CN110574397B - Mems声音传感器、mems麦克风及电子设备 - Google Patents

Abstract

一种MEMS声音传感器，用于通过空气声压变化和机械振动中的至少一种来检测声音，MEMS声音传感器包括：基板，基板上形成有背洞；背板，设置于基板上方，且部分区域被所述背洞所裸露；振膜，与背板相对设置且与背板之间存在间隙；振膜与背板构成电容结构；以及连接柱，包括相对设置的第一端和第二端；连接柱的第一端与振膜的中间区域电性连接；连接柱的第二端与背板固定连接；以将振膜固定支撑在背板上；其中，振膜的边缘区域设置有至少一个质量块；质量块与背板之间存在间隙。

Description

MEMS声音传感器、MEMS麦克风及电子设备

技术领域

本发明涉及麦克风技术领域，特别是涉及一种MEMS声音传感器及其制备方法、MEMS麦克风及电子设备。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的电能换声器，具有体积小、频响特性好以及噪声低等优点。随着电子设备的小型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。MEMS声音传感器是MEMS麦克风中的关键器件，其性能直接影响整个MEMS麦克风的性能。传统的MEMS声音传感器的灵敏度较低，无法满足用户的使用需求。

发明内容

根据本申请的各种实施例，提供一种MEMS声音传感器、MEMS麦克风及电子设备。

一种MEMS声音传感器，用于通过空气声压变化和机械振动中的至少一种来检测声音，所述MEMS声音传感器包括：

基板，所述基板上形成有背洞；

背板，设置于所述基板上方，且部分区域被所述背洞所裸露；

振膜，与所述背板相对设置且与所述背板之间存在间隙；所述振膜与所述背板构成电容结构；以及

连接柱，包括相对设置的第一端和第二端；所述连接柱的第一端与所述振膜的中间区域电性连接；所述连接柱的第二端与所述背板固定连接；以将所述振膜固定支撑在所述背板上；

其中，所述振膜的边缘区域设置有至少一个质量块；所述质量块与所述背板之间存在间隙。

一种MEMS麦克风，包括印刷电路板、设置于所述印刷电路板上的MEMS声音传感器和设置于所述印刷电路板上的集成电路；所述MEMS麦克风采用如前述任一实施例所述的MEMS声音传感器。

一种电子设备，包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风；所述MEMS麦克风采用如前所述的MEMS麦克风。

本申请的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本申请的其他特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为第一实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图2为第二实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图3为第三实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图4为第四实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图5为第五实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图6为第六实施例中的MEMS声音传感器的剖视图。

图7为一实施例中的振膜的结构示意图。

图8为一实施例中的MEMS麦克风的结构示意图。

图9为另一实施例中的MEMS麦克风的结构示意图。

图10为又一实施例中的MEMS麦克风的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，需要说明的是，当元件被称为“形成在另一元件上”时，它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

图1为一实施例中的MEMS声音传感器的结构示意图。该MEMS声音传感器也可以称之为MEMS传感器或者MEMS芯片。该MEMS声音传感器用于通过空气声压变化和机械振动中的至少一种来检测声音,也即该MEMS声音传感器可以对声音所引起的空气气压变化进行检测来实现声音检测，也可以通过对声音或者机械外力所引起的振动来实现声音检测。可以理解，本案中所指的振动以由于声音或者机械外力所引起的骨头比如耳骨或者其他固体的振动为例。

该MEMS声音传感器包括基板110、背板200、振膜300和连接柱400。其中，基板110上形成有背洞112。背板200也可以称之为背极板。背板200设置在基板110的上方，并通过基板110进行固定。并且基板110的部分区域被背洞112所裸露。振膜300与背板200相对设置，振膜300设置在背板200上远离基板110的一侧。振膜300与背板200之间形成有间隙10。间隙10内并不填充其他物质，为空气间隙。振膜300与背板200构成电容结构。在本实施例中，并不对振膜300的形状进行特别限定。例如，振膜300可以为圆形、方形等形状。

连接柱400包括相对设置的第一端400a和第二端400b。其中，第一端400a与振膜300的中间区域连接，且与振膜300电性连接。第二端400b与背板200固定连接。连接柱400通过第二端400b与背板200连接，从而将振膜300固定支撑于背板200上。通过连接柱400将振膜300固定支撑在背板200上，从而使得振膜300四周的边缘区域无需其他固定结构来对其进行支撑固定，也即振膜300的边缘区域与整个MEMS传感器中的其他结构完全分离，从而可以较大程度提高整个振膜300的灵敏度，满足人们的使用需求。在本实施例中，振膜300的边缘区域设置有至少一个质量块310。在本案中，边缘区域是相对于中间区域而言的，也即边缘区域为远离连接柱400的区域。其中，质量块310与背板200之间存在间隙d，从而使得外部气流可以通过该间隙进入到振膜300和背板200之间的间隙10中。

当声音引起空气气压变化时，空气会经过质量块310与背板200之间的间隙d进入到背板200和振膜300之间的孔隙10中，从而使得振膜300在该气压或者声压的作用下发生振动，或者振膜300下方气压变化直接推动振膜200使得振膜200发生振动，进而使得电容结构产生变化的电容，实现对声波的探测。可以通过ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，集成电路)芯片对该变化的电容信号进行处理并输出声电转换后的电信号。当气压或者声压引起振膜300的振动时，由于振膜300的边缘区域设置有质量块310，即便是较小气压变化也能够产生较大的力矩，从而使得振膜300产生较为明显的振动，极大地提高了MEMS声音传感器的灵敏度。其中，质量块310与背板200之间的间隙d可以根据需要进行设置，以尽可能降低空气进出间隙10时存在的阻尼效应，并确保质量块310与背板200之间不容易因为静电或者外力出现粘接问题。

当MEMS声音传感器与传导声音的骨头(比如耳骨、声带等)直接或者间接接触(通常是振膜300所在一侧靠近耳骨)时，由于说话过程中相应的骨头会发生机械振动，该机械振动会引起振膜300发生振动。由于振膜300的边缘区域设置有质量块310，从而即便是较小的机械振动也能够引起振膜300的振动，实现对该声音的检测，也即该MEMS声音传感器具有较高的灵敏度。本实施例中的MEMS声音传感器能够作为振动传感器工作，从而在用户处于嘈杂环境中时，可以将其与人体的声音传导组织(如耳骨)进行接触，通过检测人说话时引起的固态物质的振动实现对声音的检测，整个检测过程中不会受到环境噪声的干扰，使得整个MEMS声音传感器具有较高的信噪比。

上述MEMS声音传感器，由于空气可以直接由质量块310与背板200之间的间隙d进入引起振膜300的振动或者由机械振动引起振膜300的振动，因此背板200以及振膜300上均可以不开设声孔，从而使得背板200中的电极面积较大，确保MEMS声音传感器具有高电容变化，进一步提高了检测过程的灵敏度。同时，通过采用本实施例中的MEMS声音传感器的结构，背板200上无需被切断来释放质量块310，从而使得背板200具有整面结构，进而使得整个MEMS声音传感器具有较高电容变化。再者，振膜300覆盖背板200的有效区域，同样为整面结构，具有较大的面积，从而使得可以形成质量较大的质量块310，并使得整个MEMS声音传感器具有较高的电容变化。

在一实施例中，背板200上开设有声孔230，如图1所示。通过在背板200上开设声孔230，气流可以通过声孔230进入到间隙10中，以降低阻尼效应。在本实施例中，声孔230设置在背板200上靠近连接柱400的区域，质量块310所在区域下方未开设声孔230。在一实施例中，声孔230也可以设置在靠近质量块310的区域，如图2所示。可以理解，声孔230也可以设置在整个背板200上裸露于背洞112的区域，如图3所示。图4为另一实施例中的MEMS声音传感器的剖视图，在本实施例中，背板200中未开设有声孔，而仅在振膜300上开设有声孔320。声孔320开设在振膜300上位于质量块310和连接柱400之间的区域。在其他的实施例中，背板200和振膜300上可以同时设置有声孔，如图5和图6所示。此时，背板200上无需整面开设声孔230。

在一实施例中，质量块310包括第一部分。第一部分形成于振膜300上朝向背板200的一面。第一部分上朝向振膜300的一面还设置有防粘连部330。防粘连部330与背板200之间存在有间隙d。在一实施例中，间隙d可以足够小，从而使得由背板200和振膜300所形成的电容结构具有高电容变化，进而使得MEMS声音传感器具有非常高的灵敏度。具体地，防粘连部330可以为凸起结构，如图1所示。第一部分、防粘连部330与振膜300所在的材料层在同一工艺步骤中形成后通过刻蚀工艺形成第一部分以及防粘连部330，也即第一部分、防粘连部330与振膜300的材料相同且为一体结构。

在一实施例中，质量块310还可以包括第二部分(图中未示)。第二部分形成于振膜300上远离背板200的一面，也即与第一部分相对设置。通过增加第二部分可以得到质量更大的质量块，以提高灵敏度。第二部分可以在振膜300形成后，通过额外的曝光、显影以及刻蚀工序形成在振膜300上。第二部分和振膜300具有相同的材料，并与振膜300形成一个整体结构。

质量块310的质量可以调整，从而实现对整个质量块310的质量调整，进而实现对整个MEMS振动传感器的感应频段的调整。在本实施例中，MEMS声音传感器的频率检测范围为20Hz～20KHz。

在一实施例中，基板110可以直接为硅衬底。可以理解，基板110也还可以为其他基底结构，比如SOI基底。在本实施例中，背板200包括第一导电层210和保护层220。其中，第一导电层210通过第一绝缘层120与基板110连接。第一导电层210为图形化层(图中未示)，以形成背板电极以及振膜的电极引出区域。第一绝缘层120可以为介电氧化层，比如采用二氧化硅等。保护层220包覆第一导电层210，如图1所示。保护层220为钝化层，通过将第一导电层210进行包覆，可以确保被包覆的第一导电层210空气中的腐蚀性气体隔离，并且可以避免在不良环境如潮湿环境下的背板200和振膜300之间的漏电。保护层220可以采用氮化硅(silicon nitride)、富硅氮化硅(si-rich silicon nitride)。在一实施例中，保护层220表面必须是或者处理成非亲水性，也即保护层220的表面均为非亲水性表面。例如若有很薄的氧化硅材料没有完全被移除干净，因而附在保护层上，也会造成保护层具亲水性(hydrophilic)；或者是保护层氮化硅(silicon nitride)、富硅氮化硅(si-rich siliconnitride)本身半导体工艺完毕后，还是具有一定程度的亲水性，这时候我们可以对MEMS传感器做防粘涂料(anti-stiction coating)，改变保护层表面特性，使其变成非亲水表面。

在本实施例中，第一导电层210为图形化的导电层。第一导电层210可以为多晶硅层、硅锗化合物(SiGe)层或者金属层。其中，金属层的金属可以为铝(Al)、铝铜合金(AlCu)、铂(Pt)以及金(Au)等。在本实施例中，第一导电层210和振膜300的材料均为多晶硅(polySi)。具体地，第一导电层210包括彼此分开的背板电极和振膜引出区(图中未示)。背板电极作为电容的一个电极，振膜300作为电容的另外一个电极，二者形成电容结构。振膜引出区与连接柱400的第二端400b连接，以将振膜300所在的电极引出。此时，MEMS声音传感器还包括第二绝缘层130、背板电极引出电极140和振膜引出电极150。第二绝缘层130设置于第一导电层210上。第二绝缘层130和第一绝缘层120均可以为介电氧化层，比如采用二氧化硅制备得到。背板电极引出电极140形成在第二绝缘层130上，并且贯穿整个第二绝缘层130后与第一导电层210中的背板电极连接，以将背板电极引出。振膜引出电极150同样形成在第二绝缘层130上，且贯穿整个第二绝缘层130后与第二导电层420中的振膜引出区连接。在本实施例中，上述MEMS声音传感器上还形成有背板焊盘162和振膜焊盘164，如图1所示。背板焊盘162形成在背板引出电极140上，振膜焊盘164形成在振膜引出电极150上，分别实现背板电极、振膜300与外部的电气连接。

在一实施例中，振膜300、质量块310、背板电极引出电极140、振膜引出电极150以及连接柱400中的导电层所在的材料层均在同一工艺步骤中形成，也即振膜300、质量块310、背板电极引出电极140、振膜引出电极150以及连接柱400中的导电层的材料相同。在本实施例中，振膜300、质量块310、背板电极引出电极140、振膜引出电极150以及连接柱400中的导电层均通同一多晶硅沉积制程步骤形成。具体地，先在背板200上形成第二绝缘层130，然后对第二绝缘层130进行刻蚀形成对应于背板电极引出电极140、振膜引出电极150以及连接柱400的贯穿区域后，在整个表面进行材料填充，形成一个整的材料层。由于需要填充前面刻蚀的槽洞，此时形成的导电层的厚度较厚，此时需要用CMP(Chemical MechanicalPolishing process,机械化学研磨制程)或者硅刻蚀制程把形成的导电层如多晶硅材料层刻蚀到想要的振膜300的厚度。接下来再对材料层进行刻蚀，从而形成相互独立的振膜300、背板电极引出电极140以及振膜引出电极150。在一实施例中，振膜300可以此采用单晶珪、多晶硅、氮化硅、富硅氮化硅、硅锗化合物(SiGe)或者金属等。其中，金属可以为铝(Al)、铝铜合金(AlCu)、铂(Pt)以及金(Au)等。因此，材料层也可以采用前述任意一种材料。当振膜300采用氮化硅或者富硅氮化硅作为材料时，还需要在表面加一层导电材料当做振膜300的电极。在本实施例中，振膜300的边缘区域与整个MEMS声音传感器的其他区域完全隔离，也即振膜300完全由连接柱400进行固定支撑，而无需借用其他的固定结构对振膜300的周边进行固定。振膜300的周边都是悬空的，可以释放残余应力，从而使得振膜300具有较高的灵敏度。在一实施例中，振膜300进行了必要的掺杂或者离子注入。掺杂可以为N型掺杂也可以为P型掺杂，从而使得振膜300具有较好的导电性能。在一实施例中，当背板200中的导电层采用多晶硅或者硅锗化合物时，同样需要掺杂或者离子注入(doping or ionimplantation)，使得背板具有较好的导电性能。

在一实施例中，第一绝缘层120上靠近背洞112的一侧设置有限位层170。限位层170为刻蚀阻挡层，可以采用与保护层220相同的材料制备而成，比如均采用氮化硅。通过设置限位层170可以准确控制背板200下方材料层，也即第一绝缘层120(也可以称之为牺牲层)中氧化硅材料的移除位置和移除量，来确定刻蚀终点。通过对控制背板200下方第一绝缘层120中氧化硅材料的移除位置和移除量进行精准控制，可以实现对产品性能的严格控制，比如实现对背板200的刚性的控制，进而可以提升产品良率。传统的背洞刻蚀过程中，通常需要对刻蚀时间进行控制来控制刻蚀终点，这个过程具有较多的可变和影响因素，从而导致最终制备得到的产品性能无法满足使用需求。在本案中，刻蚀终点可以直接根据通过限位层170的位置来确定，从而可以有效解决上述问题。

在一实施例中，振膜300包括多个相互独立运动的膜片330，如图7所示。在本实施例中，振膜300包括四个对称分布的膜片330，并且每个膜片330具有相同的结构，也即其上形成有相同的质量块310。通过将振膜300设置为多个独立运动的膜片330，可以进一步提高振动检测过程中的灵敏度。在一实施例中，振膜300上的各膜片330至少两个具有不同的结构，也即为不对称分布。此时，不同膜片330上均设置有质量块310，每个膜片330上的质量块310可以相同也可以不同，其被设置到对应于膜片330的频率检测范围，比如频率检测范围为20Hz～20KHz例如，可以在振膜300中设置有对应于低频的第一膜片、对应于中频的第二膜片以及对应于高频的第三膜片，从而可以利用第一膜片来实现低频检测100Hz～1KHz的频率检测，第二模块来实现1KHz～10KHz的频率检测，而第三膜片则实现10KHz～20KHz的频率检测。在其他的实施例中，不同的膜片330对应于不同的频段，从而使得MEMS声音传感器具有较宽的频段检测范围，实现满足用户对多频段的检测需求。

在一实施例中，各膜片330之间设置有绝缘层以实现各膜片330之间的电性绝缘，使得各膜片330能够相互独立对相应频段的声音进行检测。各膜片330均通过连接柱400引出至背板200上的对应的振膜引出电极150中，以通过振膜引出电极150连接至相应的焊盘。此时连接柱400中同样包括多个相互电性绝缘的引出区域，背板200中也设置有多个振膜引出电极150以将每个膜片330引出至相应的焊盘，也即此时各膜片330具有相互独立的电路路径。在其他的实施例中，各膜片330也可以采用同一电路路径进行引出。此情況下，负责感测对应频率波段的膜片330与背板形成电容，产生变容变化讯号，从而由ASIC芯片相应去处理该变化讯号。其他频率波段的膜片330，电容变化讯号较小，ASIC此时不去处理。

在一实施例中，连接柱400的第一端400a与振膜300是一体形成的，因此不会带来阻抗问题，从而无需额外增加相应的阻抗匹配结构，整体的导电性能较好。并且，二者一体形成使得振膜300与连接柱400之间具有较为可靠的连接关系，足够抵抗外部机械冲击。

在一实施例中，第二端400b的部分材料嵌入背板200的第一导电层210中。第二端400b与背板200中的第一导电层210中的振膜引出区电性连接，从而使得连接柱400可以通过该振膜引出区将振膜300所在电极进行引出。第二端400b至少部分的材料嵌入是指连接柱400上部分的层体结构嵌入第一导电层210中或者连接柱400上所有的层体结构都嵌入第一导电层210中。在本实施例中，连接柱400可以嵌入第一导电层210内部或者嵌入并贯穿第一导电层210。因此，连接柱400的第二端400b可以部分不进行嵌入，而部分嵌入第一导电层210内或者嵌入并贯穿第一导电层210。连接柱400的第二端400b还可以全部均进行嵌入，但是部分嵌入第一导电层210内，其余则嵌入并贯穿第一导电层210。可以理解，连接柱400的第二端400b也可以全部嵌入第一导电层210内或者全部嵌入并贯穿第一导电层210。在本实施例中，连接柱400的形状、结构和数目均不作特别限定。例如，连接柱400的横截面可以为圆形、矩形、椭圆形、半圆等，只要其能够起到支撑悬挂作用即可。在本案中均以连接柱400为圆柱形为例进行说明。连接柱400的数目可以一个也可以为两个以上。连接柱400的数目也可以根据MEMS声音传感器的尺寸进行确定，比如随着MEMS声音传感器的尺寸的增大相应的增加连接柱400的数目或者调整连接柱400的横截面积等。

上述MEMS声音传感器，连接柱400采用嵌入背板200的方式将振膜300固定支撑在背板200上。由于将连接柱400嵌入背板200，使得连接柱400具有与背板200的垂直接合面积和水平接合面积，也即增加了连接柱400与背板200之间的接合面积，具有较好的机械连接强度，从而可以提高振膜300的抗吹击与抗跌落、滚动、滚筒测试等机械冲击力量的性能。并且，振膜300四周无需其他固定结构来对其进行支撑固定，从而可以较大程度提高整个振膜300的灵敏度，满足人们的使用需求。

传统的MEMS声音传感器，其振膜机械灵敏度易受半导体工艺残留应力影响，个别MEMS声音传感器容易有变异的情况，造成灵敏度一致性下降，甚至有振膜应力分布不均，造成不稳定(bi-stable)形变的可能性产生，使得最终MEMS麦克风声学性能在使用上有不稳定的情况，甚至超出规格。本申请中的MEMS声音传感器能有较高的机械强度，能够提升抗各种机械冲击力量的能力，利用悬吊式并强化连接柱400与背板200的结合强度，使振膜300能够自由地顺应外界的机械冲击力量，使振膜300成为一种柔性振膜(compliancediaphragm)，不与外界机械冲击力量抵抗。并且本申请中的振膜300无外围的固定点或者固支点(diaphragm anchor)，也即振膜外围全部切开，此设计可使半导体工艺造成的残留应力释放，大大提高MEMS声音传感器的性能一致性与可生产制造性，放宽生产制造的制造公差容忍度，使生产制造良率更高。在其他的实施例中，也可以在振膜300的周边设置一些类似弹簧的连接结构，与基板110进行连接。可以理解，本实施例中的连接柱400嵌入背板200从而将振膜300固定支撑在背板200的结构并不限于图1所示的结构中，还可以适用于其他比如具有双背板或者双振膜的MEMS声音传感器中。

在一实施例中，连接柱400为一个。具体地，连接柱400位于振膜300的中心。其中，振膜300为圆形，连接柱400为圆柱，也即连接柱400的中心轴与振膜300的圆心相交。通过将连接柱400设置成关于振膜300的中心对称，可以使得声压从振膜300的边缘区域进入间隙10后能够产生最对称的压力作用在振膜300上，以提高振膜300的灵敏度。

在一实施例中，连接柱400可以为多个。多个连接柱400关于振膜300的中心对称分布，从而使得振膜300的各处受力均匀。例如，连接柱400可以为四个，对称分布在振膜300的中心四周。在一实施例中，多个连接柱400均设置在振膜300的中心至边缘的距离的二分之一区域以内，从而确保对振膜300起到较好的支撑性能并确保振膜300具有较高的灵敏度。

在一实施例中，连接柱400中嵌入第一导电层210的深度大于或等于第一导电层210的厚度的三分之一，使得连接柱400具有与背板200的垂直接合面积和水平接合面积，也即增加了连接柱400与背板200之间的接合面积，从而确保背板200与连接柱400之间抵抗外界机械冲击的能力更强，满足振膜300的抗吹击与抗跌落、滚动以及滚筒测试等机械冲击力量的性能要求。

参见图1，在本实施例中，连接柱400包括相互间隔设置的第三绝缘层410和第二导电层420。由于连接柱400为圆柱，因此第三绝缘层410和第二导电层420投影在背板200上的形状也即其俯视图均为环形结构。第三绝缘层410和第二导电层420的层数可以根据需要设置，通常从连接柱400的中心起依次为第三绝缘层410、第二导电层420、第三绝缘层410……直至最外层的第二导电层420。在图1所示的实施例中，第二导电层420和第三绝缘层410均为两层。其中，第三绝缘层410在制备时与基板110上方的第二绝缘层130在同一道工序中进行制备得到，本实施例中仅仅是为了进行区分将其分别命名为第二绝缘层130和第三绝缘层410。因此，第二绝缘层130和第三绝缘层410的材料相同，均为介电氧化层。

第二导电层420的第一端与振膜300一体形成并电连接。第二导电层420的第二端嵌入第一导电层210。第二导电层420的第二端可以嵌入第一导电层210内部，也可以嵌入并贯穿第一导电层210。在本实施例中，振膜300、第二导电层420以及第一导电层210的材料相同，例如均为多晶硅。因此，第二导电层420嵌入第一导电层210时属于同种材料的嵌入，不会带来阻抗问题，从而无需额外增加相应的阻抗匹配结构，整体的导电性能较好。

第二导电层420可以包括两种类型，即包括第一类型导电层和第二类型导电层。其中，第一类型导电层的第二端嵌入到第一导电层210内，其嵌入深度大于或者等于第一导电层210的厚度的三分之一并小于第一导电层210的厚度。第二类型导电层的第二端则嵌入并贯穿整个第一导电层210。连接柱400中的第二导电层420可以全部为第一类型导电层也可以全部为第二类型导电层。可以理解，连接柱400中的第二导电层420也可同时包含有第一类型导电层和第二类型导电层。在图1中，第二导电层420均为第二类型导电层。

在一实施例中，第三绝缘层410同样可以嵌入第一导电层210内部，从而进一步增加连接柱400与背板200的接合面积，提高连接柱400连接背板200的机械强度。第三绝缘层410并不会嵌入并贯穿第一导电层210，也即第三绝缘层410嵌入的深度大于第一导电层210的厚度的三分之一且小于第一导电层210的厚度。当第三绝缘层410嵌入并贯穿第一导电层210时，在释放第一绝缘层120(例如为二氧化硅时)的时候，就会攻击到第三绝缘层410的材料，会使贯穿背板200的第三绝缘层410的材料被蚀刻而不存在。

在一实施例中，背板200上远离振膜300的一面形成有凸起240。凸起240与背板200为一体形成，也即二者为一整体结构。连接柱400上的第二类型导电层会延伸至该凸起240内，从而进一步增加了连接柱400与背板200的接合面积，提高了振膜300连接的机械强度。第二类型导电层延伸至凸起240内。凸起240包裹住第二类型导电层延伸至该区域内的部分。在本实施例中，从仰视角度来看，凸起240为整面结构。在其他的实施例中，当连接柱400为方形时，凸起240也可以为中空的方形结构，或者整面结构。凸起240的厚度可以不做限制。在本案中，先在基板110上形成第一绝缘层120然后在第一绝缘层120上形成第一导电层210。如果需要形成凸起240，则需要在形成第一导电层210之前，先对第一绝缘层120进行刻蚀，形成对应的凹槽结构后在第一绝缘层120上方形成整层的导电层结构，从而在形成具有该凸起结构的第一导电层210。通过直接在背板200上形成凸起240可以在一定程度提高背板200的刚性。

在一实施例中，连接柱400还包括承载部(图中未示)。承载部与背板200上远离振膜300的一面连接。承载部至少与连接柱400中的部分第二类型导电层连接，形成铆钉结构。连接柱400嵌入背板200可以提供水平方向上的作用力以实现对振膜300的固定，而承载部的增加可以增大与背板200的水平接触面积，可以增加在竖直方向上的支撑力，从而使得在两个方向上具有支撑力，使得连接柱400的支撑强度较强，振膜300的稳固性较好。在制备过程中，连接柱400中的第二导电层420的边缘位于承载部的边缘内，因此在制备过程中能有较大的对准误差容忍度，工艺比较好做，不会出现脱裂或者刻蚀难对准的问题。

在一实施例中，上述MEMS声音传感器可以作为加速度传感器，用来实现对加速度的检测。具体地，可以根据MEMS声音传感器的电容变化来实现对作用在质量块310上的外力的检测，从而根据质量块310的质量计算得到当前的加速度。通过上述MEMS声音传感器来作为加速度传感器，可以实现MEMS声音传感器的多功能化，并且具有相对于传统的梳齿状的加速度传感器更为简单的结构，且振膜300和背板200都是整面结构，具有极高的电容。

本申请一实施例还提供一种MEMS麦克风，如图8所示。该MEMS麦克风包括印刷电路板610以及设置在印刷电路板610上的MEMS声音传感器620和集成电路630。集成电路630也可以称之为ASIC芯片。其中，该MEMS声音传感器620采用前述任一实施例所述的MEMS麦克风。本案并不对MEMS麦克风的结构做特别限定。

在一实施例中，该MEMS麦克风采用倒装工艺(flip chip)进行封装，也即MEMS声音传感器620和集成电路630均采用倒装工艺集成在印刷电路板610上。具体地，MEMS声音传感器620和集成电路630通过不打线的方式直接与印刷电路板610上的焊盘连接。比如在本案中，MEMS声音传感器620和集成电路630通过锡球640连接在印刷电路板610上，从而实现MEMS声音传感器620和集成电路630与印刷电路板610的电性连接。采用这种倒装工艺，可以避免由于引线接合所引起的噪声问题，从而使得整个MEMS麦克风具有较高的信噪比(Signal-Noise Ratio，SNR)。可以理解，为加强MEMS声音传感器620以及集成电路630与印刷电路板610之间连接的稳固性，也可以增加其他的固定方式对其进一步进行固定，比如，采用封装胶来进行固定。

上述MEMS麦克风还包括封装壳体650。封装壳体650与印刷电路板610相互配合形成用于容纳MEMS声音传感器620和集成电路630的容纳空间。在本实施例中，封装壳体650和印刷电路板610上均未设置有供气流穿过的穿孔。此时，上述MEMS麦克风作为用于通过对说话过程中引起的骨头(如耳骨)或者固体物质的振动进行检测来实现对声音的检测并转换为电信号输出。此时，将印刷电路板610所在的一侧靠近耳骨或者其他固体物质，从而使得振膜300非常靠近振动源(图8～图10中，箭头表示振动源)，整个传导路径较短，极大地增强了在倒装结构下的传感信号的有效性，使得MEMS麦克风具有较高的信噪比。

在其他的实施例中，也可以在封装壳体650上靠近MEMS声音传感器620的区域设置用于供气流穿过的穿孔652,如图9所示。在其他的实施例中，也可以直接在印刷电路板610上开设穿孔612，如图10所示。此时，MEMS麦克风中的MEMS声音传感器620即可根据声压或者气压变化引起的电容变化来进行声音检测，也可以根据振动所引起的电容变化来进行声音检测。集成电路630可以根据预设算法对检测到的信号进行处理后并输出。

本申请一实施例还提供一种电子设备，包括设备本体以及设置在设备本体上的MEMS麦克风。该MEMS麦克风采用前述任一实施例所述的MEMS声音传感器制备得到。该电子设备可以为手机、数码相机、笔记本电脑、个人数字助理、MP3播放器、助听器、电视、电话、会议系统、有线耳机、无线耳机、录音笔、录音设备、线控器等等。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (23)

1.一种MEMS声音传感器，用于通过空气声压变化和机械振动中的至少一种来检测声音，所述MEMS声音传感器包括：

基板，所述基板上形成有背洞；

背板，设置于所述基板上方，且部分区域被所述背洞所裸露；

振膜，与所述背板相对设置且与所述背板之间存在间隙；所述振膜与所述背板构成电容结构；以及

连接柱，包括相对设置的第一端和第二端；所述连接柱的第一端与所述振膜的中间区域电性连接；所述连接柱的第二端与所述背板固定连接；以将所述振膜固定支撑在所述背板上；

其中，所述振膜的边缘区域设置有至少一个质量块；所述质量块与所述背板之间存在间隙；

所述背板包括第一导电层和保护层；所述保护层通过第一绝缘层与所述基板连接；所述保护层包覆所述第一导电层；所述连接柱的第二端至少部分的材料嵌入所述第一导电层；

所述连接柱包括相互间隔设置的第二导电层和第三绝缘层；所述第二导电层的第一端与所述振膜电性连接；所述第二导电层的第二端嵌入所述第一导电层内；

所述第二导电层包括第二类型导电层；

所述背板上远离所述振膜的一面形成有一体化的凸起；所述第二类型导电层的第二端延伸至所述凸起内。

2.根据权利要求1所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜的边缘区域与所述MEMS声音传感器中的其他结构完全分离。

3.根据权利要求2所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜和所述背板中的至少一个上形成有声孔。

4.根据权利要求3所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述背板上形成有声孔。

5.根据权利要求2所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜包括多个相互独立运动的膜片；每个所述膜片上设置有至少一个质量块；所述膜片上的质量块被设置到对应于所述膜片的频率检测范围。

6.根据权利要求5所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜至少包括第一膜片、第二膜片和第三膜片；所述第一膜片的频率检测范围为100Hz～1KHz；所述第二膜片的频率检测范围为1KHz～10KHz；所述第三膜片的频率检测范围为10KHz～20KHz。

7.根据权利要求5所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜中的各膜片具有不同的频率检测范围。

8.根据权利要求2所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述质量块包括第一部分；所述第一部分设置于所述振膜上朝向所述背板的一面；所述第一部分与所述背板之间存在有间隙。

9.根据权利要求8所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述第一部分上朝向所述背板的一面设置防粘连部；所述防粘连部和所述背板之间存在有间隙。

10.根据权利要求8所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述质量块还包括第二部分；所述第二部分设置于所述振膜上远离所述背板的一面。

11.根据权利要求1所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述第一绝缘层中设置有限位层，所述限位层用于限定所述背板下方的材料层在刻蚀过程中的移除位置与移除量。

12.根据权利要求1所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述第一导电层包括彼此分开的背板电极和所述振膜引出区；所述MEMS声音传感器还包括第二绝缘层、背板电极引出电极和振膜引出电极；所述第二绝缘层设置于所述保护层上；所述背板电极引出电极设置于所述第二绝缘层上并贯穿所述第二绝缘层和所述保护层后与所述背板电极连接；所述振膜引出电极设置于所述第二绝缘层上并贯穿所述第二绝缘层和所述保护层后与所述振膜引出区连接；所述振膜引出区域与所述连接柱的第二端电性连接。

13.根据权利要求12所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述振膜、所述质量块、所述背板电极引出电极和所述振膜引出电极所在的材料层在同一工艺步骤中形成。

14.根据权利要求1所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述第二导电层还包括第一类型导电层；所述第一类型导电层的第二端嵌入至所述第一导电层内。

15.根据权利要求14所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述连接柱还包括承载部；所述承载部至少与部分所述第二类型导电层的第二端连接以形成铆钉结构对所述振膜进行承载。

16.根据权利要求1～15任一所述的MEMS声音传感器，其特征在于，所述第三绝缘层的第一端与所述振膜连接；所述第三绝缘层的第二端嵌入所述第一导电层内。

17.根据权利要求1～15任一所述MEMS声音传感器，其特征在于，所述MEMS声音传感器作为加速度传感器。

18.一种MEMS麦克风，包括印刷电路板、设置于所述印刷电路板上的MEMS声音传感器和设置于所述印刷电路板上的集成电路；其特征在于，所述MEMS声音传感器采用如权利要求1～17任一所述的MEMS声音传感器。

19.根据权利要求18所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS声音传感器和所述集成电路采用倒装工艺集成在所述印刷电路板上。

20.根据权利要求18所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括封装壳体；所述封装壳体与所述印刷电路板相互配合形成用于容纳所述MEMS声音传感器和所述集成电路的容纳空间；

所述封装壳体和所述印刷电路板上均未开设供气流穿过的穿孔。

21.根据权利要求18所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括封装壳体；所述封装壳体与所述印刷电路板相互配合形成用于容纳所述MEMS声音传感器和所述集成电路的容纳空间；

所述封装壳体在靠近所述MEMS麦克风的区域开设有供气流穿过的穿孔。

22.根据权利要求18所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括封装壳体；所述封装壳体与所述印刷电路板相互配合形成用于容纳所述MEMS声音传感器和所述集成电路的容纳空间；

所述印刷电路板在靠近所述MEMS麦克风的区域开设有供气流穿过的穿孔。

23.一种电子设备，包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风；其特征在于，所述MEMS麦克风采用如权利要求18～22任一所述的MEMS麦克风。

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