CN213694149U - Mems芯片、mems麦克风以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种MEMS芯片、MEMS麦克风以及电子设备。其中，该MEMS芯片包括衬底、电容结构以及连接件，衬底的一侧设有第一绝缘层，衬底开设有背腔，背腔贯穿第一绝缘层；电容结构设于第一绝缘层背离衬底的一侧，并对应背腔设置；连接件的两端分别连接电容结构和衬底，且连接件位于第一绝缘层的周侧。本实用新型通过连接件实现电容结构与衬底的连接，实现降低寄生电容，达到性能调整的目的，同时本实用新型中连接件位于第一绝缘层的周侧，一方面起到对芯片的保护作用，另一方面，由于没有在绝缘层设置通孔，可以减少一道光罩工序，提高生产效率。

Description

MEMS芯片、MEMS麦克风以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及麦克风技术领域，特别涉及一种MEMS芯片、MEMS麦克风以及电子设备。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的电能换声器，具有体积小、频响特性好以及噪声低等优点。

MEMS麦克风主要由振膜结构与背极板结构形成平行板电容来感测声音。MEMS芯片在工作状态时，振膜震动，达到声音感测目的。相关技术中，平行板电容结构与衬底之间具有绝缘层，为降低寄生电容，在绝缘层形成有通孔，并在通孔内设置连接件，实现背极板结构和振膜结构与衬底的连接。然而，为了形成通孔，需要增加一道光罩工序，导致了生产效率的减低。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种MEMS芯片、MEMS麦克风以及电子设备，旨在减少加工工序，同时实现降低寄生电容，达到性能调整的目的。

为实现上述目的，本实用新型提出的MEMS芯片包括：

衬底，所述衬底的一侧设有第一绝缘层，所述衬底开设有背腔，所述背腔贯穿所述第一绝缘层；

电容结构，所述电容结构设于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，并对应所述背腔设置；以及

连接件，所述连接件的两端分别连接所述电容结构和所述衬底，且所述连接件位于所述第一绝缘层的周侧。

在本实用新型的一实施例中，所述电容结构包括振膜和背极板，所述振膜与所述背极板呈平行且间隔设置；所述振膜或所述背极板设于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，并对应所述背腔设置；所述背极板上对应所述背腔设有声孔；

其中，所述背极板的周缘和所述振膜的周缘分别与所述连接件连接。

在本实用新型的一实施例中，所述背极板包括层叠设置的第一保护层、导电层以及第二保护层，所述第一保护层面向所述振膜设置；所述导电层与所述连接件连接。

在本实用新型的一实施例中，所述第二保护层沿所述连接件背离所述第一绝缘层的一侧延伸至所述衬底。

在本实用新型的一实施例中，所述MEMS芯片还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述背极板和所述振膜之间，并对应所述背腔设有导通孔；

所述连接件全部位于所述第二绝缘层的周侧；

或，所述第二绝缘层邻近自身周缘位置设有至少一个连接孔；所述连接件包括至少一个第一连接部和至少一个第二连接部，所述第一连接部和第二连接部间隔设置；所述第一连接部设于所述连接孔内，且所述第一连接部的两端分别连接所述背极板和所述振膜；所述第二连接部的两端分别连接所述背极板和所述衬底，所述第二连接部位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的周侧，并与所述振膜间隔设置。

在本实用新型的一实施例中，所述振膜包括：

感测部，所述感测部对应所述背腔设置；和

固定部，所述固定部设于所述感测部的周缘，并与所述感测部之间形成有间隙，所述固定部与所述连接件连接。

在本实用新型的一实施例中，所述背极板包括第一背极板部、第二背极板部以及第三背极板部，所述第一背极板部位于中部，并对应所述背腔设置，所述第一背极板部设有所述声孔；所述第二背极板部位于边缘，并与所述连接件连接；所述第三背极板部设于所述第一背极板部和所述第二背极板部之间，并与所述感测部电连接。

在本实用新型的一实施例中，所述电容结构还包括第一引脚，所述第一引脚设于所述第一背极板部，用于与外部元件电连接；

且/或，所述电容结构还包括第二引脚，所述第二引脚设于第三背极板部，用于与外部元件电连接；

且/或，所述电容结构还包括第三引脚，所述第三引脚设于第二背极板部，用于与外部元件电连接。

本实用新型还提出一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括基板、设置于所述基板上的MEMS芯片和设置于所述基板上的集成电路；所述MEMS芯片采用上述实施例所述的MEMS芯片。

本实用新型还提出一种电子设备，所述电子设备包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风；所述MEMS麦克风采用上述实施例所述的MEMS麦克风。

本实用新型技术方案通过连接件实现电容结构与衬底的连接，实现降低寄生电容，达到性能调整的目的，同时本实用新型中连接件位于第一绝缘层的周侧，一方面起到对芯片的保护作用，另一方面，由于没有在绝缘层设置通孔，可以减少一道光罩工序，提高生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型MEMS芯片第一实施例的截面示意图；

图2为本实用新型MEMS芯片第一实施例中连接件的一种排布示意图；

图3为本实用新型MEMS芯片第一实施例中连接件的另一种排布示意图；

图4为本实用新型MEMS芯片第二实施例的截面示意图；

图5为本实用新型MEMS芯片第二实施例中连接件的一种排布示意图；

图6为本实用新型MEMS芯片第二实施例中连接件的另一种排布示意图。

附图标号说明：

本实用新型的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B为例”，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

图1为一实施例中的MEMS芯片的结构示意图。该MEMS芯片也可以称之为MEMS传感器或者MEMS声音传感器。该MEMS芯片用于通过空气声压变化和机械振动中的至少一种来检测声音，也即该MEMS芯片可以对声音所引起的空气声压变化进行检测来实现声音检测，也可以通过对声音或者机械外力所引起的振动来实现声音检测。可以理解，本案中所指的振动以由于声音或者机械外力所引起的骨头比如耳骨或者其他固体的振动为例。

在本实用新型实施例中，如图1和图4所示，该MEMS芯片包括衬底1、电容结构2以及连接件3，所述衬底1的一侧设有第一绝缘层4，所述衬底1开设有背腔11，所述背腔11贯穿所述第一绝缘层4；所述电容结构2设于所述第一绝缘层4背离所述衬底1的一侧，并对应所述背腔11设置；所述连接件3的两端分别连接所述电容结构2和所述衬底1，且所述连接件3位于所述第一绝缘层4的周侧。

衬底1可以直接为硅衬底1。可以理解，衬底1也还可以为其他基底结构，比如SOI基底。衬底1上形成有背腔11，以便露出振膜21的下表面。衬底1上还形成有用于隔离振膜21和衬底1的第一绝缘层4，第一绝缘层4为介电氧化层，比如采用二氧化硅等。振膜21可以此采用单晶珪、多晶硅、氮化硅、富硅氮化硅、硅锗化合物(SiGe)或者金属等。其中，金属可以为铝(Al)、铝铜合金(AlCu)、铂(Pt)以及金(Au)等。当振膜21200采用氮化硅或者富硅氮化硅作为材料时，还需要在表面加一层导电材料当做振膜21的电极。在一实施例中，振膜21进行了必要的掺杂或者离子注入。掺杂可以为N型掺杂也可以为P型掺杂，从而使得振膜21具有较好的导电性能。在一实施例中，当背极板22中的导电层222采用多晶硅或者硅锗化合物时，同样需要掺杂或者离子注入(doping or ion implantation)，使得背极板22具有较好的导电性能。

本实用新型技术方案通过连接件3实现电容结构2与衬底1的连接，实现降低寄生电容，达到性能调整的目的，同时本实用新型中连接件3位于第一绝缘层4的周侧，一方面起到对芯片的保护作用，防止潮气从侧面侵入，另一方面，由于没有在绝缘层设置通孔，可以减少一道光罩工序，提高生产效率。

在本实用新型的一实施例中，所述电容结构2包括振膜21和背极板22，所述振膜21与所述背极板22呈平行且间隔设置；所述振膜21或所述背极板22设于所述第一绝缘层4背离所述衬底1的一侧，并对应所述背腔11设置；所述背极板22上对应所述背腔11设有声孔224；

其中，所述背极板22的周缘和所述振膜21的周缘分别与所述连接件3连接。

在本实施例中，并不对振膜21的形状进行特别限定。例如，振膜21可以为圆形、方形等形状。当声音引起空气声压变化时，空气会经过背极板22上的声孔224，并进入到背极板22和振膜21之间的间隙中，从而使得振膜21在该气压或者声压的作用下发生振动、或者振膜21下方气压变化直接推动振膜21使得振膜21发生振动，电容结构2会产生变化的电容，实现对声波的探测。可以通过ASIC(Application Specific IntegratedCircuit，集成电路)芯片对该变化的电容信号进行处理并输出声电转换后的电信号。背极板22也被称为背板。

当上述MEMS芯片与人体传导声音的骨头(比如耳骨、声带等)直接或者间接接触(通常是振膜21所在一侧靠近耳骨)时，由于说话过程中相应的骨头会发生机械振动，该机械振动会引起振膜21发生振动，实现对该声音的检测。本实施例中的MEMS芯片能够作为振动传感器工作，从而在用户处于嘈杂环境中时，可以将其与人体的声音传导组织(如耳骨)进行接触，通过检测人说话时引起的固态物质的振动实现对声音的检测，整个检测过程中不会受到环境噪声的干扰，使得整个MEMS声音传感器具有较高的信噪比。

一实施例中，参照图2，连接件3为连续的环形结构。另一实施例中，参照图3，连接件3可为间断的环形结构。

本实施例中，所述背极板22的周缘和所述振膜21的周缘分别与所述连接件3连接，实现降低寄生电容，达到性能调整的目的，同时减少了在第一绝缘层4开设通孔这一到工序，提高生产效率。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述背极板22包括层叠设置的第一保护层221、导电层222以及第二保护层223，所述第一保护层221面向所述振膜21设置；所述导电层222与所述连接件3连接。

本实施例中，第一保护层221位于背极板22上靠近振膜21的一侧。导电层222为图形化层。第二保护层223则形成在第一保护层221上并完全覆盖导电层222，也即导电层222被第一保护层221和第二保护层223所包裹。声孔224贯穿整个第一保护层221和第二保护层223。第一保护层221和第二保护层223均钝化层，确保设置在两层中的导电层222可以与空气中的腐蚀性气体隔离，并且可以避免在不良环境如潮湿环境下的背极板22和振膜21之间的漏电。第一保护层221和第二保护层223可以采用氮化硅、富硅氮化硅。导电层222可以为多晶硅层、硅锗化合物层或者金属层。其中，金属层的金属可以为铝、铝铜合金、铂以及金等。在本实施例中，导电层222和振膜21的材料均为多晶硅(poly Si)。

本实施例中，导电层222与连接件3连接，实现背极板22与连接件3的电性连接，保障可以实现降低寄生电容的作用。

在本实用新型的一实施例中，如图1，所述第二保护层223沿所述连接件3背离所述第一绝缘层4的一侧延伸至所述衬底1。

可以理解的是，所述第二保护层223沿所述连接件3背离所述第一绝缘层4的一侧延伸至所述衬底1，第二保护层223可以提高连接件3的连接强度。连接件3可以对连接件3内圈的芯片内部部件起到保护作用，特别是防止在芯片切割过程时伤害到内部电路，另外还能防止外界灰尘进入芯片内部。

本实用新型中，连接件3相当于seal ring(封装条)，像一圈堤坝，将芯片围在圈内保护起来。seal ring是介于芯片(chip)和划片槽(scribe line)之间的保护环。

在本实用新型的一实施例中，参照图1，所述MEMS芯片还包括第二绝缘层5，所述第二绝缘层5设于所述背极板22和所述振膜21之间，并对应所述背腔11设有导通孔51；所述连接件3全部位于所述第二绝缘层5的周侧。

导通孔51并不填充其他物质，为空气间隙。第二绝缘层5用于实现背极板22与衬底1之间的绝缘，同时将背极板22固定在衬底1上。第二绝缘层5包围振膜21。第二绝缘层5可以为介电氧化层，比如采用二氧化硅等。

本实施例中，参照图1，连接件3完全位于第二绝缘层5和第一绝缘层4的周侧，在制备芯片的过程中，可将背极板22的导电层222直接延伸至衬底1，也即生成制备过程中，并不会额外增加工序制备连接件3。

在本实用新型的一实施例中，参照图4，所述MEMS芯片还包括第二绝缘层5，所述第二绝缘层5设于所述背极板22和所述振膜21之间，并对应所述背腔11设有导通孔51；

所述第二绝缘层5邻近自身周缘位置设有至少一个连接孔52；所述连接件3包括至少一个第一连接部31和至少一个第二连接部32，所述第一连接部31和第二连接部32间隔设置；所述第一连接部31设于所述连接孔52内，且所述第一连接部31的两端分别连接所述背极板22和所述振膜21；所述第二连接部32的两端分别连接所述背极板22和所述衬底1，所述第二连接部32位于所述第一绝缘层4和所述第二绝缘层5的周侧，并与所述振膜21间隔设置。

本实施例中，对于本身设计就有内圈封装条和外圈封装条的芯片，在制备芯片的过程中，可将外圈封装条作为第二连接部32，内圈封装条作为第一连接部31，相比于现有技术中，外圈封装条的两端连接背极板22和第一绝缘层4，内圈封装条的两端连接背极板22和振膜21，本实施例中，外圈封装条的两端连接背极板22和衬底1，也即生成制备过程中，并不会额外增加工序制备连接件3。

本实施例中，第一连接部31的两端分别连接所述背极板22和所述振膜21；所述第二连接部32的两端分别连接所述背极板22和所述衬底1，所述第二连接部32位于所述第一绝缘层4和所述第二绝缘层5的周侧，并与所述振膜21间隔设置，可以实现振膜21和背极板22通过连接件3与衬底1连接的目的，以降低寄生电容。

一实施例中，参照图5，第一连接部31和第二连接部32为连续的环形结构。另一实施例中，参照图6，第二连接部32为连续的环形结构，第一连接部31可为间断的环形结构。

在一些实施例中，第一连接部31的数量为多个。在另一些实施例中，第二连接部32的数量为多个。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述振膜21包括感测部211和固定部212，所述感测部211对应所述背腔11设置；所述固定部212设于所述感测部211的周缘，并与所述感测部211之间形成有间隙，所述固定部212与所述连接件3连接。

感测部211负责感测对应频率波段，感测部211与背板形成电容，产生变容变化讯号，从而由ASIC芯片相应去处理该变化讯号。振膜21四周的边缘区域由固定部212来对振膜21进行支撑固定。

本实施例中，固定部212与连接件3连接，实现固定部212与衬底1的电性连接，实现降低寄生电容的目的。

在一些实施例中，如图1和图4所示，振膜21上远离背极板22的一面形成有凸起。凸起与振膜21为一体形成，也即二者为一整体结构。通过直接在振膜21上形成凸起可以在一定程度提高振膜21的刚性。本实施例中，凸起设于感测部211。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述背极板22包括第一背极板部22a、第二背极板部22b以及第三背极板部22c，所述第一背极板部22a位于中部，并对应所述背腔11设置，所述第一背极板部22a设有所述声孔224；所述第二背极板部22b位于边缘，并与所述连接件3连接；所述第三背极板部22c设于所述第一背极板部22a和所述第二背极板部22b之间，并与所述感测部211电连接。

在本实用新型中，边缘区域是相对于中间区域而言的，也即边缘区域为远离背腔11或导通孔51或声孔224的区域。

在制备芯片的过程中，在背极板22上进行蚀刻，使背极板22形成三个区域即第一背极板部22a、第二背极板部22b以及第三背极板部22c，第一背极板部22a、第二背极板部22b以及第三背极板部22c三个区域并不相通。第一背极板部22a对应感测部211设置，第一背极板22与形成感测部211电容，产生变容变化讯号，从而由ASIC芯片相应去处理该变化讯号。第二背极板部22b通过连接件3与固定部212连接，并连接至衬底1，实现降低寄生电容的作用。第三背极板22与感测部211电连接，实现将感测部211的信号传出的目的。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述电容结构2还包括第一引脚23，所述第一引脚23设于所述第一背极板部22a，用于与外部元件电连接；

可以理解的是，通过第一引脚23实现第一背极板部22a的电极与外部元件的电气连接。外部元件为ASIC芯片，ASIC芯片对获得的背极板22的电极信号进行处理。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述电容结构2还包括第三引脚25，所述第三引脚25设于第二背极板部22b，用于与外部元件电连接。

可以理解的是，通过第三引脚25实现第二背极板部22b与外部元件的电气连接，即实现振膜21的电极与外部元件的电气连接。外部元件为ASIC芯片，ASIC芯片对获得的振膜21的电极信号进行处理。

ASIC芯片将获得的背极板22的电极信号和振膜21的电极信号进行处理获得电容变化信号。

在本实用新型的一实施例中，如图1和图4所示，所述电容结构2还包括第二引脚24，所述第二引脚24设于第三背极板部22c，用于与外部元件电连接；

可以理解的是，通过第二引脚24实现第三背极板部22c与外部元件的电气连接。在一实施例中，第二引脚24可以与外部基板进行连接。

本实用新型还提出一种MEMS麦克风，该MEMS麦克风包括基板、设置于所述基板上的MEMS芯片和设置于所述基板上的集成电路；所述MEMS芯片采用上述实施例所述的MEMS芯片。由于本MEMS芯片采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的全部有益效果，在此不再一一赘述。

在一实施例中，该MEMS麦克风采用倒装工艺(flip chip)进行封装，也即MEMS芯片和集成电路(ASIC芯片)均采用倒装工艺集成在基板上。具体地，MEMS芯片和ASIC芯片通过不打线的方式直接与基板上的焊盘连接。比如在本案中，MEMS芯片和ASIC芯片通过锡球连接在基板上，从而实现MEMS芯片和ASIC芯片与基板的电性连接。采用这种倒装工艺，可以避免由于引线接合所引起的噪声问题，从而使得整个MEMS麦克风具有较高的信噪比(Signal-Noise Ratio，SNR)。

上述MEMS麦克风还包括封装壳体。封装壳体与基板相互配合形成用于容纳MEMS芯片和ASIC芯片的容纳空间。在本实施例中，封装壳体和基板上均未设置有供气流穿过的穿孔。

本实用新型还提出一种电子设备，所述电子设备包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风；所述MEMS麦克风采用上述实施例所述的MEMS麦克风。由于本MEMS麦克风采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的全部有益效果，在此不再一一赘述。该电子设备可以为手机、数码相机、笔记本电脑、个人数字助理、MP3播放器、助听器、电视、电话、会议系统、有线耳机、无线耳机、录音笔、录音设备、线控器等等。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的创造构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片包括：

衬底，所述衬底的一侧设有第一绝缘层，所述衬底开设有背腔，所述背腔贯穿所述第一绝缘层；

电容结构，所述电容结构设于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，并对应所述背腔设置；以及

连接件，所述连接件的两端分别连接所述电容结构和所述衬底，且所述连接件位于所述第一绝缘层的周侧。

2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述电容结构包括振膜和背极板，所述振膜与所述背极板呈平行且间隔设置；所述振膜或所述背极板设于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，并对应所述背腔设置；所述背极板上对应所述背腔设有声孔；

其中，所述背极板的周缘和所述振膜的周缘分别与所述连接件连接。

3.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述背极板包括层叠设置的第一保护层、导电层以及第二保护层，所述第一保护层面向所述振膜设置；所述导电层与所述连接件连接。

4.如权利要求3所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二保护层沿所述连接件背离所述第一绝缘层的一侧延伸至所述衬底。

5.如权利要求3所述的MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述背极板和所述振膜之间，并对应所述背腔设有导通孔；

所述连接件全部位于所述第二绝缘层的周侧；

或，所述第二绝缘层设有至少一个连接孔；所述连接件包括至少一个第一连接部和至少一个第二连接部，所述第一连接部设于所述连接孔内，且其两端分别连接所述背极板和所述振膜；所述第二连接部位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的周侧，并与所述振膜间隔设置，且其两端分别连接所述背极板和所述衬底。

6.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜包括：

感测部，所述感测部对应所述背腔设置；和

固定部，所述固定部设于所述感测部的周缘，并与所述感测部之间形成有间隙，所述固定部与所述连接件连接。

7.如权利要求6所述的MEMS芯片，其特征在于，所述背极板包括第一背极板部、第二背极板部以及第三背极板部，所述第一背极板部位于中部，并对应所述背腔设置，所述第一背极板部设有所述声孔；所述第二背极板部位于边缘，并与所述连接件连接；所述第三背极板部设于所述第一背极板部和所述第二背极板部之间，并与所述感测部电连接。

8.如权利要求7所述的MEMS芯片，其特征在于，所述电容结构还包括第一引脚，所述第一引脚设于所述第一背极板部，用于与外部元件电连接；

且/或，所述电容结构还包括第二引脚，所述第二引脚设于第三背极板部，用于与外部元件电连接；

且/或，所述电容结构还包括第三引脚，所述第三引脚设于第二背极板部，用于与外部元件电连接。

9.一种MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS麦克风包括基板以及设置于所述基板上的MEMS芯片和集成电路；所述MEMS芯片采用如权利要求1至8中任一项所述的MEMS芯片。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风；所述MEMS麦克风采用如权利要求9所述的MEMS麦克风。

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