CN106513615B - 一种应用于低温铸造系统的温度检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，包括铸造系统及测温电路，测温电路设置在铸造系统内，测温电路内设置有测温模块、放大电路及压频转换电路,测温模块设置在铸造系统内，且测温模块与放大电路相连接，放大电路连接压频转换电路；压频转换电路内设置有集成芯片IC2、施密特触发器IC3、电阻R6、电容C4、电阻R7、电容C2、电容C3、电阻R8、电阻R9及电位器W2；利用测温模块、放大电路及压频转换电路构建的测温电路进行铸造系统的铸造温度测量，并将测量值转换为电信号并发送至铸造系统所设置的控制电路内进行与预制的数据进行比较，进行新的控制策略设定，整个电路的设定能够有效的提高铸件质量。

Description

一种应用于低温铸造系统的温度检测电路

技术领域

本发明涉及铸造工艺技术等领域，具体的说，是一种应用于低温铸造系统的温度检测电路。

背景技术

铸造－熔炼金属，制造铸型，并将熔融金属浇入铸型，凝固后获得具有一定形状、尺寸和性能金属零件毛坯的成型方法。

铸造是将金属熔炼成符合一定要求的液体并浇进铸型里，经冷却凝固、清整处理后得到有预定形状、尺寸和性能的铸件的工艺过程。铸造毛坯因近乎成形，而达到免机械加工或少量加工的目的降低了成本并在一定程度上减少了制作时间.铸造是现代装置制造工业的基础工艺之一。

铸造是人类掌握比较早的一种金属热加工工艺，已有约6000年的历史。中国约在公元前1700～前1000年之间已进入青铜铸件的全盛期，工艺上已达到相当高的水平。铸造是指将固态金属熔化为液态倒入特定形状的铸型，待其凝固成形的加工方式。被铸金属有：铜、铁、铝、锡、铅等，普通铸型的材料是原砂、黏土、水玻璃、树脂及其他辅助材料。特种铸造的铸型包括：熔模铸造、消失模铸造、金属型铸造、陶瓷型铸造等。(原砂包括：石英砂、镁砂、锆砂、铬铁矿砂、镁橄榄石砂、兰晶石砂、石墨砂、铁砂等)。

中国商朝的重875公斤的司母戊方鼎，战国时期的曾侯乙尊盘，西汉的透光镜，都是古代铸造的代表产品。早期的铸件大多是农业生产、宗教、生活等方面的工具或用具，艺术色彩浓厚。那时的铸造工艺是与制陶工艺并行发展的，受陶器的影响很大。

中国在公元前513年，铸出了世界上最早见于文字记载的铸铁件－晋国铸型鼎,重约270公斤。欧洲在公元八世纪前后也开始生产铸铁件。铸铁件的出现，扩大了铸件的应用范围。例如在15～17世纪，德、法等国先后敷设了不少向居民供饮用水的铸铁管道。18世纪的工业革命以后，蒸汽机、纺织机和铁路等工业兴起，铸件进入为大工业服务的新时期，铸造技术开始有了大的发展。

进入20世纪，铸造的发展速度很快，其重要因素之一是产品技术的进步，要求铸件各种机械物理性能更好，同时仍具有良好的机械加工性能；另一个原因是机械工业本身和其他工业如化工、仪表等的发展，给铸造业创造了有利的物质条件。如检测手段的发展，保证了铸件质量的提高和稳定，并给铸造理论的发展提供了条件；电子显微镜等的发明，帮助人们深入到金属的微观世界，探查金属结晶的奥秘，研究金属凝固的理论，指导铸造生产。

铸造分类：

主要有砂型铸造和特种铸造2大类。

1、普通砂型铸造，利用砂作为铸模材料，又称砂铸，翻砂，包括湿砂型、干砂型和化学硬化砂型3类，但并非所有砂均可用以铸造。好处是成本较低，因为铸模所使用的沙可重复使用；缺点是铸模制作耗时，铸模本身不能被重复使用，须破坏后才能取得成品。

1.1 砂型(芯)铸造方法：湿型砂型、树脂自硬砂型、水玻璃砂型、干型和表干型、实型铸造、负压造型。

1.2 砂芯制造方法：是根据砂芯尺寸、形状、生产批量及具体生产条件进行选择的。在生产中，从总体上可分为手工制芯和机器制芯。

2、特种铸造，按造型材料又可分为以天然矿产砂石为主要造型材料的特种铸造(如熔模铸造、泥型铸造、壳型铸造、负压铸造、实型铸造、陶瓷型铸造等)和以金属为主要铸型材料的特种铸造(如金属型铸造、压力铸造、连续铸造、低压铸造、离心铸造等)两类。

2.1 金属模铸造法

利用熔点较原料高的金属制作铸模。其中细分为重力铸造法、低压铸造法和高压铸造法。

受制于铸模的熔点，可被铸造的金属也有所限制。

2.2 脱蜡铸造法

这方法可以为外膜铸造法和固体铸造法。

先以蜡复制所需要铸造的物件，然后浸入含陶瓷(或硅溶胶)的池中并待干，使以蜡制的复制品覆上一层陶瓷外膜，一直重复步骤直到外膜足以支持铸造过程(约1/4寸到1/8寸)，然后熔解模中的蜡，并抽离铸模。其后铸模需要多次加以高温，增强硬度后方可用以铸造。

此方法具有良好的准确性，更可用作高熔点金属(如钛)的铸造。但由于陶瓷价格颇高，而且制作需要多次加热和复杂，故成本颇为昂贵。

成型工艺

1.重力浇铸：砂铸，硬模铸造。依靠金属自身重力将熔融金属液浇入型腔。

2.压力铸造：低压浇铸，高压铸造。依靠额外增加的压力将熔融金属液瞬间压入铸造型腔。

铸造工艺通常包括

①铸型(使液态金属成为固态铸件的容器)准备，铸型按所用材料可分为砂型、金属型、陶瓷型、泥型、石墨型等，按使用次数可分为一次性型、半永久型和永久型，铸型准备的优劣是影响铸件质量的主要因素；

②铸造金属的熔化与浇注，铸造金属(铸造合金)主要有各类铸铁、铸钢和铸造有色金属及合金；

③铸件处理和检验，铸件处理包括清除型芯和铸件表面异物、切除浇冒口、铲磨毛刺和披缝等凸出物以及热处理、整形、防锈处理和粗加工等。

铸造工艺可分为三个基本部分，即铸造金属准备、铸型准备和铸件处理。铸造金属是指铸造生产中用于浇注铸件的金属材料，它是以一种金属元素为主要成分，并加入其他金属或非金属元素而组成的合金，习惯上称为铸造合金，主要有铸铁、铸钢和铸造有色合金。

金属熔炼不仅仅是单纯的熔化，还包括冶炼过程，使浇进铸型的金属，在温度、化学成分和纯净度方面都符合预期要求。为此，在熔炼过程中要进行以控制质量为目的的各种检查测试，液态金属在达到各项规定指标后方能允许浇注。有时，为了达到更高要求，金属液在出炉后还要经炉外处理，如脱硫、真空脱气、炉外精炼、孕育或变质处理等。熔炼金属常用的设备有冲天炉、电弧炉、感应炉、电阻炉、反射炉等。

优点：1、可以生产形状复杂的零件，尤其是复杂内腔的毛坯；

2、适应性广，工业常用的金属材料均可铸造，几克到几百吨；

3、原材料来源广，价格低廉，如废钢、废件、切屑等；

4、铸件的形状尺寸与零件非常接近，减少了切削量，属于无切削加工；

5、应用广泛，农业机械中40％～70％、机床中70％～80％的重量都是铸件。

缺点：1、机械性能不如锻件，如组织粗大，缺陷多等；

2、砂型铸造中，单件、小批量生产，工人劳动强度大；

3、铸件质量不稳定，工序多，影响因素复杂，易产生许多缺陷。

铸造的缺陷对铸件质量有着重要的影响，因此，为选择铸造合金和铸造方法打好基础，应从铸件的质量入手，并结合铸件主要缺陷的形成与防治。

随着科技的进步与铸造业的蓬勃发展，不同的铸造方法有不同的铸型准备内容。以应用最广泛的砂型铸造为例，铸型准备包括造型材料准备和造型、造芯两大项工作。砂型铸造中用来造型、造芯的各种原材料，如铸造原砂、型砂粘结剂和其他辅料，以及由它们配制成的型砂、芯砂、涂料等统称为造型材料，造型材料准备的任务是按照铸件的要求、金属的性质，选择合适的原砂、粘结剂和辅料，然后按一定的比例把它们混合成具有一定性能的型砂和芯砂。常用的混砂设备有碾轮式混砂机、逆流式混砂机和连续式混砂机。后者是专为混合化学自硬砂设计的，连续混合，混砂速度快。

造型、造芯是根据铸造工艺要求，在确定好造型方法，准备好造型材料的基础上进行的。铸件的精度和全部生产过程的经济效果，主要取决于这道工序。在很多现代化的铸造车间里，造型、造芯都实现了机械化或自动化。常用的砂型造型造芯设备有高、中、低压造型机、气冲造型机、无箱射压造型机、冷芯盒制芯机和热芯盒制芯机、覆膜砂制芯机等。

铸件自浇注冷却的铸型中取出后，带有有浇口、冒口、金属毛刺、披缝，砂型铸造的铸件还粘附着砂子，因此必须经过清理工序。进行这种工作的设备有磨光机、抛丸机、浇冒口切割机等。砂型铸件落砂清理是劳动条件较差的一道工序，所以在选择造型方法时，应尽量考虑到为落砂清理创造方便条件。有些铸件因特殊要求，还要经铸件后处理，如热处理、整形、防锈处理、粗加工等。

铸造工艺可分为三个基本部分，即铸造金属准备、铸型准备和铸件处理。铸造金属是指铸造生产中用于浇注铸件的金属材料，它是以一种金属元素为主要成分，并加入其他金属或非金属元素而组成的合金，习惯上称为铸造合金，主要有铸铁、铸钢和铸造有色合金。

铸件自浇注冷却的铸型中取出后，有浇口、冒口及金属毛刺披缝，砂型铸造的铸件还粘附着砂子，因此必须经过清理工序。进行这种工作的设备有抛丸机、浇口冒口切割机等。砂型铸件落砂清理是劳动条件较差的一道工序，所以在选择造型方法时，应尽量考虑到为落砂清理创造方便条件。有些铸件因特殊要求，还要经铸件后处理，如热处理、整形、防锈处理、粗加工等。

铸造是比较经济的毛坯成形方法，对于形状复杂的零件更能显示出它的经济性。如汽车发动机的缸体和缸盖，船舶螺旋桨以及精致的艺术品等。有些难以切削的零件，如燃汽轮机的镍基合金零件不用铸造方法无法成形。

另外，铸造的零件尺寸和重量的适应范围很宽，金属种类几乎不受限制；零件在具有一般机械性能的同时，还具有耐磨、耐腐蚀、吸震等综合性能，是其他金属成形方法如锻、轧、焊、冲等所做不到的。因此在机器制造业中用铸造方法生产的毛坯零件，在数量和吨位上迄今仍是最多的。

铸造生产经常要用的材料有各种金属、焦炭、木材、塑料、气体和液体燃料、造型材料等。所需设备有冶炼金属用的各种炉子，有混砂用的各种混砂机，有造型造芯用的各种造型机、造芯机，有清理铸件用的落砂机、抛丸机等。还有供特种铸造用的机器和设备以及许多运输和物料处理的设备。

铸造生产有与其他工艺不同的特点，主要是适应性广、需用材料和设备多、污染环境。铸造生产会产生粉尘、有害气体和噪声对环境的污染，比起其他机械制造工艺来更为严重，需要采取措施进行控制。

铸造产品发展的趋势是要求铸件有更好的综合性能，更高的精度，更少的余量和更光洁的表面。此外，节能的要求和社会对恢复自然环境的呼声也越来越高。为适应这些要求，新的铸造合金将得到开发，冶炼新工艺和新设备将相应出现。

铸造生产的机械化自动化程度在不断提高的同时，将更多地向柔性生产方面发展，以扩大对不同批量和多品种生产的适应性。节约能源和原材料的新技术将会得到优先发展，少产生或不产生污染的新工艺新设备将首先受到重视。质量控制技术在各道工序的检测和无损探伤、应力测定方面，将有新的发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，利用测温模块、放大电路及压频转换电路构建的测温电路进行铸造系统的铸造温度测量，并将测量值转换为电信号并发送至铸造系统所设置的控制电路内进行与预制的数据进行比较，而后控制系统可以根据比较结果进行新的控制策略设定，以便从新进行铸造温度设定，整个电路的设定能够有效的提高铸件质量，为高效、安全的铸造生产提供保障。

本发明通过下述技术方案实现：一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，包括铸造系统及测温电路，所述测温电路设置在铸造系统内，在所述测温电路内设置有测温模块、放大电路及压频转换电路,所述测温模块设置在铸造系统内，且测温模块与放大电路相连接，放大电路连接压频转换电路；压频转换电路内设置有集成芯片IC2、施密特触发器IC3、电阻R6、电容C4、电阻R7、电容C2、电容C3、电阻R8、电阻R9及电位器W2，集成芯片IC2的7脚通过电阻R6与放大电路的输出端相连接，且集成芯片IC2的7脚通过电容C4接地；电阻R7分别与集成芯片IC2的8脚和5脚相连接，电容C2的第一端与集成芯片IC2的5脚相连接，电容C2的第二端通过电容C3与集成芯片IC2的1脚相连接，电容C2的第二端接地且通过电阻R8与集成芯片IC2的6脚相连接；所述集成芯片IC2的2脚通过电位器W2连接集成芯片IC2的4脚且接地，电位器W2的可调端与地相连接；集成芯片IC2的3脚通过施密特触发器IC3与铸造系统的控制电路相连接，且集成芯片IC2的3脚通过电阻R9与电源VCC相连接，电源VCC还分别与集成芯片IC2的8脚及测温模块相连接。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置结构：在所述放大电路内设置有电阻R5、集成运放IC1、电容C1及电阻R4，集成运放IC1的同相输入端和反相输入端皆与测温模块相连接，集成运放IC1的反相输入端通过电阻R4与集成运放IC1的输出端out相连接，集成运放IC1的同相输入端通过电阻R5接地，且输出端out通过电容C1接地，输出端out与电阻R6相连接。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置结构：在所述测温电路内设置有温度探测器、电阻R1、电阻R2、电阻R3、稳压管DZ及电位器W1，所述温度探测器的正极端分别与电阻R2的第二端及集成运放IC1的反相输入端相连接，温度探测器的负极端分别与电位器W1的第二固定端及稳压管DZ的第二端连接且接地，电位器W1的第一固定端通过电阻R3分别与电阻R1的第二端、电阻R2的第一端及稳压管DZ的第一端相连接，电阻R1的第一端与电源VCC相连接，电位器W1的可调端连接集成运放IC1的同相输入端。

进一步的为更好地实现本发明，特别采用下述设置结构：所述稳压管DZ的正极接地。

进一步的为更好地实现本发明，设置出采用低温连铸工艺进行产品铸造的低温铸造系统，采用浸入式射管结构将加热后的铸材注入到模具内进行成型，并且通过在加热装置的加热腔内设置温度探测器用于进行铸材加热温度的探测，并形成温度数据，而后通过设置在铸造系统内的控制电路进行处理控制，从而实现铸造系统的加热管理控制，使得加热装置能够在所需的范围内进行铸材的加热，从而有效的保障铸件成型质量，特别采用下述设置结构：在所述铸造系统内设置有加热装置、密闭装置、浸入式射管及模具，所述密闭装置设置在加热装置的进料口处，加热装置的出料口与浸入式射管的进口相连接，浸入式射管的出口与模具的注料口相连接；在所述温度探测器设置在加热装置的加热腔内部。

进一步的为更好地实现本发明，方便将高温熔化后的铸材浇铸到加热装置内进行保温加热，而后待冷却到所需低温浇铸温度后利用浸入式射管注入到模具内进行成型，特别采用下述设置结构：在所述密闭装置内设置有浇口盘和用于密闭浇口盘浇口的浇口塞，所述浇口盘遮盖设置在加热装置的进料口处，且在空间位置上至上而下密闭装置、加热装置、浸入式射管及模具依次设置。

进一步的为更好地实现本发明，能够实时的检测从浇口盘的浇口处注入的铸材温度和加热装置的加热腔出口处的铸材温度，使得所检测的温度能够被传输至控制系统内，利用控制电路预制的参数信息进行对比，而后进行加热装置的温度调节，从而达到有效保障铸件的质量，特别采用下述设置结构：所述温度探测器至少有两个，且分别设置在加热装置的加热腔与密闭装置连接处及加热装置的加热腔与浸入式射管的进口连接处。

进一步的为更好地实现本发明，能够方便将加热装置内的铸材注入到模具内进行成型，特别采用下述设置结构：所述浸入式射管为上大下小的漏斗状结构。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

本发明利用测温模块、放大电路及压频转换电路构建的测温电路进行铸造系统的铸造温度测量，并将测量值转换为电信号并发送至铸造系统所设置的控制电路内进行与预制的数据进行比较，而后控制系统可以根据比较结果进行新的控制策略设定，以便从新进行铸造温度设定，整个电路的设定能够有效的提高铸件质量，为高效、安全的铸造生产提供保障。

本发明设置出采用低温连铸工艺进行产品铸造的低温铸造系统，采用浸入式射管结构将加热后的铸材注入到模具内进行成型，并且通过在加热装置的加热腔内设置温度探测器用于进行铸材加热温度的探测，并形成温度数据，而后通过设置在铸造系统内的控制电路进行处理控制，从而实现铸造系统的加热管理控制，使得加热装置能够在所需的范围内进行铸材的加热，从而有效的保障铸件成型质量。

附图说明

图1为本发明所述测温电路图。

图2为本发明所述铸造系统结构图。

其中，1-温度探测器，2-浇口塞，3-浇口盘，4-加热装置，5-铸材，6-浸入式射管，7-模具。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

值得注意的是，在本发明的实际应用中，不可避免的会应用到软件程序，但申请人在此声明，该技术方案在具体实施时所应用的软件程序皆为现有技术，在本申请中，不涉及到软件程序的更改及保护，只是对为实现发明目的而设计的硬件架构的保护。

实施例1：

一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，利用测温模块、放大电路及压频转换电路构建的测温电路进行铸造系统的铸造温度测量，并将测量值转换为电信号并发送至铸造系统所设置的控制电路内进行与预制的数据进行比较，而后控制系统可以根据比较结果进行新的控制策略设定，以便从新进行铸造温度设定，整个电路的设定能够有效的提高铸件质量，为高效、安全的铸造生产提供保障，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：包括铸造系统及测温电路，所述测温电路设置在铸造系统内，在所述测温电路内设置有测温模块、放大电路及压频转换电路,所述测温模块设置在铸造系统内，且测温模块与放大电路相连接，放大电路连接压频转换电路；压频转换电路内设置有集成芯片IC2、施密特触发器IC3、电阻R6、电容C4、电阻R7、电容C2、电容C3、电阻R8、电阻R9及电位器W2，集成芯片IC2的7脚通过电阻R6与放大电路的输出端相连接，且集成芯片IC2的7脚通过电容C4接地；电阻R7分别与集成芯片IC2的8脚和5脚相连接，电容C2的第一端与集成芯片IC2的5脚相连接，电容C2的第二端通过电容C3与集成芯片IC2的1脚相连接，电容C2的第二端接地且通过电阻R8与集成芯片IC2的6脚相连接；所述集成芯片IC2的2脚通过电位器W2连接集成芯片IC2的4脚且接地，电位器W2的可调端与地相连接；集成芯片IC2的3脚通过施密特触发器IC3与铸造系统的控制电路相连接，且集成芯片IC2的3脚通过电阻R9与电源VCC相连接，电源VCC还分别与集成芯片IC2的8脚及测温模块相连接；优选的集成芯片IC2采用LM331。

实施例2：

本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：在所述放大电路内设置有电阻R5、集成运放IC1、电容C1及电阻R4，集成运放IC1的同相输入端和反相输入端皆与测温模块相连接，集成运放IC1的反相输入端通过电阻R4与集成运放IC1的输出端out相连接，集成运放IC1的同相输入端通过电阻R5接地，且输出端out通过电容C1接地，输出端out与电阻R6相连接；优选的集成运放IC1选用TL061。

实施例3：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，如图1所示，特别采用下述设置结构：在所述测温电路内设置有温度探测器1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、稳压管DZ及电位器W1，所述温度探测器1的正极端分别与电阻R2的第二端及集成运放IC1的反相输入端相连接，温度探测器1的负极端分别与电位器W1的第二固定端及稳压管DZ的第二端连接且接地，电位器W1的第一固定端通过电阻R3分别与电阻R1的第二端、电阻R2的第一端及稳压管DZ的第一端相连接，电阻R1的第一端与电源VCC相连接，电位器W1的可调端连接集成运放IC1的同相输入端。

实施例4：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：所述稳压管DZ的正极接地。

实施例5：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，设置出采用低温连铸工艺进行产品铸造的低温铸造系统，采用浸入式射管结构将加热后的铸材注入到模具内进行成型，并且通过在加热装置的加热腔内设置温度探测器用于进行铸材加热温度的探测，并形成温度数据，而后通过设置在铸造系统内的控制电路进行处理控制，从而实现铸造系统的加热管理控制，使得加热装置能够在所需的范围内进行铸材的加热，从而有效的保障铸件成型质量，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：在所述铸造系统内设置有加热装置4、密闭装置、浸入式射管6及模具7，所述密闭装置设置在加热装置4的进料口处，加热装置4的出料口与浸入式射管6的进口相连接，浸入式射管6的出口与模具7的注料口相连接；在所述温度探测器1设置在加热装置4的加热腔内部。

实施例6：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，方便将高温熔化后的铸材浇铸到加热装置内进行保温加热，而后待冷却到所需低温浇铸温度后利用浸入式射管注入到模具内进行成型，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：在所述密闭装置内设置有浇口盘3和用于密闭浇口盘3浇口的浇口塞2，所述浇口盘3遮盖设置在加热装置4的进料口处，且在空间位置上至上而下密闭装置、加热装置4、浸入式射管6及模具7依次设置。

实施例7：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，能够实时的检测从浇口盘的浇口处注入的铸材温度和加热装置的加热腔出口处的铸材温度，使得所检测的温度能够被传输至控制系统内，利用控制电路预制的参数信息进行对比，而后进行加热装置的温度调节，从而达到有效保障铸件的质量，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：所述温度探测器1至少有两个，且分别设置在加热装置4的加热腔与密闭装置连接处及加热装置4的加热腔与浸入式射管6的进口连接处。

实施例8：

本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好地实现本发明，能够方便将加热装置内的铸材注入到模具内进行成型，如图1、图2所示，特别采用下述设置结构：所述浸入式射管6为上大下小的漏斗状结构。

在具体铸造时，操作员将通过高温熔化后的铸材5通过浇口盘3上的浇口注入到加热装置4的加热腔内进行保温加热或冷却，并利用浇口塞2将浇口密封，以便进行有效的加热或冷却，加热装置4在对铸材5进行冷却或加热时，为有效保障加热腔内的温度，利用温度探测器1分别对刚诸如的铸材5温度和从加热装置4内输送出去的铸材5的温度进行检测，并利用温度探测器1及测温模块内的元器件进行非电量到电量的转换，而后结合放大电路及压频转换电路进行信号处理，而后发送至控制电路内进行比较等处理，并可形成新的控制策略进行温度控制。

温度探测器1为半导体温度传感器，在使用时，也可用硅二极管(或NPN晶体管的发射结)来代替。在本电路中，电阻R1和电阻R2均为限流电阻。利用温度探测器1将加热装置4内的温度转换成毫伏级的模拟电压信号，送至集成运放IC1(TL061)放大成0～3V的电压信号，再经过集成芯片IC2(LM331)进行电压，频率(U/f)转换，获得0～14kHz的频率信号送至控制电路内。电位器W1为增益调节电位器，电位器W2为频率校准电位器。它采用三点式校准法，只需将-40℃、0℃和+100℃下的输出频率值依次校准为0Hz、4kHz和14kHz即可。校准后的灵敏度为100Hz/℃。LM331属于精密电压/频率转换器，它在1Hz～100kHz频率范围内的非线性度可达±0.03％。R7和C2分别为定时电阻、定时电容。电阻R7和电阻R8采用温度系数低于50×10-6/℃的精密金属膜电阻。电阻R9为输出端的上拉电阻。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：包括应用于铸造系统的测温电路，所述测温电路设置在铸造系统内，在所述测温电路内设置有测温模块、放大电路及压频转换电路,所述测温模块设置在铸造系统内，且测温模块与放大电路相连接，放大电路连接压频转换电路；压频转换电路内设置有集成芯片IC2、施密特触发器IC3、电阻R6、电容C4、电阻R7、电容C2、电容C3、电阻R8、电阻R9及电位器W2，集成芯片IC2的7脚通过电阻R6与放大电路的输出端相连接，且集成芯片IC2的7脚通过电容C4接地；电阻R7分别与集成芯片IC2的8脚和5脚相连接，电容C2的第一端与集成芯片IC2的5脚相连接，电容C2的第二端通过电容C3与集成芯片IC2的1脚相连接，电容C2的第二端接地且通过电阻R8与集成芯片IC2的6脚相连接；所述集成芯片IC2的2脚通过电位器W2连接集成芯片IC2的4脚且接地，电位器W2的可调端与地相连接；集成芯片IC2的3脚通过施密特触发器IC3与铸造系统的控制电路相连接，且集成芯片IC2的3脚通过电阻R9与电源VCC相连接，电源VCC还分别与集成芯片IC2的8脚及测温模块相连接。

2.根据权利要求1所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述放大电路内设置有电阻R5、集成运放IC1、电容C1及电阻R4，集成运放IC1的同相输入端和反相输入端皆与测温模块相连接，集成运放IC1的反相输入端通过电阻R4与集成运放IC1的输出端out相连接，集成运放IC1的同相输入端通过电阻R5接地，且输出端out通过电容C1接地，输出端out与电阻R6相连接。

3.根据权利要求2所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述测温电路内设置有温度探测器(1)、电阻R1、电阻R2、电阻R3、稳压管DZ及电位器W1，所述温度探测器(1)的正极端分别与电阻R2的第二端及集成运放IC1的反相输入端相连接，温度探测器(1)的负极端分别与电位器W1的第二固定端及稳压管DZ的第二端连接且接地，电位器W1的第一固定端通过电阻R3分别与电阻R1的第二端、电阻R2的第一端及稳压管DZ的第一端相连接，电阻R1的第一端与电源VCC相连接，电位器W1的可调端连接集成运放IC1的同相输入端。

4.根据权利要求3所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述稳压管DZ的正极接地。

5.根据权利要求3或4所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述铸造系统内设置有加热装置(4)、密闭装置、浸入式射管(6)及模具(7)，所述密闭装置设置在加热装置(4)的进料口处，加热装置(4)的出料口与浸入式射管(6)的进口相连接，浸入式射管(6)的出口与模具(7)的注料口相连接；所述温度探测器(1)设置在加热装置(4)的加热腔内部。

6.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述密闭装置内设置有浇口盘(3)和用于密闭浇口盘(3)浇口的浇口塞(2)，所述浇口盘(3)遮盖设置在加热装置(4)的进料口处，且在空间位置上自上而下密闭装置、加热装置(4)、浸入式射管(6)及模具(7)依次设置。

7.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述温度探测器(1)至少有两个，且分别设置在加热装置(4)的加热腔与密闭装置连接处及加热装置(4)的加热腔与浸入式射管(6)的进口连接处。

8.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述浸入式射管(6)为上大下小的漏斗状结构。