CN110598351B - 一种阈值型忆阻器电路仿真器 - Google Patents
一种阈值型忆阻器电路仿真器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110598351B CN110598351B CN201910904886.5A CN201910904886A CN110598351B CN 110598351 B CN110598351 B CN 110598351B CN 201910904886 A CN201910904886 A CN 201910904886A CN 110598351 B CN110598351 B CN 110598351B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- circuit
- threshold
- operational amplifier
- memristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阈值型忆阻器电路仿真器,其两端经过由运算放大器组成的电压跟随器,用来隔离后边电路,两路电压经过差分电路输出,实现了忆阻器电路模型端电压的采集,差分电路的输出信号输入至由两只二极管反向并联组成的阈值电路,差分电路、阈值电路和反相比例电路共同构成了具有调节功能的阈值电路,通过改变差分电路和反相比例电路的比例电阻即可实现阈值调节。幅值超过阈值电路的电压信号进入反相积分电路和加法电路输出与忆导值成比例的电压信号,该信号与差分电路的输出信号经过乘法器后可输出与流经忆阻器的电流成正比的电压信号,最后采用两只电流传输器将该电压信号转化为电流信号,同时也保证忆阻器两端的电流是相等的。
Description
技术领域
本发明涉及忆阻器电路仿真器,特别涉及一种阈值型忆阻器电路仿真器,适用新型模拟电路设计等领域。
背景技术
蔡少棠教授根据缺失的磁通和电荷之间的数学关系,推测存在第四种基本电路元件忆阻器。它是一种非线性二端电路元件,可应用于非易失存储器、数字逻辑、神经网络和模拟电路设计等领域。2008年,HP实验室首次采用纳米尺度无源器件(由两个铂金属极和TiOx金属氧化物薄膜材料组成)给出了忆阻器的物理实现。随后,更多的金属氧化物材料,如TaOx,NiOx,被证实具有忆阻特性。阈值效应普遍存在于纳米级忆阻器件中,即当激励电压超过阈值电压时,忆阻器状态值才会发生改变。迄今为止,纳米尺度忆阻器仍然存在生产技术难题,低成本、高性能忆阻器仍被期待。忆阻器电路仿真器具有易实现、低成本和特性可控等优点,可广泛应用于忆阻器及忆阻应用电路研究。现有的忆阻器电路仿真器未考虑实际忆阻器件存在的阈值效应,因而设计一种阈值型忆阻器电路仿真器是十分必要的。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的问题,采用有源器件和基本电路元件,构建一种阈值型忆阻器电路仿真器。
一种阈值型忆阻器电路仿真器,包括第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第四运算放大器U4、第五运算放大器U5、第六运算放大器U6、第一电流传输器U7、第二电流传输器U8、乘法器U9、第一电阻Rin、第二电阻Rsb1、第三电阻Rsb2、第四电阻Rsb3、第五电阻Rsb4、第六电阻RG1、第七电阻RG2、第八电阻Ri、第九电阻R1、第十电阻R2、第十一电阻R3、第十二电阻Rw、第十三电阻Rz、第一二级管D1、第二二级管D2和电容Ci;所述的乘法器U9型号为AD633;
所述的第一电流传输器U7的输出端与第一运算放大器U1的同相输入端连接并作为阈值忆阻器电路仿真器的一端;第一运算放大器U1的反相输入端与输出端连接并接第二电阻Rsb1的一端,第二电阻Rsb1的另一端与第四电阻Rsb3的一端、第三运算放大器U3的反相输入端连接,第二电流传输器U8的输出端与第二运算放大器U2的同相输入端连接并作为阈值型忆阻器电路仿真器的另一端,第二运算放大器U2的反相输入端与输出端连接并接第三电阻Rsb2的一端,第三电阻Rsb2的另一端与第五电阻Rsb4的一端、第三运算放大器U3的同相输入端连接,第五电阻Rsb4的另一端接地,第四电阻Rsb3的另一端与第三运算放大器U3的输出端、乘法器U9的x1、第一二级管D1的阴极、第二二级管D2的阳极连接,第一二级管D1的阳极、第二二级管D2的阴极与第六电阻RG1的一端连接,第六电阻RG1的另一端与第七电阻RG2的一端、第四运算放大器U4的反相输入端,第四运算放大器U4的同相输入端接地,第七电阻RG2的另一端与第四运算放大器U4的输出端、第八电阻Ri的一端连接,第八电阻Ri的另一端与第五运算放大器U5的反相输入端、电容Ci的一端连接,第五运算放大器U5的同相输入端接地,电容Ci的另一端与第五运算放大器U5的输出端、第九电阻R1的一端连接,第九电阻R1的另一端与第十电阻R2的一端、第十一电阻R3的一端、第六运算放大器U6的反相输入端,第十电阻R2的另一端接电压VS,第六运算放大器U6的同相输入端接地,第十一电阻R3的另一端与第六运算放大器U6的输出端连接并接乘法器U9的y2脚,乘法器U9的x2脚、y1脚与第十三电阻Rz的一端连接并接地,第十三电阻Rz的另一端与第十二电阻Rw的一端连接并接乘法器U9的z脚,第十三电阻Rw的另一端与乘法器U9的w脚、第二电流传输器U8的同相输入端连接,第二电流传输器U8的反相输入端与第一电阻Rin的一端连接,第一电流传输器U7的反相输入端与第一电阻Rin的另一端连接,第一电流传输器U7的同相输入端接地。
本发明阈值型忆阻器电路仿真器,其两端经过由运算放大器组成的电压跟随器,用来隔离后边电路,两路电压经过差分电路输出,实现了忆阻器电路模型端电压的采集,差分电路的输出信号输入至由两只二极管反向并联组成的阈值电路,差分电路、阈值电路和反相比例电路共同构成了具有调节功能的阈值电路,通过改变差分电路和反相比例电路的比例电阻即可实现阈值调节。幅值超过阈值电路的电压信号进入反向积分电路和加法电路输出与忆导值成比例的电压信号,该信号与差分电路的输出信号经过乘法器后可输出与流经忆阻器的电流成正比的电压信号,最后采用两只电流传输器将该电压信号转化为电流信号,同时也保证忆阻器两端的电流是相等的。
有益效果:本发明采用运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻、二极管和电容组成的阈值型忆阻器电路仿真器。利用二极管的阈值特性,并通过在反向并联的二极管前后增加比例电路,通过改变比例电阻实现阈值调节功能。只有幅值超过阈值的激励信号才能通过阈值调节电路输入至后边的运算电路,改变忆导值。
附图说明
附图1为阈值型忆阻器电路仿真器的原理图。
具体实施方式
下面结合附图1对本发明作进一步的描述:
本发明由运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻、电容和二极管组成,运算放大器型号为TL084,电流传输器型号为AD844,乘法器型号为AD633,二极管型号为1N4007。图中A、B为该忆阻器模型的两端,v为忆阻器两端的电压,i为流经忆阻器的电流。第①部分中的运算放大器U1和运算放大器U2构成了具有隔离作用的电压跟随器,第②部分中的运算放大器U3和四只电阻Rsb1、Rsb2、Rsb3、Rsb4构成了差分电路,其中Rsb1=Rsb2,Rsb3=Rsb4,则差分电路的输出信号为:
阈值电路利用了反向并联二极管D1和D2的阈值特性,当输入电压vsub大于二极管D2的阈值电压vth或者小于二极管D1的阈值电压-vth,输入电压才会通过阈值电路输入至后边电路,否则,阈值电路的输出接近于零。
第③部分中,运算放大器U4和电阻RG1、RG2构成的反相比例电路的比例系数为
为了实现差分电路、阈值电路和反相比例的传输常数应等于1,需满足如下关系:
此时阈值调节电路的输出为,
v′=v-0.5[|v+k′vth|-|v-k′vth|] (4)
可以看出,k=1时,忆阻器电路模型的阈值与二极管的一致;k<1时,电路模型的阈值电压增高;k>1时,电路模型的阈值电压减小。因此,可以通过调整电阻Rsb1、Rsb3、RG1、RG2的阻值大小,实现忆阻器电路仿真器的阈值调节。
由于忆导值与它的历史状态有关,第④部分中运算放大器U5和电阻Ri、电容Ci构成了反相积分电路,阈值调节电路的输出信号反相积分后,输出为:
第⑤部分为由运算放大器U6、电阻R1、R2、R3构成的加法电路,输出电压为:
vG=-(avx+bVS) (6)
其中,a=R3/R1,b=R2/R1,Vs=VEE,VEE为负直流电压。
乘法电路由第⑥部分的乘法器U9和电阻Rw、Rz组成,用来输出与忆阻器电流成正比的电压信号,电阻Rw、Rz用来调节乘法电路的系数,根据AD633芯片数据手册,可以得到它的输出信号vw为:
第⑦部分的两只电流传输器U7和U8用来将乘法器的输出转换为电流,并保证该电路可以浮地连接,根据欧姆定律和AD844芯片数据手册可以得出:
vw=Rini (8)
根据式(8)和式(9)可以得出该阈值型忆阻器电路仿真器等效忆导值和电压vG的关系如下:
G=kGvG (9)
其中,kG=Rsb3(Rw+Rz)/(10RwRinRsb1),可以通过修改电阻Rw、Rz和Rin来调整该阈值型忆阻器电路仿真器的等效忆导值。
根据分析可得出该阈值型忆阻器电路仿真器的状态方程为:
Claims (8)
1.一种阈值型忆阻器电路仿真器,其特征在于:包括第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第四运算放大器U4、第五运算放大器U5、第六运算放大器U6、第一电流传输器U7、第二电流传输器U8、乘法器U9、第一电阻Rin、第二电阻Rsb1、第三电阻Rsb2、第四电阻Rsb3、第五电阻Rsb4、第六电阻RG1、第七电阻RG2、第八电阻Ri、第九电阻R1、第十电阻R2、第十一电阻R3、第十二电阻Rw、第十三电阻Rz、第一二级管D1、第二二级管D2和电容Ci;所述的乘法器U9型号为AD633;
所述的第一电流传输器U7的输出端与第一运算放大器U1的同相输入端连接并作为阈值型忆阻器电路仿真器的一端;第一运算放大器U1的反相输入端与输出端连接并接第二电阻Rsb1的一端,第二电阻Rsb1的另一端与第四电阻Rsb3的一端、第三运算放大器U3的反相输入端连接,第二电流传输器U8的输出端与第二运算放大器U2的同相输入端连接并作为阈值型忆阻器电路仿真器的另一端,第二运算放大器U2的反相输入端与输出端连接并接第三电阻Rsb2的一端,第三电阻Rsb2的另一端与第五电阻Rsb4的一端、第三运算放大器U3的同相输入端连接,第五电阻Rsb4的另一端接地,第四电阻Rsb3的另一端与第三运算放大器U3的输出端、乘法器U9的x1、第一二级管D1的阴极、第二二级管D2的阳极连接,第一二级管D1的阳极、第二二级管D2的阴极与第六电阻RG1的一端连接,第六电阻RG1的另一端与第七电阻RG2的一端、第四运算放大器U4的反相输入端,第四运算放大器U4的同相输入端接地,第七电阻RG2的另一端与第四运算放大器U4的输出端、第八电阻Ri的一端连接,第八电阻Ri的另一端与第五运算放大器U5的反相输入端、电容Ci的一端连接,第五运算放大器U5的同相输入端接地,电容Ci的另一端与第五运算放大器U5的输出端、第九电阻R1的一端连接,第九电阻R1的另一端与第十电阻R2的一端、第十一电阻R3的一端、第六运算放大器U6的反相输入端,第十电阻R2的另一端接电压VS,第六运算放大器U6的同相输入端接地,第十一电阻R3的另一端与第六运算放大器U6的输出端连接并接乘法器U9的y2脚,乘法器U9的x2脚、y1脚与第十三电阻Rz的一端连接并接地,第十三电阻Rz的另一端与第十二电阻Rw的一端连接并接乘法器U9的z脚,第十三电阻Rw的另一端与乘法器U9的w脚、第二电流传输器U8的同相输入端连接,第二电流传输器U8的反相输入端与第一电阻Rin的一端连接,第一电流传输器U7的反相输入端与第一电阻Rin的另一端连接,第一电流传输器U7的同相输入端接地。
3.根据权利要求1所述的一种阈值型忆阻器电路仿真器,其特征在于:所述的第一二级管D1、第二二级管D2构成了阈值电路,当输入电压vsub大于第二二极管D2的阈值电压vth或者小于第一二极管D1的阈值电压-vth,输入电压才会通过阈值电路输入至后边电路,否则,阈值电路的输出接近于零。
6.根据权利要求1或5所述的一种阈值型忆阻器电路仿真器,其特征在于:所述的第六运算放大器U6、第九电阻R1、第十电阻R2、第十一电阻R3构成的加法电路,加法电路的输出电压为:
vG=-(avx+bVS) (6)
其中,a=R3/R1,b=R2/R1,Vs=VEE,VEE为负直流电压。
8.根据权利要求7所述的一种阈值型忆阻器电路仿真器,其特征在于:所述的第一电流传输器U7和第二电流传输器U8用来将乘法器的输出转换为电流,并保证电路浮地连接,根据欧姆定律和AD844芯片数据手册得出:
vw=Rini (8)
根据式(7)和式(8)得出该阈值型忆阻器电路仿真器等效忆导值G和电压vG的关系如下:
G=kGvG (9)
其中,kG=Rsb3(Rw+Rz)/(10RwRinRsb1),通过修改电阻Rw、Rz和Rin来调整该阈值型忆阻器电路仿真器的等效忆导值;
根据分析得出该阈值型忆阻器电路仿真器的状态方程为:
其中v为二值型忆阻器电路仿真器两端的电压,vth为第一二级管D1、第二二级管D2的阈值电压,k′为第四运算放大器U4、第六电阻RG1、第七电阻RG2构成的反相比例电路的比例系数。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910904886.5A CN110598351B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种阈值型忆阻器电路仿真器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910904886.5A CN110598351B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种阈值型忆阻器电路仿真器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110598351A CN110598351A (zh) | 2019-12-20 |
CN110598351B true CN110598351B (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=68863180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910904886.5A Active CN110598351B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种阈值型忆阻器电路仿真器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110598351B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112290793A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-29 | 中国矿业大学 | 适用于微电网的脉冲序列控制dc-dc变换装置 |
CN113054986B (zh) * | 2021-03-11 | 2022-08-16 | 杭州电子科技大学 | 一种三端可控型忆阻器模拟电路 |
CN112884141B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-10-21 | 安徽大学 | 一种忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9299922B1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-03-29 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Continuous-level memristor emulator |
CN107451380A (zh) * | 2017-09-08 | 2017-12-08 | 杭州电子科技大学 | 实现指数型荷控忆容器仿真器的电路 |
CN108959837A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-07 | 杭州电子科技大学 | 一种四值忆阻器仿真器的实现电路 |
-
2019
- 2019-09-24 CN CN201910904886.5A patent/CN110598351B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9299922B1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-03-29 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Continuous-level memristor emulator |
CN107451380A (zh) * | 2017-09-08 | 2017-12-08 | 杭州电子科技大学 | 实现指数型荷控忆容器仿真器的电路 |
CN108959837A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-07 | 杭州电子科技大学 | 一种四值忆阻器仿真器的实现电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110598351A (zh) | 2019-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110598351B (zh) | 一种阈值型忆阻器电路仿真器 | |
Singh et al. | VDCC-based memcapacitor/meminductor emulator and its application in adaptive learning circuit | |
JP2015061320A5 (zh) | ||
CN110765718B (zh) | 一种二值型忆阻器电路仿真器 | |
US10224951B2 (en) | Configurable input range for continuous-time sigma delta modulators | |
CN110059816B (zh) | 一种基于忆阻器的神经网络单元电路 | |
Bothra et al. | Operational trans-resistance amplifier based tunable wave active filter | |
CN103236918A (zh) | 一种蔡氏混沌电路的负阻等效方法 | |
CN101651452B (zh) | 一种rc积分电路 | |
CN108172254B (zh) | 一种大动态范围浮地忆阻等效元件及非线性可控模拟电阻 | |
US11894813B2 (en) | Constant level-shift buffer amplifier circuits | |
CN109375699B (zh) | 具有高线性度的电压电流转换电路 | |
KR20090032921A (ko) | 고 선형성 트랜스컨덕턴스 증폭기 | |
CN109670221A (zh) | 一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路 | |
CN209149304U (zh) | 一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路 | |
CN114841112A (zh) | 忆耦器等效模拟电路以及电子设备 | |
CN103645771B (zh) | 一种电流镜 | |
CN107103929B (zh) | 一种具有双极特性的浮地型hp忆阻等效电路 | |
CN110046472A (zh) | 基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器 | |
WO2018186390A1 (ja) | 半導体装置 | |
Arslan et al. | Wideband current conveyor with rail to rail input stage | |
CN203773246U (zh) | 一种基于忆阻器的自适应pd 控制器电路 | |
CN107505976A (zh) | 一种全差分电压缓冲器电路 | |
Abolila et al. | New±0.75 V low voltage low power CMOS current conveyor | |
Matei | A class of hysteretic circuits using operational amplifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |