CN110656310A - 成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种成膜装置,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的层和由无机物构成的层,其特征在于,具有:第一成膜室,在所述基板上形成由有机物构成的层;第二成膜室,配置在比所述第一成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,在所述基板上形成由无机物构成的层;停留室,配置在比所述第二成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,使所述基板暂时停留。
Description
技术领域
本发明涉及成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法。
背景技术
最近,作为平板显示器,有机电致发光显示器(有机EL显示装置)受到关注。有机电致发光显示器作为自发光显示器,其响应速度、视场角、薄型化等特性优于液晶面板显示器,在以监视器、电视、智能手机为代表的各种便携式终端等领域迅速地代替现有的液晶面板显示器。另外,在汽车用显示器等方面也在扩大其应用领域。
构成有机电致发光显示器的有机发光元件(有机EL元件;OLED)具有在两个相对的电极(阴极电极、阳极电极)之间形成有功能层的基本构造,所述功能层包括作为引起发光的有机层的发光层。配置于阴极电极及阳极电极之间的层除了发光层以外,还可以进一步包括电子输送层、电子注入层、空穴输送层、空穴注入层等。有机发光元件的功能层和电极层例如可以通过在真空腔室内经由掩模在基板上蒸镀构成各层的材料来制造。
在专利文献1中,作为现有的有机发光元件的制造装置,公开了如下的一种装置,其在一边连续输送基板一边在基板上蒸镀有机物的第一蒸镀部,和一边连续输送蒸镀有有机物的所述基板一边在所述基板上蒸镀无机物的第二蒸镀部之间,配置有使基板暂时停留的停留部。
但是,有机发光元件的功能层的劣化速度快,构成有机发光元件的功能层的有机层的劣化速度格外快。因此,在上述现有例的装置中,在劣化速度快的功能层露出的状态下停留的时间变长,有可能使制造的有机设备、即有机发光元件的成品率降低。
现有文献1日本特开2015-115229号公报
发明内容
发明所要解决的课题
因此,本发明的目的在于提供一种能够减少在功能层露出的状态下停留的基板的数量且能够抑制成品率的降低的成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法。
用于解决课题的方案
本发明的一个方案的成膜装置,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的层和由无机物构成的层,其特征在于,具有:第一成膜室,在所述基板上形成由有机物构成的层;第二成膜室,配置在比所述第一成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,在所述基板上形成由无机物构成的层;停留室,配置在比所述第二成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,使所述基板暂时停留。
本发明的另一方案的有机设备的制造装置,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的有机层和由无机物构成的电极层,其特征在于,具有:第一成膜室,在所述基板上形成由有机物构成的有机层,第二成膜室,配置在比所述第一成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,在所述基板上形成由无机物构成的电极层,停留室,配置在比所述第二成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,使所述基板暂时停留。
本发明的又一方案的有机设备的制造方法,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的有机层和由无机物构成的电极层,其特征在于,包括;有机层形成工序,在第一成膜室中在所述基板上形成由有机物构成的有机层;电极层形成工序,将形成有所述有机层的基板输送到第二成膜室,在所述第二成膜室中在所述有机层的上部形成由无机物构成的电极层;将形成有所述电极层的基板向停留室输送并使其暂时停留的基板停留工序。
发明效果
由此,本发明能够提供一种能够减少在功能层露出的状态下停留的基板的数量且能够抑制成品率的降低的成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法。
附图说明
图1是表示使用本发明的有机设备的制造装置制造的、包含有机发光元件的有机EL显示装置的一例的概略图。
图2是表示本发明的第一实施方式的有机设备的制造装置的一例的一部分的示意图。
图3是表示设置于有机层成膜用的成膜室OC的成膜装置的结构的一例的示意图。
图4是表示设置于无机层成膜用的成膜室MC的成膜装置的结构的一例的示意图。
图5是表示设置在缓冲室内的基板支承结构体(盒)的一例的结构的图。
图6是表示本发明的第二实施方式的有机设备的制造装置的一例的一部分的示意图。
图7是表示本发明的第三实施方式的有机设备的制造装置的一例的一部分的示意图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选实施方式以及实施例进行说明。但是,以下的实施方式以及实施例用于例示性地表示本发明的优选的结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,在以下的说明中,装置的硬件结构以及软件结构、处理的流程、制造条件、大小、材质、形状等只要没有特别指定的记载,就不意味着将本发明的范围限定于此。
<作为有机设备的有机EL显示装置的结构>
首先,作为使用本发明的实施例的有机设备的制造装置制造的有机设备的例子,对包含有机发光元件的有机EL显示装置的结构进行说明。图1(a)表示有机EL显示装置50的整体图,图1(b)表示1个像素的截面构造。
如图1(a)所示,在有机EL显示装置50的显示区域51以矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素52。详细内容将在后面进行说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,这里所说的像素是指在显示区域51中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置50的情况下,由显示相互不同的发光的第一发光元件52R、第二发光元件52G、第三发光元件52B的组合构成像素52。像素52虽然大多由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合构成,但也可以是黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合,只要是至少一种颜色以上就没有特别限制。
图1(b)是沿着图1(a)的A-B线的局部剖面示意图。像素52在基板53上具有有机发光元件,该有机发光元件具备第一电极(阳极)54、空穴输送层55、发光层56R、56G、56B中的任一个、电子输送层57、第二电极(阴极)58。为了使来自第一电极54的空穴的注入变得容易,也可以在第一电极54与空穴输送层55之间进一步配置空穴注入层。另外,为了使来自第二电极58的电子的注入变得容易,也可以在第二电极58与电子输送层57之间进一步配置电子注入层。
从第一电极54注入的空穴和从第二电极58注入的电子,分别经由空穴输送层55和电子输送层57向发光层56R、56G、56B移动,在发光层56R、56G、56B中再结合而生成光。配置在这些第一电极54与第二电极58之间的空穴输送层55(以及空穴注入层)、发光层56R、56G、56B、电子输送层57(以及电子注入层)相当于功能层。另外,虽然未图示,但也可以在第二电极58的上部以覆盖第二电极58的至少一部分的方式形成覆盖层、遮断层。
覆盖层具有提高将由发光层56R、56G、56B生成的光取出到发光元件的外部的外部取出效率的效果、保护有机发光元件的效果。覆盖层优选以覆盖第二电极58的方式形成。覆盖层也可以由a-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3或CuPc等有机物构成。遮断层具有遮断等离子体等的功能,以使在后续工序中使用的等离子体等不向有机发光元件渗透而对形成于第二电极58、第二电极58与第一电极54之间的功能层造成损伤。遮断层也可以由LiF、MgF2或CaF2等无机物构成。
在本实施方式中,发光层56R是发出红色光的有机EL层,发光层56G是发出绿色光的有机EL层,发光层56B是发出蓝色光的有机EL层。发光层56R、56G、56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。另外,第一电极54按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57、第二电极58既可以与多个发光元件52R、52G、52B共通地形成,也可以按每个发光元件形成。另外,为了防止第一电极54与第二电极58因异物而短路,在第一电极54之间设置有绝缘层59。此外,由于有机EL层因水分或氧而劣化,因此设置有用于保护有机EL元件免受水分或氧影响的保护层(钝化层)60。保护层60优选含有SiNX、SiO2、SiON等氮化物、氧化物、氮氧化物。保护层60可以具有多层结构。
为了将有机EL层形成为发光元件单位,使用经由掩模进行成膜的方法。近年来,显示装置的高精细化不断发展,在形成有机EL层时使用开口的宽度为数十μm的掩模。
<电子设备的制造装置>
接着,对使用了本发明的实施例的成膜装置的电子设备的制造装置进行说明。
图2是表示电子设备的制造装置的一部分结构的一例的示意图。
图2的电子设备的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下,例如在第6代的原尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上进行用于形成有机EL元件的成膜之后,将该基板切下来而制作成多个小尺寸的面板。
电子设备的制造装置一般如图2所示,包括多个群组装置,各群组装置1、2、3具备用于进行针对基板的处理(例如,成膜)的多个成膜室EC、收纳使用前后的掩模的多个掩模存储腔室MS以及配置于各群组装置的中央的输送室TR。如图2所示,各输送室TR分别与多个成膜室EC和掩模存储腔室MS连接。
在各个输送室TR内配置有输送基板以及掩模的输送机器人。输送机器人从配置于上游侧的通路室PC向成膜室EC或从成膜室EC向其他成膜室EC输送基板。另外,输送机器人在成膜室EC与掩模储存腔室MS之间输送掩模。输送机器人例如是具有在多关节臂上安装有保持基板的机械手的构造的机器人。
在各成膜室EC中设置有成膜装置(在通过蒸镀进行成膜的情况下也称为蒸镀装置)。在成膜装置中,收纳于蒸发源的蒸镀材料被加热器加热而蒸发,并经由掩模蒸镀到基板上。通过成膜装置自动地进行与输送机器人的基板的交接、基板与掩模的相对位置的调整(对准)、基板向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一系列成膜工序。另外,虽然在此作为成膜装置的一例举出蒸镀装置,并且在以下的说明中主要对真空蒸镀装置进行说明,但本发明中的成膜装置并不限定于此。成膜装置只要是使各种材料堆积在基板上而进行成膜的装置即可,例如,也可以是溅射装置或CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)装置。
在掩模储存腔室MS中,在成膜室EC的成膜工序中使用的新的掩模和使用完的掩模被分成两个盒收纳。输送机器人将使用完的掩模从成膜室EC输送至掩模储存腔室MS的盒,将收纳于掩模储存腔室MS的其他的盒中的新的掩模输送至成膜室EC。
在各群组装置1~3中,在电子设备的制造装置中的基板的输送路径的上游侧以及下游侧的至少一方连接有通路室PC。配置在各群组装置的上游侧的通路室PC,具有为了将来自上游侧的基板搬入到该群组装置而交接的功能。配置在各群组装置的下游侧的通路室PC,具有将在该群组装置中完成了成膜处理的基板从该群组装置搬出并交接到下游侧的其他群组装置的功能。输送室TR的输送机器人从上游侧的通路室PC接收基板,然后输送至该群组装置1内的成膜室EC,并且从成膜室EC接收完成了该群组装置1内的成膜处理的基板,然后输送至连结于下游侧的通路室PC。
在两个通路室PC之间,设置有改变基板的朝向的旋转室TC。由此,在上游侧的群组装置和下游侧的群组装置中,基板的朝向相同,基板的处理变得容易。
在群组装置2的后段(基板输送路径下游侧),在搬出在该群组装置2中完成了成膜处理的基板的位置,代替通路室PC而设置有缓冲室(停留室;BC),对此将在后面详细进行说明。
这样,本实施方式的有机设备的制造装置(有机电致发光元件的生产线)由多个蒸镀站构成,各蒸镀站作为将多个成膜室EC配置成群组状的群组装置1、2、3而构成。在各蒸镀站(群组装置)中按照顺序输送基板,并通过一系列蒸镀工序依次形成构成上述有机EL显示装置的空穴输送层55(及空穴注入层)、发光层56R、56G、56B、电子输送层57(及电子注入层)等各有机层和由无机材料构成的电极层。
即,各蒸镀站(群组装置)包括多个有机层成膜用的群组装置1(在图2中,仅表示包括用于对电极层(阴极)成膜前的最后的有机层(电子输送层或者电子注入层)进行成膜的成膜室EC的群组装置1,对其上游侧的包括各有机层成膜用的成膜室EC的群组装置省略图示)和群组装置2,所述多个有机层成膜用的群组装置1用于依次形成空穴输送层55(及空穴注入层)、发光层56R、56G、56B、电子输送层57(及电子注入层)等各有机层;所述群组装置2配置在包括这些有机层成膜用的成膜室EC的群组装置1的后段,包括用于在包含发光层的有机层的上部形成电极层(阴极)58的无机层成膜用(典型的是金属层成膜用)的成膜室EC。另外,如上所述,在作为无机层的第二电极(阴极)58的上部,还可以在后续工序中形成覆盖层等有机层。因此,在包含无机层成膜用的成膜室EC的群组装置2的后段,还可以进一步连接包括该后续工序成膜用的成膜室EC的群组装置3。另外,这里说明了群组装置1包含用于对电极层成膜前的最后的有机层进行成膜的成膜室EC的例子,但不限于此,群组装置2也可以具有用于对该最后的有机层进行成膜的成膜室EC。即,群组装置2也可以具有用于对该最后的有机层进行成膜的成膜室EC、和用于形成电极层的成膜室EC这两者。
各群组装置内的成膜室EC根据成膜材料的种类,能够划分为有机层成膜用的成膜室OC(以下,也称为“有机室”)和无机层成膜用的成膜室MC(以下,也称为“金属室”)。
以下,对设置于成膜室OC、MC的成膜装置的结构进行说明。
<成膜装置>
图3是示意性地表示成膜装置、特别是设置于有机层成膜用的成膜室OC的成膜装置4的结构的剖视图。
成膜装置4具备真空腔室20。真空腔室20的内部被维持为真空等减压环境、或者氮气等惰性气体环境。在真空腔室20的内部的上部设置有基板保持单元21和掩模台22,在真空腔室20的内部的下部设置有蒸发源23。
基板保持单元21是对从输送室TR的输送机器人接收的基板进行保持及输送的机构,也称为基板保持器。
掩模台22设置在基板保持单元21的下侧,在掩模台22上载置掩模M。掩模M具有与在基板S上形成的薄膜图案对应的开口图案。
蒸发源23具有具备朝向基板S的蒸镀面排出蒸镀材料的多个排出孔或喷嘴的构造,但并不限定于此,能够根据基板S、掩模M的图案、蒸镀物质的种类等适当地选择。例如,也可以使用点(point)蒸发源、线状(linear)蒸发源、连接有扩散室的结构的蒸发源等,所述扩散室具有用于向小型的蒸镀物质收容部排出蒸镀材料的多个排出孔。
成膜装置4还可以进一步包括蒸发率传感器26、膜厚计27、电源28等其他构成部件。蒸发率传感器26监视从蒸发源23排出的蒸镀材料的蒸发率(rate)。膜厚计27从蒸发率传感器26接受输入信号来测量膜厚。电源28控制设置于蒸发源23的加热装置。
在成膜时,通过输送机器人搬入基板S,配置在基板保持单元21上。接着,利用形成在掩模M上的对准标记和形成在基板S上的对准标记,进行掩模M和基板S的对准。掩模M与基板S的对准,可以通过对基板保持单元21进行移动控制而使基板S移动来进行,也可以通过对掩模台22进行移动控制而使掩模M移动来进行。在对准结束之后,打开蒸发源23的闸门,一边移动与蒸发源23连接的移动部29,一边根据掩模M的图案在基板S上蒸镀成膜材料(有机层)。此时,晶体振子等的蒸发率传感器26测量蒸发率,利用膜厚计27换算膜厚。接着,继续进行蒸镀,直至由膜厚计27换算的膜的厚度达到作为目标的厚度。当膜的厚度达到目标值时,关闭蒸发源23的闸门而结束蒸镀。
图4a是示意性地表示设置于无机层成膜用的成膜室MC的成膜装置5的结构的剖视图。
成膜装置5在真空腔室20的内部的上部设有基板保持单元21和掩模台22,在真空腔室20的内部的下部设有蒸发源23,将从蒸发源23蒸发的成膜材料通过掩模M的开口图案蒸镀到基板S上的基本结构,与上述有机层成膜用的成膜装置4没有变化。
与有机层成膜用的成膜装置4的不同点在于,无机层成膜用的成膜装置5,作为蒸发源,如图4b所示,在真空腔室的下部设置有多个旋转(自转)型的多点蒸发源(旋转装置),所述旋转(自转)型的多点蒸发源(旋转装置)在圆周上配置有多个坩埚230~236,在该蒸发源的上部区域一边使基板旋转一边进行蒸镀。
即,在成膜时,利用旋转驱动机构(未图示)使设于真空腔室20的底面的各旋转型的多点蒸发源23旋转,使蒸镀材料从多个坩埚中的移动至预先确定的蒸镀位置的坩埚依次蒸发。
随着来自该蒸发源的蒸镀材料的蒸发,通过旋转轴24使配置在真空腔室的上部的基板保持单元21及掩模台22旋转,从而使掩模M及放置在掩模上方的基板S旋转。
由此,能够在基板S上以均匀的厚度成膜蒸镀材料。
此外,成膜装置5与有机层成膜用的成膜装置4同样,还可以进一步包括对向基板S蒸镀的蒸镀材料的移动路径进行遮蔽或开放控制的蒸发源闸门25、监视蒸镀材料蒸发的速率的蒸发率传感器26等。
另外,在本实施方式中,对在有机层成膜用的成膜室OC和无机层成膜用的成膜室MC中成膜装置的结构不同的例子进行了说明,但并不限定于此。例如,也可以在有机层成膜用的成膜室OC和无机层成膜用的成膜室MC这两方都配置成膜装置4。
<缓冲室(停留室)的配置>
(第一实施方式)
返回图2,对在无机层成膜用的成膜室(金属室)MC的后段配置缓冲室(也称为停留室)BC的结构进行说明。
如图所示,在本发明的一个实施例中,在比金属室MC靠下游侧的位置设置有使基板暂时停留的缓冲室BC。在所示的例子中,在群组装置2与后续工序成膜用的群组装置3之间配置有缓冲室BC,所述群组装置2具有多个金属室MC、更具体而言为用于对如下的基板成膜由金属或者金属氧化物等无机材料构成的电极层(阴极)的金属室MC,所述基板成膜有构成包括发光层的有机发光元件的各功能层;所述后续工序成膜用的群组装置3用于在电极层(阴极)的上部进一步形成上述覆盖层、遮断层、保护层等。
缓冲室BC是在将在上游侧的成膜室中完成了蒸镀的基板移送到进行后续的蒸镀工序的下游侧的成膜室之前使其暂时停留的装置。
在缓冲室BC中设置有用于装载多个基板并使其暂时停留(收纳)的作为基板支承构造体的盒、和在搬入搬出基板时将盒升降到搬入搬出位置的升降机构。
图5表示设置在缓冲室BC内的基板支承构造体(盒)的结构的一例(图5a是主视图,图5b是俯视图),但盒的构造及使用该构造的缓冲室BC的结构并不限定于此。
如图所示,盒30为从盒的侧面朝向中央以多个区段相向配置有支承板对31a、31b的构造。在相向的支承板对31a、31b之间,在基板的搬入、搬出时,为了不与移送基板的机械手33干涉而形成有间隔P。由形成于各支承板上的多个支承部32支承停留的基板。
如上所述,在有机电致发光元件的生产线中,依次进行一边使基板向多个蒸镀站移动一边依次成膜包含发光层的一系列的功能层的工序;对成膜有这些功能层的基板利用金属或者金属氧化物等无机材料成膜作为第二电极的阴极的工序;以及根据需要在电极上部通过后续工序成膜覆盖层、遮断层、保护层等追加的层(有机层或无机层)的工序。
在通过上述生产线进行工序的中途,有时发生故障或者为了进行异常检查等而使装置暂时停止。这样,在根据需要使装置暂时停止的情况下,以往,成膜进行中的基板原样停留在成膜室(或附近的通路室)内。例如,进行有机层成膜的基板在该成膜室(有机室)(或附近的通路室)内保持成膜该有机层的状态而停留。
然而,在构成有机发光元件的上述各构成要素中,形成于一对电极之间的各功能层、尤其是有机层,在进行成膜的状态下露出的情况下,劣化速度比无机层快。
因此,如以往那样,若进行了各功能层的成膜的基板在该成膜室(或附近的通路室)内以功能层露出的状态停留的时间变长,则会导致成膜了的功能层的劣化,有可能使有机发光元件的成品率降低。这在以有机层露出的状态停留的时间变长的情况下特别显著。
在本发明的一个实施方式的成膜装置中,通过在比金属室MC靠下游侧的位置配置使基板暂时停留的缓冲室BC,可以解决这样的课题。
即,在为了进行异常检查等而需要使装置暂时停止的情况下,在该时刻在有机室OC中进行有机层的成膜的基板等进行功能层的成膜的基板,不是以原状态停留,而是依次继续成膜,在进行到金属室MC中的由无机材料构成的电极层的形成之后,利用设置于其后段的缓冲室BC使基板停留。
由此,即使在使装置暂时停止的情况下,也能够减少在有机层等功能层露出的状态下停留的基板的数量,能够抑制成品率的降低。
另外,如本发明的一个实施例那样,如果在用于电极(阴极)层的成膜的金属室MC的后段设置缓冲室BC,则不仅在使装置暂时停止的情况下,而且在通常的运用时也能够期待同样的效果。
如上所述,在形成阴极电极层之后,有时根据需要利用后续工序进一步成膜覆盖层、遮断层、保护层等,但该后续工序中的成膜处理速度与前一工序(包含发光层的各功能层成膜工序、电极(阴极)层成膜工序)中的处理速度存在差异(通常,后续工序中的处理速度慢)。以往,配合后续工序中的处理速度有意地使前一工序的处理速度变慢,减少工序间的处理速度之差。然而,在该情况下,涵盖包括发光层的各功能层的成膜工序的整体工序缓慢进行,相应地,在成膜包含有机层的功能层的状态下露出的时间变长。
如果像本发明的一个实施例那样在电极(阴极)层成膜用的金属室MC与后续工序用的成膜室之间设置使基板暂时停留的缓冲室BC,则由于能够利用缓冲室BC吸收上述工序之间的处理速度之差,所以无需有意地延迟前工序的处理速度,能够以正常的快速的处理速度毫无迟滞地进行到在金属室MC中形成电极(阴极)层为止的处理,能够使在成膜包含有机层的各功能层的状态下露出的时间比以往缩短。
(第二、第三实施方式)
以在金属室MC的后段配置缓冲室BC为特征的本发明的结构,并不限定于上述实施例的结构。
例如,图6以及图7分别表示本发明的其他实施方式的电子设备的制造装置的结构。
上述第一实施方式是在连结群组装置2和群组装置3的生产线上设置缓冲室BC的结构,而图6的第二实施方式以及图7的第三实施方式分别是在群组装置2或者群组装置3内设置缓冲室BC的结构。
即,图6所示的第二实施方式是在具备电极(阴极)层成膜用的多个金属室MC的群组装置2内,在金属室MC的下游侧的位置配置缓冲室BC的结构;图7所示的第三实施方式是在后续工序成膜用的群组装置3内在比该群组的成膜室OC靠上游侧的位置配置缓冲室BC的结构,所述后续工序成膜用的群组装置3用于在电极(阴极)的上部对覆盖层、遮断层、保护层等追加层进行成膜。
根据这些第二和第三实施方式的结构,也能够减少在有机层露出的状态下停留的基板的数量,可以得到能够抑制成品率降低的同样的效果。另外,在第二以及第三实施方式中,由于仅将缓冲室BC与群组装置的输送室TR进行连接,所以在通常时等不需要使基板停留的情况下,成为能够不经由缓冲室BC而依次进行成膜的结构。因此,根据这些实施方式,与第一实施方式相比,能够缩短通常时的生产节拍时间。
另外,虽然未图示,但也可以组合第一实施方式、第二和/或第三实施方式,在具备电极(阴极)层成膜用的金属室MC的群组装置2与后续工序成膜用的群组装置3之间的生产线上的位置,以及各群组装置2、3内的位置配置多个缓冲室BC,这是不言自明的,由此也能够得到同样的效果。
另外,在以上的说明中,主要说明了在各蒸镀站构成为具备多个成膜室的群组型的情况下应用了本发明的例子,但本发明并不限定于此,当然也能够适用于将各个单独成膜室连结成一列的所谓的“串联(in-line)”类型的生产线。即,即使在将如下的多个成膜室(典型的是有机室)和电极(阴极)层成膜用的金属室连接成一列而构成的串联类型的生产装置中,通过在电极(阴极)层成膜用的金属室的后段配置用于使成膜到金属层的基板暂时停留的缓冲室,也能够适用本发明,所述多个成膜室(典型的是有机室)分别依次成膜空穴输送层(及空穴注入层)、发光层、电子输送层(及电子注入层)等一系列的功能层。
<有机设备的制造方法>
接着,参照前述的图1,说明使用了本发明的实施例的有机设备的制造装置的有机设备的制造方法的一例。以下,作为有机设备的例子,对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。
首先,准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和第一电极(阳极)54的基板53。另外,基板53没有特别限定,可以由玻璃、塑料、金属等构成。基板53也可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等薄膜基板的基板。
在形成有第一电极54的基板53上通过旋转涂敷形成丙烯树脂,利用光刻法对丙烯树脂以在形成有第一电极54的部分形成开口的方式形成图案、形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将形成有绝缘层59的图案的基板53搬入第一成膜装置,利用基板保持单元保持基板,在显示区域的第一电极54上作为共通的层对空穴输送层55进行成膜。空穴输送层55利用真空蒸镀进行成膜。实际上,由于空穴输送层55形成为比显示区域51大的尺寸,因此不需要高精细的掩模。
接着,将形成至空穴输送层55的基板53搬入第二成膜装置,利用基板保持单元进行保持。进行基板与掩模的对准,并将基板载置在掩模上方,在基板53的配置发红色光的元件的部分,对发红色光的发光层56R进行成膜。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层56R的成膜同样地,利用第三成膜装置对发绿色光的发光层56G进行成膜,进而利用第四成膜装置对发蓝色光的发光层56B进行成膜。在发光层56R、56G、56B的成膜结束后,利用第五成膜装置在整个显示区域51对电子输送层57进行成膜。电子输送层57作为对3色的发光层56R、56G、56B共通的层而形成。
将形成至电子输送层57的基板移动到第6成膜装置,对第二电极(阴极)58进行成膜。若以上的各有机层55、56、57和到由金属或金属氧化物的无机材料构成的第二电极(阴极)58为止的成膜完成,则使基板53移动到缓冲室并暂时停留,然后接着根据需要移动到第7成膜装置,进行在第二电极58的上部对覆盖层、遮断层(均未图示)、保护层60等进行成膜的后续工序。另外,可以利用等离子CVD装置对保护层60进行成膜。由此完成有机EL显示装置50。
以上,对用于实施本发明的方式进行了具体说明,但本发明的主旨并不限定于这些记载,应该基于权利要求书的记载进行更宽的解释。另外,基于这些记载进行各种变更、改变等当然也包含在本发明的主旨内。
符号说明
1、2、3:群组设备
EC:成膜室
OC:有机室
MC:金属室
BC:缓冲室
Claims (22)
1.一种成膜装置,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的层和由无机物构成的层,其特征在于,具有:
第一成膜室,在所述基板上形成由有机物构成的层;
第二成膜室,配置在比所述第一成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,在所述基板上形成由无机物构成的层;
停留室,配置在比所述第二成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,使所述基板暂时停留。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,所述输送机构将在所述第一成膜室中形成有由有机物构成的层的所述基板输送到所述第二成膜室,在所述第二成膜室中在所述基板上形成由无机物构成的层之后,将该基板输送到所述停留室。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,具有:
以群组状配置有多个成膜室的第一群组;
第二群组,配置在比所述第一群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述第一群组包含所述第一成膜室,所述第二群组包含所述第二成膜室。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,所述第二群组包括所述停留室。
5.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
还具备第三群组,该第三群组配置在比所述第二群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述停留室配置在所述第二群组与所述第三群组之间。
6.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
还具备第三群组,该第三群组配置在比所述第二群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述第三群组包括所述停留室,
所述停留室在所述第三群组内配置在所述第三群组所具有的所述成膜室的前段。
7.一种有机设备的制造装置,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜功能层和由无机物构成的电极层,其特征在于,具有:
第一成膜室,在所述基板上形成由有机物构成的有机层,
第二成膜室,配置在比所述第一成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,在所述基板上形成由无机物构成的电极层,
停留室,配置在比所述第二成膜室更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,使所述基板暂时停留。
8.根据权利要求7所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述输送机构将在所述第一成膜室中形成有由有机物构成的有机层的所述基板输送到所述第二成膜室,在所述第二成膜室中在所述基板上形成由无机物构成的电极层之后,将该基板输送到所述停留室。
9.根据权利要求8所述的有机设备的制造装置,其特征在于,
具有:以群组状配置有多个成膜室的第一群组;
第二群组,配置在比所述第一群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述第一群组包括所述第一成膜室,所述第二群组包括所述第二成膜室。
10.根据权利要求9所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述第二群组包括所述停留室。
11.根据权利要求9所述的有机设备的制造装置,其特征在于,
还具备第三群组,该第三群组配置在比所述第二群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述停留室配置在所述第二群组与所述第三群组之间。
12.根据权利要求9所述的有机设备的制造装置,其特征在于,
还具备第三群组,该第三群组配置在比所述第二群组更靠所述基板的输送路径的下游侧的位置,以群组状配置有多个成膜室,
所述第三群组包括所述停留室,
所述停留室在所述第三群组内配置在所述第三群组所具有的所述成膜室的前段。
13.根据权利要求7~12中任一项所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述停留室具备用于使多个所述基板停留的多个区段。
14.根据权利要求7~12中任一项所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述有机层为电子输送层或电子注入层。
15.根据权利要求14所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述电极层为阴极层。
16.根据权利要求11或12所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述第三群组所具有的所述成膜室,是用于在由所述第二成膜室形成的电极层上方形成有机层或无机层的成膜室。
17.根据权利要求16所述的有机设备的制造装置,其特征在于,所述第三群组所具有的所述成膜室,是形成用于提高光的外部取出效率的覆盖层的成膜室。
18.一种有机设备的制造方法,其一边利用输送机构依次输送基板,一边在所述基板上成膜由有机物构成的有机层和由无机物构成的电极层,其特征在于,包括;
有机层形成工序,在第一成膜室中在所述基板上形成由有机物构成的有机层;
电极层形成工序,将形成有所述有机层的基板输送到第二成膜室,在所述第二成膜室中在所述有机层的上部形成由无机物构成的电极层;
将形成有所述电极层的基板向停留室输送并使其暂时停留的基板停留工序。
19.根据权利要求18所述的有机设备的制造方法,其特征在于,所述有机层形成工序是形成电子输送层或电子注入层的工序。
20.根据权利要求19所述的有机设备的制造方法,其特征在于,所述电极层形成工序是形成阴极层的工序。
21.根据权利要求20所述的有机设备的制造方法,其特征在于,还包括追加层形成工序,该追加层形成工序从所述停留室接受形成有所述阴极层的基板,在所述阴极层上方形成有机层或无机层。
22.根据权利要求21所述的有机设备的制造方法,其特征在于,在所述追加层形成工序中形成的层是用于提高光的外部取出效率的覆盖层。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113471393A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240034778A (ko) * | 2021-07-16 | 2024-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스의 제조 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1928149A (zh) * | 2005-09-06 | 2007-03-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 沉积装置 |
CN101452947A (zh) * | 2007-12-07 | 2009-06-10 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置、电子设备以及成膜方法 |
WO2010100345A2 (fr) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | Alex Hr Roustaei | Systeme intelligent de production d'énergie solaire a haut rendement en chambres multiples de capture muni de cellules photovoltaiques a base des nano particules |
CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
CN104377317A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 三星显示有限公司 | 薄膜封装层制造设备及使用其制造显示设备的方法 |
JP2015115229A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 平面発光体製造装置及び平面発光体製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4547599B2 (ja) | 2003-10-15 | 2010-09-22 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
JP4393402B2 (ja) | 2004-04-22 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 有機電子素子の製造方法および製造装置 |
JP4429789B2 (ja) | 2004-04-28 | 2010-03-10 | 株式会社アルバック | 有機薄膜製造方法、有機薄膜製造装置 |
JP2009071214A (ja) | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 基板処理装置 |
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KR101685095B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2016-12-09 | 주식회사 유진테크 | 기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법 |
JP6830772B2 (ja) | 2016-08-04 | 2021-02-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 積層膜の製造装置、及び積層膜の製造方法 |
-
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2022
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1928149A (zh) * | 2005-09-06 | 2007-03-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 沉积装置 |
CN101452947A (zh) * | 2007-12-07 | 2009-06-10 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置、电子设备以及成膜方法 |
WO2010100345A2 (fr) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | Alex Hr Roustaei | Systeme intelligent de production d'énergie solaire a haut rendement en chambres multiples de capture muni de cellules photovoltaiques a base des nano particules |
CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
CN104377317A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 三星显示有限公司 | 薄膜封装层制造设备及使用其制造显示设备的方法 |
JP2015115229A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 平面発光体製造装置及び平面発光体製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113471393A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
CN113471393B (zh) * | 2020-03-31 | 2024-03-29 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102527121B1 (ko) | 2023-04-27 |
JP2020002458A (ja) | 2020-01-09 |
CN110656310B (zh) | 2021-11-16 |
KR20220053535A (ko) | 2022-04-29 |
KR20200002242A (ko) | 2020-01-08 |
JP7296204B2 (ja) | 2023-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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