CN110587121B - 透光脆性材料基体的激光打孔方法、盖板和电子产品 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透光脆性材料基体的激光打孔方法、盖板和电子产品,涉及激光加工技术领域。透光脆性材料基体的激光打孔方法包括以下步骤:超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经多次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割。采用本发明方法打孔能满足加工垂直孔的需求,加工后的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观小孔无崩边、无毛刺、无激光划伤、无熔层、无微裂纹和无异色等外观不良,孔内壁粉尘残留少,一次性通过率100%。
Description
技术领域
本发明涉及激光加工技术领域,具体而言,涉及一种透光脆性材料基体的激光打孔方法、盖板和电子产品。
背景技术
目前对玻璃、硅片、水晶、蓝宝石、透明陶瓷等硬脆材料的打孔多采用CNC切割,但此打孔方式加工速度慢、加工时间长、效率低,附加损耗产品多,容易使材料崩裂或崩边,良品产出率低。
随着加工制造业的发展,新型加工工艺越来越多的应用到脆性材料加工上面来,特别是激光切割工艺以其高效、快速、高质量和低加工成本的优势在蓝宝石及玻璃加工工艺上占很重要地位。普通的激光打孔工艺是激光从材料上表面进行加工,采用定焦加工方式,但这种工艺加工后的孔锥度较大,不可加工垂直孔,而且加工出的上下表面质量较差。目前的激光打孔工艺均不能实现完全的无锥度打孔,且打出的孔直径、孔圆度和孔壁粗糙度不能满足要求,良率也较低。
因此,所期望的是提供一种新的透光脆性材料基体的激光打孔方法,能够解决上述问题中的至少一个。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种透光脆性材料基体的激光打孔方法,该方法能满足加工垂直孔的需求,加工后的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观无熔层、无微裂纹、无崩边和无异色。此外,该工艺稳定,适合自动化生产。
本发明的目的之二在于提供一种盖板,包括通孔,通孔采用上述透光脆性材料基体的激光打孔方法加工得到,加工后的通孔孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观良率高。
本发明的目的之三在于提供一种包括上述盖板的电子产品。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
第一方面,提供了一种透光脆性材料基体的激光打孔方法,包括以下步骤:
超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经多次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割。
优选地,在本发明技术方案的基础上,焦点位置经5-10次进行提升;优选地,焦点位置经6-8次进行提升;进一步优选地,焦点位置经8次进行提升;
优选地,每次提升高度为0.01-0.2mm,优选为0.015-0.15mm,进一步优选为0.015-0.12mm。
优选地,在本发明技术方案的基础上,切割时超快激光功率为60-90W,优选为65-90W,进一步优选为65-88W。
优选地,在本发明技术方案的基础上,切割时超快激光的切割速度为500-800mm/s,优选为550-800mm/s,进一步优选为600-800mm/s。
优选地,在本发明技术方案的基础上,螺旋线扫描路径螺旋线的旋进密度为100-120圈/1mm,优选为114圈/1mm;
优选地,螺旋线扫描路径螺旋线的最大直径和最小直径相差0.1±0.02mm;
优选地,切割时的环境温度为20-25℃。
优选地,在本发明技术方案的基础上,所述透光脆性材料基体包括玻璃、硅、水晶、蓝宝石和透明陶瓷中的一种;
优选地,所述透光脆性材料基体的厚度为0.3±0.2mm,优选为0.3±0.1mm,进一步优选为0.3±0.02mm。
优选地,在本发明技术方案的基础上,所述超快激光包括皮秒激光、飞秒激光或亚皮秒激光;
优选地,所述超快激光为皮秒红外激光。
优选地,在本发明技术方案的基础上,透光脆性材料基体的激光打孔方法,包括以下步骤:
(a)将厚度为0.3±0.02mm的透光脆性材料基体固定在激光设备的治具平台上;
(b)开启激光设备,调节超快激光使超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经八次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割;
(c)对加工后的透光脆性材料基体进行清洗;
优选地,步骤(b)中,八次提升焦点位置依次包括:第一次提升高度为0.015±0.02mm,第二次提升高度为0.015±0.02mm,第三次提升高度为0.01±0.02mm,第四次提升高度为0.03±0.02mm,第五次提升高度为0.03±0.02mm,第六次提升高度为0.03±0.02mm,第七次提升高度为0.03±0.02mm,第八次提升高度为0.12±0.02mm;
优选地,开始至第三次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为77±1W,超快激光切割速度为600±10mm/s,超快激光共扫描30±1圈;
优选地,第三次提升至第六次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;
优选地,第六次提升至第七次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;
优选地,第七次提升至第八次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为65±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;
优选地,第八次提升至结束,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为88±1W,超快激光切割速度为550±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
第二方面,提供了一种盖板,包括通孔,通孔采用上述透光脆性材料基体的激光打孔方法加工得到。
第三方面,提供了一种电子产品,包括上述盖板。
与已有技术相比,本发明具有如下有益效果:
(1)本发明的激光打孔方法利用超快激光透过基体从基体底部向顶部通过实时改变激光焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割,采用超快激光防止对材料热影响,提高加工孔的孔壁光滑度和加工精度,从基体底部向上加工避免对从材料上方向下打孔造成孔锥度大的问题,同时激光扫描路经采用螺旋型,加工后的孔锥度小、孔径一致性高。采用该方法打孔能满足加工垂直孔的需求,加工后的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观小孔无崩边、无毛刺、无激光划伤、无熔层、无微裂纹和无异色等外观不良,孔内壁粉尘残留少,一次性通过率100%。
(2)本发明的激光打孔方法工艺十分稳定,适合自动化生产,生产效率高。
附图说明
图1为本发明一种实施方式的激光加工治具的平面示意图;
图2为本发明一种实施方式的基体在治具上定位后的示意图;
图3为本发明一种实施方式的加工完成的成品示意图;
图4为实施例1打孔后小孔显微镜下放大54倍的正面图;
图5为实施例1打孔后小孔显微镜下放大100倍的剖面图;
图6为实施例1打孔后小孔孔径过程能力图;
图7为实施例1打孔后小孔孔圆度过程能力图。
附图标记:10-基体支撑体;11-真空吸附孔;20-定位销;30-镂空加工区域。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述,但是本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本发明,而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
根据本发明的第一个方面,提供了一种透光脆性材料基体的激光打孔方法,包括以下步骤:
超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经多次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割。
透光脆性材料是指能够透光、并在外力作用下发生突然破坏而无明显塑性变形的材料。透光脆性材料典型但非限制性的包括例如玻璃、硅、水晶、蓝宝石或透明陶瓷等。
透光脆性材料基体是指用透光脆性材料制成的基体,例如玻璃盖板、硅片、蓝宝石盖板或陶瓷盖板等。
典型的透光脆性材料基体的厚度例如可以为0.3±0.2mm,优选为0.3±0.1mm,进一步优选为0.3±0.02mm。
超快激光又称超短脉冲激光,一般是指时间宽度小于10-12秒的激光脉冲。超快激光具有极短的激光脉冲,脉冲持续时间只有几个皮秒或飞秒;超快激光具有极高的峰值功率,其电场远远强于原子内库仑场,具有极高的电场强度,足以使任何材料发生电离。但超快激光一般平均功率偏低,脉冲能量通常仅几个毫焦或几百微焦,因此较适合于浅深度加工。
超快激光典型但非限制性的例如为皮秒激光、飞秒激光或亚皮秒激光。
对激光的颜色不作限定,典型但非限制性的包括例如红外激光、绿激光或紫外激光等。
优选地,超快激光为皮秒红外激光。
本公开的激光打孔方法是先使超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,然后通过多次提升焦点位置实现打孔。
基体的底面是指基体的下表面、背面。
多次是指至少两次。
超快激光通过超快激光器发出,激光器典型的位置例如在基体上方,激光优选通过振镜扫描头发射,从基体上方射下来,穿透基体并聚焦在基体的底面,加工时,将激光焦点位置由下往上(垂直方向上)进行多次提升,来加工孔。
加工时,超快激光以螺旋线扫描路径进行切割,即加工过程如下:激光焦点开始聚焦在底面,在底面以螺旋线扫描路径切割,然后向上提升焦点位置,激光继续在高于底面的提升面上以螺旋线扫描路径切割,然后继续提升,继续螺旋线扫描路径切割,直至完成打孔。
需要注意的是,设定好的螺旋线扫描路径必须在内形孔轮廓范围以内。
本发明的激光打孔方法利用超快激光透过基体从基体底部向顶部通过实时改变激光焦点位置并以螺旋线扫描路径加工孔,采用超快激光防止对材料热影响,提高加工孔的孔壁光滑度和通孔的加工精度,从基体底部向上加工避免对从材料上方向下打孔造成孔锥度大的问题,同时激光扫描路经采用螺旋型,加工后的孔锥度小、孔径一致性高。采用该方法打孔能满足加工垂直孔的需求,加工后的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观小孔无崩边、无毛刺、无激光划伤、无熔层、无微裂纹、无异色等外观不良,孔内壁粉尘残留少,一次性通过率100%。此外,该工艺稳定,适合自动化生产。
在一种优选的实施方式中,焦点位置经5-10次进行提升;优选地,焦点位置经6-8次进行提升;进一步优选地,焦点位置经8次进行提升。
通过控制提升次数能获得更好的垂直孔效果,提升次数过少,孔锥度不理想,提升次数过多,不容易控制。
为了获得更好的加工效果,优选每次提升高度为0.01-0.2mm,优选为0.015-0.15mm,进一步优选为0.015-0.12mm。
提升高度指提升前后激光焦点沿基体厚度方向上被提升的距离。
在一种优选的实施方式中,切割时超快激光功率为60-90W,优选为65-90W,进一步优选为65-88W。
功率典型但非限制性的例如为60W、65W、70W、75W、77W、80W、85W、88W或90W。
优选地,切割时超快激光的切割速度为500-800mm/s,优选为550-800mm/s,进一步优选为600-800mm/s。
切割速度典型但非限制性的例如为500mm/s、550mm/s、600mm/s、700mm/s或800mm/s。
通过控制激光功率和切割速度,能够提升切割质量,切割速度过快,导致切口前沿熔化的速度跟不上,粗糙度高;切割速度过慢,则材料过烧,影响孔锥度。
在一种优选的实施方式中,螺旋线扫描路径螺旋线的旋进密度为100-120圈/1mm,优选为114圈/1mm。
旋进密度是动态变焦扫描加工时单个线圈间的距离累计1mm需要的圈数。
优选地,螺旋线扫描路径螺旋线的最大直径和最小直径相差0.1±0.02mm。
控制螺旋线扫描路径沿内形孔轮廓范围偏差,能够提升加工孔的直径一致性。
优选地,典型的透光脆性材料基体的激光打孔方法,包括以下步骤:
(a)将厚度为0.3±0.02mm的透光脆性材料基体固定在激光设备的治具平台上;
(b)开启激光设备,调节超快激光使超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经八次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割;
(c)对加工后的透光脆性材料基体进行清洗。
优选地,步骤(a)中治具结构如图1所示,包括基体支撑体10、定位销20,基体支撑体10上设有真空吸附孔11,基体支撑体10之间为镂空加工区域30,并安装单独负压抽尘装置。加工前启动抽尘装置,及时抽走粉尘和余料防止干涉激光加工;加工时将基体放到治具平台上,将基体靠紧定位销钉进行机械定位,启动真空吸附,将基体牢牢的固定在治具上,防止加工过程基体偏位造成加工不良。基体定位后如图2。
优选地,步骤(b)包括:启动加工软件,进行系统复位后进入加工界面选择加工直径的孔程序:升降Z轴(即直角坐标系中Z方向上的直线电机可实时改变焦点的位置)至最佳固定点(验证Z轴最佳位置18.3mm)调试焦点使激光聚焦到基体下表面,通过动态光学模组将焦点位置分8次由0提升至0.28±0.02mm,采用螺旋线加工路径进行加工,螺旋线旋进密度为100-120圈/1mm,螺旋线最大直径和最小直径相差0.1±0.02mm。具体地,按表1顺序设定加工工艺参数。
表1
其中,V轴焦点位置是指通过V轴(V轴为安装于Z轴直线电机上的一个精密电机模组,可在直角坐标系的Z方向更精确的改变焦点位置)分8次提升激光焦点位置,激光焦点位置在底面时,此时焦点位置为0,第一次提升高度为0.015±0.02mm,提升后焦点位置为0.015±0.02mm(沿基板厚度方向向上,距底面0.015±0.02mm);第二次提升高度为0.015±0.02mm,提升后焦点位置为0.03±0.02mm;第三次提升高度为0.01±0.02mm,提升后焦点位置为0.04±0.02mm;第四次提升高度为0.03±0.02mm,提升后焦点位置为0.07±0.02mm;第五次提升高度为0.03±0.02mm,提升后焦点位置为0.1±0.02mm;第六次提升高度为0.03±0.02mm,提升后焦点位置为0.13±0.02mm;第七次提升高度为0.03±0.02mm,提升后焦点位置为0.16±0.02mm;第八次提升高度为0.12±0.02mm,提升后焦点位置为0.28±0.02mm。
各个阶段工艺参数包括:开始至第三次提升前,超快激光功率为77±1W,超快激光切割速度为600±10mm/s,超快激光共扫描30±1圈;第三次提升至第六次提升前,超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;第六次提升至第七次提升前,超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;第七次提升至第八次提升前,超快激光功率为65±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈;第八次提升至结束,超快激光功率为88±1W,超快激光切割速度为550±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
这里的“第三次提升前”、“第六次提升前”、“第七次提升前”、“第八次提升前”的“提升前”是指小于但不包括焦点位置提升时的那个节点。
设定好各个阶段参数后,启动加工模式,激光出光加工。优选地,激光设备的环境温度20-25℃,环境震荡不大可正常加工,加工完成后如图3所示。
优选地,步骤(c)包括:产品加工完毕后插入清洗架内,放置清洗机中进行清洗。
该典型的激光大孔方法通过分8次、每次提升特定高度将焦点位置从0升至0.28mm,激光并通过选择特定的加工工艺参数沿螺旋线路径加工,加工时间短,加工后的通孔孔径和孔圆度公差小,外观良率高,孔壁粗糙度低,无锥度打孔效果好,孔锥度<1°。
根据本发明的第二个方面,提供了一种盖板,包括通孔,通孔采用上述透光脆性材料基体的激光打孔方法加工得到。
盖板典型但非限制性的例如为电子产品(如手机、平板电脑、电子手表等)的前盖板或后盖板。盖板材质可以包括玻璃、硅、蓝宝石或陶瓷等。
本发明的打孔方法应用于盖板打孔上,加工后的盖板通孔的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,外观无熔层、无微裂纹、无崩边和无异色。
根据本发明的第三个方面,提供了一种电子设备,包括上述盖板。
电子设备典型但非限制性的例如为手机、平板电脑、电子手表等。
电子设备具有与上述盖板相同的优势,在此不再赘述。
下面通过具体的实施例和对比例进一步说明本发明,但是,应当理解为,这些实施例仅是用于更详细地说明之用,而不应理解为用于以任何形式限制本发明。本发明涉及的各原料均可通过商购获取。
以厚度为0.3±0.02mm蓝宝石晶片为例,用皮秒激光器按照上述打孔方法打直径为1mm的垂直孔。
实施例1
一种蓝宝石晶片的激光打孔方法,包括以下步骤:
(1)将0.3mm厚的蓝宝石晶片放到激光设备治具平台上,将蓝宝石晶片靠紧定位销钉进行机械定位,启动底座真空吸附,将蓝宝石晶片牢牢的固定在治具上;
(2)开启抽尘机,启动加工软件,进行系统复位后进入加工界面选择加工直径1mm孔程序:升降Z轴至18.3mm,调试焦点使激光聚焦到蓝宝石晶片下表面,按表2顺序设定加工工艺参数,通过动态光学模组将焦点位置分8次由0提升至0.28mm,采用螺旋线加工路径进行加工,螺旋线旋进密度为114圈/1mm,螺旋线最大直径为1mm,螺旋线最小直径为0.9mm。
表2
设定加工工艺参数后启动加工模式,然后激光出光加工,激光设备的环境温度20℃,环境震荡不大可正常加工,直至加工完毕;
(3)加工完毕后将产品插入清洗架内,放置清洗机中进行清洗。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于,加工工艺参数按表3设定。
表3
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于,加工工艺参数按表4设定。
表4
提升次数 | V轴焦点位置 | 激光功率 | 切割速度 | 扫描圈数 |
0 | 0mm | 77W | 600mm/s | 30 |
1 | 0.04mm | 75W | 800mm/s | 21 |
2 | 0.13mm | 75W | 800mm/s | 21 |
3 | 0.16mm | 65W | 800mm/s | 21 |
4 | 0.28mm | 88W | 550mm/s | 21 |
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于,加工工艺参数按表5设定。
表5
实施例5
本实施例与实施例1的区别在于,加工工艺参数按表6设定。
表6
对比例1
一种蓝宝石晶片的激光打孔方法,包括以下步骤:
(1)同实施例1;
(2)开启抽尘机,启动加工软件,进行系统复位后进入加工界面选择加工直径1mm孔程序:调试焦点使激光聚焦到蓝宝石晶片上表面,按表7顺序设定加工工艺参数,通过动态光学模组将焦点位置分8次由0(上表面所在位置)下降至-0.28mm(沿厚度方向向下),采用螺旋线加工路径进行加工,螺旋线旋进密度为114圈/1mm,螺旋线最大直径为1mm,螺旋线最小直径为0.9mm。
表7
设定加工工艺参数后启动加工模式,然后激光出光加工,激光设备的环境温度20℃,环境震荡不大可正常加工,直至加工完毕;
(3)加工完毕后将产品插入清洗架内,放置清洗机中进行清洗。
对比例2
本对比例与实施例1的区别在于,将皮秒激光器替换为纳秒激光器。
对比例3
本对比例与实施例1的区别在于,将螺旋线加工路径替换为波浪线加工路径。
试验例
按照实施例1-5以及对比例1-3的激光打孔方法分别打孔240pcs小孔验证,统计小孔孔径、小孔圆度、孔壁粗糙度(采用zigo测量数据)、孔锥度,并观察有无崩边、毛刺、划伤、熔层、微裂纹、异色等不良,统计不良产品,计算产品良率,结果如表8所示。
表8
按照实施例1参数打孔240pcs小孔,打孔后小孔显微镜下放大54倍的正面图如图4所示,小孔显微镜下放大100倍的剖面图如图5所示。小孔孔径过程能力如图6所示,小孔孔圆度过程能力如图7所示。
采用本发明的打孔方法加工效率高,单工位加工单个小孔时间为4.5s,小孔按孔径±0.025mm、圆度±0.02公差进行管控,外观小孔无崩边、无毛刺、无激光划伤、无熔层、无微裂纹、无异色等外观不良,孔内壁粉尘残留少,一次性通过率100%,加工后孔壁平均粗糙度Ra<1600nm,小孔平均锥度<1°,尺寸和圆度的制程能力CPK均大于1.33,CPK值越高表现出小孔过程能力越好,制程越稳定。
实施例2调节了激光加工工艺参数,小孔的加工效果和良率上与实施例1差别不大。
实施例1与实施例3相比,焦点位置提升次数不同,结果发现提升8次较提升5次加工后小孔的锥度更小。
实施例1较实施例4孔壁粗糙度更低,这是由于实施例4的激光功率和切割速度过快,导致切口前沿熔化的速度跟不上,粗糙度有所提升。
实施例1较实施例5孔锥度更低,这是由于实施例5的激光功率和切割速度过慢,材料过烧,容易影响孔锥度。
对比例1采用从材料上表面开始向下改变焦点位置,加工后的孔锥度较大,而且容易出现裂纹和崩边,加工后孔的质量较差。对比例2采用纳米激光加工,加工后小孔孔壁光滑度差,这是由于纳米激光容易对材料产生热影响。对比例3采用波浪线扫描路经进行加工,加工后孔锥度和孔径一致性不如本发明好。由此可见,本发明采用超快激光防止对材料热影响,提高加工孔的表面光滑度和加工精度,从基体底部向上加工避免对从材料上方向下打孔造成孔锥度大的问题,同时激光扫描路经采用螺旋型,加工后的孔锥度小、孔径一致性高。
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明,然而应意识到,在不背离本发明的精神和范围的情况下可作出许多其它的更改和修改。因此,这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。
Claims (16)
1.一种透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)将厚度为0.3±0.02mm的透光脆性材料基体固定在激光设备的治具平台上;
(b)开启激光设备,调节超快激光使超快激光透过透光脆性材料基体并聚焦在透光脆性材料基体的底面,经八次提升焦点位置并以螺旋线扫描路径进行切割;
(c)对加工后的透光脆性材料基体进行清洗;
所述超快激光包括皮秒激光、飞秒激光或亚皮秒激光;
步骤(b)中,八次提升焦点位置依次包括:第一次提升高度为0.015±0.02mm,第二次提升高度为0.015±0.02mm,第三次提升高度为0.01±0.02mm,第四次提升高度为0.03±0.02mm,第五次提升高度为0.03±0.02mm,第六次提升高度为0.03±0.02mm,第七次提升高度为0.03±0.02mm,第八次提升高度为0.12±0.02mm;
切割时超快激光功率为60-90W,切割时超快激光的切割速度为500-800mm/s,螺旋线扫描路径螺旋线的旋进密度为100-120圈/1mm,螺旋线扫描路径螺旋线的最大直径和最小直径相差0.1±0.02mm;
加工后的孔锥度<1°,孔径公差≤0.025mm,孔圆度公差≤0.02,孔壁粗糙度Ra<1600nm,一次性通过率100%。
2.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,切割时超快激光功率为65-90W。
3.按照权利要求2所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,切割时超快激光功率为65-88W。
4.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,切割时超快激光的切割速度为550-800mm/s。
5.按照权利要求4所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,切割时超快激光的切割速度为600-800mm/s。
6.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,螺旋线扫描路径螺旋线的旋进密度为114圈/1mm。
7.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,切割时的环境温度为20-25℃。
8.按照权利要求1-7任一项所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,所述透光脆性材料基体包括玻璃、硅、水晶、蓝宝石和透明陶瓷中的一种。
9.按照权利要求1-7任一项所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,所述超快激光为皮秒红外激光。
10.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,开始至第三次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为77±1W,超快激光切割速度为600±10mm/s,超快激光共扫描30±1圈。
11.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,第三次提升至第六次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
12.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,第六次提升至第七次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为75±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
13.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,第七次提升至第八次提升前,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为65±1W,超快激光切割速度为800±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
14.按照权利要求1所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法,其特征在于,第八次提升至结束,超快激光工艺参数包括:超快激光功率为88±1W,超快激光切割速度为550±10mm/s,超快激光共扫描21±1圈。
15.一种盖板,其特征在于,包括通孔,所述通孔采用权利要求1-14任一项所述的透光脆性材料基体的激光打孔方法加工得到。
16.一种电子产品,其特征在于,包括权利要求15所述的盖板。
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