CN110556302A - 一种电子碳化硅芯片的制备方法 - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 66
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 5
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011335 coal coke Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002006 petroleum coke Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009628 steelmaking Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
本发明属于碳化硅芯片加工领域，尤其是一种电子碳化硅芯片的制备方法，针对现有的不便于对环氧树脂的浇筑量进行精准控制的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑，在电脑上建模，根据碳化硅芯片的尺寸确定模具的尺寸；S2：在电脑上建立模具模型，将碳化硅电路板模拟放入模具模型中，对碳化硅电路板进行定位；S3：模拟向模具模型中浇筑环氧树脂，对浇筑的量的数据进行记录；S4：将碳化硅电路板放入实际的模具中，根据S3中所述的浇筑的量向模具中浇筑环氧树脂成型，本发明能够对环氧树脂的浇筑量进行精准控制，保证了加工的精度，同时可以防止环氧树脂凝结。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅芯片加工技术领域，尤其涉及一种电子碳化硅芯片的制备方法。
背景技术
金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好，低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量，此外，碳化硅还大量用于制作电子芯片。
经检索，申请号为201710973211.7的专利文件公开了一种电子碳化硅芯片,包括如下步骤：首先在充满流体状态的塑胶空格中，将碳化硅电路板放入具有型腔的模具中，通过型腔内中的定位柱将电路板固定在注塑模具上；将引线放置在引线槽内，在引线上设置压片，压片内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；再次用环氧树脂将碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座进行封装；打开模具，将一体成型的电子芯片取出。该专利对于芯片封装的操作方便、芯片受力均匀均具有较好的效果。
但是上述的专利文件不便于对环氧树脂的浇筑量进行精准控制，因此我们提出了一种电子碳化硅芯片的制备方法，用来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在不便于对环氧树脂的浇筑量进行精准控制的缺点，而提出的一种电子碳化硅芯片的制备方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种电子碳化硅芯片的制备方法，包括以下步骤：
S1：将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑，在电脑上建模，根据碳化硅芯片的尺寸确定模具的尺寸；
S2：在电脑上建立模具模型，将碳化硅电路板模拟放入模具模型中，对碳化硅电路板进行定位；
S3：模拟向模具模型中浇筑环氧树脂，对浇筑的量的数据进行记录；
S4：将碳化硅电路板放入实际的模具中，根据S3中所述的浇筑的量向模具中浇筑环氧树脂成型，安装底座进行封装；
S5：打开模具，将一体成型的电子芯片取出，即可制得电子碳化硅芯片。
优选的，所述S2中，将碳化硅电路板放入模具模型中时，对碳化硅电路板的位置进行调整，调整完成后在模具的模腔内标注四个定位点。
优选的，将四个定位点在模具中的位置数据进行记录，并在实际的模具中布置四个定位柱，通过四个定位柱对碳化硅电路板进行定位。
优选的，所述S3中，环氧树脂放置在浇筑箱内，浇筑箱的底部设有浇筑口，浇筑口由电磁阀控制开闭。
优选的，所述浇筑箱的下方设有暂存箱，浇筑口与暂存箱连通，电磁阀由控制器控制，浇筑箱的底部设有出料口。
优选的，所述暂存箱上设有电子计量表，电子计量表与控制器电性连接，通过控制器开启电磁阀，使环氧树脂由浇筑口进入到暂存箱内，通过电子计量表对环氧树脂的量进行监测，当环氧树脂的量达到预设值时，控制器控制电磁阀关闭，从暂存箱底部的出料口将浇筑箱内的环氧树脂注入到模具内。
优选的，所述暂存箱和浇筑箱内均设有环形刮板，环形刮板由电机驱动，通过环形刮板的转动使粘在暂存箱和浇筑箱内壁上的环氧树脂被刮下。
优选的，所述浇筑箱上设有加热器和搅拌装置，加热器对环氧树脂进行加热，搅拌装置对环氧树脂进行搅拌，防止环氧树脂凝结。
优选的，所述S5中，将打开模具，将一体成型的电子芯片取出，将电子芯片放置在冷却台上进行冷却。
优选的，所述冷却台上设有冷却风扇，冷却风扇对电子芯片进行吹风，加快冷却速度。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
（1）本方案通过电子计量表对环氧树脂的量进行监测，当环氧树脂的量达到预设值时，控制器控制电磁阀关闭，从暂存箱底部的出料口将浇筑箱内的环氧树脂注入到模具内，从而可以对浇筑量进行精准控制；
（2）本方案通过加热器对环氧树脂进行加热，搅拌装置对环氧树脂进行搅拌，防止环氧树脂凝结；
（3）本方案通过冷却风扇对电子芯片进行吹风，加快冷却速度；
（4）本发明能够对环氧树脂的浇筑量进行精准控制，保证了加工的精度，同时可以防止环氧树脂凝结。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
一种电子碳化硅芯片的制备方法，包括以下步骤：
S1：将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑，在电脑上建模，根据碳化硅芯片的尺寸确定模具的尺寸；
S2：在电脑上建立模具模型，将碳化硅电路板模拟放入模具模型中，对碳化硅电路板进行定位，将碳化硅电路板放入模具模型中时，对碳化硅电路板的位置进行调整，调整完成后在模具的模腔内标注四个定位点，将四个定位点在模具中的位置数据进行记录，并在实际的模具中布置四个定位柱，通过四个定位柱对碳化硅电路板进行定位；
S3：模拟向模具模型中浇筑环氧树脂，对浇筑的量的数据进行记录，环氧树脂放置在浇筑箱内，浇筑箱的底部设有浇筑口，浇筑口由电磁阀控制开闭，浇筑箱的下方设有暂存箱，浇筑口与暂存箱连通，电磁阀由控制器控制，浇筑箱的底部设有出料口，暂存箱上设有电子计量表，电子计量表与控制器电性连接，通过控制器开启电磁阀，使环氧树脂由浇筑口进入到暂存箱内，通过电子计量表对环氧树脂的量进行监测，当环氧树脂的量达到预设值时，控制器控制电磁阀关闭，从暂存箱底部的出料口将浇筑箱内的环氧树脂注入到模具内，暂存箱和浇筑箱内均设有环形刮板，环形刮板由电机驱动，通过环形刮板的转动使粘在暂存箱和浇筑箱内壁上的环氧树脂被刮下，浇筑箱上设有加热器和搅拌装置，加热器对环氧树脂进行加热，搅拌装置对环氧树脂进行搅拌，防止环氧树脂凝结；
S4：将碳化硅电路板放入实际的模具中，根据S3中的浇筑的量向模具中浇筑环氧树脂成型，安装底座进行封装；
S5：将打开模具，将一体成型的电子芯片取出，将电子芯片放置在冷却台上进行冷却，冷却台上设有冷却风扇，冷却风扇对电子芯片进行吹风，加快冷却速度，即可制得电子碳化硅芯片，通过电子计量表对环氧树脂的量进行监测，当环氧树脂的量达到预设值时，控制器控制电磁阀关闭，从暂存箱底部的出料口将浇筑箱内的环氧树脂注入到模具内，从而可以对浇筑量进行精准控制，通过加热器对环氧树脂进行加热，搅拌装置对环氧树脂进行搅拌，防止环氧树脂凝结，通过冷却风扇对电子芯片进行吹风，加快冷却速度，本发明能够对环氧树脂的浇筑量进行精准控制，保证了加工的精度，同时可以防止环氧树脂凝结。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电子碳化硅芯片的制备方法，包括以下步骤：
S1：将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑，在电脑上建模，根据碳化硅芯片的尺寸确定模具的尺寸；
S2：在电脑上建立模具模型，将碳化硅电路板模拟放入模具模型中，对碳化硅电路板进行定位；
S3：模拟向模具模型中浇筑环氧树脂，对浇筑的量的数据进行记录；
S4：将碳化硅电路板放入实际的模具中，根据S3中所述的浇筑的量向模具中浇筑环氧树脂成型，安装底座进行封装；
S5：打开模具，将一体成型的电子芯片取出，即可制得电子碳化硅芯片。
2.根据权利要求1所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述S2中，将碳化硅电路板放入模具模型中时，对碳化硅电路板的位置进行调整，调整完成后在模具的模腔内标注四个定位点。
3.根据权利要求2所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，将四个定位点在模具中的位置数据进行记录，并在实际的模具中布置四个定位柱，通过四个定位柱对碳化硅电路板进行定位。
4.根据权利要求1所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述S3中，环氧树脂放置在浇筑箱内，浇筑箱的底部设有浇筑口，浇筑口由电磁阀控制开闭。
5.根据权利要求4所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述浇筑箱的下方设有暂存箱，浇筑口与暂存箱连通，电磁阀由控制器控制，浇筑箱的底部设有出料口。
6.根据权利要求5所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述暂存箱上设有电子计量表，电子计量表与控制器电性连接，通过控制器开启电磁阀，使环氧树脂由浇筑口进入到暂存箱内，通过电子计量表对环氧树脂的量进行监测，当环氧树脂的量达到预设值时，控制器控制电磁阀关闭，从暂存箱底部的出料口将浇筑箱内的环氧树脂注入到模具内。
7.根据权利要求5所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述暂存箱和浇筑箱内均设有环形刮板，环形刮板由电机驱动，通过环形刮板的转动使粘在暂存箱和浇筑箱内壁上的环氧树脂被刮下。
8.根据权利要求4所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述浇筑箱上设有加热器和搅拌装置，加热器对环氧树脂进行加热，搅拌装置对环氧树脂进行搅拌，防止环氧树脂凝结。
9.根据权利要求1所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述S5中，将打开模具，将一体成型的电子芯片取出，将电子芯片放置在冷却台上进行冷却。
10.根据权利要求9所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法，其特征在于，所述冷却台上设有冷却风扇，冷却风扇对电子芯片进行吹风，加快冷却速度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910801891.3A CN110556302A (zh) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 一种电子碳化硅芯片的制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910801891.3A CN110556302A (zh) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 一种电子碳化硅芯片的制备方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110556302A true CN110556302A (zh) | 2019-12-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910801891.3A Pending CN110556302A (zh) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 一种电子碳化硅芯片的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20191210 |