CN110556323A - 一种循环槽体潜排系统 - Google Patents
一种循环槽体潜排系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110556323A CN110556323A CN201910887883.5A CN201910887883A CN110556323A CN 110556323 A CN110556323 A CN 110556323A CN 201910887883 A CN201910887883 A CN 201910887883A CN 110556323 A CN110556323 A CN 110556323A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- groove
- submerged
- main
- circulating
- pipeline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 claims abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明涉及链式湿法处理设备技术领域，具体公开了一种循环槽体潜排系统，包括硅片、主槽和副槽，所述主槽的两侧均设有溢流区，溢流区通过管道与副槽连通，主槽的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊，硅片的上表面附有保护液；所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽内的腐蚀液输送到主槽内的输送组件。该循环槽体潜排系统的硅片在传动辊的转动下水平移动进入主槽时，硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中，通过潜排管的排水口可以及时流向副槽，使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
Description
技术领域
本发明涉及链式湿法处理设备技术领域，具体是一种循环槽体潜排系统。
背景技术
在链式湿法处理设备中，往往会采用槽体容器盛装配比的化学药品对目标物体进行化学腐蚀处理，目前行业内采用的槽体容器基本为硅片运动方向前后两端溢流，或将容器在硅片运动方向分割成若干小槽进行多处溢流；并安装有分体式副槽，液体从主反应槽通过溢流区及管道流到副槽，然后通过泵浦再注入主槽，如此循环。
但是，常规的这种槽型结构具有一定缺陷：1.两侧溢流，往往槽面未溢流的侧边会存在死区，尤其是槽体中部区域；2.有些化学反应会产生水和其它反应物，由于传动辊的阻挡，传动辊与传动辊之间的区域会滞留水和反应物，从而导致生产过程中局部区域内化学药品被稀释或浓度不均匀现象，槽面越大、槽越长则表现得更为明显。若采用多腔室结构，虽然可以有限地加快局部区域换液速度，但是针对硅片单面腐蚀，容易造成硅片正面被误腐蚀，由于硅片需要多次进出有液槽体区域，硅片运行过程中的冲击力容易造成液面波动，导致腐蚀性液体翻到硅片正面，造成过刻不良。
为了解决链式槽体循环死区和局部腐蚀液浓度不均的难题，本发明提出了一种循环槽体潜排系统，在使用过程中既可以确保槽内液面的平稳性，又能有效解决槽体循环死区和局部腐蚀液浓度不均的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种循环槽体潜排系统，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种循环槽体潜排系统，包括硅片、主槽和副槽，所述主槽的两侧均设有溢流区，主槽上设有挡水板，溢流区通过管道与副槽连通，主槽的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊，硅片的上表面附有保护液，保护液为水；主槽内腐蚀液的液面高度被严格控制在与硅片下表面极度接近的位置，硅片的上表面被保护液覆盖可以避免被腐蚀性气体腐蚀，所以只腐蚀硅片的下表面；
所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽内的腐蚀液输送到主槽内的输送组件。
作为本发明进一步的方案：所述潜排组件包括潜排管和汇流管道，相邻两个传动辊之间设有潜排管,潜排管的入水口位于液面下方并接近液面，潜排管与汇流管道连通，汇流管道与副槽连通；硅片在传动辊转动下水平移动进入主槽时，硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中，接近液面的表层腐蚀液通过潜排管的排水口可以及时流向副槽，使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
作为本发明进一步的方案：所述潜排管的排水口位于主槽内腐蚀液的液面下侧，并接近液面。
作为本发明进一步的方案：所述输送组件包括水泵和进液管；
所述水泵的进口通过管道与副槽连通，水泵的出口通过管道与进液管连通；在运行过程中，通过水泵抽取副槽内的腐蚀液并输送至进液管，经进液管输送到主槽内，一部分腐蚀液溢流到溢流区内，再经管道回到副槽内，还有一部分腐蚀液通过潜排管的排水口流回副槽内，如此循环。
作为本发明进一步的方案：所述进液管设置在主槽的底部。
作为本发明进一步的方案：所述溢流区设置在硅片运动方向上的主槽的前后两端。
作为本发明进一步的方案：所述主槽与副槽之间的循环管道上设有控制通量的阀门；可以分别调节多条槽底进液管的流量分布。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.该循环槽体潜排系统的硅片在传动辊的转动下水平移动进入主槽时，硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中，通过潜排管的排水口可以及时流向副槽，使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
2.该循环槽体潜排系统在硅片的上表面附有保护液，使得硅片的上表面可以避免被腐蚀性气体腐蚀。
3.该循环槽体潜排系统通过水泵抽取副槽内的腐蚀液并输送至进液管，经进液管输送到主槽内，一部分腐蚀液溢流到溢流区内，再经管道回到副槽内，还有一部分腐蚀液通过潜排管的排水口流回副槽内，实现循环。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1为本发明实施例的示意图。
图中：1-硅片，2-潜排管，3-主槽，4-进液管，5-挡水板，6-溢流区，7-水泵，8-副槽，9-保护液，10-传动辊。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
请参阅图1，本发明实施例中，一种循环槽体潜排系统，包括硅片1、主槽3和副槽8，所述主槽3的两侧均设有溢流区6，主槽3上设有挡水板5，溢流区6通过管道与副槽8连通，主槽3的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊10，硅片1的上表面附有保护液9；主槽3内腐蚀液的液面高度被严格控制在与硅片1下表面极度接近的位置，硅片1的上表面被保护液9覆盖可以避免被腐蚀性气体腐蚀，所以只腐蚀硅片1的下表面；
所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽8内的腐蚀液输送到主槽3内的输送组件。
进一步的，所述潜排组件包括潜排管2和汇流管道，相邻两个传动辊10之间设有潜排管2，潜排管2的排水口位于主槽3内腐蚀液的液面下侧，潜排管2与汇流管道连通，汇流管道与副槽8连通；硅片1在传动辊10转动下水平移动进入主槽3时，硅片1的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊10与传动辊10之间的腐蚀液中，通过潜排管2的排水口可以及时流向副槽8，使得主槽3区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
进一步的，所述输送组件包括水泵7和进液管4；
所述进液管4设置在主槽3的底部，水泵7的进口通过管道与副槽8连通，水泵7的出口通过管道与进液管4连通；在运行过程中，通过水泵7抽取副槽8内的腐蚀液并输送至进液管4，经进液管4输送到主槽3内，一部分腐蚀液溢流到溢流区6内，再经管道回到副槽8内，还有一部分腐蚀液通过潜排管2的排水口流回副槽8内，如此循环。
具体的，所述溢流区6设置在硅片1运动方向上的主槽3的前后两端。
优选的，所述保护液9为水。
本发明实施例的工作原理是：硅片1在传动辊10的转动下水平移动进入主槽3时，硅片1的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊10与传动辊10之间的腐蚀液中，通过潜排管2的排水口可以及时流向副槽8，使得主槽3区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证；由于硅片1的上表面被保护液9覆盖，使得硅片1的上表面可以避免被腐蚀性气体腐蚀；在运行过程中，通过水泵7抽取副槽8内的腐蚀液并输送至进液管4，经进液管4输送到主槽3内，一部分腐蚀液溢流到溢流区6内，再经管道回到副槽8内，还有一部分腐蚀液通过潜排管2的排水口流回副槽8内，实现循环。
实施例2
请参阅图1，本发明实施例中，一种可拆卸式洗牙器，与实施例1不同的是，所述主槽3与副槽8之间的循环管道上设有控制通量的阀门（图中未示出）；可以分别调节多条槽底进液管4的流量分布。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种循环槽体潜排系统，包括硅片（1）、主槽（3）和副槽（8），其特征在于：
所述主槽（3）的两侧均设有溢流区（6），主槽（3）上设有挡水板（5），溢流区（6）通过管道与副槽（8）连通，主槽（3）的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊（10），硅片（1）的上表面附有保护液（9），保护液（9）为水；
所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽（8）内的腐蚀液输送到主槽（3）内的输送组件。
2.根据权利要求1所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述潜排组件包括潜排管（2）和汇流管道，相邻两个传动辊（10）之间设有潜排管（2），潜排管（2）与汇流管道连通，汇流管道与副槽（8）连通。
3.根据权利要求2所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述潜排管（2）的排水口位于主槽（3）内腐蚀液的液面下侧。
4.根据权利要求3所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述输送组件包括水泵（7）和进液管（4）；
所述水泵（7）的进口通过管道与副槽（8）连通，水泵（7）的出口通过管道与进液管（4）连通。
5.根据权利要求4所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述进液管（4）设置在主槽（3）的底部。
6.根据权利要求1-5任一所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述溢流区（6）设置在硅片（1）运动方向上的主槽（3）的前后两端。
7.根据权利要求1所述的循环槽体潜排系统，其特征在于：
所述主槽（3）与副槽（8）之间的循环管道上设有控制通量的阀门。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910887883.5A CN110556323B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种循环槽体潜排系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910887883.5A CN110556323B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种循环槽体潜排系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110556323A true CN110556323A (zh) | 2019-12-10 |
| CN110556323B CN110556323B (zh) | 2024-08-16 |
Family
ID=68740781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910887883.5A Active CN110556323B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种循环槽体潜排系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110556323B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100042232A (ko) * | 2008-10-15 | 2010-04-23 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| CN102800581A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 太阳能电池片柔性刻蚀清洗设备和方法 |
| CN203448356U (zh) * | 2013-08-22 | 2014-02-26 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅片清洗装置 |
| JP2014146753A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板製造装置及びこれを用いた太陽電池用基板の製造方法 |
| CN207425804U (zh) * | 2017-09-08 | 2018-05-29 | 安徽越众光伏科技有限公司 | 一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统 |
| CN210182344U (zh) * | 2019-09-19 | 2020-03-24 | 上海釜川自动化设备有限公司 | 一种循环槽体潜排系统 |
-
2019
- 2019-09-19 CN CN201910887883.5A patent/CN110556323B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100042232A (ko) * | 2008-10-15 | 2010-04-23 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| CN102800581A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 太阳能电池片柔性刻蚀清洗设备和方法 |
| JP2014146753A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板製造装置及びこれを用いた太陽電池用基板の製造方法 |
| CN203448356U (zh) * | 2013-08-22 | 2014-02-26 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅片清洗装置 |
| CN207425804U (zh) * | 2017-09-08 | 2018-05-29 | 安徽越众光伏科技有限公司 | 一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统 |
| CN210182344U (zh) * | 2019-09-19 | 2020-03-24 | 上海釜川自动化设备有限公司 | 一种循环槽体潜排系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110556323B (zh) | 2024-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100274128B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| CN210182344U (zh) | 一种循环槽体潜排系统 | |
| CN100482865C (zh) | 异物去除机构、液流处理装置以及异物去除方法 | |
| CN209487474U (zh) | 晶圆清洗机台 | |
| CN110556323A (zh) | 一种循环槽体潜排系统 | |
| CN210916269U (zh) | 一种酸洗机组 | |
| CN101781770A (zh) | 一种溶液平行双向旋转流动的电解或电积方法及装置 | |
| CN215611447U (zh) | 硅片湿化学反应装置及其主槽 | |
| CN109112597B (zh) | 改造氧化线回收氧化液和保护单镍盐着色槽的配置与方法 | |
| CN101635322B (zh) | 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的方法及装置 | |
| CN209953345U (zh) | 一种循环槽体结构 | |
| CN113058921B (zh) | 一种清洗设备和清洗方法 | |
| CN109701936A (zh) | 一种循环槽体结构 | |
| CN212893983U (zh) | 新型工业循环水水池 | |
| CN209584379U (zh) | 一种电缆导体酸洗机的循环清水池 | |
| CN217035659U (zh) | Hjt制绒槽反应装置 | |
| CN213337009U (zh) | 单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置 | |
| CN220818710U (zh) | 一种闭式冷却塔冷却水循环系统 | |
| CN205062183U (zh) | 一种温控腐蚀设备 | |
| JPH05166793A (ja) | 浸漬型基板処理装置 | |
| CN111634967A (zh) | 一种循环水加药装置及方法 | |
| CN217809661U (zh) | 槽体、循环装置及循环系统 | |
| CN208857006U (zh) | 一种石油废水微生物实验室处理装置 | |
| CN218295761U (zh) | 一种捞渣机船体的渣水处理系统 | |
| CN217699598U (zh) | 一种浮选泡沫消除装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 209, Zhangjing East Section, Xigang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214194 Applicant after: Wuxi Fuchuan Technology Co.,Ltd. Address before: 201808 Building 1, 89 Wuxiang Road, Xuxing Town, Jiading District, Shanghai Applicant before: Shanghai Fuchuan Intelligent Technology Co.,Ltd. Address after: 201808 Building 1, 89 Wuxiang Road, Xuxing Town, Jiading District, Shanghai Applicant after: Shanghai Fuchuan Intelligent Technology Co.,Ltd. Address before: 201800 Room J1078, Floor 2, Building 39, No. 52, Chengliu Road, Jiading District, Shanghai Applicant before: SHANGHAI FUCHUAN AUTOMATION EQUIPMENT Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |