CN110556306B - 缺陷检测方法和装置 - Google Patents

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CN110556306B CN201910841915.8A CN201910841915A CN110556306B CN 110556306 B CN110556306 B CN 110556306B CN 201910841915 A CN201910841915 A CN 201910841915A CN 110556306 B CN110556306 B CN 110556306B
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Abstract

本发明提供了一种缺陷检测方法和装置，该方法包括：获取待检测区域内的可疑缺陷点；在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；对所述检测窗口实施电子束检测。本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少数量的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。

Description

缺陷检测方法和装置
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种缺陷检测方法和装置。
背景技术
大规模集成电路制造技术，通过蚀刻等技术在单晶硅晶圆表面制造电路结构，但是随着芯片制程不断缩小，芯片制造过程中的缺陷点检测愈加不易，同时电路结构更加密集，缺陷点对与晶圆生产良率的影响越来越大。
电子束检测工具(Electron beam inspection tool)，通过聚焦电子束到被检测体(本专利中指晶圆)表面，并收集电子束与被检测体碰撞后产生的二次电子(secondaryelectron)和背散射电子(backscattered electron)，将电信号转换成图像信号，得到被检测体表面微观图像，图像被用来分析是否存在缺陷以及缺陷的类型。其特点是分辨率高，检测效率慢。电子束检测工具单次检测窗口面积较小，其大小由设备视场(field of view,FOV)决定，通常为一个正方形区域，边长在0.1微米至100微米不等。晶圆被固定在设备平台上，通过移动平台位置，改变检测窗口与晶圆间的相对位置以检测晶圆表面的不同位置。对于给定晶圆表面可疑缺陷点坐标，需要保证所有可疑缺陷点被若干个检测窗口区域所覆盖。
获得晶圆表面可疑缺陷位置的若干种方法。(1)关键尺寸(critical dimension)法，对于晶圆表面电路结构中关键尺寸低于特定值的部位设为可疑缺陷位置。(2)根据先前的光学设备检测结果获得可疑缺陷位置坐标。(3)根据黄光规则检查(lithographic rulecheck)或者设计规则检查(design rule check)的结果获得可疑缺陷位置坐标。
现有技术在检测可疑缺陷点时，需要采用平铺的方式设置检测窗口才能保证所有可疑缺陷点都能检测到。在检测时每个检测窗口都需要时间、且窗口之间移动也需要时间，因此，检测窗口越多耗费的时间越长。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种缺陷检测方法和装置，以解决现有技术中检测可疑缺陷点耗费时间比较长的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种缺陷检测方法，所述方法包括：
获取待检测区域内的可疑缺陷点；在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；对所述检测窗口实施电子束检测。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种缺陷检测装置，所述装置包括：获取单元，用于获取待检测区域内的可疑缺陷点；设置单元，用于在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；检测单元，用于对所述检测窗口实施电子束检测。
应用本发明的技术方案，本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少数量的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明实施例的缺陷检测方法的流程图；以及
图2示出了本发明实施例的检测窗口的示意图；
图3示出了本发明实施例的缺陷检测装置的示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
本发明实施例提供了一种缺陷检测方法，如图1所示，该缺陷检测方法包括如下步骤：
S102，获取待检测区域内的可疑缺陷点；
S104，在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；
S106，对所述检测窗口实施电子束检测。
如图2所示，201为在待检测区域内平铺设置的8个检测窗口，202为待检测区域内按本实施例的技术方案划分的检测窗口，检测窗口202与检测窗口201的尺寸相同。可见，本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。
需要说明的是，本实施例以6个检测窗口作为例子进行说明，在实际应用过程中并不限于6个，可根据实际晶圆尺寸确定检测窗口数量。
可选地，在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口包括：将所述待检测区域按照检测窗口的尺寸划分为网格，每个格子的尺寸与所述检测窗口的尺寸相同；遍历每个格子中的可疑缺陷点，并根据每个可疑缺陷点的坐标在所述待检测区域中设置至少一个所述检测窗口。
如图2所示，待检测区域为W×H的矩形区域，采用笛卡尔坐标系，从下至上为网格中的行编号，从左到右为网格中的列编号，因此，gp,q表示第p行q列的网格。
将待检测区域按网格划分，单个网格的大小与检测中选取检测窗口尺寸相同，表示为w×h。因此被检测区域被分成
Figure BDA0002193987730000031
行
Figure BDA0002193987730000032
列的网格区域，每一个网格恰好可被一个检测窗口所覆盖。
以图2为例，按上述编号方法，从左向右数第1列，从下往上数第1行对应的格子为初始格子，第2列第1行的格子为第一格子，第2行第1列的格子为第二格子。
遍历每个格子中的可疑缺陷点，并根据每个可疑缺陷点的坐标在所述待检测区域中设置至少一个所述检测窗口的具体方法为：
将初始格子作为所述当前格子，并重复执行以下步骤，直到所有格子都被遍历：
获取当前格子、第一格子和第二格子中所有可疑缺陷点的坐标，其中，所述第一格子与当前格子列向相邻，所述第二格子与当前格子行向相邻；其中，列向相邻的方向可以理解为以初始格子的边缘交点为坐标原点的X轴方向；行向相邻的方向可以理解为以初始格子的边缘交点为坐标原点的Y轴方向。
根据所述当前格子、所述第一格子和所述第二格子中可疑缺陷点的坐标添加所述检测窗口；
判断所述第一格子位于列向最边缘、以及所述第二格子是否位于行向最边缘；
若第一格子没有位于列向最边缘和/或第二格子没有位于行向最边缘，则更新所述当前格子；
若是，则结束。
可选地，根据所述当前格子、所述第一格子和所述第二格子中可疑缺陷点的坐标添加所述检测窗口包括：在所述当前格子的所有可疑缺陷点中查找X轴的最小坐标值
Figure BDA0002193987730000041
以及Y轴的最小坐标值
Figure BDA0002193987730000042
在所述第一格子中小于或者等于
Figure BDA0002193987730000043
范围内查找Y轴的最小坐标值
Figure BDA0002193987730000044
并且在第二格子中小于或者等于Ym+h范围内查找X轴的最小坐标值
Figure BDA0002193987730000045
其中，w为所述检测窗口的长度，h为所述检测窗口的宽度；将
Figure BDA0002193987730000046
和
Figure BDA0002193987730000047
的最小值Ym，以及
Figure BDA0002193987730000048
和
Figure BDA0002193987730000049
的最小值Xm作为参考坐标值；
根据所述参考坐标值添加所述检测窗口。可选地，根据所述参考坐标值添加所述检测窗口包括：将
Figure BDA00021939877300000410
作为中心点坐标，设置长度为w、宽度为h的检测窗口。
可选地，在根据所述参考坐标值添加所述检测窗口之后，所述方法还包括：删除所述检测窗口覆盖范围内的可疑缺陷点。
以下结合图2对本实施例进行说明。
如图2，待检测区域中共有26个可疑缺陷点，如果采用平铺的方式则需要8个检测窗口才能保证所有的可疑缺陷点都被检测到(方框201)，但是采用了本专利提出的方法这只需6个检测窗口就能保证所有的可疑缺陷点被检测到(方框202)。
下面介绍检测窗口位置确定的具体过程。
步骤1：获得晶圆待检测区域内的可疑缺陷点坐标。可疑缺陷点坐标表示为(xi,yi),i∈{1,2,…,n}。不是一般性的，待检测区域为W×H的矩形区域。
步骤2：将待检测区域按网格划分，单个网格的大小与检测中选取的FOV尺寸相同，表示为w×h。因此被检测区域被分成
Figure BDA00021939877300000411
行
Figure BDA00021939877300000412
列的网格区域，每一个网格恰好可被一个检测窗口所覆盖。采用正常的笛卡尔坐标系，从下至上为网格中的行编号，从左到右为网格中的列编号，因此，gp,q表示第p行q列的网格。
步骤3：确定各个网格中所包含的可疑缺陷点集合gp,q,
Figure BDA00021939877300000413
设p＝1,q＝1。
步骤4：设gp,q中可疑缺陷点X轴坐标最小的值为
Figure BDA00021939877300000414
Y轴坐标最小的值为
Figure BDA00021939877300000415
步骤5：设gp,q+1中X轴坐标小于等于
Figure BDA0002193987730000051
的可疑缺陷点中Y轴坐标最小的值为
Figure BDA0002193987730000052
因此
Figure BDA0002193987730000053
步骤6：设gp+1,q中Y坐标小于等于Ym+h的可疑缺陷点中X坐标最小的值为
Figure BDA0002193987730000054
因此
Figure BDA0002193987730000055
步骤7：添加一个检测窗口，其中心点坐标为
Figure BDA0002193987730000056
如果
Figure BDA0002193987730000057
那么q＝q+1，回到步骤4；如果
Figure BDA0002193987730000058
且
Figure BDA0002193987730000059
则p＝p+1,q＝1，回到步骤4；否则，到步骤9。
步骤8：从gp,q，gp+1,q，gp,q+1，gp+1,q+1中删除已经被检测窗口区域覆盖的可疑缺陷点。删除已经被检测窗口覆盖的可疑缺陷点，使得下一个窗口不会重复覆盖已经被在先窗口覆盖的可疑缺陷点。
步骤9：结束。
本发明实施例还提供一种缺陷检测装置。如图3所示，该装置包括：获取单元10，用于获取待检测区域内的可疑缺陷点；设置单元20，用于在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；检测单元30，用于对所述检测窗口实施电子束检测。
本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且6个检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。
可选地，所述设置单元包括：划分子单元，用于将所述待检测区域按照检测窗口的尺寸划分为网格，每个格子的尺寸与所述检测窗口的尺寸相同；遍历子单元，用于遍历每个格子中的可疑缺陷点，并根据每个可疑缺陷点的坐标在所述待检测区域中设置至少一个所述检测窗口。
可选地，所述遍历子单元执行以下步骤：将初始格子作为所述当前格子，并重复执行以下步骤，直到所有格子都被遍历：获取当前格子、第一格子和第二格子中所有可疑缺陷点的坐标，其中，所述第一格子与当前格子列向相邻，所述第二格子与当前格子行向相邻；根据所述当前格子、所述第一格子和所述第二格子中可疑缺陷点的坐标添加所述检测窗口；判断所述第一格子位于列向最边缘、以及所述第二格子是否位于行向最边缘；若第一格子没有位于列向最边缘和/或第二格子没有位于行向最边缘，则更新所述当前格子；若是，则结束。
可选地，所述遍历子单元包括：第一查找模块，用于在所述当前格子的所有可疑缺陷点中查找X轴的最小坐标值
Figure BDA00021939877300000510
以及Y轴的最小坐标值
Figure BDA00021939877300000511
第二查找模块，用于在所述第一格子中小于或者等于
Figure BDA00021939877300000512
范围内查找Y轴的最小坐标值
Figure BDA00021939877300000513
并且在第二格子中小于或者等于Ym+h范围内查找X轴的最小坐标值
Figure BDA00021939877300000514
其中，w为所述检测窗口的长度，h为所述检测窗口的宽度；参考模块，用于将
Figure BDA00021939877300000515
和
Figure BDA00021939877300000516
的最小值Ym，以及
Figure BDA00021939877300000517
和
Figure BDA00021939877300000518
的最小值Xm作为参考坐标值；添加模块，用于根据所述参考坐标值添加所述检测窗口。
该缺陷检测装置所执行的方法与上述缺陷检测方法相同，此处不再赘述。
除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
获取待检测区域内的可疑缺陷点；
在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少，一个窗口不会覆盖已经被另外一个窗口覆盖的可疑缺陷点；
对所述检测窗口实施电子束检测；
在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口包括：
将所述待检测区域按照检测窗口的尺寸划分为网格，每个格子的尺寸与所述检测窗口的尺寸相同；
遍历每个格子中的可疑缺陷点，并根据每个可疑缺陷点的坐标在所述待检测区域中设置至少一个所述检测窗口包括：
将初始格子作为当前格子，并重复执行以下步骤，直到所有格子都被遍历：
获取当前格子、第一格子和第二格子中所有可疑缺陷点的坐标，其中，所述第一格子与当前格子列向相邻，所述第二格子与当前格子行向相邻；
根据所述当前格子、所述第一格子和所述第二格子中可疑缺陷点的坐标添加所述检测窗口，包括：
在所述当前格子的所有可疑缺陷点中查找X轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000011
以及Y轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000012
在所述第一格子中小于或者等于
Figure FDA0003862250310000013
范围内查找Y轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000014
并且在第二格子中小于或者等于Ym+h范围内查找X轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000015
其中，w为所述检测窗口的长度，h为所述检测窗口的宽度；
将
Figure FDA0003862250310000016
和
Figure FDA0003862250310000017
的最小值Ym，以及
Figure FDA0003862250310000018
和
Figure FDA0003862250310000019
的最小值Xm作为参考坐标值；
根据所述参考坐标值添加所述检测窗口，包括将
Figure FDA00038622503100000110
作为中心点坐标，设置长度为w、宽度为h的检测窗口；
判断所述第一格子位于列向最边缘、以及所述第二格子是否位于行向最边缘；
若第一格子没有位于列向最边缘和/或第二格子没有位于行向最边缘，则更新所述当前格子；
若是，则结束。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述参考坐标值添加所述检测窗口之后，所述方法还包括：
删除所述检测窗口覆盖范围内的可疑缺陷点。
3.一种缺陷检测装置，其特征在于，所述装置包括：
获取单元，用于获取待检测区域内的可疑缺陷点；
设置单元，用于在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少，一个窗口不会覆盖已经被另外一个窗口覆盖的可疑缺陷点；
检测单元，用于对所述检测窗口实施电子束检测；所述设置单元包括：
划分子单元，用于将所述待检测区域按照检测窗口的尺寸划分为网格，每个格子的尺寸与所述检测窗口的尺寸相同；
遍历子单元，用于遍历每个格子中的可疑缺陷点，并根据每个可疑缺陷点的坐标在所述待检测区域中设置至少一个所述检测窗口；
所述遍历子单元执行以下步骤：
将初始格子作为当前格子，并重复执行以下步骤，直到所有格子都被遍历：
获取当前格子、第一格子和第二格子中所有可疑缺陷点的坐标，其中，所述第一格子与当前格子列向相邻，所述第二格子与当前格子行向相邻；
根据所述当前格子、所述第一格子和所述第二格子中可疑缺陷点的坐标添加所述检测窗口；
判断所述第一格子位于列向最边缘、以及所述第二格子是否位于行向最边缘；
若第一格子没有位于列向最边缘和/或第二格子没有位于行向最边缘，则更新所述当前格子；
若是，则结束；
所述遍历子单元包括：
第一查找模块，用于在所述当前格子的所有可疑缺陷点中查找X轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000021
以及Y轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000022
第二查找模块，用于在所述第一格子中小于或者等于
Figure FDA0003862250310000023
范围内查找Y轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000024
并且在第二格子中小于或者等于Ym+h范围内查找X轴的最小坐标值
Figure FDA0003862250310000025
其中，w为所述检测窗口的长度，h为所述检测窗口的宽度；
参考模块，用于将
Figure FDA0003862250310000026
和
Figure FDA0003862250310000027
的最小值Ym，以及
Figure FDA0003862250310000028
和
Figure FDA0003862250310000029
的最小值Xm作为参考坐标值；
添加模块，用于根据所述参考坐标值添加所述检测窗口。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109302746A (zh) * 2017-11-17 2019-02-01 华为技术有限公司 检测窗指示方法及装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006085789A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ディスクの欠陥登録の方法及び磁気ディスク装置
CN103383745B (zh) * 2013-06-28 2016-08-10 中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所 一种焊点质量检测系统检测窗优化布局的方法
CN103646898B (zh) * 2013-11-29 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 电子束检测晶圆缺陷的方法
EP3415865A1 (en) * 2017-06-12 2018-12-19 TOMRA Sorting NV Detector calibration
US20190087644A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 Ncku Research And Development Foundation Adaptive system and method for object detection

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109302746A (zh) * 2017-11-17 2019-02-01 华为技术有限公司 检测窗指示方法及装置

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