CN110646468A - 高通量材料的表征方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高通量材料的表征方法,包括电路设计步骤;材料‑电路混合制备步骤;材料性能参数计算步骤。本发明可实现对多个样品物理参数的快速扫描式测量,从而建立一种高效率的高通量材料表征方法。本发明将把测量电路和被测材料融为一体,使每个高通量材料单元作为电路的一部分,只有这样才能实现高精度、快速测量。本发明对于每一个样品,可以一次性测量多个物理性质,实现对多种物理参数的协同表征。采用范德堡法作为基本测量单元,通过设置适当的测量策略,该电路可实现电阻率、霍尔电压、载流子迁移率等参数的测量。
Description
技术领域
本发明属于高通量材料领域,涉及材料性能参数的测量,尤其是一种高通量材料的表征方法。
背景技术
高通量材料是指一次制备出包含不同组分的大量材料样品,通过并行处理的方法,快速获取不同材料的组分、微观结构和宏观性能等数据,从而建立三者的映射关系,最终实现快速的材料优选。
在制备出高通量材料后,下一步工作是对材料性能参数进行测量,从而获得材料组分-宏观性能参数的映射表。需要说明,高通量材料通常是厚度在几十纳米到几十微米的薄膜材料。
目前,基于光学方法的高通量表征技术蓬勃发展。如美国Lawrence BerkeleyNational Laboratory集成微区X射线荧光和衍射系统,开发了微区瞬逝微波探针显微镜,空间分辨率达10μm,可以同时检测高通量材料的成分和结构。美国马里兰大学的L.Asinovski教授报告了基于椭偏面成像技术的整列样品表征方法,可实现对阵列样品厚度、折射率的高通量表征。除了面成像椭偏分析技术外,激光椭偏仪、阴极荧光计等均可实现高通量微区光学性质表征。
虽然基于光学方法的高通量材料表征方法应用广泛,但也有一些不足之处。首先,不同材料的光谱特性不同,所以针对不同材料需要选择不同的光源和光谱手段;其次,通常电磁波不能穿透金属和极性介质,所以利用透射光的表征手段不能用于这些材料;最后,基于激光干涉、相位分析的测量手段对环境温度、湿度和振动稳定性要求非常高,这一定程度上制约了其大规模使用。
基于电学方法的高通量表征技术发展比较晚。2005年,加拿大Dalhousie大学的K.C.Hewitt教授发展了一种利用28×28的探针阵列,然后通过触点接触的方式,对7×7薄膜样品库的电学性能进行了测量,每个样品有四个探针与其接触。美国海文国家实验室也制作了类似的,基于触点接触的测量系统。以色列Bar Ilan大学发展了一种利用一组探针,通过机电装置扫描的多样品测量方案。
上述方法虽然可实现快速测量,但由于是通过触点接触的方式,接触电阻、探针几何尺寸等因素限制了样品尺寸不可能太小(他们单个样品尺寸为8mm×8mm)。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,提供一种以并行电路为测量手段的高通量材料表征方法,实现对典型材料的电学性能表征。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:
一种高通量材料的表征方法,
包括电路设计步骤;
包括材料-电路混合制备步骤;
包括材料性能参数计算步骤。
而且,所述的电路设计步骤包括如下电路的设计:
测量单元电路,采用范德堡法测量样品电学特性;
选择电路,实现对单个样品的测量;
接口电路,实现电路信号到计算机的转接。
而且,所述的测量单元电路,
包括U1单元,由AD524,0.1uf的电容,1000K的电阻构成,对采集到的电压信号进行1000倍的增益放大;
包括U2、U3单元,是两个缓冲器,分别由两个AD795S构成,用于减小在运放输入端R1上的直流电压;
包括U4单元,由AD630方波解调器构成,用于设计锁定放大器;
包括U5单元,由AD711编程增益仪表放大器构成,其固定增益分别为1、10、100或1000,对数字输入端进行选择;
包括U6单元,为双极性运算放大器,通过内部补偿的功能为皮安级电流提供增益;
包括U7单元,为继电器,用于规避输入阻抗太低导致电路无法工作的情形。
而且,所述的材料-电路混合制备步骤是采用电路制作工艺制作出并行测量电路部分,并预留好待测样品区域,然后通过材料高通量制备技术,将待测陈列样品直接制作于测量电路的指定位置。
而且,所述的材料高通量制备技术为喷印合成法、多元体材扩散法、微机电结构法、微流体结构法、激光增材法。
而且,所述的材料性能参数计算包括材料电阻计算,公式如下:
式中,I为恒流源提供的电流,V1,V2分别是两次测量得到的电压值,f(V1/V2)为范德堡系数。
式中B为垂直于样品的磁感应强度。ΔVpn代表加磁场后P、N之间电位差的变化。I是粒子的电荷量,d为样品厚度。
而且,所述的材料性能参数计算步骤包括材料迁移率计算,公式如下:
式中,n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度,μn和μp为电子和空穴的迁移率。q为电荷量,ρ为电阻率。
本发明的优点和积极效果是:
(1)材料表征的高并行:本发明为多路并行的测量电路,可实现对多个样品物理参数的快速扫描式测量,从而建立一种高效率的高通量材料表征方法。
(2)材料-电路一体化:本发明将把测量电路和被测材料融为一体,使每个高通量材料单元作为电路的一部分,只有这样才能实现高精度、快速测量。
(3)可表征参数丰富:本发明对于每一个样品,可以一次性测量多个物理性质,实现对多种物理参数的协同表征。采用范德堡法作为基本测量单元,通过设置适当的测量策略,该电路可实现电阻率、霍尔电压、载流子迁移率等参数的测量。
(4)本发明提出的材料-电路混合结构,克服了传统触点接触电阻的影响,可以实现高精度测量;通过选择电路来实现样品的选择与接入,可实现快速测量;整个测量过程高度自动化,避免了人为因素的影响,保证了测量的一致性。
(5)针对阵列式高通量样品,本发明发展了并行的12×12路范德堡测量电路,可实现对144个样品的3个物理参数的快速测量。
附图说明
图1为范德堡法测电阻率示意图;
图2为单元信号采集电路图;
图3为材料-电路混合结构示意图;
图4为材料-电路混合结构制作的流程图;
图5为范德堡法电路信号选择方案;
图6为范德堡法电路测量方案。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施例对本发明作进一步详述,以下实施例只是描述性的,不是限定性的,不能以此限定本发明的保护范围。
一种高通量材料的表征方法,包括测量电路设计步骤、材料-电路混合制备步骤、材料性能参数计算步骤。
所述的测量电路设计步骤:
采用范德堡法测量样品电学特性,利用四个接触良好的边缘测点,由四次电压、电流轮换测量即可得到样品的薄层电阻。图1为范德堡法的两种测试图形结构,其中交叉点为电压的测点。其中,图1(a)结构复杂,但测量精度最高,图1(b)测量精度较低,但结构简单。由于图1(a)型样品对形状精度要求较高,导致后期高通量样品制备复杂度大增加,在本发明中将根据材料表征的具体要求,进一步研究(a)、(b)两种电路的优劣,最终选定合理的电路形式。
基于上述分析,设计了单元信号采集电路,该电路主要由仪表放大器和锁相放大器构成,如图2所示。其中U1单元由AD524,0.1uf的电容,1000K的电阻构成,主要负责对采集到的电压信号进行1000倍的增益放大。U2和U3单元是两个缓冲器,分别由两个AD795S构成,主要功能是减小在运放输入端R1上的直流电压;U4由AD630方波解调器构成,主要用于设计锁定放大器。U5由AD711可编程增益仪表放大器,构成,其固定增益分别为1、10、100或1000,可对数字输入端进行选择。U6为双极性运算放大器,主要通过内部补偿的功能为皮安级电流提供增益。U7为继电器,主要作用是规避输入阻抗太低导致电路无法工作的情形。
为了快速、准确、高并行的测量144个样品的电学特性参数,系统将对所有样品中的测点电压进行采样,自动计算、立即显示薄层电阻。这不仅提高测试速度,还可对读数异常(单元测量电路中的样品未能与4个测量引脚完全接触)起监视作用,并可观察测量电流对薄层电阻读数的影响。为消除测试电路与样品间接触电势的影响,采用电流正反向两次测量,然后再平均。为保证测量时免受静电、电磁干扰,采用高饱和的磁性材料制作屏蔽罩来隔离静电及电磁干扰。因此读数稳定可靠,测量电压随测量电流呈正比增加或减小。
接口电路用RS232串行口与电脑连接。
所述的材料-电路混合制备步骤:
设计的材料-电路混合结构如图3所示,主要包含两部分,一部分为12×12的高通量阵列部分,是144个待测样品区域(图中只绘制了四个样品以示说明),另一部分为高通量材料表征并行测量电路区域,用于完成对高通量材料参数的测试。在待测样品与并行测量电路之间,为每个待测样品设计了四个测点,实现测量电路与待测样品的连接。
材料-电路混合结构的主要制作流程如图5所示。首先,采用电路制作工艺制作出并行测量电路部分(图中黄色区域),并预留好待测样品区域,然后通过材料高通量制备技术,将待测陈列样品直接制作于测量电路的指定位置。目前,材料高通量制备技术有多种,如基于薄膜沉积工艺的高通量组合材料制备技术、喷印合成法、多元体材扩散法、微机电结构法、微流体结构法、激光增材法等,可根据不同应用领域的要求灵活选用。
所述的材料性能参数计算步骤
材料电阻率:范德堡法采用两次测量,分别让电流流过不同的测点对,测量另外两个测点上的电压。两次测量测点对可以有3种组合方式,如图5所示。三种不同的组合所使用的计算电阻率的公式也不相同,本发明采用组合2,其计算公式为
式中,I为恒流源提供的电流,V1,V2分别是两次测量得到的电压值,f(V1/V2)为范德堡系数。
采用上述方法测量,只要样品厚度小于3mm,其它几何尺寸无论多大,无论测量样品的任何位置,都可用同一个公式计算测量结果。除厚度修正因子外,不受探针机械性能的影响,测量结果准确度较高。
霍尔效应测量:霍耳效应是一种电流磁效应(如图6)。当样品通以电流I,并加一磁场垂直于电流,则在样品的两侧产生一个霍耳电势差:
式中I是粒子的电荷量,B为磁场强度,d为样品厚度,RH为霍尔系数,VH为霍尔电势差。
由范德堡法知,一对不相邻的测点(见图1),测点1、3用来通入电流,另外一对测点2、4用来测量电位差。霍尔系数则由下式给出
式中B为垂直于样品的磁感应强度值。ΔVpn代表加磁场后P、N之间电位差的变化。d为样品厚度。
迁移率:半导体材料的电阻率由下式给出:
式中,n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度,μn和μp为电子和空穴的迁移率。q为电荷量,ρ为电阻率。
样品电阻Rs由电阻率除以样品厚度d求得,而样品密度ns则由掺杂浓度乘以样品厚度d可得。因此可得:
μm为迁移率,q为电荷量,ns为样品密度,Rs为样品电阻。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种高通量材料的表征方法,其特征在于:
包括电路设计步骤;
包括材料-电路混合制备步骤;
包括材料性能参数计算步骤。
2.根据权利要求1所述的高通量材料的表征方法,其特征在于:所述的电路设计步骤包括如下电路的设计:
测量单元电路,采用范德堡法测量样品电学特性;
选择电路,实现对单个样品的测量;
接口电路,实现电路信号到计算机的转接。
3.根据权利要求2所述的高通量材料的表征方法,其特征在于:所述的测量单元电路,
包括U1单元,由AD524,0.1uf的电容,1000K的电阻构成,对采集到的电压信号进行1000倍的增益放大;
包括U2、U3单元,是两个缓冲器,分别由两个AD795S构成,用于减小在运放输入端R1上的直流电压;
包括U4单元,由AD630方波解调器构成,用于设计锁定放大器;
包括U5单元,由AD711编程增益仪表放大器构成,其固定增益分别为1、10、100或1000,对数字输入端进行选择;
包括U6单元,为双极性运算放大器,通过内部补偿的功能为皮安级电流提供增益;
包括U7单元,为继电器,用于规避输入阻抗太低导致电路无法工作的情形。
4.根据权利要求1所述的高通量材料的表征方法,其特征在于:所述的材料-电路混合制备步骤是采用电路制作工艺制作出并行测量电路部分,并预留好待测样品区域,然后通过材料高通量制备技术,将待测陈列样品直接制作于测量电路的指定位置。
5.根据权利要求4所述的高通量材料的表征方法,其特征在于:所述的材料高通量制备技术为喷印合成法、多元体材扩散法、微机电结构法、微流体结构法、激光增材法。
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