CN105246012A - Mems麦克风 - Google Patents
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Abstract
一种MEMS麦克风,振膜包含具有一定角度的侧裙,侧裙的角度会因为振膜的应力发生改变,振膜受到张应力时,振膜表现为收缩,侧裙倾斜角度变大,这样就可以释放一部分振膜的张应力;振膜受到压应力时,侧裙倾斜角度变小,也可以释放一部分振膜的压应力。上述MEMS麦克风结构简单,与现有工艺相差不大,容易制造。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
对电容式硅基MEMS麦克风来说,振膜的柔韧度决定了麦克风的灵敏度。这是因为柔度越大振膜的纵向位移就越大,产生的电信号就越大。决定振膜柔度的主要是振膜的应力和杨氏模量。由于绝大多数电容式硅基MEMS麦克风的振膜的周边都与衬底相连接,因此麦克风的灵敏度主要取决于振膜应力的大小。要想制造灵敏度高的麦克风,必须使振膜具有尽可能小的张应力,来使振膜具有较大的柔度。但是一旦振膜变为压应力,振膜就会变形,使MEMS麦克风器件失效。所以必须将振膜的应力控制在5~50Mpa之间,而这主要取决于MEMS麦克风的制造工艺。但是将振膜的应力控制在这么小的范围内,并且还必须具有重复性,是一件非常困难的事情。
发明内容
基于此,有必要提供一种MEMS麦克风,该MEMS麦克风可以消除振膜的残余应力,避免制造工艺对MEMS麦克风灵敏度的影响。
一种MEMS麦克风,包括基底和振膜,所述基底形成支撑结构并设有传声开口,所述振膜跨设于所述传声开口,所述振膜包括振动主体、侧裙和膜边,所述振动主体通过所述侧裙和所述膜边连接,所述膜边连接所述基底,所述侧裙和所述主体呈10度~80度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈10度~80度倾斜。
在其中一个实施例中,所述侧裙和所述主体呈30度~60度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈30度~60度倾斜。
在其中一个实施例中,所述侧裙和所述主体呈45度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈45度倾斜。
在其中一个实施例中,所述侧裙设有多个离散的开口。
在其中一个实施例中,所述基底的材料包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。
在其中一个实施例中,所述振膜为导电的柔韧性薄膜。
在其中一个实施例中,所述柔韧性薄膜的材质包括Si、Ge、SiGe、SiC,或者Al、W、Ti,或者Al、W、Ti的氮化物中的一种。
在其中一个实施例中,所述基底还设有绝缘层,所述膜边连接所述绝缘层。
在其中一个实施例中,所述绝缘层为SiO2或Si3N4。
在其中一个实施例中,还包括背板、振膜焊盘和背板焊盘,所述背板跨设于所述基底的传声开口和所述基底物理连接,所述振膜、所述基底和所述背板形成容腔,所述振膜焊盘和所述振膜电连接,所述背板焊盘和所述背板电连接,所述振膜和所述背板之间绝缘。
上述MEMS麦克风,侧裙的角度会因为振膜的应力发生改变,振膜受到张应力时,振膜表现为收缩,侧裙倾斜角度变大,这样就可以释放一部分振膜的张应力;振膜受到压应力时,侧裙倾斜角度变小,也可以释放一部分振膜的压应力。上述MEMS麦克风结构简单,与现有工艺相差不大,容易制造。
附图说明
图1是本发明其中一实施例MEMS麦克风的俯视图;
图2是沿图1中A-A’线的侧面剖视图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式进行详细描述。
图1是本发明其中一实施例MEMS麦克风的俯视图。请结合图2。
一种MEMS麦克风,包括基底100和振膜200,基底100形成支撑结构并设有传声开口120,振膜200跨设于传声开口120,振膜200包括振动主体220、侧裙240和膜边260,振动主体220通过侧裙240和膜边260连接,侧裙240相对于主体220所在平面向下呈10度~80度(图中α)倾斜,侧裙240相对于膜边260所在平面向上呈10度~80度(图中β)倾斜,基底100表面还设有绝缘层140,膜边260连接基底100的绝缘层140上。绝缘层140为半导体的氧化物或氮化物,例如SiO2或Si3N4。α和β优选为30度~60度,特别优选为45度。在本实施例中,振膜200为外凸型的圆帽形,在其他实施例中,振膜200还可以为内凹型的其他形状。
基底100的材料为半导体或半导体的化合物,例如Si、Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。振膜200为导电的柔韧性薄膜,柔韧性薄膜的材质包括Si、Ge、SiGe、SiC,或者Al、W、Ti,或者Al、W、Ti的氮化物中的一种。
侧裙240的角度会因为振膜200的应力发生改变,振膜200受到的力为张应力时,振膜200外形表现为收缩,侧裙240倾斜角度变大,这样就可以释放一部分振膜200的张应力;振膜200受到的力为压应力时,振膜200外形表现为张开,侧裙240倾斜角度变小,也可以释放一部分振膜200的压应力。上述MEMS麦克风结构简单,与现有工艺相差不大,容易制造。
在其他实施例中,侧裙240还可以设有多个离散的开口,使释放振膜应力更加容易。例如,侧裙240可以设有多个离散且均匀的窗口,形如栅状结构,更利于振膜应力消散。侧裙240可以通过湿法腐蚀或干法腐蚀形成。
图1中MEMS麦克风俯视图为圆形,在其他实施例中也可以为方形、六边形、八边形等。
上述MEMS麦克风还包括背板300、振膜焊盘400和背板焊盘500,背板300跨设于基底100的传声开口120和基底100物理连接,振膜200、基底100和背板300形成容腔600,振膜焊盘400淀积在振膜200的膜边260上和振膜200形成电连接,背板焊盘500淀积在背板300上和背板300形成电连接,振膜200和背板300之间由于基底100上绝缘层140的存在而绝缘。背板300上设有多个均匀分布的声孔320,声音可以通过声孔320传导至振膜200。在本实施例中,背板300处于振膜200下方,在其他实施例中背板300还可以处于振膜200上方,即声音由基底100上方开口传导进来。
振膜焊盘400和背板焊盘500由金属构成,焊盘是为后续MEMS麦克风封装打线使用。容腔600实际上是由牺牲层经过释放而来的,在释放过程中,牺牲层被腐蚀掉,形成空腔600。
最后需要说明的是,基底100是表示一种提供支撑的支撑结构,并不一定表示基底100是一个单独的构件,基底100可以表示为多层结构,其多层结构可以是通过外延、淀积或键合等工艺形成。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风,其特征在于,包括基底和振膜,所述基底形成支撑结构并设有传声开口,所述振膜跨设于所述传声开口,所述振膜包括振动主体、侧裙和膜边,所述振动主体通过所述侧裙和所述膜边连接,所述膜边连接所述基底,所述侧裙和所述主体呈10度~80度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈10度~80度倾斜。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述侧裙和所述主体呈30度~60度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈30度~60度倾斜。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述侧裙和所述主体呈45度倾斜,所述侧裙和所述膜边呈45度倾斜。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述侧裙设有多个离散的开口。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述基底的材料包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述振膜为导电的柔韧性薄膜。
7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述柔韧性薄膜的材质包括Si、Ge、SiGe、SiC,或者Al、W、Ti,或者Al、W、Ti的氮化物中的一种。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述基底还设有绝缘层,所述膜边连接所述绝缘层。
9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述绝缘层为SiO2或Si3N4。
10.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,还包括背板、振膜焊盘和背板焊盘,所述背板跨设于所述基底的传声开口和所述基底物理连接,所述振膜、所述基底和所述背板形成容腔,所述振膜焊盘和所述振膜电连接,所述背板焊盘和所述背板电连接,所述振膜和所述背板之间绝缘。
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