CN110648893A - 一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 132
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 132
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 132
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于石墨舟的新型电极结构，包括石墨杆和若干石墨连接块，所述电极结构通过石墨杆可拆卸地插接多个石墨连接块构成，所述石墨杆为圆柱体，所述石墨连接块为长方体，且石墨连接块中贯通开设有空心槽。本发明空心槽设计合理，空心结构的石墨连接块，在相同升温时间下提升了电极结构附近温区的温度，从而提升了相邻工位的电池片膜厚，缩小了电池片舟内膜厚均匀性的差异；并且保证了炉口通入的反应气体能直接通过电极结构进入石墨舟内，使得硅片镀膜时整体沉积速率较一致，从而改善舟内整体膜厚均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及光伏太阳能电池生产设备技术领域，具体为一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟。
背景技术
光伏组件是由若干太阳能电池片串、并联连接后形成的组件，是太阳能发电领域的重要组成部分。而太阳能电池片在生产过程中，需要对硅片镀一层减反射氮化硅薄膜，因此对氮化硅薄膜的均匀性要求很高，而炉管各温区温度、镀膜功率、镀膜压力等都会影响镀膜均匀性，随着电池片生产工艺的优化，镀膜工艺方案较之前有很大的优化，但减反射膜的均匀性控制仍然是一项需优化的问题。
现有的石墨舟电极结构，其包括石墨连接块、石墨杆、陶瓷杆、螺母，但是其普遍存在以下较为明显的工艺缺陷：
目前产线上使用的石墨连接块为实心结构，在相同升温时间下使得电极结构附近温区温度偏低，相邻工位电池片容易受此影响使得膜厚偏低，影响整体膜厚均匀性；
而且，装有电池片的石墨舟在炉管内镀膜时电极结构会阻碍反应气体流畅通过，出现进气不均的问题，也会影响整体膜厚均匀性。
因此，需要一种新型电极结构来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟，以解决上述背景技术中提出的问题，能够提升电极结构相邻工位膜厚均匀性，弥补相邻工位膜厚均匀性差的缺陷，使得硅片在镀膜时整体沉积速率较一致，从而改善舟内整体膜厚均匀性。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种用于石墨舟的新型电极结构，包括石墨杆和若干石墨连接块，所述电极结构通过石墨杆可拆卸地插接多个石墨连接块构成，所述石墨杆为圆柱体，所述石墨连接块为长方体，且石墨连接块中贯通开设有空心槽。
优选的，所述石墨连接块上开设有两个与石墨杆配合插接的插接孔，两个所述插接孔在轴径方向上为平行设置，所述插接孔与空心槽在轴径方向上为垂直设置。
优选的，还包括开槽连接块，所述开槽连接块中开设有插接孔，且开槽连接块中开设有条形槽。
优选的，还包括石墨舟脚，所述石墨舟脚中开设有插接孔。
优选的，所述石墨连接块的横向宽度为24-26mm，所述石墨连接块的纵向宽度为41-43mm，所述石墨连接块的高度为34-36mm。
优选的，所述插接孔为圆柱体，所述插接孔的直径为8.2-8.4mm。
优选的，所述空心槽为长方体，所述插接孔与空心槽的垂直间距为5-7mm。
优选的，所述空心槽距石墨连接块边缘的垂直距离为3-5mm。
优选的，所述空心槽的横截面宽度大于插接孔的直径。
一种石墨舟，包括石墨舟页，还包括所述的电极结构，所述石墨舟页通过石墨杆连接石墨舟连接块。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明空心槽设计合理，空心结构的石墨连接块，在相同升温时间下提升了电极结构附近温区的温度，从而提升了相邻工位的电池片膜厚，缩小了电池片舟内膜厚均匀性的差异；并且保证了炉口通入的反应气体能直接通过电极结构进入石墨舟内，使得硅片镀膜时整体沉积速率较一致，从而改善舟内整体膜厚均匀性。
附图说明
图1为现有技术中石墨连接块的结构示意图；
图2为本发明的石墨连接块结构示意图；
图3为本发明的石墨连接块结构剖视图；
图4为本发明的开槽连接块结构示意图；
图5为本发明的石墨舟脚结构示意图；
图6为本发明的石墨杆与多个石墨连接块连接结构示意图；
图7为本发明的石墨连接块和开槽连接块与石墨舟页连接结构示意图；
图8为本发明的石墨连接块、开槽连接块和石墨舟脚与石墨舟页连接结构示意图。
图中：1石墨杆、2石墨连接块、3空心槽、4开槽连接块、5条形槽、6石墨舟脚、7插接孔、10石墨舟页。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-8，本发明提供一种技术方案：
实施例一：
一种石墨舟，包括石墨舟页10和电极结构，石墨舟页10通过石墨杆1连接石墨舟连接块2，电极结构包括石墨杆1和石墨连接块2，石墨杆1插接多个石墨连接块2实现可拆卸连接。
一种用于石墨舟的新型电极结构，包括石墨杆1和若干石墨连接块2，电极结构通过石墨杆1可拆卸地插接多个石墨连接块2构成，石墨杆1为圆柱体，石墨连接块2为长方体，且石墨连接块2中贯通开设有空心槽3，如说明书附图2和附图3所示，通过对除石墨舟脚6、开槽连接块4以外的石墨连接块2打通做成空心结构，减轻了石墨舟的整体重量，石墨连接块2上设置有两个与石墨杆1配合的轴对称的插接孔7及空心槽3。
石墨连接块2上开设有两个与石墨杆1配合插接的插接孔7，两个插接孔7在轴径方向上为平行设置，插接孔7与空心槽22在轴径方向上为垂直设置，石墨连接块2的横向宽度为25mm，石墨连接块2的纵向宽度为42mm，石墨连接块2的高度为35mm，插接孔7为圆柱体，插接孔7的直径为8.3mm，空心槽3为长方体，空心槽3的横截面宽度大于插接孔7的直径，插接孔7与空心槽3的垂直间距为6mm，空心槽3距石墨连接块2边缘的垂直距离为4mm。
实施例二：
在石墨杆1插接石墨连接块2形成电极结构的同时，还可以在石墨杆1上插接连接有开槽连接块4，开槽连接块4中开设有插接孔7，插接孔7用来配合石墨杆1进行连接，且开槽连接块4中开设有条形槽5。
实施例三：
在石墨杆1插接石墨连接块2形成电极结构的同时，还可以在石墨杆1上插接连接有石墨舟脚6，石墨舟脚6中开设有插接孔7，插接孔7用来配合石墨杆1进行连接。
在工艺条件相同、石墨舟使用次数相同的情况下，采用本发明实施例生产的电池片膜厚不均匀性相比较对照组采用实心结构的石墨连接块2生产的电池片膜厚不均匀性缩小近2％，膜厚不均匀性计算公式：
膜厚单位：nm，下表1将作具体说明：
表1
根据上表1中的数据可以得知，相比较对照组中的膜厚数据以及片间均匀性，本发明的实施例中得到的膜厚数据和片间均匀性明显更优，可以通过本申请的电极结构，得到更好的在镀膜时整体沉积速率较一致，从而改善舟内整体膜厚均匀性的增益效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种用于石墨舟的新型电极结构，包括石墨杆(1)和若干石墨连接块(2)，其特征在于：所述电极结构通过石墨杆(1)可拆卸地插接多个石墨连接块(2)构成，所述石墨杆(1)为圆柱体，所述石墨连接块(2)为长方体，且石墨连接块(2)中贯通开设有空心槽(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述石墨连接块(2)上开设有两个与石墨杆(1)配合插接的插接孔(7)，两个所述插接孔(7)在轴径方向上为平行设置，所述插接孔(7)与空心槽(22)在轴径方向上为垂直设置。
3.根据权利要求1所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：还包括开槽连接块(4)，所述开槽连接块(4)中开设有插接孔(7)，且开槽连接块(4)中开设有条形槽(5)。
4.根据权利要求1所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：还包括石墨舟脚(6)，所述石墨舟脚(6)中开设有插接孔(7)。
5.根据权利要求1所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述石墨连接块(2)的横向宽度为24-26mm，所述石墨连接块(2)的纵向宽度为41-43mm，所述石墨连接块(2)的高度为34-36mm。
6.根据权利要求2所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述插接孔(7)为圆柱体，所述插接孔(7)的直径为8.2-8.4mm。
7.根据权利要求2所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述空心槽(3)为长方体，所述插接孔(7)与空心槽(3)的垂直间距为5-7mm。
8.根据权利要求2所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述空心槽(3)距石墨连接块(2)边缘的垂直距离为3-5mm。
9.根据权利要求2所述的一种用于石墨舟的新型电极结构，其特征在于：所述空心槽(3)的横截面宽度大于插接孔(7)的直径。
10.一种石墨舟，包括石墨舟页(10)，其特征在于：还包括权利要求1-9任意一项所述的电极结构，所述石墨舟页(10)通过石墨杆(1)连接石墨舟连接块(2)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911030309.4A CN110648893A (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911030309.4A CN110648893A (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110648893A true CN110648893A (zh) | 2020-01-03 |
Family
ID=68994931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911030309.4A Pending CN110648893A (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种用于石墨舟的新型电极结构及其石墨舟 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110648893A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-10-28 CN CN201911030309.4A patent/CN110648893A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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