CN110534632A - 一种uv led封装工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及UV LED封装技术领域，尤其是一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：在基板上点涂或刷涂结合剂；在芯片电路上贴置芯片；将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；在基板上依次放置光学透镜，并点注密封剂使基板、金属杯和光学镜头依次连接；加热密封剂，使基板、金属杯和光学镜头固定成一体形成UV LED封装体；将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；完成UV LED封装成品。本发明提供的一种UV LED封装工艺，通过使用含有纳米金属粉末的密封剂以及抽真空或者注入惰性气体，避免了传统固胶受UV光线高温影响会出现变黄脆化现象，保持芯片的密封空间，延长了芯片使用寿命。

Description

一种UV LED封装工艺
技术领域
本发明涉及UV LED封装技术领域，特别涉及一种散热性能好的一种UV LED封装工艺。
背景技术
三十多年以前紫外线(UV光)被成功的推广到商业应用。各胶黏剂生产商针对UV(紫外线)光固化特性，研制出用于粘接、密封、印刷等系列UV产品，并广泛应用于通讯、电子、光学、印刷等众多领域。这些产品在UV光(一定波长及一定光强度)照射下，会固化或硬化(聚合)，并且与传统产品－－UV光固化更加快高效、节能环保。
UV固化设备也经历了不断研发及完善的过程。以汞灯照射方式为主流的生产工艺被采用了很长时间。但由于设备价格昂贵、维护成本高、UV光照强度衰减快，被照射元件的表面温升高、体积大、耗材贵、贡污染等缺陷，业界一直致力于改进，但因原始硬件的局限性一直难以突破。
UV LED的问世，为UV固化行业带来了革命性的变化。其具有恒定的光照强度、优秀的温度控制、便携环保的特性，更有相对较低的采购成本和几乎为零的维护成本，对UV固化工艺的品质提升与节能降耗起到了推动作用。
现有UV LED内部结构一般包括有透镜、内引线、绝缘成型材料、外引线、固晶胶、UVLED芯片、透镜填充胶、导热柱、散热基板、荧光粉层等多个部份。在现有技术的UV LED封装中，避免传统固胶受UV光线高温影响会出现变黄脆化现象、减少芯片外界化学反应及延长芯片使用寿命成为一个技术难题。
发明内容
(一)解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：本发明提供的一种UV LED封装工艺，通过使用含有纳米金属粉末的密封剂以及抽真空或者注入惰性气体，避免了传统固胶受UV光线高温影响会出现变黄脆化现象，很好的保持芯片的密封空间，减少芯片外界化学反应，延长了芯片使用寿命。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：
S10,将金属杯通过电镀铜的方式一层叠一层电镀成型到陶瓷板；
S11，在基板上点涂或刷涂结合剂；
S12，在芯片电路上贴置芯片；
S13,将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；
S14,点注密封剂使基板和光学镜头连接；
S15,将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；
S16，在S15步骤同时，80-100℃加热密封剂10-15分钟，使基板、金属杯和光学镜头固定一体形成UV LED封装体；
S17,将UV LED半成品移至150-170度的烘箱中烘烤1-2小时，进行最终完全密封成型。
优选的，所述基板为陶瓷基板或金属基板。
优选的，所述密封剂包括如下组分：聚氨酯丙烯酸酯，环氧树脂丙烯酸酯，活性稀释剂，光引发剂，纳米金属粉末。
优选的，各组分以及各组分重量百分比含量为：
聚氨酯丙烯酸酯10-15％
环氧树脂丙烯酸酯65-80％
活性稀释剂2-8％
光引发剂1-2％
纳米金属粉末1-4％。
优选的，所述密封剂包括如下组分：所述纳米金属粉末为纳米铜粉、纳米银粉、纳米铝粉、纳米镍粉中的一种或几种。
所述在所述基板上形成密封剂层步骤还包括：对所述密封剂层进行打磨处理，露出所述电极凸点。
所述在所述基板上形成密封剂层步骤所述密封剂中掺有高导热材料和/或光阻材料。
(三)有益效果
本发明提供了一种散热性能好的一种UV LED封装工艺，具备以下有益效果：
本发明提供的一种UV LED封装工艺，通过使用含有纳米金属粉末的密封剂以及抽真空或者注入惰性气体，避免了传统固胶受UV光线高温影响会出现变黄脆化现象，很好的保持芯片的密封空间，减少芯片外界化学反应，延长了芯片使用寿命。
具体实施方式
所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：
S10,将金属杯通过电镀铜的方式一层叠一层电镀成型到陶瓷板；
S11，在基板上点涂或刷涂结合剂；
S12，在芯片电路上贴置芯片；
S13,将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；
S14,点注密封剂使基板和光学镜头连接；
S15,将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；
S16，在S15步骤同时，80-100℃加热密封剂10-15分钟，使基板、金属杯和光学镜头固定一体形成UV LED封装体；
S17,将UV LED半成品移至150-170度的烘箱中烘烤1-2小时，进行最终完全密封成型。
密封剂中各组分以及各组分重量百分比含量为：
聚氨酯丙烯酸酯10％
环氧树脂丙烯酸酯65％
活性稀释剂2％
光引发剂1％
纳米铜粉1％
实施例2：
一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：
S10,将金属杯通过电镀铜的方式一层叠一层电镀成型到陶瓷板；
S11，在基板上点涂或刷涂结合剂；
S12，在芯片电路上贴置芯片；
S13,将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；
S14,点注密封剂使基板和光学镜头连接；
S15,将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；
S16，在S15步骤同时，80-100℃加热密封剂10-15分钟，使基板、金属杯和光学镜头固定一体形成UV LED封装体；
S17,将UV LED半成品移至150-170度的烘箱中烘烤1-2小时，进行最终完全密封成型。
密封剂中各组分以及各组分重量百分比含量为：
聚氨酯丙烯酸酯15％
环氧树脂丙烯酸酯80％
活性稀释剂8％
光引发剂2％
纳米铝粉4％
在上述两个实施例中，所述基板为陶瓷基板或金属基板；所述惰性气体可以为氮气、氩气或者氖气；所述在所述基板上形成密封剂层步骤还包括：对所述密封剂层进行打磨处理，露出所述电极凸点；所述密封剂中掺有高导热材料和/或光阻材料。
综上所述，本发明提供的一种UV LED封装工艺，通过使用含有纳米金属粉末的密封剂以及抽真空或者注入惰性气体，避免了传统固胶受UV光线高温影响会出现变黄脆化现象，很好的保持芯片的密封空间，减少芯片外界化学反应，延长了芯片使用寿命。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：
S10,将金属杯通过电镀铜的方式一层叠一层电镀成型到陶瓷板；
S11，在基板上点涂或刷涂结合剂；
S12，在芯片电路上贴置芯片；
S13,将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；
S14,点注密封剂使基板和光学镜头连接；
S15,将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；
S16，在S15步骤同时，80-100℃加热密封剂10-15分钟，使基板、金属杯和光学镜头固定一体形成UV LED封装体；
S17,将UV LED半成品移至150-170度的烘箱中烘烤1-2小时，进行最终完全密封成型。
2.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述基板为陶瓷基板或金属基板。
3.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述LED密封剂包括如下组分：聚氨酯丙烯酸酯，环氧树脂丙烯酸酯，活性稀释剂，光引发剂，纳米金属粉末。
4.如权利要求3所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于，各组分以及各组分重量百分比含量为：
聚氨酯丙烯酸酯10-15％
环氧树脂丙烯酸酯65-80％
活性稀释剂2-8％
光引发剂1-2％
纳米金属粉末1-4％。
5.如权利要求4所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述纳米金属粉末为纳米铜粉、纳米银粉、纳米铝粉、纳米镍粉中的一种或几种。
6.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氩气或者氖气。
7.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述在所述基板上形成密封剂层步骤还包括：对所述密封剂层进行打磨处理，露出所述电极凸点。
8.如权利要求7所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述密封剂中掺有高导热材料和/或光阻材料。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的UV LED芯片的封装方法所制备的UVLED封装结构。
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