CN110600416A - 一种薄片基板的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种薄片基板的加工方法，包括：在支撑基板的第2主面形成多个凹部；将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合；对所述薄片基板的第2主面进行微细加工；以及将所述支撑基板从所述薄片基板上去除，其中，所述支撑基板的所述第1主面位于所述支撑基板的所述第2主面的背面，所述薄片基板的所述第1主面位于所述薄片基板的所述第2主面的背面。根据本申请，能够使临时键合后的复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，保证足够的加工精度，并且，减少了对半导体加工的工艺限制。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄片基板的加工方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，常常需要使用比较薄的基板，比如基板的厚度小于400微米。在半导体加工过程中，这样的薄片基板容易破损，而且不容易被许多自动化制造设备的探测器所认知，因而不宜于直接投入生产。
许多自动化制造设备是用光学方法来检测半导体基板的有无的。当基板是薄片透明基板时，这种容易破损、不容易被制造设备所认知的问题更为突出。比如，用近于垂直方向的反射光检测时，如果基板透明，反射光过于弱小，探测器就难以正确认知基板的存在；用近于平行于基板表面的反射光检测时，如果基板过薄，即使基板可以反射光线，反射光也会偏离探测器的位置，使设备无法正确认知基板的存在。
为了解决上述问题，通常的方法是把薄片半导体基板临时键合到一个支撑基板上(这个工艺通常被称为临时键合)，在薄片半导体基板的加工完成后再去除支撑基板(这个工艺通常被称为解键合)。现有的临时键合方式可以分为两大类。第一类临时键合方式是用胶把薄片半导体基板键合到支撑基板上。这类键合的优点是，键合、解键合比较容易，对于键合界面凸凹不平的薄片半导体基板的键合也非常有利。第二类临时键合方式是，把薄片半导体基板直接键合到支撑基板上。这类键合的优点是，键合后的复合基板可以承受比胶键合方式高得多的温度。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本申请的发明人认为，现有的临时键合方式都有各自的缺陷。
针对第一类临时键合方式，由于使用胶进行键合，在键合后的半导体加工过程中，工艺温度不能超过胶的劣化温度。一般来讲，键合用胶的劣化温度在200℃以下，至多也不高于300℃，远远低于许多半导体加工的工艺温度，因此，第一类临时键合方式对后续的半导体加工的工艺温度造成很大的限制。
针对第二类临时键合方式，这类键合的缺点主要有两个。缺点之一是：薄片半导体基板与支撑基板的热膨胀系数不同时，键合后的复合基板会翘曲，发生诸如复合基板在自动化制造设备的传送变得困难、半导体微细加工的精度下降等问题。此外，缺点之二是：薄片半导体基板与支撑基板的解键合比较难，解键合时还可能损伤薄片半导体基板的键合面。而一些情况下，薄片半导体基板表面的损伤会影响到器件的功能。比如，薄片半导体基板是透明基板，器件对基板的透光率十分敏感时，薄片半导体基板的表面因为解键合而发生损伤就会降低基板的透光率。
本申请提供一种薄片基板的加工方法，在支撑基板的背面形成多个凹部，由此，能够在不使用有机胶对支撑基板和薄片基板进行临时键合的情况下，降低支撑基板和薄片基板临时键合时可能引起的基板翘曲，使临时键合后的复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，保证足够的加工精度；此外，由于不使用有机胶，减少了对半导体加工的工艺限制。
根据本申请实施例的一个方面，提供一种薄片基板的加工方法，包括：在支撑基板的第2主面形成多个凹部；将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合；对所述薄片基板的第2主面进行微细加工；以及，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除，其中，所述支撑基板的所述第1主面位于所述支撑基板的所述第2主面的背面，所述薄片基板的所述第1主面位于所述薄片基板的所述第2主面的背面。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述加工方法还包括：
在所述薄片基板的第1主面和/或所述支撑基板的第1主面形成用于键合的无机材料薄膜，其中，所述薄片基板的第1主面和所述支撑基板的第1主面通过所述无机材料薄膜而键合。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述加工方法还包括：
在将所述薄片基板与所述支撑基板分离前，在所述支撑基板中形成贯通所述支撑基板的第2主面和第1主面的贯通部。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括：
经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜，使所述支撑基板和所述薄片基板分离。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括：在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；以及，在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括：对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀，从而将所述支撑基板去除。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括：在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；以及，在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述薄片基板的第2主面通过胶键合到支撑物表面。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述无机材料薄膜包括反光材料。
本申请的有益效果在于：能够使临时键合后的复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，保证足够的加工精度，并且，减少了对半导体加工的工艺限制。
参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请实施例1的薄片基板的加工方法的一个实例的示意图；
图2是本申请实施例1的薄片基板的加工方法的另一个实例的示意图。
具体实施方式
参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。
实施例1
本申请实施例1提供一种薄片基板的加工方法。本实施例的方法可以包括如下步骤：
步骤101、在支撑基板的第2主面形成多个凹部；
步骤102、将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合；
步骤103、对所述薄片基板的第2主面进行微细加工；
步骤104、将所述支撑基板从所述薄片基板上去除。
在本实施例中，其中，支撑基板的第1主面位于支撑基板的第2主面的背面，薄片基板的第1主面位于薄片基板的第2主面的背面。
根据本实施例的薄片基板的加工方法，由于在支撑基板的背面形成有多个凹部，因此，能够在不使用有机胶对支撑基板和薄片基板进行临时键合的情况下，降低支撑基板和薄片基板临时键合时可能引起的基板翘曲，使临时键合后的复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，保证足够的加工精度；此外，由于可以不使用有机胶，减少了在步骤103中对微细加工的工艺限制。
在本实施例的步骤101中，可以采用半导体加工工艺或微细加工工艺中常用方法在支撑基板的第2主面形成多个凹部，该凹部可以是坑或沟槽等，加工方法例如可以是反应性离子刻蚀(RIE：Reactive Ion Etching)，或激光烧灼(Laser Ablation)等方法。
在本实施例的步骤102中将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合，该键合可以是不采用有机胶的键合，在一个实施方式中，该键合可以是直接键合或基于无机材料薄膜的键合。
例如，在步骤102之前，可以在薄片基板的第1主面和/或支撑基板的第1主面形成用于键合的无机材料薄膜，由此，在步骤103中，薄片基板的第1主面和支撑基板的第1主面通过该无机材料薄膜而键合。
在本实施例中，该无机材料薄膜可以包括反光材料，由此，在薄片基板为透明基板时，该无机材料薄膜可以帮助利用光学方法探测基板存在的自动化制造设备正确认知基板的有无。
在本实施例的步骤103中，对薄片基板的第2主面进行微细加工的方法可以参考现有技术。由于在步骤102的临时键合中没有使用有机胶进行键合，所以，步骤103的加工温度的限制较少；并且，由于支撑基板和薄片基板临时键合时可能引起的基板翘曲较少，因此，临时键合后的复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，保证足够的加工精度。
在本实施例中，在步骤104之前，还可以具有步骤105。在步骤105中，在所述支撑基板中形成贯通所述支撑基板的第2主面和第1主面的贯通部。其中，贯通部可以是对至少部分凹部继续加工所形成，也可以形成在与凹部不同的位置。
在本实施例中，该步骤105可以与步骤101同时进行，或者不与步骤101同时进行，例如，步骤105可以在步骤102之前或之后进行等。
在本实施例的一个实施方式中，步骤104可以包括：
步骤1041、经由所述贯通部去除至少部分用于键合的该无机材料薄膜，使所述支撑基板和所述薄片基板分离。
例如，使腐蚀液进入该贯通孔，从而腐蚀该无机材料薄膜，使所述支撑基板和所述薄片基板分离。
在本实施方式中，步骤104还可以包括如下步骤：
步骤1042、在步骤1041之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；
步骤1043、在步骤1041之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
其中，在步骤1041中，温度可以在200℃以下，因此，步骤1042中，薄片基板的第2主面可以通过胶键合到支撑物表面。
在步骤1043中，可以采用现有技术中的方式解键合。例如，该支撑物是紫外线感光胶带的情况下，通过紫外线照射可以使胶失去粘性，达到解键合的目的。
在本实施例的另一个实施方式中，步骤104可以包括：
步骤1041a、对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀，从而将所述支撑基板去除。
在本实施方式中，步骤104还可以包括如下步骤：
步骤1042a、在步骤1041a之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；
步骤1043a、在步骤1041a之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
其中，在步骤1041a中，温度可以在200℃以下，因此，步骤1042a中，薄片基板的第2主面可以通过胶键合到支撑物表面。
在步骤1043a中，可以采用现有技术中的方式解键合。例如，该支撑物是紫外线感光胶带的情况下，通过紫外线照射可以使胶失去粘性，达到解键合的目的。
实例1
图1是本实施例的薄片基板的加工方法的一个实例的示意图。下面，结合图1，对本实例的薄片基板的加工方法进行详细说明。
如图1的a)所示，首先进行半导体基板1的准备，该半导体基片1就是本实施例的薄片基板，这里，半导体基片是指适用于半导体制造工艺进行加工的薄片基板，并不意味着该薄片基板只能是由半导体材料制成。
在本实施例中，半导体基板1有两个相对应的主面，即第一主面1a和第二主面1b。半导体基板1可以是半导体制造领域中常用的晶圆，例如硅晶圆、绝缘体上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圆、锗硅晶圆、锗晶圆或氮化镓晶圆、SiC晶圆等，也可以是石英、蓝宝石、玻璃等绝缘性晶圆。另外，半导体基板1也可以是半导体制造领域中常用的晶圆，在晶圆的表面上进一步具有半导体器件、MEMS器件所需的各种薄膜以及各种构造。本实施例对此并不限制。一个特例是，半导体基板1是玻璃基板，厚度为300微米，直径为200mm。这样的薄片基板容易破损，而且不容易被许多半导体加工的自动化制造设备所认知，因而不宜于直接投入生产。
下一步，如图1的b)所示，在半导体基板1的第一主面1a上形成无机薄膜3a。无机薄膜3a可以是由Cr、Ti、Au、Cu、Al等金属或其化合物的其中之一组成的单层薄膜，也可以是由两种以上的上述金属等组成的多层薄膜。无机薄膜3a也可以是由Si、Ge等半导体材料，或者半导体材料的氧化物，或者半导体材料的氮化物等组成的单层或多层薄膜。当半导体基板1是透明基板时，无机薄膜3a具有反光性较好，可以帮助利用光学方法探测基板存在的自动化制造设备能够正确认知基板的有无。无机薄膜3a的材料选择，还可以根据图1的f)以后所述的键合、半导体微细加工、以及解键合等工艺的需要而灵活选择。无机薄膜3a的形成可以用普通的半导体长膜工艺实现。必要时，在无机薄膜3a长膜之前，先把第一基板1的第二主面1b用胶临时键合到一个支撑物(未图示)上，然后在胶的劣化温度以下把无机薄膜3a形成到第一主面1a的表面上，然后通过解键合把胶和支撑物去掉。一个特例是：无机薄膜3a是金属铝(Al)的薄膜，厚度约为1微米。
下一步，如图1的c)所示，进行支撑基板2的准备。支撑基板2有两个相对应的主面，即第一主面2a和第二主面2b。支撑基板2和半导体基板1在材质、构造等方面可以相同，也可以完全不同。一个特例是：支撑基板2是Si基板，厚度约为600微米，直径为200mm。
下一步，如图1的d)所示，在支撑基板2的第二主面2b上形成沟道4，即上述的凹部。沟道4可以由复数个独立的沟道组成，在第二主面2b上具有开口，开口大致均匀、对称地分布在第二主面2b上。沟道4的数量、尺寸(包括长、宽和深度)和分布可以根据支撑基板2的机械强度、图1的f)所述的键合后得到的复合基板的翘曲程度等来设计。一方面，沟道4可以不贯穿支撑基板2的第2主面2b。另一方面，沟道4的至少一部分也可以贯穿支撑基板2的第1主面2a和第2主面2b，形成贯穿沟道，即，形成上述的贯通部。即，沟道4可以都是贯穿沟道，也可以是其中的一部分是贯穿沟道，也可以是至少其中的一部分沟道具有贯穿第1主面2a和第2主面2b的贯穿孔4a。沟道4以及贯穿孔4a可以用半导体微细加工工艺形成。比如，可以用反应性离子刻蚀(RIE:Reactive Ion Etching)、激光烧蚀(Laser Ablation)等方法加工形成。
下一步，如图1的e)所示，在支撑基板2的第一主面2a的表面上形成无机薄膜3b。无机薄膜3b可以与无机薄膜3a相同，也可以完全不同。无机薄膜3b的材料选择，可根据图1的f)以后所述的键合、半导体微细加工、以及解键合等工艺的需要而灵活选择。一个特例是：无机薄膜3b是Al的薄膜，厚度约为1微米。
下一步，如图1的f)所示，把半导体基板1的第一主面1a和支撑基板2的第一主面2a通过无机薄膜3a和无机薄膜3b临时键合在一起，在键合界面形成由无机薄膜构成的键合层3。本实施例中，临时键合是Al薄膜之间的键合，键合层3是Al薄膜。由于支撑基板2的第2主面2b上具有沟道4，即使半导体基板1和支撑基板2的热膨胀系数不同，由半导体基板1和支撑基板2临时键合形成的复合基板的翘曲程度会比没有沟道4时大幅度减轻。这样，在图1的g)所述的半导体微细加工中，可以使复合基板顺利地通过半导体加工设备，还可以提高微细加工精度。另外，选择厚度适当的支撑基板2，可以使键合后的复合基板在厚度上变成可以被自动化制造设备正确认知、传送、加工的基板。而且，即使半导体基板1和无机薄膜3是透明的，如果支撑基板2具有反光性或不透明性，也可以使利用光学方法探测基板存在的自动化制造设备能够正确认知复合基板的有无。
下一步，如图1的g)所示，在半导体基板1的第二主面1b上进行半导体微细加工，形成所需微细结构5。比如，微细结构5包括刻蚀第二主面1b而形成的微细结构5a，以及通过在第二主面1b上按顺序地生长和加工各种薄膜而形成的微细结构5b。微细结构5可以包括电子线路、微电子机械系统(MEMS：Micro Electro Mechanical Systems)等器件。由于复合基板的键合层3由无机薄膜组成，通过选择无机薄膜3a和3b的材料，可以实现所需的耐温目标。所以，只要根据半导体微细加工条件来选择无机薄膜3的材料，就可以把工艺温度提高到所需温度。这样，就避免了用胶进行临时键合时所受到的工艺温度限制。
下一步，如图1的h)所示，将半导体基板1与支撑基板2分离开来。在此，如果支撑基板2尚不具有贯穿沟道或贯穿孔，可以用RIE或激光烧蚀等方法加工形成贯穿沟道或贯穿孔。然后，通过贯穿沟道或贯穿孔4a去除由无机材料薄膜构成的键合层3，将半导体基板1同支撑基板2分离。键合层3的去除，要选择对半导体基板1几乎没有损伤的方法。比如，可以用药液、或是反应性气体(包括等离子体)等腐蚀方法选择性地去除键合层3。必要时，在将半导体基板1与支撑基板2分离之前，先把第一基板1的第二主面1b用胶临时键合到一个支撑物(未图示)上，待将半导体基板1与支撑基板2分离之后再通过解键合把胶和支撑物去掉。因为上述分离过程一般都会在200℃以下，用胶进行的临时键合没有温度问题。支撑物可以是各种半导体基板，也可以是胶带。比如，支撑物是紫外线感光胶带，通过紫外线照射可以使胶失去粘性，达到解键合的目的。分离后的支撑基板2还可以重复使用。这样的分离方式，可以把对半导体基板1的第一主面1a的损伤最小化。
如上所述，在本实施例中，通过无机材料薄膜把薄片半导体基板临时键合到支撑基板后进行半导体微细加工；由于临时键合不使用有机物，键合后的复合基板可以承受较高的半导体加工温度，减少了半导体加工的工艺限制；由于支撑基板表面具有沟道，可以减轻键合时可能引起的基板翘曲，使复合基板可以顺利地通过半导体加工设备，并且保证足够的加工精度；此外，由于解键合可以通过支撑基板表面沟道的贯穿部分去除无机材料薄膜来实现，不仅工艺简易，对半导体基板键合面的损伤也可以最小化。
实例2
图2是本实施例的薄片基板的加工方法的另一个实例的示意图。下面，结合图2，对本实例2的薄片基板的加工方法进行详细说明。本实例2中与实例1相类似的部分不再详述。
如图2的a)所示，首先进行半导体基板1的准备。在本实施例中，半导体基板1有两个相对应的主面，即第一主面1a和第二主面1b。半导体基板1可以与实施例1相同。一个特例是，半导体基板1是石英基板，厚度为250微米，直径为200mm。
下一步，如图2的b)所示，在半导体基板1的第一主面1a上形成无机薄膜3a。无机薄膜3a可以与实施例1相同，用同样的方式形成。一个特例是：无机薄膜3b是Al的薄膜，厚度约为1微米。
下一步，如图2的c)所示，进行支撑基板2的准备。支撑基板2有两个相对应的主面，即第一主面2a和第二主面2b。支撑基板2可以与实施例1相同。一个特例是：支撑基板2是Si基板，厚度约为600微米，直径为200mm。
下一步，如图2的d)所示，在支撑基板2的第二主面2b上形成沟道4。沟道4可以由复数个独立的沟道组成，在第二主面2b上具有开口，大致均匀、对称地分布在第二主面2b中。沟道4可以与实施例1相同，但是可以不具有贯穿第二主面2b的贯穿沟道或贯穿孔。
下一步，如图2的e)所示，在支撑基板2的第一主面1a的表面上形成无机薄膜3b。无机薄膜3b可以与实施例1相同。一个特例是：无机薄膜3b是Al的薄膜，厚度约为1微米。
下一步，如图2的f)所示，把半导体基板1的第一主面1a和支撑基板2的第一主面2a通过无机薄膜3a和无机薄膜3b临时键合在一起，在键合界面形成由无机薄膜构成的键合层3。由于支撑基板2的第2主面2b上具有沟道4，即使半导体基板1和支撑基板2的热膨胀系数不同，由半导体基板1和支撑基板2临时键合形成的复合基板的翘曲程度会比没有沟道4时大幅度减轻。
下一步，如图2的g)所示，在半导体基板1的第二主面1b上进行半导体微细加工，形成所需微细结构5。微细结构5可以与实施例1相同，用同样的方式形成。由于复合基板的键合层3由无机薄膜组成，通过选择无机薄膜3a和3b的材料，可以实现半导体微细加工所需的耐温目标。
下一步，如图2的h)所示，将支撑基板2去除，得到独立的半导体基板1，即解键合。在此，可以通过研磨、干法腐蚀、湿法腐蚀等方法的其中一种或是两种以上的组合去除支撑基板2。在去除支撑基板2的过程中，键合层3可以至少部分保留，用以保护半导体基板1的第一主面1a。必要时，去除支撑基板2之前，先把第一基板1的第二主面1b用胶临时键合到一个支撑物(未图示)上。因为上述去除支撑基板1的操作可以在200℃以下进行，选择合适的胶进行临时键合没有温度问题。
下一步，如图2的i)所示，把半导体基板1的第一主面1a上保留的键合层3去除。这时可以采取对半导体基板1的第一主面1a没有损伤或损伤小的方法。比如，键合层3是Al时，可以用对石英没有损伤的Al腐蚀液去除Al。如果这时半导体基板1是用胶临时键合在一个支撑物上，去除键合层3后可以通过解键合把胶和支撑物去掉。因为键合层3的去除可以在200℃以下进行，选择合适的胶进行临时键合没有温度问题。图2的h)-i)的解键合方式，可以把对半导体基板1的第一主面1a的损伤最小化。
如上所述，本实例2可以达到与实例1同样的效果。
以上结合具体的实施方式对本申请进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本申请保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本申请的精神和原理对本申请做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本申请的范围内。
Claims (9)
1.一种薄片基板的加工方法，包括:
在支撑基板的第2主面形成多个凹部；
将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合；
对所述薄片基板的第2主面进行微细加工；以及
将所述支撑基板从所述薄片基板上去除，
其中，所述支撑基板的所述第1主面位于所述支撑基板的所述第2主面的背面，所述薄片基板的所述第1主面位于所述薄片基板的所述第2主面的背面。
2.如权利要求1所述的加工方法，其中，所述加工方法还包括：
在所述薄片基板的第1主面和/或所述支撑基板的第1主面形成用于键合的无机材料薄膜，
其中，所述薄片基板的第1主面和所述支撑基板的第1主面通过所述无机材料薄膜而键合。
3.如权利要求1或2所述的加工方法，其中，所述加工方法还包括：
在将所述薄片基板与所述支撑基板分离前，在所述支撑基板中形成贯通所述支撑基板的第2主面和第1主面的贯通部。
4.如权利要求3所述的加工方法,其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括：
经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜，使所述支撑基板和所述薄片基板分离。
5.如权利要求4所述的加工方法，其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括：
在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；以及
在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
6.如权利要求1或2所述的加工方法,其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括：
对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀，从而将所述支撑基板去除。
7.如权利要求6所述的加工方法,其中，将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括：
在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之前，将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面；以及
在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之后，将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
8.如权利要求5或7所述的加工方法，其中，
所述薄片基板的第2主面通过胶键合到支撑物表面。
9.如权利要求2所述的加工方法，其中，
所述无机材料薄膜包括反光材料。
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| CN201810603409.0A CN110600416A (zh) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | 一种薄片基板的加工方法 |
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- 2018-06-12 CN CN201810603409.0A patent/CN110600416A/zh active Pending
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