例如，有机层452可以以选择性的方式仅设置在凹槽GR外部。
在下文中，将参照图9和图10来详细地描述显示区域DA和外围区域 PA的子结构420和公共层440。
图9是示出图8中的区域C的剖视图。图10是示出图8中的区域D的剖视图。例如，图9可以表示OLED显示装置的一个像素。
参照图9和图10，根据实施例的OLED显示装置400可以包括柔性基底 410、子结构420、薄膜晶体管430、公共层440和密封构件450。
子结构420可以包括缓冲层421、栅极绝缘层422、绝缘中间层423、平坦化层424、像素电极425和像素限定层426。薄膜晶体管430可以包括有源图案431、栅电极432、源电极433和漏电极434。
缓冲层421可以设置在柔性基底410上。缓冲层421可以基本阻挡或减少异物、湿气或外部空气从柔性基底410下方的渗透。另外，缓冲层421可以在柔性基底410上提供平面表面。
有源图案431可以设置在缓冲层421上。有源图案431可以包括诸如非晶硅、多晶硅的半导体材料。然而，实施例不限于此，有源图案431可以包括各种材料。例如，有源图案431可以选择性地包括氧化物半导体材料、有机半导体材料。
覆盖有源图案431的栅极绝缘层422可以设置在缓冲层421上。栅极绝缘层422可以使栅电极432与有源图案431绝缘。
栅电极432可以设置在栅极绝缘层422上。栅电极432可以与有源图案 431的一部分叠置。栅电极432可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)的导电材料。
覆盖栅电极432的绝缘中间层423可以设置在栅极绝缘层422上。绝缘中间层423可以使源电极433和漏电极434与栅电极432绝缘。
缓冲层421、栅极绝缘层422和绝缘中间层423中的每个可以包括诸如氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆的无机材料。缓冲层421、栅极绝缘层422和绝缘中间层423可以从显示区域DA延伸到外围区域PA。缓冲层421、栅极绝缘层422和绝缘中间层423的边缘可以与凹槽GR相邻。
在实施例中，缓冲层421、栅极绝缘层422和绝缘中间层423的边缘可以与柔性基底410的第二阻挡层414的边缘分开。换言之，在凹槽GR处，第二阻挡层414与缓冲层421、栅极绝缘层422和绝缘中间层423相比可以进一步突出。
源电极433和漏电极434可以设置在绝缘中间层423上。源电极433和漏电极434可以电连接到有源图案431。例如，使有源图案431的第一区域暴露的第一接触孔和使有源图案431的第二区域暴露的第二接触孔被限定在栅极绝缘层422和绝缘中间层423处，并且源电极433和漏电极434可以分别通过第一接触孔和第二接触孔与有源图案431接触。源电极433和漏电极 434可以包括各种导电材料。
覆盖源电极433和漏电极434的平坦化层424可以设置在绝缘中间层423 上。平坦化层424可以消除可能由薄膜晶体管430引起的台阶差，并且在薄膜晶体管430的顶部上提供平面表面。另外，平坦化层424可以保护源电极 433和漏电极434。
OLED(或称为“有机发光元件”)可以设置在平坦化层424上。OLED 可以包括像素电极425、有机发光层442和共电极444。
像素电极425可以设置在平坦化层424上。像素电极425可以电连接到漏电极434。例如，使漏电极434暴露的第三接触孔可以限定在平坦化层424 处，并且像素电极425可以通过第三接触孔接触漏电极434。像素电极425 可以包括各种导电材料。像素电极425可以具有各种形状。例如，像素电极 425可以对应于每个像素被图案化并且具有岛形状。
覆盖像素电极425的像素限定层426可以设置在平坦化层424上。像素限定层426可以具有使像素电极425的一部分暴露的开口。
平坦化层424和像素限定层426中的每个可以包括有机材料。平坦化层 424和像素限定层426可以以选择性的方式设置在显示区域DA处，并且可以不延伸到外围区域PA。
有机发光层442可以设置在像素电极425上。有机发光层442可以包括低分子有机材料或诸如聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的聚合物有机材料。有机发光层442可以对应于每个像素单独地形成。
共电极444可以设置在有机发光层442上。共电极444也可以遍布多个像素设置在像素限定层426上。
OLED还可以包括第一有机功能层441和第二有机功能层443。第一有机功能层441可以设置在像素电极425与有机发光层442之间，第二有机功能层443可以设置在有机发光层442与共电极444之间。
第一有机功能层441可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。第二有机功能层443可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一有机功能层441和第二有机功能层443可以遍布多个像素形成。
覆盖层445可以设置共电极444上。覆盖层445可以通过控制从有机发光层442发射的可见光的折射率来保护共电极444并改善发光效率。
第一有机功能层441、第二有机功能层443、共电极444和覆盖层445 可以从显示区域DA延伸到外围区域PA。第一有机功能层441、第二有机功能层443、共电极444和覆盖层445中的至少一个可以遍及外围区域PA中的凹槽GR的外部和内部设置。尽管图9中通过示例的方式示出了包括第一有机功能层441、第二有机功能层443、共电极444和覆盖层445的公共层440 遍及凹槽GR的外部和内部设置，但是实施例不限于此。
密封构件450可以设置在覆盖层445上。
在下文中，将参照图11A至图11F来详细地描述根据实施例的制造OLED 显示装置的方法。
图11A至图11F是示出根据实施例的在限定凹槽之前制造OLED显示装置的工艺的剖视图。图11A至图11F是示出在圆周方向上截取的外围区域PA 的剖视图，其与图2中的线II-II′或线III-III′对应。
参照图11A至图11F，可以准备载体基底470，并且可以在载体基底470 上形成柔性基底410。
当热量施加到包括塑料材料的柔性基底410时，会使其弯曲或伸长，并且会难以在其上精确地形成诸如电极或导电布线的薄膜图案。因此，可以在将柔性基底410附着到载体基底470的状态下执行形成多个薄膜图案的工艺。
首先，如图11A中所示，可以在载体基底470上形成第一基底层411。可以通过在载体基底470上涂覆塑料聚合物溶液然后使其固化，或者通过在载体基底470上层压聚合物膜来形成第一基底层411。例如，可以使用热固化、紫外线固化、电子束固化作为固化方法。
然后，如图11B和图11C中所示，在第一基底层411上形成与图4A和图4B的阻挡层112的形状对应的波形。例如，形成其高度在凹槽GR的长度方向上变化并且在凹槽GR的宽度方向上具有直线形状的波形。
参照图11C，可以通过使用例如掩模图案来部分地蚀刻第一基底层411 的上表面来形成波形。例如，将蚀刻与第一阻挡层412的谷(例如，图4A 中的线V-V′)对应的区域，并且不蚀刻与第一阻挡层412的脊(例如，图4A 中的线IV-IV′)对应的区域。因此，形成在外围区域PA的第一基底层411上的波形低于显示区域DA的第一基底层411的上表面。
可选地，参照图11B，可以通过例如喷墨打印、纳米打印在第一基底层 411的上表面上形成波形。例如，打印与第一阻挡层412的脊(例如，图4B 中的线VII-VII′)对应的区域。因此，形成在外围区域PA的第一基底层411 上的波形高于显示区域DA的第一基底层411的上表面。
参照图11D，可以在第一基底层411上形成第一阻挡层412。例如，可以使用无机材料通过化学气相沉积方法、等离子体化学气相沉积方法、原子层沉积方法来形成第一阻挡层412。如在上文中描述的，由于形成在外围区域PA处的第一基底层411具有波形，因此形成在其上的第一阻挡层412具有与第一基底层411的形状对应的形状。
参照图11E，可以在第一阻挡层412上形成第二基底层413，并且可以在第二基底层413上形成第二阻挡层414。第二基底层413和第一基底层411 可以包括基本相同的材料并且可以以基本相同的方法形成。第二阻挡层414 和第一阻挡层412可以包括基本相同的材料并且可以以基本相同的方法形成。因此，外围区域PA的第二阻挡层414也具有如第一阻挡层412的波形一样的波形。然而，如图6A至图6D中所示，第二阻挡层414可以是不具有波形的平面层。在可选示例性实施例中，第一阻挡层412可以是不具有波形的平面层，而第二阻挡层414可以具有波形。
参照图11F，可以在柔性基底410上形成子结构420。可以根据有源图案 431(见图9)的材料以各种方法形成有源图案431(见图9)。例如，当有源图案431(见图9)包括例如非晶硅、氧化物半导体时，可以通过例如等离子体化学气相沉积方法、大气压化学气相沉积方法或低压化学气相沉积方法来形成有源图案431。在示例性实施例中，当有源图案431(见图9)包括例如多晶硅时，可以通过以例如快速热退火方法、固相结晶方法、准分子激光退火方法或金属诱导退火方法使非晶硅结晶来形成有源图案431。
可以通过如下步骤来形成栅电极432(见图9)、源电极433(见图9)、漏电极434(见图9)和像素电极425(见图9)：通过例如化学气相沉积方法、等离子体化学气相沉积方法或原子层沉积方法执行沉积，然后以例如光刻方法对其图案化。
在下文中，将参照图12A至图12H来详细地描述根据实施例的制造 OLED显示装置的方法。
图12A至图12H是示出根据实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图。图12A至图12H是如图5A、图6A和图7A中示出的沿径向方向的剖视图。
具体地，图12A至图12H示出了制造图8的OLED显示装置400的方法。本实施例通过示例的方式示出了制造OLED显示装置400的方法。因此，本实施例可以按原样或以修改的方式应用于其它实施例的OLED显示装置100、200和300。
参照图12A，如在上文中参照图11A至图11F描述的，可以准备载体基底470，并且可以在载体基底470上形成柔性基底410和子结构420。
参照图12B，可以通过子结构420来限定预备凹槽GR′。
可以在与下面描述的凹槽GR对应的外围区域PA处限定预备凹槽GR′。可以使用如图12A中示出的第一蚀刻源ES1来限定预备凹槽GR′。第一蚀刻源ES1可以是各种类型的并且可以包括例如激光。
参照图12C，可以在柔性基底410处限定呈底切的凹槽GR。
可以使用如图12B中示出的第二蚀刻源ES2来在被预备凹槽GR′暴露的柔性基底410处限定凹槽GR。第二蚀刻源ES2可以是各种类型的并且可以包括例如激光。
凹槽GR可以限定在第一基底层411、第一阻挡层412、第二基底层413 和第二阻挡层414处。例如，凹槽GR可以与第一基底层411的厚度的一部分、第一阻挡层412的整个厚度、第二基底层413的整个厚度以及第二阻挡层414的整个厚度对应。在这样的实施例中，第一基底层411的侧表面和上表面，第一阻挡层412的侧表面、上表面和底表面，第二基底层413的侧表面以及第二阻挡层414的侧表面、底表面和上表面可以被暴露。暴露的第一阻挡层412和/或第二阻挡层414中的全部可以具有波形。具有波形的第一阻挡层412的一部分被暴露，具有波形的第一阻挡层412的剩余部分被第一基底层411和第二基底层413覆盖。具有波形的第二阻挡层414的一部分被暴露，具有波形的第二阻挡层414的剩余部分被第二基底层413和子结构420 覆盖。
凹槽GR可以整体地限定在第一基底层411、第一阻挡层412、第二基底层413和第二阻挡层414处。例如，从上面的柔性基底410施加激光，因此凹槽GR可以在单个工艺中限定在第一基底层411、第一阻挡层412、第二基底层413和第二阻挡层414处。然而，由于分别形成第一基底层411和第二基底层413以及第一阻挡层412和第二阻挡层414的材料彼此不同，因此导致各自不同的激光吸收率，因此凹槽GR的宽度可能不是均匀的。
第一基底层411的激光吸收率可以比第一阻挡层412的激光吸收率大。因此，第一基底层411可以相对于第一阻挡层412在凹槽GR处被底切。换言之，在凹槽GR处，第一阻挡层412与第一基底层411相比可以突出。另外，第二基底层413的激光吸收率可以比第二阻挡层414的激光吸收率大。因此，第二基底层413可以相对于第二阻挡层414在凹槽GR处被底切。换言之，在凹槽GR处，第二阻挡层414与第二基底层413相比可以突出。
在实施例中，突出的第一阻挡层412和第二阻挡层414具有波形。波形在突出方向(例如，凹槽GR的宽度方向、在平面上与第一基底层411的被凹槽GR暴露的侧表面垂直的方向或者朝向通孔TH的中心CE的径向方向) 上是直的形状。波形在凹槽GR的长度方向、在平面上与第一基底层411的被凹槽GR暴露的侧表面平行的方向或者与径向方向垂直的圆周方向上具有波形。另外，其底表面未被第一基底层411暴露的第一阻挡层412和其底表面未被第二基底层413暴露的第二阻挡层414可以具有波形。
在施加若干次激光的情况下，由于凹槽GR从柔性基底410的上部向下限定，因此柔性基底410的上部可以比柔性基底410的下部更多地暴露于激光。因此，凹槽GR的宽度可以从柔性基底410的上部向下减小。例如，凹槽GR在第二阻挡层414处的宽度可以大于凹槽GR在第一阻挡层412处的宽度。另外，凹槽GR在第二基底层413处的宽度可以大于凹槽GR在第一基底层411处的宽度。
在实施例中，当完成使用例如激光限定凹槽GR的工艺时，在形成公共层440之前必须去除在限定凹槽GR的工艺期间产生的残余材料。为此，可以采用使用高压水的清洗方法。在清洗工艺中存在突出的第一阻挡层412和第二阻挡层414可能被损坏的风险。根据实施例，由于第一阻挡层412和/ 或第二阻挡层414在与突出方向垂直的方向上具有波形，因此可以减小由施加到第一阻挡层412和/或第二阻挡层414的端部的压力导致的损坏的风险。
参照图12D，可以在柔性基底410上形成通过凹槽GR断开的公共层440。
如上所述，公共层440可以包括第一有机功能层441(见图9-图10)、第二有机功能层443(见图9-图10)、共电极444(见图9-图10)和覆盖层 445(见图9-图10)中的至少一个。公共层440可以遍及显示区域DA和外围区域PA整体形成在柔性基底410上。可以通过诸如气相沉积方法、涂布方法、印刷方法、光热转印方法的各种方法来形成公共层440。
在公共层440从显示区域DA延伸到外围区域PA的情况下，湿气和/或氧会从外部引入到公共层440的边缘，这样的湿气和/或氧会穿过外围区域 PA经由公共层440被引入到显示区域DA中，会使像素劣化。因此，必须阻挡湿气和/或氧会通过其被引入的路径。
如上所述，凹槽GR可以限定在外围区域PA处，凹槽GR可以具有底切形状。因此，公共层440的形成在凹槽GR外部的第一部分440a和公共层440 的形成在凹槽GR中的第二部分440b可以彼此断开。在这样的实施例中，公共层440可以断开而无需用于断开公共层440的任何附加步骤，并且可以阻挡湿气和/或氧会通过其被引入的路径。
参照图12E、图12F和图12G，可以在公共层440上形成覆盖公共层440 的密封构件450。
首先，如图12E中所示，可以在公共层440上形成第一无机层451。可以遍及凹槽GR的外部和内部形成第一无机层451。具体地，第一无机层451 可以覆盖公共层440的在凹槽GR外部的第一部分440a、公共层440的在凹槽GR中的第二部分440b以及柔性基底410的被凹槽GR暴露的表面和子结构420的被凹槽GR暴露的表面。可以通过诸如化学气相沉积方法、原子层沉积方法、溅射方法的各种沉积方法使用无机材料来形成第一无机层451。
接着，如图12F中所示，可以在第一无机层451上形成有机层452。可以以选择性的方式在凹槽GR外部形成有机层452。换言之，可以不在凹槽 GR中形成有机层452。可以通过例如喷墨打印方法或狭缝涂布方法来形成有机层452。
接着，如图12G中所示，可以在第一无机层451上形成覆盖有机层452 的第二无机层453。可以遍及凹槽GR的外部和内部形成第二无机层453。具体地，可以沿凹槽GR中的第一无机层451的轮廓形成第二无机层453。第二无机层453和第一无机层451可以包括基本相同的材料并且可以以基本相同的方法形成。
由于密封构件450根据形成在凹槽GR中的弯曲形成，因此与未限定凹槽GR的情况相比，柔性基底410与密封构件450之间的粘合面积可以增加。因此，柔性基底410与密封构件450之间的粘合力可以增大。
参照图12H，可以将载体基底470与柔性基底410分离。
为了将载体基底470与柔性基底410分离，可以将激光施加到载体基底 470的背对载体基底470的其上形成有柔性基底410的表面的表面。第一基底层411和第二基底层413可以吸收激光，因此柔性基底410和载体基底470 之间的结合力会减弱。接着，可以利用机械应力将载体基底470与柔性基底410分离。
在下文中，将参照图13来详细地描述根据实施例的OLED显示装置的剖面结构。
图13是示出根据实施例的OLED显示装置500的剖视图。
除下保护膜、偏振构件和通孔之外，图13中示出的实施例与图8中示出的实施例基本相同，因此将省略重复的描述。
参照图13，根据实施例的OLED显示装置500包括柔性基底510、子结构520、公共层540、密封构件550、下保护膜582和偏振构件590。
下保护膜582可以设置在柔性基底510的底表面上。下保护膜582可以吸收外部冲击并且防止OLED显示装置500被冲击损坏。下保护膜582可以包括能够通过容置空气来吸收冲击的材料，例如垫、海绵。
偏振构件590可以设置在密封构件550上。偏振构件590可以使外部入射光偏转，从而可以使光消散。换言之，偏振构件590可以用于抑制外部光的反射。
OLED显示装置500可以具有通孔TH。通孔TH可以与OLED显示装置 500的整个厚度对应。具体地，通孔TH可以通过下保护膜582、柔性基底510、公共层540、密封构件550和偏振构件590来限定。OLED显示装置500的贯穿区域TA可以通过通孔TH来限定。
外围区域PA的被通孔TH暴露的至少一部分可以被密封构件550覆盖。例如，如图13中所示，柔性基底510的侧部、子结构520的侧部和公共层 540的侧部可以被密封构件550的第一无机层551和第二无机层553覆盖。因此，密封构件550可以基本防止或减少湿气和/或氧引入到外围区域PA的被通孔TH暴露的边缘。
在下文中，将参照图14A至图14F来详细地描述根据实施例的制造 OLED显示装置方法。
图14A至图14F是示出根据实施例的制造OLED显示装置的方法的示意图。
具体地，图14A至图14F示出了制造图13的OLED显示装置500的方法。在根据实施例的图14A至图14F中示出的制造OLED显示装置500的方法中，将省略与根据实施例的制造OLED显示装置400的方法基本相同或相似的描述。
参照图14A，可以在密封构件550上附着上保护膜581。
在OLED显示装置500的下部处附着载体基底570，并且可以在OLED 显示装置500的在其处限定有多个凹槽GR和GR″的密封构件550上附着上保护膜581。如图14A中所示，除了与图13中示出的凹槽GR对应的凹槽 GR之外，还可以在OLED显示装置500处限定预备凹槽GR″。凹槽GR可以包围预备凹槽GR″。在限定下面将描述的通孔TH时，预备凹槽GR″可以通过通孔TH至少部分地被暴露。
上保护膜581可以保护密封构件550。在制造OLED显示装置500的工艺期间，密封构件550会容易地被外部划痕或异物损坏。为了基本防止密封构件550被损坏，上保护膜581可以设置为基本消除或减少对工艺的限制。
参照图14B和图14C，将载体基底570与柔性基底510分离，并且可以将下保护膜582附着到柔性基底510的载体基底570从其分离的一个表面。下保护膜582可以基本防止柔性基底510的表面在工艺期间被损坏。
参照图14D，可以去除上保护膜581。上保护膜581形成为在工艺期间基本防止密封构件550被例如异物或划痕损坏，并且可以在形成于密封构件 550上形成功能构件(例如，偏振构件)之前被去除。
参照图14E，可以在密封构件550上形成偏振构件590。
参照图14F，可以在OLED显示装置500处限定通孔TH。
可以使用如图14E中示出的第三蚀刻源ES3来限定通孔TH。第三蚀刻源ES3可以是各种类型的并且可以包括例如激光。
通孔TH可以通过下保护膜582、柔性基底510、公共层540、密封构件 550和偏振构件590来限定。换言之，通孔TH可以与OLED显示装置500 的整个厚度对应。
预备凹槽GR″的至少一部分可以被通孔TH暴露。因此，预备凹槽GR″可以提供用于限定通孔TH的参考。例如，OLED显示装置500可以沿预备凹槽GR′被切割以限定通孔TH。由于通孔TH相对于预备凹槽GR″被限定，因此外围区域PA的被通孔TH暴露的至少一部分可以被密封构件550覆盖。因此，密封构件550可以基本阻挡或减少湿气和/或氧引入到外围区域PA的被通孔TH暴露的边缘。
工业实用性
根据一个或更多个实施例的OLED显示装置可以应用于包括在例如计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA或MP3 播放器中的显示装置。
如在上文中所阐述的，在根据一个或更多个实施例的显示装置中，由于阻挡层具有形成在与阻挡层突出所沿的方向垂直的方向上的波形，因此能够降低突出的阻挡层被施加到其端部的压力损坏的风险。
尽管已经参照发明构思的实施例说明并描述了发明构思，但是对于本领域普通技术人员而言将明显的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (22)

1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
柔性基底，具有呈底切的凹槽；
公共层，设置在所述柔性基底上，包括有机发光层，并且通过所述凹槽断开；以及
密封构件，设置在所述公共层上并且覆盖所述公共层，
其中，所述柔性基底包括第一基底层和设置在所述第一基底层上的第一阻挡层，
所述第一阻挡层相对于所述第一基底层在所述凹槽处突出，并且
突出的所述第一阻挡层具有波形。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一阻挡层在所述第一阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上具有所述波形。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述第二方向上，所述波形具有脊和谷，并且所述脊和所述谷之间的高度差与所述脊中的相邻脊之间的距离的比率在1/5至5的范围内。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述脊和所述谷之间的所述高度差与所述脊中的所述相邻脊之间的所述距离的所述比率在1/2至2的范围内。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述柔性基底具有通孔，并且
所述凹槽包围所述通孔。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一方向是穿过所述通孔的中心的方向，并且所述第二方向是相对于所述中心的圆周方向。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一阻挡层的接触所述第一基底层的至少一部分具有所述波形。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述第一方向上，所述第一阻挡层的所述至少一部分的长度等于或长于所述第一阻挡层的突出部分的长度。
9.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，具有所述波形的所述第一阻挡层位于显示区域与所述通孔之间，图像被构造为在所述显示区域处显示。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一阻挡层包括第一中间阻挡层，所述第一中间阻挡层将位于所述显示区域处的所述第一阻挡层和具有所述波形的所述第一阻挡层连接。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一中间阻挡层从具有所述波形的所述第一阻挡层向上延伸。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一中间阻挡层从具有所述波形的所述第一阻挡层向下延伸。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述柔性基底还包括设置在所述第一阻挡层上的第二基底层和设置在所述第二基底层上的第二阻挡层，并且
所述第二阻挡层相对于所述第二基底层在所述凹槽处突出。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，突出的所述第二阻挡层具有波形。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二阻挡层的所述波形与所述第一阻挡层的所述波形对应。
16.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，突出的所述第二阻挡层是平面的。
17.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一基底层包括从由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜组成的组中选择的一种或更多种。
18.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二基底层包括从由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜组成的组中选择的一种或更多种。
19.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底，包括显示区域、贯穿区域和外围区域，并且具有呈底切并被限定在所述外围区域处的凹槽；
有机发光元件，设置在所述显示区域处的所述基底上；
公共层，设置在所述外围区域处的所述基底上，并且通过所述凹槽断开；以及
密封构件，设置在所述有机发光元件和所述公共层上，
其中，所述基底包括基底层和阻挡层，所述阻挡层设置在所述基底层上并相对于所述基底层突出，并且
在所述外围区域处的所述阻挡层具有波形。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述外围区域位于所述显示区域与所述贯穿区域之间，并且
所述阻挡层在所述阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上具有所述波形。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述外围区域围绕所述贯穿区域，
所述显示区域围绕所述外围区域，并且
所述阻挡层在穿过所述贯穿区域的中心的方向上具有所述直线形状，并且在相对于所述中心的圆周方向上具有所述波形。
22.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备载体基底；
在所述载体基底上形成柔性基底；
在所述柔性基底中限定呈底切的凹槽；
清洗限定有所述凹槽的所述柔性基底；
在所述柔性基底上形成公共层，所述公共层包括有机发光层并通过所述凹槽断开；以及
在所述公共层上形成密封构件以覆盖所述公共层，
其中，形成所述柔性基底的步骤包括：在所述载体基底上形成第一基底层；在与所述凹槽对应的区域处的所述第一基底层上形成波形；以及在所述第一基底层上形成第一阻挡层。
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