CN110538620A - 反应腔室的压力控制系统及压力控制方法 - Google Patents

反应腔室的压力控制系统及压力控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种反应腔室的压力控制系统及压力控制方法。该装置包括尾气管、缓冲冷凝容器、进气管、排气管和控制器，并且在所述进气管上设置有气体质量流量控制器，所述排气管与真空泵连接，并且在其中设置有压力传感器。控制器与所述气体质量流量控制器、真空泵、压力传感器连接，通过将所述气体质量流量控制器的控制量设置为常量或零，以使所述压力传感器采集的压力值在设定压力范围内。本发明避免了使用变频控制方法及其昂贵复杂的耐腐蚀变频隔膜泵，同时气体质量流量控制器反应快速、控制简单，因此提高了控制效率。本发明通过简单、可靠且低成本的设计大幅延长了压力控制系统的使用寿命和安全性。

Description

反应腔室的压力控制系统及压力控制方法
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种反应腔室的压力控制系统及压力控制方法。
背景技术
扩散炉是半导体、晶体硅太阳能电池生产线工序的最重要工艺设备。高温热扩散工艺的主要用途是将元素磷或硼掺杂入硅片，改变并控制硅片内掺杂物的类型、浓度和分布，以建立起不同的电特性区域，从而形成p-n结，最终利用p-n结的光生伏特效应将太阳能转换为电能。
随着晶体硅太阳能电池尺寸更大、厚度更薄和方块电阻值要求越来越高，传统闭管扩散炉粗劣的工艺水平已经不能满足要求，而低压扩散技术优势非常明显。低压工艺中低的杂质源饱和蒸汽压，提高了杂质的分子自由程，稳定的真空气流大幅提升了方块电阻的阻值和均匀性，并增倍提升产量，是高品质扩散的首选并且是环境友好型的生产方式，和传统闭管扩散炉相比，在方块电阻均匀性和功耗上优势明显。
由于高温热扩散的尾气中含有腐蚀性气体和液体，尾气温度也较高，主流的控制零部件不能胜任此恶劣的工况，否则使用寿命急剧下降；尾气高温会导致传感器等部件快速失效；真空密封在800℃以上且不引入金属离子的要求大大增加了技术难度；耐腐蚀变频真空泵等关键件成本一直难以下降，传统PID控制的一致性较差，高精度PID控制系统的成本高昂，因此低压扩散炉的反应腔室压力控制是一个成本约束的技术难题。
相关技术中通常以下方式进行反室腔室的压力控制：使用变频真空隔膜泵，通过采集压力传感器的数值，和目标压力设定值做比较，然后将调节信号发送给变频器，通过控制泵的转速，从而控制抽真空的速率，进而控制腔室压力。由此，可以维持腔室内压力的值在设定值附近。
图1示出了相关技术中的反室腔室的压力控制系统。如图1所示，该系统包括：进气管1、反应腔室2、尾气管3、压力传感器4、第一气动阀5、第二气动阀6、真空泵7、变频电机8、变频器9、设备排酸管道10、PLC算法控制器(图中未示出)和其他防护部分件。
该压力控制系统的工作过程为：尾气管3接收反应腔室气体输出的尾气，压力传感器4检测尾气管中气体的压力，控制系统判断压力传感器4发送的压力检测结果，并与预定压力值进行比较，得到压力检测结果值是否需要调整以及调整值的信息，将其发送给变频器9，变频器9接收是否需要调整以及调整值的信息，控制真空泵8的转速，进而控制抽真空的速率，达到控制腔室压力的目的，并最终将实际压力值控制在目标压力值附近。
图1所示的压力控制系统的弊端在于，相关技术和产品被极少数泵厂商垄断，采购价高昂，产能受限，供应周期不稳定，因而当前许多公司低压扩散炉产品的产能和采购条款受制于人。因此，亟需开发一种成本低廉、可靠性高的反应腔室的压力控制系统及压力控制方法。
公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
发明内容
为了解决现有技术中的上述技术问题，本发明提出了一种反应腔室的压力控制系统及压力控制方法，
根据本发明的一方面，提出一种反应腔室的压力控制系统。该系统包括：
尾气管，其与所述反应腔室相连通，用于接收所述反应腔室输出的尾气；
缓冲冷凝容器，其与所述尾气管的末端连接，用于缓冲以及冷凝从所述尾气管输出的尾气；
进气管，其一端与所述缓冲冷凝容器相连通，另一端为进气口，并且在所述进气管上设置有气体质量流量控制器；
排气管，其一端与所述缓冲冷凝容器相连通，另一端与真空泵连接，并且在所述排气管上设置有压力传感器；
控制器，其与所述气体质量流量控制器、真空泵、压力传感器分别连接，所述控制器用于通过调节所述气体质量流量控制器的控制量，以使所述压力传感器采集的反应腔室的压力值在设定压力范围内。
优选地，所述控制器具体用于：
当所述压力传感器采集的压力值低于所述设定范围的下限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为预设常量，控制所述进气管补充进气量；
当所述压力传感器采集的压力值高于所述设定压力范围的上限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为零，控制所述进气管停止进气。
优选地，所述压力传感器与所述真空泵之间的出气管上设置有缓冲过滤容器，用于缓冲及过滤所述排气管中的气体。
优选地，在所述气体质量流量控制器与所述缓冲冷凝容器之间的进气管上设置有气动阀，并且所述气动阀与所述控制器连接。
优选地，所述真空泵为防腐蚀隔膜真空泵，所述真空泵的出气口与设备排酸管道连接。
优选地，所述缓冲冷凝容器为石英或金属材质，并且与真空接触部分涂有耐腐蚀涂层。
优选地，所述气动阀为PFA或金属材质。
优选地，所述缓冲过滤容器为PFA材质。
根据本发明的另一方面，提出一种反应腔室的压力控制方法，利用如上所述的反应腔室的压力控制系统进行压力控制。该方法包括如下步骤：
步骤S1：真空泵开启，尾气管所接收的反应腔室的输出尾气进入排气管；
步骤S2：压力传感器检测所述排气管中的气体压力；
步骤S3：通过调节所述气体质量流量控制器的控制量，以使所述压力传感器采集的反应腔室的压力值在所述设定压力范围内。
优选地，在步骤S3中，当所述压力传感器采集的压力值低于所述设定范围的下限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为预设常量，控制所述进气管补充进气量；当所述压力传感器采集的压力值高于所述设定压力范围的上限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为零，控制所述进气管停止进气。
本发明基于反应腔室的实际压力与设定压力的差值控制气体质量流量控制器，通过调节从进气管补充的进气量，达到了控制反应腔室的目的，避免了使用变频控制方法及其昂贵复杂的耐腐蚀变频隔膜泵，同时气体质量流量控制器反应快速、控制简单，因此提高了控制效率。本发明通过简单、可靠且低成本的设计大幅延长了压力控制系统的使用寿命和安全性。经大量试验验证，该系统及方法调节快速、工艺高效，成本低廉，耐用稳定，为低压扩散炉在光伏行业的低成本大规模应用打开了全新的局面。
本发明的方法具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施例中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施例中进行详细陈述，这些附图和具体实施例共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出相关技术中的反应腔室的压力控制系统；
图2示出根据本发明的示例性实施方案的反应腔室的压力控制系统的结构图；
图3示出根据本发明的示例性实施方案的反应腔室的压力控制方法的流程图；
图4示出根据本发明的另一示例性实施方案的反应腔室的压力控制系统的结构图。
附图标记说明：
1、进气管，2、反应腔室，3、尾气管，4、压力传感器、5、第一气动阀，6、第二气动阀，7、真空泵，8、变频电机，9、变频器，10、设备排酸管道；
11、反应腔室，12、尾气管，13、缓冲冷凝容器，14、进气管，15、排气管，16、气体质量流量控制器，17、真空泵，18、压力传感器，19、控制器，20、气动阀，21、缓冲过滤容器。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
图2示出根据本发明的示例性实施方案的反应腔室的压力控制系统的结构图，该系统优选用于半导体、光伏行业的低压扩散炉。
如图2所示，该压力控制系统包括尾气管12、缓冲冷凝容器13、进气管14、排气管15、气体质量流量控制器16、真空泵17、压力传感器18以及控制器19。其中，尾气管12与反应腔室1相连通，用于接收反应腔室1输出的尾气。
反应腔室1通常为低压扩散炉的反应腔室，尾气管12的前端伸至反应腔室1的炉口。尾气管12的后端外侧壁优选与反应腔室1使用密封圈密封连接，以防止反应腔室1的气体泄露。
缓冲冷凝容器13与尾气管12的末端连接，也即接于尾气管12之后。采用高温热扩散工艺产生的尾气温度很高，因此通过在尾气管12的末端设置缓冲冷凝容器13，以缓冲以及冷凝从尾气管12输出的尾气。降低尾气的温度有利于提高系统中与尾气直接作用的传感器的使用寿命。
进气管14的一端与缓冲冷凝容器13相连通，另一端为惰性气体，例如氮气，的进气口，以补充系统中的气体流量。气体质量流量控制器16设置在进气管14上，以控制进气管14中的气体流量。可以将气体质量流量控制器16的控制量设置为预定常量值，也可以将其设置为零。
排气管15的一端与缓冲冷凝容器13相连通，另一端与真空泵17连接。当进气管14的进气量不为零，真空泵17同时抽吸进气管14中的气体以及缓冲冷凝容器13中的气体；当进气管14的进气量为零时，真空泵17仅抽吸缓冲冷凝容器13中的气体。
压力传感器18设置在排气管15上，以检测排气管15中气体的压力。
由于反应腔室1中的气体温度极高，因此无法直接利用压力传感器检测反应腔室的气体压力，只能通过检测经冷凝后的反应腔室的尾气压力来近似反应腔室的压力。压力传感器18优选靠近缓冲冷凝容器13设置，其位置越靠近缓冲冷凝容器13，所采集的压力值越接近反应腔室1的压力。
控制器19与气体质量流量控制器16、真空泵17、压力传感器18连接，用于进行气体质量流量控制器16、压力传感器18和真空泵17之间的信息传递和处理工作。在该示例性实施方案中，控制器19用于调节气体质量流量控制器16的控制量，以使压力传感器18采集的反应腔室1的压力值在设定压力范围内。
通过利用控制器调节气体质量流量控制器的控制量，能够调节从进气管补充的进气量，使反应腔室的压力值保持在设定压力范围内，从而达到了控制反应腔室的目的，避免了使用变频控制方法及其昂贵复杂的耐腐蚀变频隔膜泵，同时气体质量流量控制器反应快速、控制简单，因此提高了控制效率。
在一个示例中，当压力传感器18采集的压力值低于设定压力范围的下限时，将气体质量流量控制器16的控制量设置为预设常量，控制进气管14补充进气量。
当压力传感器18采集的压力值，也即排气管15中的实际气体压力值小低于设定压力范围的下限时即，说明反应腔室的压力达不到预定的程度，因此需要增加反应腔室的压力。此时控制器19将气体质量流量控制器16的控制量设置为一个预定的常量值，来控制从进气管14通入的氮气量。通入的氮气将作为补充气体直接被真空泵17抽走，由于排气管15的直径是一定的，抽气速率也是一定的，因此真空泵17从缓冲冷凝容器13抽气的量减小，使反应腔室1的压力快速上升。
当压力传感器18采集的压力值高于设定压力范围的上限时，将气体质量流量控制器16的控制量设置为零，控制进气管14停止进气。
当压力传感器18采集的压力值上升到高于设定范围的上限时，说明反应腔室的压力已超过预定的程度，此时需要减小反应腔室的压力，因此控制器19将气体质量流量控制器16的控制量设置为零，控制进气管14停止提供氮气，此时真空泵17只抽走缓冲冷凝容器13中的气体，快速地减小了与缓冲冷凝容器13相连通的反应腔室1的气体压力。
循环上述过程，通过使气体质量流量控制器16的控制量在常量和零之间不断变化，即可将反应腔室1的压力控制在设定范围内，从而达到维持反应腔室压力的效果。该压力控制系统实现压力控制的方法简单、可靠，并且调节快速、耐用稳定。
气体质量流量控制器16的控制量的具体数值可依据反应腔室及其压力控制系统的结构以及设定压力范围来进行调节。
在本实施例中，真空泵为恒速并且设置为常开。该真空泵优选为防腐蚀隔膜真空泵，其出气口与设备排酸管道连接，通过真空吸力能够将尾气管12中引出的尾气从设备排酸管道中排出，以提高系统的耐腐蚀能力，延长系统的使用寿命。
在进气管中补充的惰性气体为氮气的情况下，气体质量流量控制器16优选为氮气标定，以提高对补充的惰性气体流量的控制精确度。其采用模拟量或通信协议控制，使用VCR(Vacuum Coupling Rad，高真空接头)或卡套密封，其量程根据工艺需要介于0.5SLM至30SLM。
压力传感器18为防腐蚀压力传感器，例如采用陶瓷膜片结构。压力传感器的数量不限于1个，且其压力测量方式为绝压或压差方式，通信方式为模拟量或端口通信协议方式。
控制器19为可编程逻辑控制器PLC、过程控制仪表或工业控制计算机。
该压力控制系统可以通过如图3所示的步骤进行压力控制：
步骤S1：真空泵17开启，尾气管12所接收的反应腔室1的输出尾气进入排气管15；
步骤S2：压力传感器18检测排气管15中的气体压力；
步骤S3：通过调节气体质量流量控制器16的控制量，以使压力传感器18采集的反应腔室的压力值在设定压力范围内。
具体地，控制器19通过将压力传感器18采集的压力值与设定范围进行比较，来设置气体质量流量控制器16的控制量。
该设定压力范围可以根据目标压力值进行设定，例如将目标压力值正负3mbar～8mbar的范围作为设定压力范围。例如，当目标压力值为100mbar，则设定压力范围可在100±3mbar至100±8mbar之间。当实际压力值在上述设定压力范围内浮动时，相当于压力稳定，不会对工艺过程造成影响。本领域技术人员应当理解，该设定压力范围可以依据实际情况设定。
图4示出根据本发明的另一示例性实施方案的反应腔室的压力控制系统的结构图。如图4所示，该压力控制系统包括尾气管12、缓冲冷凝容器13、进气管14、排气管15、气体质量流量控制器16、真空泵17、压力传感器18以及控制器19、气动阀20、缓冲过滤器21。其与图2所示的示例性实施方案的反应腔室的压力控制系统的区别在于，还包括气动阀20、缓冲过滤器21。
缓冲过滤器21设置在压力传感器18与真空泵17之间的出气管14上，用于缓冲及过滤所述排气管中的气体。
由于真空泵17的抽吸会对排气管14中气体的气压稳定性造成影响，在真空泵的前端设置缓冲过滤容器21，起到了缓冲的作用，使得排气管14中气体的气压更加稳定，改善了压力波动幅度；同时，缓冲过滤容器21具有滤芯，能够过滤排气管中尾气的杂质。经过缓冲过滤容器的过滤作用后，进入真空泵的尾气中含有较少杂质，有助于提高真空泵17的工作寿命。
在排气管15中设置有缓冲过滤容器21时，进气管14补充的氮气直接被从排气管15抽走，借助缓冲冷凝容器13和缓冲过滤容器21的缓冲作用，进一步将反应腔室1中抽气量在设定压力条件下平稳维持在平衡状态，从而达到维持反应腔室压力和改善压力波动幅度的效果。
在一个示例中，缓冲冷凝容器12为石英或金属材质，并且与真空接触部分涂有耐腐蚀涂层，以延长缓冲冷凝容器12的工作寿命。由于缓冲冷凝容器12直接于反应腔室的尾气管12连接，因此要求能够耐受扩散工艺所要求的压力。
气动阀20设置在气体质量流量控制器16与缓冲冷凝容器13之间的进气管14上，气动阀20同样与控制器19连接，受控制器19的控制。
气动阀20在系统的控制过程中全程打开，在系统进行控制之前的反应腔室充气过程中，以及在进行控制之后的反应腔室排气过程中，控制器19将气动阀20控制为关闭。由于在实际操作中，气体质量流量控制器的控制量为零并不能绝对地使管道中气体为零，通过在气体质量流量控制器和缓冲冷凝容器之间设置气动阀并将气动阀设置为零，能够保证进气管中没有气体流入，并且保证了尾气不会倒流进入气体质量流量控制器中，而使得尾气中的具有的、发腐蚀性的气体或液体腐蚀气体质量流量控制器。
在一个示例中，气动阀20为耐酸碱腐蚀的PFA或金属材质。由于经过扩散工艺后尾气中含有腐蚀性气体或液体，因此采用耐酸碱腐蚀的PFA(Polyfluoroalkoxy，可溶性聚四氟乙烯)或金属材质能够延长部件的使用寿命。
气动阀20可利用电磁先导阀控制，通过控制器控制其开和关。
缓冲过滤器21为耐酸碱腐蚀的PFA材质。由于流经缓冲过滤器21的气体中含有腐蚀性气体或液体，因此采用耐酸碱腐蚀的PFA材质能够延长部件的使用寿命。本领域技术人员应当理解，也可以采用其他的耐酸碱腐蚀的其他非金属材料。
以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种反应腔室的压力控制系统，其特征在于，包括：
尾气管，其与所述反应腔室相连通，用于接收所述反应腔室输出的尾气；
缓冲冷凝容器，其与所述尾气管的末端连接，用于缓冲以及冷凝从所述尾气管输出的尾气；
进气管，其一端与所述缓冲冷凝容器相连通，另一端为进气口，并且在所述进气管上设置有气体质量流量控制器；
排气管，其一端与所述缓冲冷凝容器相连通，另一端与真空泵连接，并且在所述排气管上设置有压力传感器；
控制器，其与所述气体质量流量控制器、真空泵、压力传感器分别连接，所述控制器用于通过调节所述气体质量流量控制器的控制量，以使所述压力传感器采集的反应腔室的压力值在设定压力范围内。
2.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述控制器具体用于：
当所述压力传感器采集的压力值低于所述设定压力范围的下限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为预设常量，控制所述进气管补充进气量；
当所述压力传感器采集的压力值高于所述设定压力范围的上限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为零，控制所述进气管停止进气。
3.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述压力传感器与所述真空泵之间的出气管上设置有缓冲过滤容器，用于缓冲及过滤所述排气管中的气体。
4.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，在所述气体质量流量控制器与所述缓冲冷凝容器之间的进气管上设置有气动阀，并且所述气动阀与所述控制器连接。
5.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述真空泵为防腐蚀隔膜真空泵，所述真空泵的出气口与设备排酸管道连接。
6.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述缓冲冷凝容器为石英或金属材质，并且与真空接触部分涂有耐腐蚀涂层。
7.根据权利要求2所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述气动阀为PFA或金属材质。
8.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统，其特征在于，所述缓冲过滤容器为PFA材质。
9.一种反应腔室的压力控制方法，利用如权利要求1-8中的一项所述的反应腔室的压力控制系统进行压力控制，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：真空泵开启，尾气管所接收的反应腔室的输出尾气进入排气管；
步骤S2：压力传感器检测所述排气管中的气体压力；
步骤S3：通过调节所述气体质量流量控制器的控制量，以使所述压力传感器采集的反应腔室的压力值在所述设定压力范围内。
10.根据权利要求9所述的反应腔室的压力控制方法，其特征在于，在步骤S3中，当所述压力传感器采集的压力值低于所述设定压力范围的下限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为预设常量，控制所述进气管补充进气量；当所述压力传感器采集的压力值高于所述设定压力范围的上限时，将所述气体质量流量控制器的控制量设置为零，控制所述进气管停止进气。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111984040A (zh) * 2020-08-19 2020-11-24 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 单硅片清洗机腔室内压的自动控制系统及自动控制方法
CN113721673A (zh) * 2021-08-31 2021-11-30 北京七星华创流量计有限公司 气体质量流量控制方法及装置
CN114738545A (zh) * 2022-05-07 2022-07-12 北京北方华创微电子装备有限公司 阀控制装置和方法、半导体加工设备
CN117276057A (zh) * 2023-11-20 2023-12-22 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种扩散方法及扩散设备
CN113721673B (zh) * 2021-08-31 2024-05-10 北京七星华创流量计有限公司 气体质量流量控制方法及装置

Citations (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11333277A (ja) * 1998-03-25 1999-12-07 Ckd Corp 真空圧力制御システム
EP1011856A1 (en) * 1997-08-05 2000-06-28 Microfluidics International Corporation Multiple stream high pressure mixer/reactor
WO2002047797A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Questair Technologies, Inc. Psa with adsorbents sensitive to contaminants
CN101208463A (zh) * 2005-06-29 2008-06-25 Nxp股份有限公司 用于保持工艺腔内的近大气压力的设备和方法
CN101221999A (zh) * 2008-01-28 2008-07-16 常州天合光能有限公司 太阳能电池扩散工艺及其设备
CN101383312A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 真空传输系统及其实现压力控制的方法
CN101525265A (zh) * 2009-03-09 2009-09-09 南京扬子石化炼化有限责任公司 一种改进己烷切割装置加氢工艺的方法
CN201608194U (zh) * 2009-12-14 2010-10-13 中国电子科技集团公司第四十八研究所 反应腔压力自平衡控制系统
CN102277087A (zh) * 2011-06-07 2011-12-14 景东力奥林产集团林业化工有限公司 一种用于松香精制或松香树脂生产的尾气处理真空保护装置
CN202254902U (zh) * 2011-08-09 2012-05-30 北京飞行博达电子有限公司 炉内压力平衡控制系统
CN102507422A (zh) * 2011-10-19 2012-06-20 中国石油化工股份有限公司 一种模拟连续蒸馏装置中高温腐蚀的试验装置
CN102679746A (zh) * 2012-05-24 2012-09-19 南京华伯仪器科技有限公司 扩散炉膛气氛稳定装置
CN202582216U (zh) * 2012-05-24 2012-12-05 南京华伯仪器科技有限公司 扩散炉膛气氛稳定装置
CN203159746U (zh) * 2013-02-01 2013-08-28 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种扩散炉炉腔压力自动平衡控制系统
CN103374757A (zh) * 2013-07-23 2013-10-30 英利能源（中国）有限公司 一种改进型扩散炉尾气排放装置
CN103405988A (zh) * 2013-07-02 2013-11-27 香港诺曼泰壹环保科技有限公司 烟气冷却系统及方法
CN103449389A (zh) * 2013-09-04 2013-12-18 湖北泰盛化工有限公司 一种三氯化磷自动补气的生产方法及生产设备
CN103710758A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 北京七星华创电子股份有限公司 一种负压扩散炉反应腔室压力控制系统及控制方法
CN203874636U (zh) * 2014-05-07 2014-10-15 江西殷莱特化工有限公司 一种用于松香树脂生产尾气处理的可调真空保护装置
CN204982138U (zh) * 2015-07-18 2016-01-20 广东爱康太阳能科技有限公司 一种太阳能电池扩散尾气控制装置
CN204982136U (zh) * 2015-07-30 2016-01-20 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种扩散炉管尾气排放装置
CN205062232U (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 合肥睿晶科技股份有限公司 一种低压扩散炉
CN106766949A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 湖南红太阳光电科技有限公司 一种扩散炉尾气冷却装置
CN107068587A (zh) * 2016-10-28 2017-08-18 北京七星华创电子股份有限公司 反应腔室的压力控制系统及压力控制方法
CN206683701U (zh) * 2016-12-13 2017-11-28 上海孚凌自动化控制系统有限公司 可缓冲压力的节流装置
CN107570099A (zh) * 2017-09-28 2018-01-12 上海国强生化工程装备有限公司 一种平行反应器的罐压控制装置
CN108079929A (zh) * 2018-01-31 2018-05-29 四川普思瑞新材料有限公司 一种树脂生产系统

Patent Citations (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1011856A1 (en) * 1997-08-05 2000-06-28 Microfluidics International Corporation Multiple stream high pressure mixer/reactor
JPH11333277A (ja) * 1998-03-25 1999-12-07 Ckd Corp 真空圧力制御システム
WO2002047797A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Questair Technologies, Inc. Psa with adsorbents sensitive to contaminants
CN101208463A (zh) * 2005-06-29 2008-06-25 Nxp股份有限公司 用于保持工艺腔内的近大气压力的设备和方法
CN101383312A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 真空传输系统及其实现压力控制的方法
CN101221999A (zh) * 2008-01-28 2008-07-16 常州天合光能有限公司 太阳能电池扩散工艺及其设备
CN101525265A (zh) * 2009-03-09 2009-09-09 南京扬子石化炼化有限责任公司 一种改进己烷切割装置加氢工艺的方法
CN201608194U (zh) * 2009-12-14 2010-10-13 中国电子科技集团公司第四十八研究所 反应腔压力自平衡控制系统
CN102277087A (zh) * 2011-06-07 2011-12-14 景东力奥林产集团林业化工有限公司 一种用于松香精制或松香树脂生产的尾气处理真空保护装置
CN202254902U (zh) * 2011-08-09 2012-05-30 北京飞行博达电子有限公司 炉内压力平衡控制系统
CN102507422A (zh) * 2011-10-19 2012-06-20 中国石油化工股份有限公司 一种模拟连续蒸馏装置中高温腐蚀的试验装置
CN202582216U (zh) * 2012-05-24 2012-12-05 南京华伯仪器科技有限公司 扩散炉膛气氛稳定装置
CN102679746A (zh) * 2012-05-24 2012-09-19 南京华伯仪器科技有限公司 扩散炉膛气氛稳定装置
CN203159746U (zh) * 2013-02-01 2013-08-28 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种扩散炉炉腔压力自动平衡控制系统
CN103405988A (zh) * 2013-07-02 2013-11-27 香港诺曼泰壹环保科技有限公司 烟气冷却系统及方法
CN103374757A (zh) * 2013-07-23 2013-10-30 英利能源（中国）有限公司 一种改进型扩散炉尾气排放装置
CN103449389A (zh) * 2013-09-04 2013-12-18 湖北泰盛化工有限公司 一种三氯化磷自动补气的生产方法及生产设备
CN103710758A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 北京七星华创电子股份有限公司 一种负压扩散炉反应腔室压力控制系统及控制方法
CN203874636U (zh) * 2014-05-07 2014-10-15 江西殷莱特化工有限公司 一种用于松香树脂生产尾气处理的可调真空保护装置
CN204982138U (zh) * 2015-07-18 2016-01-20 广东爱康太阳能科技有限公司 一种太阳能电池扩散尾气控制装置
CN204982136U (zh) * 2015-07-30 2016-01-20 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种扩散炉管尾气排放装置
CN205062232U (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 合肥睿晶科技股份有限公司 一种低压扩散炉
CN107068587A (zh) * 2016-10-28 2017-08-18 北京七星华创电子股份有限公司 反应腔室的压力控制系统及压力控制方法
CN106766949A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 湖南红太阳光电科技有限公司 一种扩散炉尾气冷却装置
CN206683701U (zh) * 2016-12-13 2017-11-28 上海孚凌自动化控制系统有限公司 可缓冲压力的节流装置
CN107570099A (zh) * 2017-09-28 2018-01-12 上海国强生化工程装备有限公司 一种平行反应器的罐压控制装置
CN108079929A (zh) * 2018-01-31 2018-05-29 四川普思瑞新材料有限公司 一种树脂生产系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李克、郭立等: "扩散炉反应管压力自平衡系统的设计", 《电子工业专用设备》 *
蒋大明: "《传感技术》", 30 November 1988 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111984040A (zh) * 2020-08-19 2020-11-24 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 单硅片清洗机腔室内压的自动控制系统及自动控制方法
CN113721673A (zh) * 2021-08-31 2021-11-30 北京七星华创流量计有限公司 气体质量流量控制方法及装置
CN113721673B (zh) * 2021-08-31 2024-05-10 北京七星华创流量计有限公司 气体质量流量控制方法及装置
CN114738545A (zh) * 2022-05-07 2022-07-12 北京北方华创微电子装备有限公司 阀控制装置和方法、半导体加工设备
CN117276057A (zh) * 2023-11-20 2023-12-22 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种扩散方法及扩散设备

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