CN110660707A - 电浆产生系统及温度调节方法 - Google Patents

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Abstract

本案是关于一种电浆产生系统，该电浆产生系统具有：介电质窗、设置于该介电质窗上的感应线圈、设置于该介电质窗上的气体分配元件，及耦接至该气体分配元件的气体调节系统。气体分配元件经配置以在介电质窗上排放热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度。气体调节系统经配置以供应热调节气体至气体分配元件。

Description

电浆产生系统及温度调节方法
技术领域
本揭示案有关于一种电浆产生系统及温度调节方法。
背景技术
随着半导体技术的进步，已存在对于更高储存容量、更快处理系统、更高效能及更低成本的需求。为了满足该等需求，半导体工业持续缩小半导体元件的尺寸。此缩小已增加了半导体制造制程的复杂性，以及对半导体制造系统中的温度调节的要求。
发明内容
本揭示案提供一种电浆产生系统，其包括介电质窗、设置于该介电质窗上的感应线圈、设置于该介电质窗上的气体分配元件，及耦接至该气体分配元件的气体调节系统。气体分配元件经配置以在介电质窗上排放热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度。气体调节系统经配置以供应热调节气体至气体分配元件。
本揭示案提供一种电浆产生系统，其包括介电质窗、耦接至该介电质窗的气体注入器、第一及第二感应线圈、第一及第二气体分配元件，及耦接至该第一及第二气体分配元件的气体调节系统。第一及第二感应线圈经径向设置于气体注入器周围且设置于介电质窗上。第一及第二气体分配元件经径向设置于第一及第二感应线圈周围且设置于介电质窗上。第一及第二气体分配元件的每一者经配置以在介电质窗上排放热调节气体。气体调节系统经配置以供应热调节气体至第一及第二气体分配元件。
本揭示案提供一种用于调节横跨电浆产生系统的介电质窗的温度调节方法，其包括热调节供应至电浆产生系统的气体，并且将热调节的气体排放于介电质窗上。温度调节方法进一步包含决定横跨介电质窗的温度与设定温度值的间的差异，并且回应于该差异大于基线位准来调整电浆产生系统的参数。
附图说明
本案的各态样当与附图一起阅读时将从以下实施方式中最佳地理解。应注意，根据行业中的共用实践，各个特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，各个特征的尺寸可以任意地增加或减小。
图1绘示根据一些实施例的，具有温度控制电浆产生系统的半导体电浆处理系统的横截面图；
图2为绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的介电质窗的温度均匀性的视图；
图3A至图3B分别绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的俯视图及横截面图；
图4绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的等角视图；
图5A至图5B绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的气体调节系统的等角视图；
图6绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的气体分配元件的分解等角视图；
图7A至图7B分别绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的气体分配元件的盖板的背侧视图及横截面图；
图8至图9绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统的气体分配元件的底板的背侧视图；
图10为根据一些实施例的，用于调节与控制横跨温度控制电浆产生系统的介电质窗的温度的方法的流程图。
现将参考附图来描述说明性实施例。在附图中，相同的元件符号通常指示相同的功能类似，及/或结构类似的元件。
【符号说明】
100 半导体电浆处理系统
102 电浆处理腔室
102A 腔室侧壁
102B 底座
104 温度控制电浆产生系统
106 晶圆保持器系统
107 晶圆
108 控制系统
108a 控制信号
110 介电质窗
110a、114At、114Bt 顶表面
110b、114Ab、114Bb 底表面
110t 垂直尺寸
112A 感应线圈
112B 感应线圈
114A、114B 气体分配元件
114Aw、114Bw 水平尺寸
115A、115B 气体入口管
116A、116B 气体调节系统
117 缝隙
118A、118B、119 感测器
120 气体注入器
122、124 射频电源
126 气体入口端口
128 夹盘
132 射频电源
134 匹配网路
236、238 曲线
304 温度控制电浆产生系统
314A、314B 气体分配元件
314Aw、314Bw 水平尺寸
315A、315B 气体入口管
316A、316B 气体调节系统
340 横向距离
404 温度控制电浆产生系统
442 腔室
442A、442B 侧壁
444A 气体入口端口
444B 气体出口端口
546 外壳
548A、548B 开口
550A、550B 气体管
552 热调节装置
554 气体循环系统
556、558 气体入口端口
560A、560B 气体管开口
614 气体分配元件
614A 盖板
614At、614Bt、614Bw 尺寸
614B 底板
614IC 内圆周
614OC 外圆周
662 气体入口端口
662d 直径线
664 气体分配孔
668A、668B 延伸区域
670A、670B 内部侧壁
671A、671B 外侧壁
672A、672B 下凹缘部
674A、674B 突出缘部
814B 底板
814Bw 水平尺寸
864 气体分配孔
880A、880B、880C、880D 气体分配孔组
914B 底板
914Bw 水平尺寸
964 气体分配孔
980A、980B、980C、980D 气体分配孔组
1000 方法
1005、1010、1015、1020、1025、1030、1035、1040、1045 操作
具体实施方式
以下揭示内容提供了用于实施所提供的标的的不同特征的许多不同实施例，或实例。下文描述了元件和设置的特定实例以简化本案。当然，该等实例仅为实例且并不意欲作为限制。例如，在以下描述中的第一特征在第二特征之上的形式可包括其中第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，且亦可包括其中可在第一特征与第二特征之间形成额外特征，以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。如本文中所使用，第一特征在第二特征上的形式意谓第一特征与第二特征直接接触形成。另外，本案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复本身不指定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
诸如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等等空间相对术语可在本文中为了便于描述的目的而使用，以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖除了附图中所示的定向之外的在使用或操作中的装置的不同定向。装置可经其他方式定向(旋转90度或以其他定向)并且本文所使用的空间相对描述词可同样相应地解释。
应注意，在本说明书中对“一实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“示例性”等的引用指示所描述的实施例可包括特定特征、结构或特性，但每一实施例可不必包括该特定特征、结构或特性。此外，该等用语不必指代相同实施例。此外，当结合一实施例描述特定特征、结构或特性时，该实施例将在结合其他实施例实现该等特征、结构或特性的熟悉该项技术者的知识范围内，无论该实施例是否得以明确地描述。
应将理解，本文的措辞及术语是用于描述而非具有限制的目的，以使得本说明书的术语或措辞得以由熟悉该项技术者根据本文的教示来解释。
在一些实施例中，术语“约”及“大体上”可指示在值的5％(值的±1％、±2％、±3％、±4％、±5％)内变化的给定量的值。
半导体晶圆在半导体元件的制造期间于不同电浆处理系统中经历不同电浆制程(例如，电浆蚀刻及/或电浆增强沉积)。电浆处理系统提供温度控制的电浆处理腔室以防止在晶圆电浆处理期间的温度依赖的制程偏移，以达成用于半导体元件的低制造成本及高生产量的晶圆对晶圆复制性。
在电浆处理系统中，温度依赖的制程偏移可归因于电浆产生系统中的温度变化而发生。因为电浆产生系统经定位于电浆处理腔室上，所以电浆产生系统中的温度变化可引起电浆处理腔室中产生的电浆的性质发生变化，因此引起与经处理的晶圆相关联的电浆制程参数(例如，蚀刻速率及/或沉积速率)的变化。例如，电浆产生系统的介电质窗的温度可随着经电浆处理的晶圆的数目增加而增加。由于介电质窗的底表面形成电浆处理腔室的顶表面，所以介电质窗中的温度变化可引起电浆处理腔室中产生的电浆的化学成分的变化。结果，电浆制程参数(例如，蚀刻速率及/或沉积速率)可在电浆处理腔室中处理的晶圆与不良的晶圆对晶圆复制性之间变化。
本案提供了用于电浆处理系统的示例性温度控制的电浆产生系统以防止及/或减轻在晶圆电浆处理期间的温度依赖的制程偏移，以达成晶圆电浆制程重复性。在一些实施例中，温度控制的电浆产生系统可包括介电质窗及定位于该介电质窗上的一或多个气体分配元件。一或多个气体分配元件可经配置以在介电质窗上分配热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度在晶圆电浆处理期间得以大体上均匀且恒定。
在一些实施例中，一或多个气体分配元件可具有经配置以将热调节气体排放至介电质窗的顶表面的环形管状结构及多个气体分配孔。在一些实施例中，一或多个气体分配元件的不同区域可具有不同组的气体分配孔。每一组气体分配孔的尺寸及密度可彼此不同。各组气体分配孔可经设计且设置以控制横跨介电质窗排放的热调节气体量，以横跨介电质窗施加大体上均匀量的热能并且调节介电质窗的温度在晶圆电浆处理期间大体上均匀。
在一些实施例中，具有一或多个气体分配元件的介电质窗可在晶圆电浆处理期间具有小于约6℃(例如，约0.5℃、约1℃、约3℃或约5℃)的温度变化。在一些实施例中，在晶圆电浆处理期间，与不具有一或多个气体分配元件的介电质窗中的温度变化相比，具有一或多个气体分配元件的介电质窗的温度变化可减少约80％至约95％(例如，约80％、约85％、约90％或约95％)的范围。结果，经电浆处理的晶圆之间的电浆制程参数(例如，蚀刻速率及/或沉积速率)中的温度依赖的变化可减少且电浆制程重复性及晶圆对晶圆复制性可得以达成。
图1绘示根据一些实施例的半导体电浆处理系统100的横截面图。在一些实施例中，半导体电浆处理系统100可包括电浆处理腔室102；温度控制电浆产生系统104(亦称为“电浆产生系统104”)，定位于电浆处理腔室102上；晶圆保持器系统106，经配置以在电浆处理腔室102之内于电浆处理期间保持晶圆107；及控制系统108，经配置以控制电浆产生系统104及晶圆保持系统106的一或多个操作。电浆产生系统104可经配置以在电浆处理腔室102之内产生用于各种电浆制程(诸如蚀刻或沉积)的电浆(未绘示)。
在一些实施例中，电浆产生系统104可包括介电质窗110，在该介电质窗110上的感应线圈112A、112B及气体分配元件114A、114B、与相应的气体分配元件114A、114B耦接的气体调节系统116A、116B、在相应的气体分配元件114A、114B之下且位于介电质窗110上的感测器118A、118B、通过介电质窗110耦接至电浆处理腔室102的气体注入器120，及耦接至感应线圈112A、112B的射频(radio frequency；RF)电源122及匹配网路124。
电浆处理腔室102可通过腔室侧壁102A、底座102B及介电质窗110结构化界定。介电质窗110的底表面110b可形成电浆处理腔室102的顶表面。腔室侧壁102A及底座102B可包括不锈钢或铝，且可涂布有氧化钇(Y2O3)、氟化钇(YF)、二氧化铈(CeO2)，及/或其他适当抗电浆涂层。在一些实施例中，电浆处理腔室102可包括气体入口端口126，该气体入口端口经配置以从用于电浆制程的制程气体源(未绘示)接收一或多种制程气体(例如，蚀刻气体或前驱物沉积气体)。一或多种处理气体及副产物可通过泵(未示出)及电浆处理腔室102的底座102B中的出口端口(未示出)从电浆处理腔室102移除，该泵亦可用于维持电浆处理腔室102中的特定压力。在一些实施例中，可在电浆处理期间通过耦接至出口端口的适当真空泵装置(未示出)于电浆处理腔室102中保持真空。
介电质窗110可包括介电质材料，诸如陶瓷、石英、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、碳化铝(AlC)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、或其组合。在一些实施例中，介电质窗110可具有沿着Z轴的范围从约2cm至约6cm(例如，约2cm、约3cm、约4cm、约5cm或约6cm)的垂直尺寸110t(例如，厚度)。
感应线圈112A、112B各自可螺旋定位在介电质窗110上的气体注入器120周围。即使在图1中绘示两个感应线圈，电浆产生系统104可具有任何数目的感应线圈。感应线圈112A、112B可包括彼此相同或不同的导电材料。即使图1绘示感应线圈112A、112B中的每一者具有三个线匝，每一感应线圈可具有任意数目的线匝。感应线圈112A、112B中的每一者可经由匹配网路124耦合至射频电源122。射频电源122可经配置以供应射频电流至感应线圈112A、112B，以在电浆处理腔室102中产生感应耦合的射频电浆。流经感应线圈112A、112B的射频电流可围绕感应线圈112A、112B产生电磁场。电磁场可在电浆处理腔室102之内产生感应电流。感应电流可作用于通过气体注入器120引入至电浆处理腔室102中的电浆产生气体，以产生感应耦合的射频电浆。射频电源124可经配置以供应在约50W至约5000W的范围中的射频功率。在一些实施例中，控制系统108可经配置以基于气体供应系统(未示出)的操作来检测电浆产生模式，该气体供应系统通过气体注入器120提供电浆产生气体。当气体供应系统在操作中时，电浆产生可被视为是有效的；且当气体供应关闭时，电浆产生可被视为终止。在一些实施例中，回应于控制系统108指示电浆产生终止，晶圆107可经传送出电浆处理腔室102。
在一些实施例中，匹配网路124可经配置以调谐供应至感应线圈112A、112B的射频功率。供应至内感应线圈112A的射频功率可等于或不同于供应至外感应线圈112B的射频功率。供应至感应线圈112A、112B的射频功率可经调谐以控制在电浆处理腔室102中处理的晶圆上径向分布的电浆密度。在一些实施例中，供应至感应线圈112A、112B的射频功率可基于在电浆制程期间定义的处理参数(例如，蚀刻速率或沉积速率)来调谐。在一些实施例中，匹配网路124可经耦接至控制系统108且可经配置以基于接收自控制系统108的控制信号108a而操作。
气体分配元件114A、114B可经配置以分别从气体调节系统116A、116B接收热调节气体(例如，空气、惰性气体，或其组合)，并且经配置以将热调节气体排放于介电质窗110上。热调节气体可帮助调节横跨介电质窗110的一或多个表面(例如，顶表面110a及/或底表面110b)的温度大体上均匀，并且将该温度在电浆处理腔室102中的晶圆电浆处理期间保持在范围从约80℃至约110℃中的值(例如，约80℃、约90℃，或约100℃)。在一些实施例中，介电质窗110可在晶圆电浆处理期间具有小于约6℃(例如，约0.5℃、约1℃、约3℃或约5℃)的温度变化。结果，与无气体分配元件的电浆产生系统相比，归因于介电质窗温度变化的电浆处理腔室102中所产生电浆的化学成分中引起的变化可大体上缓解，且该等变化可在晶圆电浆处理期间达成大体上恒定的电浆制程参数(例如，蚀刻速率及/或沉积速率)。
与在介电质窗上无气体分配元件114A、114B的电浆产生系统相比，介电质窗110中的温度变化可在晶圆电浆处理期间减少约80％至约95％(例如，约80％,约85％,约90％或约95％)的范围。图2绘示类似于介电质窗上的气体分配元件114A、114B的具有及不具有气体分配元件的电浆处理系统之间的该比较的实例。图2绘示相对应一系列晶圆的晶圆数目的该系列晶圆的顺序电浆处理期间的介电质窗温度的曲线236、238。曲线236、238分别表示具有及不具有气体分配元件的电浆处理系统的介电质窗。曲线236、238的比较绘示对于具有气体分配元件的系统的大体上恒定的介电质窗温度，而介电质窗温度随着不具有气体分配元件的系统的晶圆数目增加而增加。
参看回至图1，在一些实施例中，气体分配元件114A、114B可为环状管且可与感应线圈112A、112B一起围绕气体注入器120以交替配置定位于介电质窗110上，如图1中所示。气体分配元件114A、114B可具有沿着其直径的任何几何形状(例如，矩形、圆形、椭圆形或多边形)的横截面。
气体分配元件114A、114B可经侧向地与彼此、与感应线圈112A、112B，且与气体注入器120间隔开。在一些实施例中，气体分配元件114A、114B的底表面114Ab、114Bb可与介电质窗110垂直间隔开以产生缝隙117，并且允许热调节气体得以从底表面114Ab、114Bb中的气体排放孔(未绘示于图1中；绘示于图4、图6，及图7A至图9中)排放。缝隙117可各自具有沿着Z轴的范围从约1mm至约100mm(例如，约1.5mm、约5mm、约10mm、约20mm或约50mm)的垂直尺寸。
在一些实施例中，代替图1中的替代配置，气体分配元件114A、114B两者可经定位于感应线圈112A、112B之间，定位于气体注入120与内部感应线圈112A之间，或定位于外感应线圈112B周围。在一些实施例中，分别沿着X轴的气体分配元件114A、114B的水平尺寸114Aw、114Bw可彼此相同或不同。在一些实施例中，水平尺寸114Aw、114Bw的范围可从约10mm至约40mm(例如，约10mm、约20mm、约30mm或约40mm)。
气体分配系统116A、116B可分别通过气体入口管115A、115B经耦接至气体分配元件114A、114B。气体入口管115A、115B可分别通过顶表面114At、114Bt上的开口，经耦接至气体分配元件114A、114B的顶表面114At、114Bt。气体调节系统116A、116B可经配置以接收气体(例如，空气或惰性气体)、热调节(例如，加热或冷却)气体，及将热调节气体分别通过气体入口管115A、115B供应至气体分配元件114A、114B。在一些实施例中，气体调节系统116A、116B可经配置以控制供应至气体分配元件114A、114B的热调节气体的流动速率。
在一些实施例中，气体调节系统116A、116B可于晶圆电浆处理期间在范围从约70℃至约120℃(例如，约70℃、约80℃、约90℃、约100℃、约110℃，或约120℃)的大体上恒定的温度下供应热调节气体。在一些实施例中，气体调节系统116A、116B可于晶圆电浆处理期间在范围从约70℃至约120℃(例如，约70℃、约80℃、约90℃、约100℃、约110℃，或约120℃)的不同温度下供应热调节气体。气体调节系统116A、116B可经配置以在电浆处理期间动态地调整供应至气体分配元件114A、114B的热调节气体的温度。动态调整可基于由气体调节系统116A、116B从控制系统108接收的控制信号(未示出)来执行。控制信号可基于介电质窗110的温度及/或来自气体分配元件114A、114B的排放气体而由控制系统108产生。来自气体分配元件114A、114B的排放气体的温度可分别使用感测器118A、118B量测。感测器118A、118B可经置放于缝隙117之内的介电质窗110上。即使在图1中绘示了两个感测器，可在缝隙117之内的介电质窗110上置放类似于感测器118A、118B的任何数目的感测器。介电质窗110的温度可使用感测器118A、118B及/或119量测。类似于感测器119的任何数目的感测器可经置放于介电质窗110上。
晶圆保持器系统106可包括夹盘128，该夹盘128可定位于电浆处理腔室102中且经配置以在电浆处理期间保持晶圆107。夹盘128可包括静电夹盘。在一些实施例中，夹盘128可包括静电电极(未示出)，该静电电极经配置以施加夹紧电压至夹盘128，以用于静电夹紧晶圆107至夹盘128。夹盘128可使用经由匹配网路134耦接至夹盘128的射频电源132充电。射频电源132可通过匹配网路134调谐以供应功率至静电电极。在一些实施例中，射频电源132的操作可通过控制系统108控制。
此外，半导体电浆处理系统100可包括其他结构及功能元件，诸如射频产生器、匹配电路、腔室内衬、控制电路、致动器、电源、排气系统等，上述元件为了简化起见并未示出。
图3A绘示温度控制电浆产生系统304(亦称为“电浆产生系统304”)的俯视图，且图3B绘示根据一些实施例的沿着图3A的线A-A的电浆产生系统304的横截面图。在上文中描述了具有与图1中的元件相同注释的图3A至图3B中的元件。除非另有说明，否则电浆产生系统104的以上论述适用于电浆产生系统304。
电浆产生系统304可经定位于电浆处理腔室102上(部分结构绘示于图3B中)。电浆产生系统304可包括介电质窗110、在介电质窗110上的感应线圈112A、112B及气体分配元件314A、314B、各自耦接至气体分配元件314A、314B的气体调节系统316A、316B、耦接至气体分配元件314A、314B及气体调节系统316A、316B的气体入口管315A、315B，及通过介电质窗110耦接至电浆处理腔室102的气体注入器120。
除非另有说明，否则气体分配元件114A、114B、气体调节系统116A、116B，及气体入口管115A、115B的以上论述分别适用于气体分配元件314A、314B、气体调节系统316A、316B，及气体入口管315A、315B。电浆产生系统304可进一步包括类似于电浆产生系统104的其他结构及功能元件，诸如感测器118A、118B、射频电源122及匹配网路124，为了简化起见，上述元件并未在图3A至图3B中示出。
在一些实施例中，介电质窗110可为圆形形状且具有范围从约45cm至约60cm的直径(例如，约45cm、约50cm，或约55cm)。气体分配元件314A、314B可为在介电质窗上与感应线圈112A、112B一起以交替配置置放于气体注入器120周围的环状管。在一些实施例中，内部气体分配元件314A可具有范围从约240mm至270mm的外径(例如，约250mm、约256mm、约265mm或约270mm)，且外部气体分配元件314B可具有范围从约440mm至约470mm的外径(例如，约450mm、约456mm、约465mm，或约470mm)。在一些实施例中，外部气体分配元件314B的直径可小于介电质窗110的直径。
在一些实施例中，分别沿着X轴或Y轴的气体分配元件314A、314B的水平尺寸314Aw、314Bw可彼此相同或不同。在一些实施例中，水平尺寸314Aw、314Bw的范围可从约10mm至约40mm(例如，约10mm、约20mm、约30mm或约40mm)。在一些实施例中，气体分配元件314A、314B可沿着X轴或Y轴彼此以范围从约60mm至约90mm的横向距离340(例如，约60mm、约70mm，或约90mm)间隔开，以防止彼此接触及/或与外感应线圈114B接触。横向距离340可取决于水平尺寸314Aw、314Bw及外感应线圈114B的大小。
气体分配元件314A、314B中的每一者可经配置以分别通过气体入口管315A、315B从气体调节系统316A、316B接收热调节气体。气体调节系统316A可经配置以通过气体入口管315A向气体分配元件314A、314B供应热调节气体，且气体调节元件316B可经配置以通过气体入口管315A向气体分配元件314A、314B供应热调节气体。因此，气体分配元件314A、314B中的每一者可在两个不同的入口端口(未示出)处接收热调节气体，该等入口端口为气体入口管315A、315B经耦接至气体分配元件314A、314B中的每一者的入口端口。每一气体分配元件314A、314B中的两个入口端口可彼此径向间隔约180度，且可有助于利用气体分配元件314A、314B提供热调节气体的大体上均匀分配。
围绕Z轴径向移动的气体分配元件314A、314B的箭头指示在热调节气体通过气体入口管315A、315B供应之后的该气体通过气体分配元件314A、314B的流动。离开气体分配元件314A、314B延伸的箭头指示在经由其底板上的其气体分配孔从气体分配元件314A、314B排放之后的热调节气体的流动。(图1中未示出；绘示于图6及图8至图9中)。
图4绘示根据一些实施例的，温度控制电浆产生系统404(亦称为“电浆产生系统404”)的等角视图。在上文中描述了具有与图1中的元件相同注释的图4中的元件。除非另有说明，否则电浆产生系统104的以上论述适用于电浆产生系统404。电浆产生系统404可包括腔室442，在腔室442之内的介电质窗110及气体分配元件114A、114B、耦接至相应气体分配元件114A、114B的气体调节系统116A、116B，及耦接至气体分配元件114A、114B及气体调节系统116A、116B的气体入口管115A、115B。电浆产生系统404可进一步包括类似于电浆产生系统104的其他结构及功能元件，诸如感应线圈112A、112B、气体注入器120、感测器118A、118B、射频电源122及匹配网路124，上述元件为了简化起见未在图4中示出。
腔室442可包括在其侧壁442A、442B上的气体入口端口及气体出口端口444A、444B(在图4中，侧壁442A上的气体入口端口及气体出口端口444A、444B不可见)。气体入口端口444A可用于分别将气体入口管115A、115B耦接至气体调节系统116A、116B。气体出口端口444B可用于提取由腔室442之内的介电质窗110上的气体分配元件114A、114B所排放的气体的全部或部分。气体调节系统116A、116B可经配置以通过气体出口端口444B接收腔室442之内排放的气体的全部或部分，热调节该气体，并且通过气体分配元件114A、114B在介电质窗110上重新分配气体。
进一步参考图5A至图5B描述气体调节系统116B，图5A至图5B绘示根据一些实施例的分别具有或不具有外壳546的气体调节系统116B的等角视图。气体调节系统116B可包括具有开口548A、548B及气体入口端口556的外壳546。外壳546可经耦接至腔室442的侧壁442B(图4)，其中开口548A、548B分别与气体入口端口及气体出口端口444A、444B对准。
再次参看图5A至图5B，气体调节系统116B可进一步包括在外壳546之内的气体管550A、550B、热调节装置552、气体循环系统554及气体入口端口558。气体管550A、550B可在开口548A、548B分别对准气体管开口560A、560B，且气体入口端口556对准气体入口端口557的情况下耦接至外壳546。气体调节系统116A亦可包括类似于气体调节系统116B的元件。
待在气体调节系统116B中热调节的气体可经由气体入口端口556、558及/或经由气体管开口560B由气体管550B接收。经由气体管开口560B接收的气体可为经由气体出口端口444B从腔室442提取的气体的全部或部分，该气体出口端口可对准于开口548B、560B。耦接至气体管550A、550B的气体循环系统554可经配置以从气体管550B抽取气体，将气体引导通过气体管550A用于热调节，且通过开口560A、548A排放经热调节的气体。在一些实施例中，气体循环系统554可包括经配置以抽取气体的抽风机及/或用于引导气体的吹风机。设置于气体管550A中的热调节装置552可经配置以热调节(例如，加热或冷却)从气体管550B接收的气体。在一些实施例中，热调节装置552可包括经配置以加热气体管550A中的气体的加热线圈及/或经配置以冷却该气体的风扇。在一些实施例中，气体调节系统116A、116B可分别表示气体调节系统316A、316B。
图6绘示根据一些实施例的气体分配元件614的分解视图。气体分配元件614可表示上文关于图1、图3A及图4论述的气体分配元件114A、114B、314A及/或314B。在一些实施例中，气体分配元件614可为环状且可包括具有气体入口端口662的盖板614A及具有气体分配孔664的底板614B。气体入口端口662可经耦接至气体入口管115A、115B、315A及/或315B(图6中未示出；绘示于图1、图3A及图4中)。盖板614A可具有多于一个气体入口端口。气体分配孔664可允许气体分配元件614中的热调节气体得以排放并且分配于介电质窗110上(图6中未示出；绘示于图1、图3A及图4中)。在一些实施例中，气体分配孔664可具有彼此相同或不同的尺寸。在一些实施例中，气体分配孔可具有如图6中所示的圆形或可具有任何几何形状(例如，矩形、椭圆形或多边形)。
在气体分配元件614的组装形式中，底板614B可沿着盖板614A的内部侧壁670A、670B经设置于延伸区域668A、668B上。在一些实施例中，在组装形式中，盖板614A的下凹缘部672A、672B的顶表面可与底板614B的背表面614Bs大体上共面，且盖板614A的突出缘部674A、674B的顶表面可沿着负Z轴方向在背表面614Bs之上延伸。突出缘部可674经配置以支撑介电质窗(例如，介电质窗110)上的气体分配元件614，以使得可在底板614B与介电质窗110之间产生缝隙(例如，缝隙117)以允许热调节气体得以从参考图1所述的气体分配孔664排放。
在一些实施例中，盖板614A的外侧壁671A、671B可具有沿着其Z轴的范围从约15mm至约25mm(例如，约15mm、约20mm或约25mm)的尺寸614At(例如，厚度)。在一些实施例中，底板614B可具有沿着X轴的范围从约10mm至约50mm(例如，约10cm、约20mm、约30mm，或约40mm)的尺寸614Bw(例如，宽度)。图6的X轴及Y轴可沿着盖板614A、底板614B的直径。在一些实施例中，底板614B可具有沿着Z轴的范围从约1mm至约5mm(例如，约1mm、约2mm、约3mm，或约4mm)的尺寸614Bt(例如，厚度)。
进一步用图7A至图7B描述盖板614A，图7A至图7B绘示盖板614A的背侧视图及沿着图7A的线A-A的盖板614A的横截面图。在上文中描述了具有与图6中的元件相同注释的图7A至图7B中的元件。为了说明目的，盖板614A的不同区域已用不同阴影提供。例如，带点的区域表示下凹缘部672A、672B，且相邻于带点区域的暗灰色区域表示上文参考图6论述的突出缘部674A、674B。下凹缘部672A、674A可具有沿着盖板614的外圆周614OC的弧形，且缘部674A、674B可具有沿着盖板614的内圆周614IC的弧形。
在一些实施例中，范围从约20度至约30度的角度A(例如，约20度、约24度或约28度)可在外圆周614OC及内圆周614IC的中心C处由弧形突出缘部674A、674B的每一者对向。在一些实施例中，气体入口端口662可具有圆形，且圆形气体入口端口662的直径线662d可与沿着Y轴的盖板614的直径线形成范围从约20度至约40度的角度B(例如，约2度、约30度或约40度)。
图8绘示根据一些实施例的，具有气体分配孔864的气体分配元件的底板814B的背侧视图。除非另有说明，否则底板614B及气体分配孔664的以上论述分别适用于底板814B及气体分配孔864。底板814B可具有含有不同尺寸的气体分配孔864的不同区域。在一些实施例中，底板814B可具有含有四组气体分配孔864(气体分配孔组880A至880D)的四个区域。在一些实施例中，四气体分配孔组880A至880D中的每一组可具有含有与其他组不同尺寸的气体分配孔864。在一些实施例中，气体分配孔864可各自具有在气体分配孔组880A、880B、880C及/或880D的相同组中彼此大体上相同或不同的尺寸。在一些实施例中，气体分配孔组880A的气体分配孔864可具有与气体分配孔组880B至880D相比最小的尺寸，且气体分配孔组880C的气体分配孔864可具有与气体分配孔组880A至880B及880D相比最大的尺寸。
在一些实施例中，气体分配孔组880A的气体分配孔864可各自具有范围从约1mm至约5mm的直径(例如，约1mm、约2mm、约3mm或约4mm)。在一些实施例中，气体分配孔组880C的气体分配孔864可各自具有范围从约8mm至约15mm的直径(例如，约8mm、约10mm、约12mm或约15mm)。在一些实施例中，气体分配孔组880B、880D的气体分配孔864可各自具有范围从约4mm至约8mm的直径(例如，约4mm、约6mm或约8mm)。在一些实施例中，气体分配孔组880B、880D的气体分配孔864可具有彼此相同或不同的尺寸。在一些实施例中，气体分配孔组880A、880D的每一者中的气体分配孔864的数目可彼此相同或不同。在一些实施例中，底板814B可具有沿着X轴的范围从约30mm至约50mm(例如，约30mm、约35mm、约40mm，或约45mm)的水平尺寸814Bw(例如，宽度)。
底板814B中的气体分配孔864的设置及尺寸可经配置以控制从气体分配元件(例如，气体分配元件114A、114B)的不同区域排放的热调节气体的量。从不同区域排放的量可经改变以补偿气体分配元件之内的热调节气体的温度变化，并且因此从横跨介电质窗(例如，介电质窗110)的经排放量中提供大体上均匀量的热能(热或冷)。在靠近气体入口端口(例如，气体入口端口662)的气体分配元件的区域中的热调节气体的温度可高于(加热气体)或低于(冷却气体)远离气体入口端口的气体分配元件的区域中的温度。温度变化可归因于当热调节气体在气体分配元件之内循环时所产生的热损失或热增益。
为了补偿温度变化且横跨介电质窗提供大体上均匀量的热能，热调节气体的排放量可随着排放区域距气体入口端口的距离增加而增加。排放区域可为热调节气体自其排放的气体分配元件的区域。当与较大气体分配孔864(例如，气体分配孔组880B至880D)相比，气体分配元件可具有含有定位于气体入口端口下方或接近于气体入口端口的最小尺寸的气体分配孔864(例如，气体分配孔组880A)时，温度变化可得以补偿。在相对于气体入口端口的底板814B的此位置中，具有较大尺寸的气体分配孔组880B至880D的气体分配孔864可远离气体入口端口，且具有最大尺寸的气体分配孔组880C的气体分配孔864可最远离气体入口端口。结果，最小体积量的热调节气体可从靠近气体入口端口的气体分配元件排放，较大体积量的热调节气体可从远离气体入口端口的区域排放，且最大体积量的热调节气体可从最远离气体入口端口处的区域排放。气体排放孔864的尺寸变化可取决于气体排放元件之内的热调节气体的变化。
图9绘示根据一些实施例的，具有气体分配孔964的气体分配元件的底板914B的背侧视图。除非另有说明，否则底板614B及气体分配孔664的以上论述分别适用于底板914B及气体分配孔964。类似于底板814B，底板914B可具有含有不同尺寸的气体分配孔964的不同区域，但是底板914B可具有沿着X轴的比底板814的水平尺寸814Bw(例如，宽度)小的水平尺寸914Bw(例如，宽度)。此外，与底板814B相比，底板914B可具有气体分配孔964的不同设置。
在一些实施例中，底板914B可具有含有四组气体分配孔964(气体分配孔组980A至980D)的四个区域。在一些实施例中，四气体分配孔组980A至980D中的每一组可具有含有与其他组不同尺寸的气体分配孔964。在一些实施例中，气体分配孔964可各自具有在气体分配孔组980A、980B、980C及/或980D的相同组中彼此大体上相同或不同的尺寸。在一些实施例中，气体分配孔组980A的气体分配孔964可具有与气体分配孔组980B至980D相比最小的尺寸，且气体分配孔组980C的气体分配孔864可具有与气体分配孔组980A至980B及980D相比最大的尺寸。
在一些实施例中，气体分配孔组980A的气体分配孔964可各自具有范围从约1mm至约5mm的直径(例如，约1mm、约2mm、约3mm或约4mm)。在一些实施例中，气体分配孔组980C的气体分配孔964可各自具有范围从约8mm至约15mm的直径(例如，约8mm、约10mm、约12mm或约15mm)。在一些实施例中，气体分配孔组980B、980D的气体分配孔964可各自具有范围从约4mm至约8mm的直径(例如，约4mm、约6mm或约8mm)。在一些实施例中，气体分配孔组980B、980D的气体分配孔964可具有彼此相同或不同的尺寸。在一些实施例中，气体分配孔组980A、980D的每一者中的气体分配孔964的数目可彼此相同或不同。在一些实施例中，底板914B可具有沿着X轴的范围从约10mm至约30mm(例如，约10cm、约15mm、约20mm，或约25mm)的水平尺寸914Bw(例如，宽度)。
类似于底板814B，气体分配孔964的设置及尺寸可经配置以控制从气体分配元件(例如，气体分配元件114A、114B)的不同区域排放的热调节气体的量，以补偿气体分配元件之内的热调节气体中的温度变化。当与较大气体分配孔964(例如，气体分配孔组980B至980D)相比，气体分配元件可具有含有定位于气体入口端口下方或接近于气体入口端口的最小尺寸的气体分配孔964(例如，气体分配孔组980A)时，温度变化可得以补偿。在相对于气体入口端口的底板914B的此位置中，具有较大尺寸的气体分配孔组980B至980D的气体分配孔964可远离气体入口端口，且具有最大尺寸的气体分配孔组980C的气体分配孔964可最远离气体入口端口。气体排放孔964的尺寸变化可取决于气体排放元件之内的热调节气体的变化。
再次参看图8至图9，在一些实施例中，底板814B及底板914B可分别为用于图1及图4中的电浆产生系统104、404中的内部气体分配元件114A及外部气体分配元件114B的底板。
图10为根据一些实施例的，用于调节与维持横跨温度控制电浆产生系统的介电质窗的温度的示例性方法1000的流程图。本案不限于此操作描述。确切而言，其他操作亦在本案的精神及范畴之内。应将了解，可以执行额外操作。此外，并不需要所有操作来执行本文提供的揭示内容。此外，一些操作可同时地进行，或者以与图10中所示的不同次序进行。在一些实施例中，除了当前描述的操作之外或取代该等操作，可执行一或多个其他操作。为了说明目的，可参考图1、图3A至图3B、图5A至图5B、图6、图7A至图7B，及图8至图9的实施例描述方法1000。然而，方法1000并不限于该等实施例。
在图10的操作1005中，使用温度控制电浆产生系统产生用于晶圆电浆处理的电浆。例如，如参考图1所示且论述，温度控制电浆产生系统104可用于在电浆处理腔室102中产生用于各种电浆制程的电浆，该制程诸如晶圆107上的蚀刻或沉积。
在图10至操作1010中，由温度控制电浆产生系统接收的气体经热调节。例如，如参考图4所示且所论述，热调节由温度控制电浆产生系统404接收的气体(例如，空气或惰性气体)可包括由气体调节系统116B的气体管550B接收气体，使用气体循环系统554引导气体通过气体管550A，使用热调节系统552加热或冷却气体。在一些实施例中，加热或冷却可包括将气体分别流动通过气体管550A之内的加热线圈或风扇。气体可经热调节至范围从约70℃至约120℃的温度(例如，约70℃、约80℃、约90℃、约100℃、约110℃，或约120℃)。
在图10的操作1015中，热调节气体是在介电质窗上排放。例如，如参考图4所示且所论述，排放介电质窗110上的热调节气体可包括使用气体循环系统554经由气体入口管115B将热调节气体引导至气体分配元件114B。排放可进一步包括经由气体排放孔(例如，图6的孔664、图8的孔864，或图9的孔964)排放热调节气体至介电质窗110上，同时在气体分配元件114B之内循环热调节气体。在一些实施例中，气体循环系统554可包括用于引导且循环热调节气体之吹风机。
在图10的操作1020中，确定电浆产生的状态。例如，如参考图1所示且所论述，基于经由气体注入器120供应至电浆处理腔室102中的电浆产生气体，控制系统108可输出指示电浆处理腔室102中的电浆产生是否终止的控制信号(未示出)。若输出控制信号指示电浆产生的终止，则方法1000可进行至操作1025，否则方法1000可进行至操作1030。
在图10的操作1025中，回应于电浆产生终止，从电浆处理腔室移除经电浆处理的晶圆。例如，如参考图1所示且所论述，回应于指示电浆处理腔室102中的电浆产生的终止的来自控制系统108的控制信号，晶圆107可从处理腔室102移除。
在图10的操作1030中，确定横跨介电质窗的温度。例如，如参考图4所示且所论述，确定横跨介电质窗的温度可包括基于来自控制系统108的控制信号(未示出)激活感测器118A、118B及/或119，使用感测器118A、118B及/或119量测温度，且由控制系统108从感测器118A、118B及/或119接收经量测温度。
在图10的操作1035中，确定经决定的温度与横跨介电质窗的所需温度之间的差异，且将该差异与基线位准相比较。例如，如参考图1所示且所论述，控制系统108的处理器(未示出)可将处理器中设定的所需温度与从感测器118A、118B及/或119接收的横跨介电质窗110的温度相比较，并且输出差异。处理器可将该差异与基线位准相比较并且输出指示该差异是大于、等于或小于基线位准的信号。如本文所使用的术语“基线位准”可指代已经认为对晶圆电浆处理具有最小影响或对晶圆产量损失具有任何显著影响的温度变化。在一些实施例中，基线位准可以是数据库、服务器，或处理器640c中的本端储存媒体上的一或多个储存值。
若处理器输出指示差异大于基线位准的信号，则方法100可进行至操作1040，之后至操作1045。在一些实施例中，若处理器输出指示差异大于基线位准的信号，则操作1040及1045可同时发生。否则，若处理器输出指示差异等于或小于基线位准的信号，则方法1000可进行至操作1045。
在图10的操作1040中，回应于经确定的温度与横跨介电质窗的所需温度大于基线位准，调整热调节系统的参数。例如，如参考图1、图4及图5A至图5B所示且所论述，控制系统108可动态地调整热调节系统552的参数以调整供应至气体分配元件114A、114B的热调节气体的温度。动态调整可基于横跨介电质窗的所确定温度。
在图10的操作1045中，提取经排放热调节气体的一部分。例如，如参考图4所示且所论述，提取经排放热调节气体的一部分可包括使用气体循环系统554经由气体出口端口444B抽取腔室442之内的经排放热调节气体的全部或部分。在一些实施例中，气体循环系统554可包括经配置以抽取经排放热调节气体的全部或部分的抽风机。在提取之后，方法1000可进行至操作1010以经由气体分配元件114A、114B重新热调节与重新分配介电质窗110上的提取部分。
本案提供电浆处理系统(例如，电浆产生系统100)中的示例性温度控制电浆产生系统(例如，电浆产生系统104、304或404)，以防止及/或减轻在一系列晶圆的电浆处理期间的温度依赖的制程偏移，以达成电浆制程重复性及晶圆对晶圆复制性。在一些实施例中，温度控制的电浆产生系统可包括介电质窗(例如，介电质窗110)及定位于该介电质窗上的一或多个气体分配元件(例如，气体分配元件114A、114B、314A或314B)。一或多个气体分配元件可经配置以在介电质窗上分配热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度在晶圆电浆处理期间得以大体上均匀。
在一些实施例中，一或多个气体分配元件可具有经配置以将热调节气体排放至介电质窗的顶表面的环形管状结构及多个气体分配孔(例如，气体分配孔664、864或964)。在一些实施例中，一或多个气体分配元件的不同区域可具有不同组的气体分配孔(例如，气体分配孔组880A至880D或气体分配孔组980A至980D)。每一组气体分配孔的尺寸及密度可彼此不同。各组气体分配孔可经策略地设计且设置以控制横跨介电质窗排放的热调节气体量，以横跨介电质窗提供大体上均匀量的热能(热或冷)并且调节介电质窗的温度在晶圆电浆处理期间大体上均匀。
在一些实施例中，电浆产生系统包括介电质窗、设置于该介电质窗上的感应线圈、设置于该介电质窗上的气体分配元件，及耦接至该气体分配元件的气体调节系统。气体分配元件经配置以在介电质窗上排放热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度。气体调节系统经配置以供应热调节气体至气体分配元件。
在一些实施例中，气体分配元件包含围绕感应线圈径向设置的环形管状结构。
在一些实施例中，气体分配元件包含具有气体分配孔的基座。基座与介电质窗的顶表面垂直间隔开。
在一些实施例中，电浆产生系统进一步包含设置在气体分配元件的基座与介电质窗的顶表面之间的缝隙之内的感测器。感测器经配置以量测从气体分配元件排放的热调节气体的温度。
在一些实施例中，气体分配元件经配置以将横跨介电质窗的温度调节为大体上均匀，且将温度保持在范围从约80℃至约110℃之间的值。
在一些实施例中，气体分配元件包含具有第一组气体分配孔及第二组气体分配孔的基座。第一组气体分配孔的尺寸小于第二组气体分配孔的尺寸。
在一些实施例中，气体分配元件经配置以分别在介电质窗的第一区域及第二区域上排放第一体积及第二体积的热调节气体。第一体积与第二体积彼此不同且第一区域及第二区域彼此间隔。
在一些实施例中，气体调节系统经配置以接收气体并且热调节气体以形成热调节气体。
在一些实施例中，气体调节系统经配置以动态地调整在电浆产生系统的操作期间，供应至气体分配元件的热调节系统的温度。
在一些实施例中，气体调节系统经配置以提取从气体分配元件排放的热调节气体的一部分，且重新热调节热调节系统的该部分。
在一些实施例中，电浆产生系统包括介电质窗、耦接至该介电质窗的气体注入器、第一及第二感应线圈、第一及第二气体分配元件，及耦接至该第一及第二气体分配元件的气体调节系统。第一及第二感应线圈经径向设置于气体注入器周围且设置于介电质窗上。第一及第二气体分配元件经径向设置于第一及第二感应线圈周围且设置于介电质窗上。第一及第二气体分配元件的每一者经配置以在介电质窗上排放热调节气体。气体调节系统经配置以供应热调节气体至第一及第二气体分配元件。
在一些实施例中，第一及第二感应线圈与第一及第二气体分配元件一起以交替配置设置于介电质窗上。
在一些实施例中，气体调节系统包含第一及第二气体调节系统。第一及第二气体分配元件的每一者经配置以从第一及第二气体调节系统接收热调节气体。
在一些实施例中，第一气体分配元件包含彼此径向间隔约180度的两个气体入口端口。第一气体分配元件在两个气体入口端口处耦接至气体调节系统。
在一些实施例中，气体调节系统包含第一及第二气体管及气体循环系统。气体循环系统耦接至第一及第二气体管。气体循环系统经配置以经由第一气体管供应热调节气体，并且经由第二气体管提取由第一及第二气体分配系统排放的热调节系统的一部分。
在一些实施例中，用于调节横跨电浆产生系统的介电质窗的温度调节方法包括热调节供应至电浆产生系统的气体，并且将热调节的气体排放于介电质窗上。温度调节方法进一步包含决定横跨介电质窗的温度与设定温度值之间的差异，并且回应于该差异大于基线位准来调整电浆产生系统的参数。
在一些实施例中，热调节该气体包含：经由气体调节系统的气体管接收气体；使用气体循环系统引导气体通过气体管；及使用热调节系统加热或冷却气体。
在一些实施例中，排放热调节气体包含：使用气体循环系统引导热调节气体至气体分配元件；及经由气体分配元件的气体分配孔排放热调节气体。
在一些实施例中，调整电浆产生系统的参数包括动态地调整热调节系统的加热线圈或冷却风扇的参数。
在一些实施例中，温度调节方法进一步包含回应于差异等于或小于基线位准来提取排放于介电质窗上的热调节气体的一部分。
前述揭示内容概括了若干实施例的特征，以便熟悉该项技术者可较佳地理解本案的态样。熟悉该项技术者应理解，其可轻易地使用本揭示内容作为用于设计或修改其他制程及结构的基础，该等其他制程及结构用于实现本文介绍的实施例的相同目的及/或达成相同优点。熟悉该项技术者亦应了解，该等同等构造不背离本案的精神及范畴，且在不背离本案的精神及范畴的情况下，该等同等构造可以进行各种改变、替代及更改。

Claims (10)

1.一种电浆产生系统，其特征在于，包含：
一介电质窗；
一感应线圈，设置于该介电质窗上；
一气体分配元件，设置于该介电质窗上，并配置以将一热调节气体排放于该介电质窗上，以及调节该介电质窗的一温度；及
一气体调节系统，耦接至该气体分配元件且配置以供应该热调节气体至该气体分配元件。
2.根据权利要求1所述的电浆产生系统，其特征在于，该气体分配元件包含围绕该感应线圈径向设置的一环形管状结构。
3.根据权利要求1所述的电浆产生系统，其特征在于，该气体分配元件包含具有气体分配孔的一基座，并且其中该基座与该介电质窗的一顶表面垂直间隔开。
4.根据权利要求1所述的电浆产生系统，其特征在于，进一步包含设置在该气体分配元件的一基座与该介电质窗的一顶表面之间的一缝隙之内的一感测器，其中该感测器经配置以量测从该气体分配元件排放的该热调节气体的温度。
5.一种电浆产生系统，其特征在于，包含：
一介电质窗；
一气体注入器，耦接至该介电质窗；
第一及第二感应线圈，径向设置于该气体注入器周围且设置于该介电质窗上；
第一及第二气体分配元件，径向设置于该第一及第二感应线圈周围且设置于介电质窗上，
其中该第一及第二气体分配元件的每一者经配置以在该介电质窗上排放一热调节气体；及
一气体调节系统，耦合至该第一及第二气体分配元件，其中该气体调节系统经配置以供应该热调节气体至该第一及第二气体分配元件。
6.根据权利要求5所述的电浆产生系统，其特征在于，该第一及第二感应线圈与该第一及第二气体分配元件一起以一交替配置设置于该介电质窗上。
7.根据权利要求5所述的电浆产生系统，其特征在于，该气体调节系统包含：
第一及第二气体管；及
一气体循环系统，耦接至该第一及第二气体管，
其中该气体循环系统经配置以经由该第一气体管供应该热调节气体，并且经由该第二气体管提取由该第一及第二气体分配系统排放的该热调节系统的一部分。
8.一种温度调节方法，用于调节横跨一电浆产生系统的一介电质窗的一温度，其特征在于，该温度调节方法包含：
热调节供应至该电浆产生系统的一气体；
将该热调节气体排放于该介电质窗上；
确定横跨该介电质窗的一温度与一预定温度值之间的一差异；及
回应于该差异大于一基线位准来调整该电浆产生系统的一参数。
9.根据权利要求8所述的温度调节方法，其特征在于，该热调节该气体包含：
经由一气体调节系统的一气体管接收该气体；
使用一气体循环系统引导该气体通过该气体管；及
使用一热调节系统加热或冷却该气体。
10.根据权利要求8所述的温度调节方法，其特征在于，该排放该热调节气体包含：
使用一气体循环系统引导该热调节气体至一气体分配元件；及
经由该气体分配元件的气体分配孔排放该热调节气体。
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