CN115867691A - 用于半导体处理腔室的非对称排气泵送板设计 - Google Patents

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Abstract

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的基座的基板支撑件。基板支撑件可包括被配置成支撑半导体基板的支撑平台。基板支撑件可包括与支撑平台耦接的轴。腔室可包括偏离基座的中心的前级导管以及耦接到前级导管的排气空间，前级导管用于从腔室主体排出气体。腔室可包括泵送板，泵送板包括延伸穿过的中心孔的轴，并且进一步包括用于将气体的至少一部分从腔室主体导引至排气空间的出口孔。出口孔可设置在与前级导管相对的位置处，以减少气流的不均匀性。

Description

用于半导体处理腔室的非对称排气泵送板设计
相关申请的交叉引用
本申请主张于2020年6月16日提交的题为“ASYMMETRIC EXHAUST PUMPING PLATEDESIGN FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER(用于半导体处理腔室的非对称排气泵送板设计)”的美国专利申请第16/902,911号的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本技术涉及用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术涉及处理腔室元件和其他半导体处理设备。
背景技术
通过在基板(例如，半导体晶片)的表面上产生复杂地图案化的材料层的处理使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和去除材料的受控方法。前驱物通常被传送到处理区域并被分配以在基板上均匀地沉积或蚀刻材料。处理腔室的许多方面可能影响处理均匀性，例如腔室内的处理条件的均匀性、穿过部件的流动的均匀性、以及其他处理和元件参数。即使基板上的微小差异也可能影响形成或去除处理。
因此，需要可用于生产高质量装置和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
发明内容
示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室可包括基板支撑件，基板支撑件延伸穿过腔室主体的基座。基板支撑件可包括被配置成支撑半导体基板的支撑平台。基板支撑件可包括与支撑平台耦接的轴。腔室可包括偏离基座的中心的前级导管以及耦接到前级导管的排气空间，前级导管用于从腔室主体排出气体。腔室可包括泵送板，泵送板包括延伸穿过的中心孔的轴，并且进一步包括用于将气体的至少一部分从腔室主体导引至排气空间的出口孔。出口孔可设置在与前级导管相对的位置处，以减少气流的不均匀性。
在一些实施例中，泵送板可以是圆形的，且一个或多个出口孔可包括多个出口孔，多个出口孔沿着与前级导管相对的弧形路径设置并且沿着相对于泵送板的中心的第一半径限定。基座上的前级导管可沿着第一半径定位。出口孔可相对于泵送板的沿着泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。出口孔可沿着泵送板的第二轴线非对称地设置，且第二轴线可垂直于第一轴线。弧形路径可具有在约30度至345度之间的弧角。第一轴线可平行于排气空间。中心孔的边缘与轴的外直径之间的间隙可小于或为约1cm，且间隙可被配置成将气体的另一部分从腔室主体导引到排气空间。所述间隙可小于或为约1mm。排气空间可形成于基座与泵送板之间。基座可包括朝向泵送板延伸的第一延伸部。泵送板可包括朝向基座延伸的第二延伸部。第一延伸部和第二延伸部可被配置为至少部分地垂直重叠以限制气体从腔室主体经由中心孔流到前级导管。基座和泵送板之间的最小垂直间隙可以小于或为约2mm。基座与泵送板之间的最小垂直间隙可以为约1.6mm。
本技术的一些实施例可以包含用于从半导体处理系统的腔室主体排出气体的泵送板。泵送板可包括用于接收延伸穿过腔室主体的轴的中心孔。中心孔的尺寸可被设置为使得中心孔的边缘与轴的外直径之间的间隙最小化，间隙小于或为约1cm。中心孔可被配置成提供用于将气体从腔室主体导引向排气空间的第一路径。泵送板可限定多个出口孔，多个出口孔用于提供用于将气体从腔室主体导引向排气空间的多个第二路径。出口孔可沿着泵送板在一个或多个位置处设置，一个或多个位置经配置为当泵送板位于腔室主体内时与腔室主体的出口相对。
在一些实施例中，泵送板可以是圆形的，且出口孔可沿着与腔室主体的出口相对的弧形路径设置并沿着相对于泵送板的中心的半径限定。出口孔可相对于泵送板的沿着泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。出口孔可沿着泵送板的第二轴线非对称地布置，且第二轴线可垂直于第一轴线。
本技术的一些实施例可包括半导体处理的方法。方法可包括使含碳前驱物流入处理腔室中。处理腔室可包括面板和基板支撑件，基板设置在基板支撑件上。基板支撑件可延伸穿过处理腔室的基座。基板支撑件可包括支撑平台和轴，基板设置在支撑平台上，轴与支撑平台耦接。方法可包括在处理腔室内生成含碳前驱物的等离子体。方法可包括在基板上沉积含碳材料。方法可包括经由泵送板从处理腔室的腔室主体排出气体，轴延伸穿过泵送板。泵送板可包括用于将气体的至少一部分从腔室主体导引至排气空间的一个或多个出口孔，，排气空间耦接至基座上的前级导管。一个或多个出口孔可沿着泵送板在与前级导管相对的一个或多个位置处设置，以减少排气空间内的气流的不均匀性。
在一些实施例中，泵送板可以是圆形的。一个或多个出口孔包括多个出口孔，多个出口孔沿着与前级导管相对的弧形路径设置并且沿着相对于泵送板的中心的第一半径限定。出口孔可相对于泵送板的沿着泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。出口孔可沿着泵送板的第二轴线非对称地设置。第二轴线可垂直于第一轴线。弧形路径可具有在约30度至345度之间的弧角。
相对于常规的系统和技术，本技术可提供许多益处。例如，本技术的实施例可改善穿过基板的气流均匀性。此外，这些元件可以允许修改以适应任何数量的腔室或处理。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
附图说明
通过参照说明书的其余部分和附图，可以实现对所公开的技术的性质和优点的进一步理解。
图1示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的俯视平面图。
图2示出了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性截面图。
图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室的示意性截面图。
图4A-图4B示出了泵送板的示例实施例的俯视图。
图5是图3中系统的特写截面图，示出了经由中心孔延伸穿过泵送板和基座的轴。
图6示出了根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法的操作。
若干附图作为示意图包含在内。应理解，附图仅用于说明性目的，除非特别说明是按比例，否则不应视为按比例。此外，作为示意，提供了附图以帮助理解，并且与实际表示相比，附图可能不包括所有方面或信息，并且出于说明性目的，可能包括放大的材料。
在所附的附图中，相似的元件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可以通过在附图标记后加上一个在相似部件之间进行区分的字母来进行区分。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则所述描述可应用于具有相同第一附图标记的任何一个类似的部件，而与字母无关。
具体实施方式
等离子体增强沉积处理可以激发一种或多种成分前驱物以促进在基板上的膜形成。可以生产任意数量的材料膜以发展半导体结构，包括导电和介电膜，以及促进材料转移和去除的膜。例如，可以形成硬模膜以促进基板的图案化，同时保护下层材料被另外地保持。在许多处理腔室中，许多前驱物可以在气体板中混合并且被传送到可以设置基板的腔室的处理区域处。虽然盖堆叠的部件可能影响进入处理腔室的流分布，但许多其他的处理变量可能类似地影响沉积的均匀性。
随着装置特征的尺寸减小，跨整个基板表面的公差可能会减小，并且跨整个膜的材料特性差异可能会影响装置的实现和均匀性。许多处理腔室包括非对称排气系统，其中气体不会从腔室的所有侧面均匀地从处理腔室排出，从而造成气体流出的偏斜。例如，单排气PECVD腔室可包括沿腔室一侧设置的前级导管(用于从腔室主体排出气体)，导致朝向所述侧的气流偏斜。这种偏斜可能会导致整个腔室的气流不均匀，这可能会产生在整个基板上的气流的不均匀。对于所产生或去除的材料，这种气流的不均匀性可能会在整个基板上产生膜均匀性差异。即，所得到的基板可以由跨基板的整个表面上不同的沉积厚度或不同的膜特性表征。这种差异可能是不期望的，并可能最终导致半导体故障。
本技术克服了这些挑战以在气体从处理腔室排出时提供更好的平面均匀性。所描述的处理腔室结合了流动路径，所述流动路径最佳地解决或减少由非对称排气系统引起的处理腔室内的气流偏斜，其中排气从腔室周围的径向位置被拉出。具体地，建立流动路径以增加沿着偏离前级导管的处理腔室的区域的排气流。因此，本技术可产生改善由改进的跨整个基板表面的厚度和材料特性的均匀性表征的膜沉积。
尽管其余的公开内容将惯常地标识利用所公开技术的特定沉积处理，但是将容易理解的是，系统和方法同样可适用于其他沉积和清洁腔室，以及可能发生在所述腔室中的处理。因此，本技术不应被视为仅限于与这些特定的沉积处理或腔室单独使用。在根据本技术的实施例描述一种可能的系统的附加变化和调整之前，本公开将讨论所述系统和腔室，其可以包括根据本技术的实施例的盖堆叠元件。
图1示出了根据实施例的沉积、蚀刻、退火、烘烤、和固化腔室的处理系统100的一个实施例的俯视图。在图中，一对前开式标准舱102供应各种尺寸的基板，所述基板由机械臂104接收，并在被放置到定位在串接部分109a-109c中的基板处理腔室108a-108f中的一者中之前放置在低压保持区域106中。第二机械臂110可用于将基板晶片从保持区域106传送到基板处理腔室108a-108f并返回。除了等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、蚀刻、预清洁、脱气、定向和包括退火、灰化等的其他基板处理之外，每个基板处理腔室108a-108f可以被装备以实行多个基板处理操作，包括形成本文所述的半导体材料的堆叠。
基板处理腔室108a-108f可包括用于在基板上沉积、退火、固化、和/或蚀刻电介质或其他膜的一个或多个系统元件。在一种配置中，两对处理腔室(例如，108c-108d和108e-108f)可用于在基板上沉积介电材料，而第三对处理腔室(例如，108a-108b)可用于蚀刻沉积的电介质。在另一种配置中，所有三对腔室(例如108a-108f)可以被配置为在基板上沉积交替介电膜的堆叠。所描述的处理中的任何一者或多者都可以在与不同实施例中所示的制造系统分开的腔室中进行。应理解到，系统100也考虑到用于介电膜的沉积、蚀刻、退火、和固化腔室的附加配置。
图2示出了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统200的示意性截面图。等离子体系统200可示出一对处理腔室108，所述一对处理腔室108可以安装在上述的一个或多个串接部分109中，并且所述一对处理腔室108可包括根据本技术的实施例的面板或喷头或其他部件或组件。等离子体系统200通常可包括腔室主体202，腔室主体202具有限定一对处理区域220A和220B的侧壁212、底壁216和内侧壁201。处理区域220A-220B中的每一者可以类似地配置，并且可包括相同的部件。
例如，其部件也可以包括在处理区域220A中的处理区域220B可包括穿过形成在等离子体系统200中的底壁216中的通路222设置在处理区域中的底座228。底座228可提供适于在底座的暴露表面(例如主体部分)上支撑基板229的加热器。底座228可包括加热元件232(例如电阻加热元件)，所述加热元件232可在期望的处理温度下加热和控制基板温度。底座228还可由远程加热元件加热，诸如灯组件或任何其他加热装置。底座228还可包含静电或真空夹持能力。
底座228的主体可通过凸缘233耦接到杆226。杆226可以将底座228与功率插座或功率箱203电耦接。功率力箱203可包括控制底座228在处理区域220B内的升高和移动的驱动系统。杆226还可包括电功率接口以向底座228提供电功率。功率箱203还可包括用于电功率和温度指示器的接口，例如热电偶接口。杆226可包括适于可拆卸地与功率箱203耦接的基座组件238。圆周环235被示出为在功率箱203上方。在一些实施例中，圆周环235可以是适于作为机械止动件的的肩部或被配置为在基座组件238和功率箱203的上表面之间提供机械接口的台部(land)。
杆230可穿过形成在处理区域220B的底壁216中的通路224被包括并且可用于定位穿过底座228的主体设置的基板升举销261。基板升举销261可选择性地将基板229与底座间隔开，以促进与用于穿过基板传送端口260将基板229传送进和传送出处理区域220B的机器人的基板229的交换。
腔室盖204可以与腔室主体202的顶部耦接。盖204可容纳与其耦接的一个或多个前驱物分配系统208。前驱物分配系统208可包括前驱物入口通路240，所述前驱物入口通路240可将反应物和清洁前驱物穿过气体输送组件218输送到处理区域220B中。气体输送组件218可包括气箱248，所述气箱248具有设置在面板246中间的挡板244。射频(“RF”)源265可与气体输送组件218耦接，所述射频(“RF”)源265可为气体输送组件218供电以促进在气体输送组件218的面板246与底座228之间生成等离子体区域，所述等离子体区域可以是腔室的处理区域。在一些实施例中，RF源可以与腔室主体202的其他部分(例如底座228)耦接以促进等离子体的产生。介电隔离器258可以设置在盖204与气体输送组件218之间以防止将RF功率传导到盖204。遮蔽环或边缘环206可以设置在底座228的与底座228接合的周边上。
选择性的冷却通道247可以形成在气体分配系统208的气箱248中以在操作期间冷却气箱248或保持恒温环境。诸如水、乙二醇、气体或其混合物之类的传热流体可循环穿过冷却通道247，使得气箱248可保持在预定义温度。衬垫组件227可设置在处理区域220B内紧邻腔室主体202的侧壁201、212，以防止侧壁201、212暴露于处理区域220B内的处理环境。衬垫组件227可包括圆周泵送腔225，所述圆周泵送腔225可耦接到泵送系统264，泵送系统264被配置为从处理区域220B排出气体和副产物并控制处理区域220B内的压力。在衬垫组件227上可形成多个排气端口231。排气端口231可被配置成以促进系统200内的处理的方式允许气体从处理区域220B流动到圆周泵送腔225。
图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统300的示意性局部截面图。处理系统300包括非对称排气系统。所示示例是具有单个前级导管350的单排气系统(例如，单排气PECVD腔室)。图3可说明与系统200中的部件(例如底座228)有关的进一步细节。系统300被理解为包括之前在一些实施例中讨论的系统200的任何特征或方面，但是可以添加、修改、或省略系统200的特定特征或方面。系统300可用以实行半导体处理操作，包括如前所述的硬模材料的沉积，以及其他沉积、去除和清洁操作。系统300可示出正在讨论的并且可包含在半导体处理系统中的腔室部件的局部视图，并且可显示跨面板的中心的视图，面板可以是任何尺寸，并且包括任何数量的孔。系统300的任何方面还可与本领域技术人员将容易理解的其他处理腔室或系统结合。
系统300可包括处理腔室，处理腔室包括面板305，前驱物可穿过面板305被输送以用于处理，并且所述面板305可与用于在腔室的处理区域内生成等离子体的功率源耦接。腔室还可包括腔室主体310，所述腔室主体310如图所示可包括侧壁和基座340。底座或基板支撑件315可延伸穿过如前所讨论的腔室的基座340。基板支撑件可包括支撑平台320，所述支撑平台320可支撑半导体基板322。支撑平台320可与轴325耦接，轴325可延伸穿过腔室的基座340。在一些实施例中，加热元件可以安装到基座340的内部上，以用于从底部加热腔室主体310的内部。或者，基座340本身可以是加热元件。
如上所述，半导体处理涉及使多个气体在半导体基板322上方和整个腔室主体310流动。这些气体需要在处理的不同阶段从腔室主体310排出。在一些实施例中，系统300的排气机构包括泵送板330，所述泵送板330可以是包括一个或多个出口孔(例如，图3中所示的出口孔335)的板，所述一个或多个出口孔被配置成控制气体流出腔室主体310，如将在下文更详细地解释的。泵送板330的出口孔可被配置为提供将气体导引向排气空间355的路径。在图3所示的示例中，排气空间355可以是泵送板和系统300的基座340之间的流体耦接到前级导管350的开放通道。如前所述，腔室系统可以是串接腔室系统，并且两个腔室可以分别排气到前级导管或系统排气中。每个腔室的排气空间在每个腔室中可以是独立的和隔离的，以保持与系统的另一个腔室流体分离。在一些实施例中，前级导管350可以耦接到真空源以帮助从腔室主体310排出气体。在一些实施例中，泵送板330可包括中心孔370，轴325延伸穿过所述中心孔370。在一些实施例中，在中心孔370的边缘与轴325的外直径之间可能存在间隙，这可以提供用于将气体导引至前级导管350的附加路径。虚线箭头示出了气体从腔室顶部处的腔室入口(未示出)在基板322和支撑平台320上方和周围，经由泵送板330中的出口孔(例如，出口孔335)和中心孔370流动到排气空间355中，并最终流出前级导管350。
如上所述，当气体从腔室主体排出时，具有非对称排气系统的处理腔室可能趋于在腔室主体中引起不均匀的流动。例如，在常规的单排气系统中，可以耦接到真空源的前级导管可以设置在腔室主体的一侧上。当气体从腔室主体排出时，气体可从中心孔(例如，类似于图3中的中心孔370)经由排气空间流向前级导管。在这样的系统中，由于前级导管是非对称设置的，因此在朝向前级导管的气流趋于存在偏斜，当气体被排出时这会在整个腔室中产生不均匀的流动。这种不均匀的流动冲击可能会跨整个基板产生膜均匀性差异，导致所得基板由跨基板的整个表面的不同的沉积厚度或不同的膜特性表征。
图4A-图4B示出了泵送板400的示例实施例的俯视图。泵送板400的实施例可用于产生附加的流动路径，所述附加的流动路径可减少或防止排气中的偏斜并在气体经由前级导管离开腔室主体时产生更均匀的平面流动。泵送板可由任何合适的材料(例如，铝、氧化铝、氮化铝)制成。在一些实施例中，泵送板可包括用于控制来自如上述半导体处理系统的腔室主体的气体的流动的一个或多个出口孔。参考例如图4A，泵送板400可包括被配置为将气体从腔室主体(例如，图3的腔室主体310)导引至排气空间(例如，图3的355)的六个出口孔410。出口孔410可以是任何合适的形状(例如，圆形、矩形、三角形)或尺寸(例如，0.5cm到1cm、1cm到2.5cm、0.5到2.5cm)，且示例泵送板可包括本技术的实施例中的任何数量的孔。泵送板400进一步包括中心孔370，轴(例如，图3的轴325)可以延伸穿过中心孔370。在所示的实施例中，出口孔410沿着泵送板设置，与当泵送板400组装在半导体处理系统内时前级导管预期所在处相对。图4A示出了前级导管预期所在的腔室出口轮廓450(例如，如图3所示，在泵送板330正下方的基座340上)。在图4A的示例实施例中，出口孔410沿着与前级导管相对的弧形路径设置并且沿着相对于泵送板的中心的半径R限定。在一些实施例中，半导体处理系统可以被配置为使得基座上的前级导管也沿着半径R设置，使得单个假想圆形路径可以追踪(trace)出口孔和前级导管。在一些实施例中，出口孔可以相对于泵送板的轴线(例如，沿泵送板的直径延伸的轴线)对称地设置。例如，参考图4A，出口孔410相对于轴线I对称布置(例如，轴线I左侧的三个出口孔410被轴线I右侧的三个出口孔410镜像)。在一些实施例中，轴线I可以平行于排气空间延伸。
作为抵消上述气流偏斜的手段，出口孔可沿不同于轴线I的轴线(例如，垂直于轴线I的轴线)非对称地设置。如图4A所示，这种非对称有利于气体流过泵送板400的与前级导管相对的一侧(由轮廓450表示)。这可以用于减少包括靠近支撑平台和穿过基板的区域的腔室主体内的气流的不均匀性。在一些实施例中，轴线I可以平行于排气空间延伸。
图4B示出泵送板的另一实施例。所示的泵送板401类似于泵送板400，除了它包括十个出口孔410，同样非对称地布置并且有利于泵送板401的与前级导管相对的一侧(由轮廓450示出)。如图所示，孔410沿着弧形路径大于泵送板400的孔410。应注意，所示出的实施例不一定按比例绘制。在一些实施例中，弧形路径可以以180度或更小的弧角与前级导管相对设置。在其他实施例中，弧形路径可以以大于180度的弧角与前级导管相对设置。在其他实施例中，可以采用在约30度至345度之间的任何合适的弧角。在一些实施例中，泵送板可以没有沿着弧形路径的任何孔，所述弧形路径具有延伸穿过前级导管的中点以限制流体直接流向出口。没被孔表征的这种弧形路径可围绕泵送板延伸小于或约330度、围绕泵送板小于或约180度、围绕泵送板小于或约30度，或更小。在一些实施例中，可以基于腔室流动来选择特定的泵送板。即，不同的腔室流动可能需要与一组潜在泵送板不同的泵送板(每个都具有不同的特性，例如出口孔尺寸、出口孔位置、中心孔尺寸等)。
图5是图3中系统的特写截面图，示出了经由中心孔370延伸穿过泵送板330和基座340的轴325。中心孔370可以是任何合适的形状或尺寸。如上所述，常规系统可以使用类似于中心孔370的中心孔作为经由排气空间通过前级导管排出气体的唯一或主要路径。本技术的实施例可以尝试减少通过中心孔370的气体流量，例如，以增加泵送板330的出口孔(例如，参考图4A-图4B，出口孔410)的效果，并从而有助于抵消如上所述的流动偏斜。在一些实施例中，中心孔370的边缘与轴325的外直径之间的间隙可以被最小化以减少气流。例如，间隙可以减小到小于或约1cm、在1cm和1mm之间、或小于或约1mm。在一些实施例中，泵送板330和基座340可包括沿排气空间355的一个或多个延伸部，以减少经由中心孔370的气流。例如，如图5所示，基座340可包括第一延伸部545并且泵送板330可包括第二延伸部535(例如，第二延伸部535可以围绕轴325周向地延伸)。在此示例中，第一延伸部545和第二延伸部535可被配置为至少部分地垂直重叠以限制气体流动。参照图5，重叠的程度可以由基座与泵送板之间(例如，第一延伸部545与泵送板330之间，或第二延伸部535与基座340之间)的最小垂直间隙d表征。在一些实施例中，基座与泵送板之间的最小垂直间隙可以小于或为约2mm。在一些实施例中，第一延伸部545和第二延伸部535可具有相同或相似的垂直高度，使得它们延伸大致相同的距离。在一些实施例中，延伸部可垂直于基座340或泵送板330延伸，或者可替代地以一定角度延伸。
在一些实施例中，一种半导体处理的方法可包括使含碳前驱物流入处理腔室，其中处理腔室包括面板和基板支撑件，基板设置在所述基板支撑件上，并且其中基板支撑件延伸穿过处理腔室的基座。方法可进一步包括在处理腔室内生成含碳前驱物的等离子体。所述方法可进一步包括在基板上沉积含碳材料。所述方法可进一步包括经由泵送板(例如本公开中描述的泵送板)从处理腔室的腔室主体排出气体。
图6示出了根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法600的操作。方法可以在各种处理腔室中实行，包括上述处理系统200，其可包括根据本技术的实施例的泵送板和其他特征。方法600可包括多个选择性操作，其可以或可以不与根据本技术的方法的一些实施例具体地相关联。
方法600可包括处理方法，其可包括用于形成硬模膜的操作或其他沉积操作。所述方法可包括在方法600开始之前的选择性操作，或者所述方法可包括附加操作。例如，方法600可包括以不同于所示出的顺序来实行的操作。在一些实施例中，方法600可包括在操作605处使一个或多个前驱物流入处理腔室中。例如，前驱物可以流入(例如被包括在系统200中的)腔室，并且可以在将前驱物输送到腔室的处理区域之前使前驱物流动通过气箱、挡板、或面板中的一者或多者。在一些实施例中，前驱物可以是或包括含碳前驱物。
在一些实施例中，泵送板可被包括在靠近基座的系统中，例如围绕轴部分。还可包括先前描述的泵送板的任何其他特征，包括泵送板330、400、和401的任何方面，例如不同的非对称出口孔。类似地，可以包括用于减少气体流穿过系统的中心孔的特征，例如第一延伸部545和第二延伸部535，以及最小化中心孔的尺寸。在操作610处，可以例如通过向面板提供RF功率以生成等离子体来生成处理区域内的前驱物的等离子体。在操作615处，在等离子体中形成的材料(例如含碳材料)可以沉积在基板上。
在一些实施例中，可以在后续处理中实行对基板的测试。基于对基板的影响，可以通过在不同的泵送板之间切换来调整泵送板的特性(例如，出口孔的数量、出口孔的尺寸、中心孔的尺寸)。类似地，可以调整诸如延伸部之类的特征。这可提供对处理的前馈控制和对处理的选择性调整，这可以限制由于腔室效应导致的不均匀性的损失。
在前面的描述中，出于解释的目的，已阐述许多细节以便提供对本技术的各种实施例的理解。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，可以在没有这些细节中的一些或具有其他细节的情况下实施某些实施例。
已经公开了几个实施例，本领域技术人员将认识到，在不脱离实施例的精神的情况下，可以使用各种修改、替代构造和等效物。此外，为了避免不必要地混淆本技术，没有描述许多公知的处理和元件。因此，以上描述不应被视为限制本技术的范围。
在提供值的范围的情况下，应理解到，除非上下文另外明确指出，否则还明确公开了在此范围的上限和下限之间的介于下限单位的最小分数的每个中间的值。涵盖了在描述的范围内的任何描述的值或未描述的中间值与所述描述的范围内的任何其他描述的或中间值之间的任何较窄的范围。这些较小范围的上限和下限可以独立地包括在所述范围中或排除在所述范围之外，且在界限的一者、两者都没有、或两者被包括在所述较小范围内的每个范围还被涵盖于本技术之中，针对受描述的范围内任何明确排除的界限。在所述范围包括界限的一者或两者的情况下，还包括排除那些所包括的界限中的一者或两者的范围。
如本文和随附权利要求中所使用的，单数形式的“一”、“一个”、和“所述”包括多个引用，除非上下文有另外明确指出。因此，例如，对于“加热器”的引用包括多个此类加热器，并且对“所述孔”的引用包括对本领域技术人员已知的一个或多个孔及其等效物等等。
而且，当在本说明书和随附权利要求中使用时，用语“包括(comprise(s))”、“包括(comprising)”、“包含(contain(s))”、“包含(containing)”、“包括(include(s))”、和“包括(including)”是旨在于指名所描述的特征、整体、部件、或操作的存在，但是它们并不排除一个或多个其他特征、整体、部件、操作、动作、或群组的存在或增加。

Claims (20)

1.一种半导体处理系统，包括：
腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和基座；
基板支撑件，所述基板支撑件延伸穿过所述基座，其中所述基板支撑件包括：
支撑平台，所述支撑平台被配置成支撑半导体基板，以及
轴，所述轴与所述支撑平台耦接；
前级导管，所述前级导管在所述基座上，所述前级导管被配置成从所述腔室主体排出气体，其中所述前级导管偏离所述基座的中心；
排气空间，所述排气空间耦接到所述前级导管；以及
泵送板，所述泵送板包括中心孔，所述轴延伸穿过所述中心孔，并且所述泵送板进一步包括用于将所述气体的至少一部分从所述腔室主体导引至所述排气空间的一个或多个出口孔，其中所述一个或多个出口孔沿着所述泵送板在与所述前级导管相对的一个或多个位置处设置，以减少靠近所述支撑平台的气流的不均匀性。
2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述泵送板是圆形的，且其中所述一个或多个出口孔包括多个出口孔，所述多个出口孔沿着与所述前级导管相对的弧形路径设置并且沿着相对于所述泵送板的中心的第一半径限定。
3.如权利要求2所述的半导体处理系统，其特征在于，所述基座上的所述前级导管沿着所述第一半径定位。
4.如权利要求2所述的半导体处理系统，其特征在于，所述出口孔相对于所述泵送板的沿着所述泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。
5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，所述出口孔沿着所述泵送板的第二轴线非对称地设置，其中所述第二轴线垂直于所述第一轴线。
6.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，所述弧形路径具有在约30度至345度之间的弧角。
7.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，所述第一轴线平行于所述排气空间。
8.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述中心孔的边缘与所述轴的外直径之间的间隙小于或为约1cm，且其中所述间隙被配置成将所述气体的另一部分从所述腔室主体导引到所述排气空间。
9.如权利要求8所述的半导体处理系统，其特征在于，所述间隙小于或为约1mm。
10.如权利要求8所述的半导体处理系统，其特征在于：
所述排气空间形成于所述基座与所述泵送板之间，
所述基座包括朝向所述泵送板延伸的第一延伸部，并且
所述泵送板包括朝向所述基座延伸的第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部被配置成至少部分地垂直重叠以限制气体从所述腔室主体经由所述中心孔流到所述前级导管。
11.如权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，所述基座与所述泵送板之间的最小垂直间隙小于或为约2mm。
12.如权利要求11所述的半导体处理系统，其特征在于，所述基座与所述泵送板之间的所述最小垂直间隙为约1.6mm。
13.一种用于从半导体处理系统的腔室主体排出气体的泵送板，其特征在于，所述泵送板包括：
中心孔，所述中心孔用于接收延伸穿过所述腔室主体的轴，其中所述中心孔的尺寸被设置为使得所述中心孔的边缘与所述轴的外直径之间的间隙最小化，所述间隙小于或为约1cm，其中所述中心孔被配置成提供用于将气体从所述腔室主体导引向排气空间的第一路径；以及
多个出口孔，所述多个出口孔用于提供用于将所述气体从所述腔室主体导引向所述排气空间的多个第二路径，其中所述出口孔沿着所述泵送板在一个或多个位置处设置，所述一个或多个位置被配置为当所述泵送板位于所述腔室主体内时与所述腔室主体的出口相对。
14.如权利要求13所述的泵送板，其特征在于，所述泵送板是圆形的，且其中所述出口孔沿着与所述腔室主体的所述出口相对的弧形路径设置并且沿着相对于所述泵送板的中心的半径限定。
15.如权利要求14所述的泵送板，其特征在于，所述出口孔相对于所述泵送板的沿着所述泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。
16.如权利要求15所述的泵送板，其特征在于，所述出口孔沿着所述泵送板的第二轴线非对称地设置，其中所述第二轴线垂直于所述第一轴线。
17.一种半导体处理的方法，包括以下步骤：
使含碳前驱物流入处理腔室中，其中所述处理腔室包括面板和基板支撑件，基板设置在所述基板支撑件上，其中所述基板支撑件延伸穿过所述处理腔室的基座，其中所述基板支撑件包括：
支撑平台，所述基板设置在所述支撑平台上，以及
轴，所述轴与所述支撑平台耦接，
在所述处理腔室内生成所述含碳前驱物的等离子体；
在所述基板上沉积含碳材料；以及
经由泵送板从所述处理腔室的腔室主体排出气体，所述轴延伸穿过所述泵送板，其中所述泵送板包括用于将所述气体的至少一部分从所述腔室主体导引至排气空间的一个或多个出口孔，所述排气空间耦接至所述基座上的前级导管，其中所述一个或多个出口孔沿着所述泵送板在与所述前级导管相对的一个或多个位置处设置，以减少所述排气空间内的气流的不均匀性。
18.如权利要求17所述的半导体处理的方法，其特征在于：
所述泵送板是圆形的，且其中所述一个或多个出口孔包括多个出口孔，所述多个出口孔沿着与所述前级导管相对的弧形路径设置并且沿着相对于所述泵送板的中心的第一半径限定；并且
所述出口孔相对于所述泵送板的沿着所述泵送板的直径延伸的第一轴线对称地设置。
19.如权利要求18所述的半导体处理的方法，其特征在于，所述出口孔沿着所述泵送板的第二轴线非对称地设置，其中所述第二轴线垂直于所述第一轴线。
20.如权利要求18所述的半导体处理的方法，其特征在于，所述弧形路径具有在约30度至345度之间的弧角。
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