CN110660414A - 热辅助磁记录介质和磁存储装置 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 12
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910016516 CuFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N copper;oxido(oxo)iron Chemical compound [Cu+2].[O-][Fe]=O.[O-][Fe]=O DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910017163 MnFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910019582 Cr V Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
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Abstract
提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
Description
技术领域
本发明涉及热辅助磁记录介质和磁存储装置。
背景技术
将近场光等照射至磁记录介质以对其表面进行局部加热，从而使磁记录介质的顽磁力(coercivity)下降并进行写入的热辅助记录方式，是一种可实现1Tbit/inch2左右的面记录密度的记录方式，作为下一代的记录方式受到了广泛的关注。采用热辅助记录方式时，即使是室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质，藉由磁头的记录磁场，也可容易地对其进行写入。为此，磁性层可使用磁晶各向异性常数Ku为106J/m3左右的高Ku材料，这样，不仅可维持磁性层的热稳定性，而且还可将磁性颗粒的粒径微细化至6nm以下。作为高Ku材料，熟知具有L10结构的FePt合金(Ku～7×106J/m3)、CoPt合金(Ku～5×106J/m3)等。
为了提高热辅助磁记录介质的面记录密度，需要通过提高磁性层的结晶取向性(orientation)，使磁性颗粒微细化，并降低磁性颗粒间的交换耦合(exchange coupling)，来提高热辅助磁记录介质的电磁转换特性(electromagnetic conversioncharacteristics)。
然而，如果对磁性颗粒进行微细化，则磁性颗粒的结晶性下降，其结果为，磁性颗粒的居里(Curie)温度降低，磁性颗粒的居里温度的方差(variance)变大。为此，热辅助磁记录介质的电磁转换特性下降(例如，参照非专利文献1)。
鉴于上述，专利文献1中公开了一种包含在具有第2居里温度的第2材料的基质(matrix)内埋入了的具有第1居里温度的第1磁性材料的多个(plural)颗粒的薄膜结构体。这里，第2居里温度低于第1居里温度，第2材料包括氧化物、硫化物、氮化物、及硼化物中的一种以上。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]美国专利公开第2010/0110577号说明书
[非专利文献]
[非专利文献1]ADVANCED MATERIALS,2006,18,2984-2988
发明内容
[要解决的技术问题]
然而，仍然希望进一步提高热辅助磁记录介质的面记录密度，即，进一步提高热辅助磁记录介质的电磁转换特性。
本发明的一个目的在于，提供一种电磁转换特性较优的热辅助磁记录介质。
[技术方案]
为了实现上述目的，提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧开始依次层叠了第1磁性层和第2磁性层，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体(ferrite)，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
[有益效果]
根据本发明的一个形态，能够提供一种电磁转换特性较优的热辅助磁记录介质。
附图说明
[图1]本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子的剖面图。
[图2]本实施方式的磁存储装置的一个例子的斜视图。
[图3]图2的磁头的一个例子的示意图。
[符号说明]
1 基板
2 底层
3 磁性层
31 第1磁性层
32 第2磁性层
100 磁记录介质
101 磁记录介质驱动部
102 磁头
103 磁头驱动部
104 记录和再生信号处理系统
201 主磁极
202 辅助磁极
203 线圈
204 激光二极管(LD)
205 激光
206 近场光生成元件
207 波导路
208 记录磁头
209 护罩
210 再生元件
211 再生磁头
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明并不限定于下述实施方式，只要不超出本发明的范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。
[热辅助磁记录介质]
图1示出了本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子。
热辅助磁记录介质100具有基板1、底层2、及进行了(001)取向的磁性层3。这里，磁性层3中，第1磁性层31和第2磁性层32依次进行了层叠。此外，第1磁性层31和第2磁性层32包含具有L10结构的合金，第2磁性层32在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体。铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上。第2磁性层32中所含的磁性颗粒的居里温度低于第2磁性层32中所含的铁氧体的居里温度。
热辅助磁记录介质100通过具有如上所述的结构，即使在使构成磁性层3的磁性颗粒的粒径为6nm以下的情况下，也可使热辅助磁记录介质100的电磁转换特性维持于高水准。
这里，铁氧体的居里温度和磁性颗粒的居里温度之差优选为50℃以上，较佳为100℃以上。
接下来，对可提高热辅助记录媒体100的电磁转换特性的理由进行说明。
一般而言，如果构成磁性层的磁性颗粒的粒径为6nm以下，则磁性颗粒的结晶性下降，其结果为，磁性颗粒的居里温度降低，磁性颗粒的居里温度的方差变大。为此，热辅助磁记录介质的电磁转换特性下降。
鉴于上述，热辅助记录媒体100在构成第2磁性层32的磁性颗粒的晶界部位包含居里温度高于磁性颗粒的居里温度的铁氧体，这样，磁性颗粒和铁氧体就可进行交换耦合。据此，可提高磁性颗粒的表观居里温度(apparent Curie temperature)，并可降低居里温度的方差。此外，由于包含铁氧体的晶界部位也具有磁性，故构成第2磁性层32的磁性颗粒的表观磁性粒径也会变大。因此，可提高热辅助磁记录介质100的电磁转换特性。
构成第2磁性层32的磁性颗粒的晶界部位中所含的铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，但优选为从由NiFe2O4、MgFe2O4、CoFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、及SrFe2O4组成的组中选出的一种以上。据此，除了可与磁性颗粒进行交换耦合之外，还可对磁性颗粒进行微细化。
第2磁性层32中的铁氧体的含量优选位于0.5体积％～60体积％的范围内，较佳位于10体积％～40体积％的范围内。如果第2磁性层32中的铁氧体的含量为0.5体积％以上，则可进一步提高磁性颗粒的表观居里温度，如果为60体积％以下，则磁性颗粒和铁氧体可更容易地进行交换耦合。
第2磁性层32的厚度优选位于1.0nm～10.0nm的范围内，较佳位于3.0nm～7.0nm的范围内。如果第2磁性层32的厚度为1.0nm以上，则可进一步提高热辅助记录媒体100的电磁转换特性，如果为10.0nm以下，则可进一步改善第2磁性层32的(001)取向性。
此外，第1磁性层31包含具有L10结构的合金，藉此可提高第2磁性层32的(001)取向性。
这里，第1磁性层31优选不含铁氧体。据此，可进一步提高第2磁性层32的(001)取向性。
第1磁性层31的厚度优选位于0.3nm～5.0nm的范围内，较佳位于0.5nm～3.0nm的范围内。如果第1磁性层31的厚度为0.3nm以上，则可进一步提高第2磁性层32的(001)取向性，如果为5.0nm以下，则可进一步改善热辅助记录媒体100的电磁转换特性。
磁性层3中所含的具有L10结构的合金优选为FePt磁性合金或CoPt磁性合金。
磁性层3优选包含磁性颗粒的晶界(grain boundary)偏析(segregation)材料。据此，磁性层3可成为具有L10结构的磁性颗粒被晶界偏析材料进行了分断(divide)的粒状(granular)结构。其结果为，除了可对磁性颗粒进行微细化之外，还可降低磁性颗粒间的交换耦合。
作为磁性颗粒的晶界偏析材料，可列举出SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO等的氧化物、C、VC等的碳化物、VN、BN、TiN等的氮化物等，也可同时使用其中的二种以上。
热辅助磁记录介质100优选在构成第2磁性层32的磁性颗粒的晶界部位还包含从由C、SiC、VC、B4C、Si3N4、VN、BN、TiN、及AlN组成的组中选出的物质。这些物质即使在高温下也难与铁氧体发生反应，所以，即使在构成第2磁性层32的磁性颗粒的晶界部位与铁氧体混在(混合存在)，也可进一步对磁性颗粒进行微细化，还可进一步降低磁性颗粒间的交换耦合。
第2磁性层32中的上述物质的含量优选位于10体积％～50体积％的范围内，较佳位于20体积％～40体积％的范围内。如果第2磁性层32中的上述物质的含量为10体积％以上，则可进一步提高热辅助记录媒体100的电磁转换特性，如果为50体积％以下，则可进一步改善第2磁性层32的(001)取向性。
底层2优选为与磁性层3的晶格匹配性(lattice matching)较高。据此，可进一步提高磁性层3的(001)取向性。
作为与磁性层3的晶格匹配性较高的底层2，例如可列举出进行了(100)的Cr层、W层、MgO层等。
底层2也可具有多层结构。
具有多层结构的底层2的各层间的晶格错配(lattice misfit)优选为10％以下。
作为具有晶格错配为10％以下的多层结构的底层2，例如可列举出对具有(100)取向的Cr层、W层、MgO层等进行了层叠的底层。
为了提高底层2的(100)取向性，还可在基板1和底层2之间形成具有bcc结构的Cr层或Cr合金层、或者、具有B2结构的合金层。
作为Cr合金，例如可列举出Cr-Mn合金、Cr-Mo合金、Cr-W合金、Cr-V合金、Cr-Ti合金、Cr-Ru合金等。
作为具有B2结构的合金，例如可列举出Ru-Al合金、Ni-Al合金等。
另外，为了提高与磁性层3的晶格匹配性，还可向底层2添加氧化物。
作为氧化物，例如可列举出从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W组成的组中选出的一种以上的金属的氧化物等。其中，优选为CrO、Cr2O3、CrO3、MoO2、MoO3、Nb2O5、Ta2O5、V2O3、VO2、WO2、WO3、WO6。
底层2中的氧化物的含量优选位于2mol％～30mol％的范围内，较佳位于10mol％～25mol％的范围内。如果底层2中的氧化物的含量为2mol％以上，则可进一步提高磁性层3的(001)取向性，如果为30mol％以下，则可进一步改善底层2的(100)取向性。
热辅助磁记录介质100的磁性层3上优选形成有保护层。
作为保护层的形成方法，对其并无特别限定，例如可列举出藉由高频等离子体使由碳化氢组成的原料气体分解从而进行成膜的RF-CVD(Radio Frequency-Chemical VaporDeposition)法、藉由从灯丝(filament)释放出的电子使原料气体离子化(ionization)从而进行成膜的IBD(Ion Beam Deposition)法、不使用原料气体而是使用固体碳靶来进行成膜的FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)法等。
保护层的厚度优选为1nm～6nm。如果保护层的厚度为1nm以上，则磁头的浮起特性良好，如果为6nm以下，则磁间距(magnetic spacing)较小，从而可提高热辅助磁记录介质100的SNR。
热辅助磁记录介质100的保护层上还可形成包含全氟聚醚(perfluoropolyether)系润滑剂的润滑剂层。
[磁存储装置]
本实施方式的磁存储装置只要具有本实施方式的热辅助磁记录介质即可，对其并无特别限定。
本实施方式的磁存储装置例如具有用于使热辅助磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、前端设置有近场光生成元件的磁头、用于使磁头移动的磁头驱动部、及记录和再生信号处理系统。
此外，磁头例如具有用于对热辅助磁记录介质进行加热的激光生成部、及用于将由激光生成部生成的激光导引至近场光生成元件的波导路。
图2示出了本实施方式的磁存储装置的一个例子。
图2的磁存储装置具有热辅助磁记录介质100、用于使热辅助磁记录介质100旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104。
图3示出了磁头102的一个例子。
磁头102具有记录磁头208和再生磁头211。
记录磁头208具有主磁极201、辅助磁极202、用于生成磁场的线圈203、作为激光生成部的激光二极管(LD)204、及用于将由LD204生成的激光205传播至近场光生成元件206的波导路207。
再生磁头211具有由护罩209夹着的再生元件210。
【实施例】
以下对本发明的实施例进行说明。需要说明的是，本发明并不限定于下述实施例，在不改变其主旨的范围内，还可对其进行适当的变更等。
(实施例1-1～1-8和比较例1-1)
在耐热玻璃基板上形成厚度为50nm的Cr-50at％Ti(Cr的含量为50at％，Ti的含量为50at％)合金层(底层)和厚度为25nm的Co-20at％Ta-5at％B合金层(软磁性底层)，然后将其加热至250℃。接着，形成厚度为10nm的Cr层(底层)和厚度为10nm的MgO层(底层)，然后将其加热至520℃。接下来，形成厚度为0.5nm的第1磁性层和厚度为6.0nm的第2磁性层，然后形成厚度为3nm的碳层(保护层)。最后，在保护层上通过涂敷全氟聚醚(perfluoropolyether)系润滑剂来形成润滑剂层，由此获得了热辅助磁记录介质。
这里，第1磁性层和第2构成磁性层的材料示于表1。
例如，(Fe-55at％Pt)-20vol％C-20vol％CoFe2O4表示Fe的含量为45at％且Pt的含量为55at％的Fe-Pt合金的含量为60体积％，C的含量为20体积％，并且，CoFe2O4的含量为20体积％。
(电磁转换特性)
在图2的磁存储装置上安装了热辅助磁记录介质后，使用图3的磁头对热辅助磁记录介质进行加热，由此进行了线记录密度为1600kFCI(kilo Flux changes per Inch)的信号的记录，并对SN比(SNR)进行了测定。
表1示出了热辅助磁记录介质的电磁转换特性的测定结果。
【表1】
由表1可知，实施例1-1～1-8的热辅助磁记录介质的电磁转换特性较高。
然而，就比较例1-1的热辅助磁记录介质而言，由于第2磁性层不含铁氧体，故电磁转换特性较低。
(实施例2-1～2-9和比较例2-1)
除了将第1磁性层的厚度改变为1.0nm，并对第1磁性层和构成第2磁性层的材料进行了变更(参照表2)之外，与实施例1-1～1-8和比较例1-1同样地获得了热辅助磁记录介质。
表2示出了热辅助磁记录介质的电磁转换特性的测定结果。
【表2】
由表2可知，实施例2-1～2-9的热辅助磁记录介质的电磁转换特性较高。
然而，就比较例2-1和2-2的热辅助磁记录介质而言，由于第2磁性层不含铁氧体，故电磁转换特性较低。
基于上述，可提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
所述第1磁性层的厚度位于0.3nm～5.0nm的范围内，所述第2磁性层的厚度位于1.0nm～10.0nm的范围内。
所述第2磁性层在所述磁性颗粒的晶界部位还包含从由C、SiC、VC、B4C、Si3N4、VN、BN、TiN、及AlN组成的组中选出的物质。
所述第2磁性层的所述铁氧体的含量位于0.5体积％～60体积％的范围内。
具有L10结构的所述合金为Fe-Pt合金或Co-Pt合金。
另外，还可提供一种具有上述热辅助磁记录介质的磁存储装置。
以上尽管对本发明的实施方式等进行了说明，但上述内容并不是对本发明进行限定的内容。
Claims (6)
1.一种热辅助磁记录介质，具有：
基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，
其中，
所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，
所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，
所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，
所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4所组成的组中选出的一种以上，
所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
2.如权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中，
所述第1磁性层的厚度位于0.3nm～5.0nm的范围内，
所述第2磁性层的厚度位于1.0nm～10.0nm的范围内。
3.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其中，
所述第2磁性层在所述磁性颗粒的晶界部位还包含从由C、Si C、VC、B4C、Si3N4、VN、BN、TiN、及AlN所组成的组中选出的物质。
4.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其中，
所述第2磁性层的所述铁氧体的含量位于0.5体积％～60体积％的范围内。
5.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其中，
具有L10结构的所述合金为Fe－Pt合金或Co－Pt合金。
6.一种具有如权利要求1至5中的任一项所述的热辅助磁记录介质的磁存储装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018124049A JP7041597B2 (ja) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP2018-124049 | 2018-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110660414A true CN110660414A (zh) | 2020-01-07 |
| CN110660414B CN110660414B (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=69008302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910560274.9A Active CN110660414B (zh) | 2018-06-29 | 2019-06-26 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10553242B2 (zh) |
| JP (1) | JP7041597B2 (zh) |
| CN (1) | CN110660414B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707186A (zh) * | 2020-05-21 | 2021-11-26 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及磁存储装置 |
| CN114570425A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-03 | 安徽医科大学 | 一种改性CuFe2O4合成方法及其应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10614849B2 (en) * | 2018-08-29 | 2020-04-07 | Showa Denko K.K. | Heat-assisted magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1367921A (zh) * | 1999-09-30 | 2002-09-04 | 富士通株式会社 | 磁性记录介质和用于该介质的磁性记录介质驱动器 |
| US7678476B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-16 | Seagate Technology Llc | Composite heat assisted magnetic recording media with temperature tuned intergranular exchange |
| CN103310934A (zh) * | 1997-09-19 | 2013-09-18 | Tdk株式会社 | 磁体粉末、烧结磁体，其制造工艺、粘结磁体、马达和磁记录介质 |
| CN104685565A (zh) * | 2012-10-15 | 2015-06-03 | 富士电机株式会社 | 用于热辅助记录方式的磁记录介质及其制造方法 |
| CN107112031A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-08-29 | 富士电机株式会社 | 磁记录介质 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160028A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Mitsubishi Metal Corp | 垂直磁化記録体 |
| JP2002358616A (ja) * | 2000-06-12 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
| US7892664B2 (en) * | 2007-11-28 | 2011-02-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media having a chemically ordered magnetic layer |
| US20120147718A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Olav Hellwig | PATTERNED PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM WITH EXCHANGE-COUPLED COMPOSITE RECORDING STRUCTURE OF A FePt LAYER AND A Co/X MULTILAYER |
| US8268461B1 (en) * | 2011-03-16 | 2012-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned perpendicular magnetic recording medium with ultrathin oxide film and reduced switching field distribution |
| JP6076214B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2017-02-08 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置、磁気記録方法及び磁気再生方法 |
| US9672854B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-06-06 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack including MgO-Ti(ON) interlayer |
| US9183865B1 (en) * | 2014-04-17 | 2015-11-10 | HGST Netherlands B.V. | Patterned perpendicular magnetic recording medium with ultrathin noble metal interlayer |
| JP6284126B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2018-02-28 | 昭和電工株式会社 | 垂直記録媒体、垂直記録再生装置 |
| US9218850B1 (en) * | 2014-12-23 | 2015-12-22 | WD Media, LLC | Exchange break layer for heat-assisted magnetic recording media |
| US9595282B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-03-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a L10-type ordered alloy |
-
2018
- 2018-06-29 JP JP2018124049A patent/JP7041597B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-19 US US16/445,801 patent/US10553242B2/en active Active
- 2019-06-26 CN CN201910560274.9A patent/CN110660414B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103310934A (zh) * | 1997-09-19 | 2013-09-18 | Tdk株式会社 | 磁体粉末、烧结磁体，其制造工艺、粘结磁体、马达和磁记录介质 |
| CN1367921A (zh) * | 1999-09-30 | 2002-09-04 | 富士通株式会社 | 磁性记录介质和用于该介质的磁性记录介质驱动器 |
| US7678476B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-16 | Seagate Technology Llc | Composite heat assisted magnetic recording media with temperature tuned intergranular exchange |
| CN104685565A (zh) * | 2012-10-15 | 2015-06-03 | 富士电机株式会社 | 用于热辅助记录方式的磁记录介质及其制造方法 |
| CN107112031A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-08-29 | 富士电机株式会社 | 磁记录介质 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707186A (zh) * | 2020-05-21 | 2021-11-26 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及磁存储装置 |
| CN114570425A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-03 | 安徽医科大学 | 一种改性CuFe2O4合成方法及其应用 |
| CN114570425B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-05-30 | 安徽医科大学 | 一种改性CuFe2O4合成方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110660414B (zh) | 2020-12-18 |
| JP2020004469A (ja) | 2020-01-09 |
| JP7041597B2 (ja) | 2022-03-24 |
| US10553242B2 (en) | 2020-02-04 |
| US20200005821A1 (en) | 2020-01-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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