CN110534616A - 晶硅电池分片的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶硅电池分片的制备工艺,在晶硅电池的制备工艺中加入整片分割步骤,该整片分割步骤将硅片整片分割成至少两个分片;所述晶硅电池的制备工艺包括去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤;所述整片分割步骤在去背面PSG步骤之后进行,且整片分割步骤在背面碱抛光步骤之前进行,且通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层。本发明可去除分片边缘的损伤层,进而消除分片边缘损伤层的不良影响。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅电池分片的制备工艺。
背景技术
随着太阳能电池技术的发展,出现了半片、叠瓦等组件技术,这些组件技术需要将成品电池片分割为至少两个分片。目前一般通过划片和裂片两个步骤来分割成品电池片:1)划片:通过激光划片机对成品电池片进行切割,形成切槽;2)裂片:通过裂片机沿切槽对成品电池片进行裂片,使电池片整片裂成分片。但成品电池片裂片完成后,分片边缘(即整片的断裂处)会产生损伤层,损伤层存在非常高的表面缺陷,表面缺陷会成为载流子复合中心,从而导致分片边缘区域少子寿命降低、表面复合电流明显增加,进而导致太阳能电池分片的开路电压和短路电流的损失,即导致太阳能电池分片的效率损失。可见,分片边缘的损伤层会给太阳能电池分片带来不良影响,故需要去除分片边缘的损伤层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶硅电池分片的制备工艺,其能去除分片边缘的损伤层,进而消除分片边缘损伤层的不良影响。
为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种晶硅电池分片的制备工艺,在晶硅电池的制备工艺中加入整片分割步骤,该整片分割步骤将硅片整片分割成至少两个分片;所述晶硅电池的制备工艺包括去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤;所述整片分割步骤在去背面PSG步骤之后进行,且整片分割步骤在背面碱抛光步骤之前进行,且通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层。
优选的,所述晶硅电池为SE电池、BSF电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、TOPCon电池、IBC电池或MWT电池。
优选的,所述晶硅电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,丝印,烧结。
优选的,所述晶硅电池为SE电池,所述晶硅电池分片的制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,丝印,烧结。
优选的,所述晶硅电池为PERC电池,所述晶硅电池分片的制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
优选的,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述晶硅电池分片的制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
优选的,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述晶硅电池分片的制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,局部印刷或喷涂磷浆,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
优选的,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述晶硅电池分片的制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,局部印刷保护胶,正面PN结腐蚀,去胶,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
优选的,所述整片分割步骤包括依次进行的如下具体步骤:划片,裂片。
优选的,所述整片为规则形状或不规则形状。
优选的,所述整片为三角形、凸多边形或凹多边形。
优选的,所述整片为方形硅片或带圆倒角的方形硅片。
优选的,所述整片由硅棒的边皮料切割而成。
优选的,所述边皮料为硅棒切方产生的边皮料。
优选的,所述整片分割步骤对硅片整片进行等分分割或不等分分割。
优选的,所述整片分割步骤将硅片整片分割成N个分片,N≥2,且N≤12(即将硅片整片分割成2个分片、3个分片、4个分片、5个分片、6个分片、7个分片、8个分片、9个分片、10个分片、11个分片或12个分片)。
优选的,所述整片分割步骤将硅片整片等分分割成N个分片,N≥2,且N≤12(即将硅片整片等分分割成2个分片、3个分片、4个分片、5个分片、6个分片、7个分片、8个分片、9个分片、10个分片、11个分片或12个分片)。
本发明的优点和有益效果在于:提供一种晶硅电池分片的制备工艺,其能去除分片边缘的损伤层,进而消除分片边缘损伤层的不良影响。
本发明将整片分割步骤放在去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤之间进行,可通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层(背面碱抛光过程中,背面碱抛光所用的碱液与分片边缘接触,碱液可将分片边缘的损伤层腐蚀掉),进而消除分片边缘损伤层的不良影响。
且在镀膜过程中,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化,可进一步提高晶硅电池分片的性能。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种晶硅电池分片的制备工艺,在晶硅电池的制备工艺中加入整片分割步骤,该整片分割步骤将硅片整片分割成至少两个分片;所述晶硅电池可以是SE电池、BSF电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、TOPCon电池、IBC电池或MWT电池;所述晶硅电池的制备工艺包括去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤;所述整片分割步骤在去背面PSG步骤之后进行,且整片分割步骤在背面碱抛光步骤之前进行,且通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层。
分割硅片整片有多种实施方法,如通过划片+裂片来分割硅片整片;可以对硅片整片进行等分分割,也可以对硅片整片进行不等分分割。
本发明的具体实施例举例如下:
实施例1
一种晶硅电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)扩散:对制绒处理后的整片进行扩散处理;
3)去背面PSG:对扩散处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
4)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
5)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
6)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
7)去正面PSG:对背面碱抛光处理后的分片进行去正面PSG处理,去除分片正面的PSG;
8)镀膜:对去正面PSG处理后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;镀膜可以采用PECVD工艺;
9)丝印:对镀膜处理后的分片进行丝网印刷;
10)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
实施例2
一种SE电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)扩散:对制绒处理后的整片进行扩散处理;
3)激光掺杂:对扩散处理后的整片进行激光掺杂处理;
4)去背面PSG:对激光掺杂处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
5)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
6)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
7)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
8)去正面PSG:对背面碱抛光处理后的分片进行去正面PSG处理,去除分片正面的PSG;
9)镀膜:对去正面PSG处理后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;
10)丝印:对镀膜处理后的分片进行丝网印刷;
11)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
实施例3
一种PERC电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)扩散:对制绒处理后的整片进行扩散处理;
3)去背面PSG:对扩散处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
4)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
5)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
6)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
7)去正面PSG:对背面碱抛光处理后的分片进行去正面PSG处理,去除分片正面的PSG;
8)镀膜:对去正面PSG处理后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;
9)激光开孔:对镀膜后的分片进行激光开孔,使用激光在分片背面掩膜层开孔;
10)丝印:对激光开孔后的分片进行丝网印刷;
11)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
实施例4
一种SE-PERC电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)扩散:对制绒处理后的整片进行扩散处理;
3)激光掺杂:对扩散处理后的整片进行激光掺杂处理;
4)去背面PSG:对激光掺杂处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
5)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
6)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
7)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
8)去正面PSG:对背面碱抛光处理后的分片进行去正面PSG处理,去除分片正面的PSG;
9)镀膜:对去正面PSG处理后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;
10)激光开孔:对镀膜后的分片进行激光开孔,使用激光在分片背面掩膜层开孔;
11)丝印:对激光开孔后的分片进行丝网印刷;
12)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
实施例5
一种SE-PERC电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)局部印刷或喷涂磷浆:在制绒后的整片正面局部印刷或喷涂磷浆;
3)扩散:对局部印刷或喷涂磷浆的整片进行扩散处理;
4)去背面PSG:对扩散处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
5)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
6)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
7)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
8)去正面PSG:对背面碱抛光处理后的分片进行去正面PSG处理,去除分片正面的PSG;
9)镀膜:对去正面PSG处理后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;
10)激光开孔:对镀膜后的分片进行激光开孔,使用激光在分片背面掩膜层开孔;
11)丝印:对激光开孔后的分片进行丝网印刷;
12)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
实施例6
一种SE-PERC电池分片的制备工艺,包括依次进行的如下步骤:
1)制绒:对硅片整片进行制绒处理;
2)扩散:对制绒处理后的整片进行扩散处理;
3)去背面PSG:对扩散处理后的整片进行去背面PSG处理,去除整片背面的PSG;
4)划片:通过激光划片机对去背面PSG处理后的整片进行切割,在整片上形成切槽;
5)裂片:通过裂片机沿切槽对整片进行裂片,使整片裂成至少两个分片;
6)背面碱抛光:采用碱液对分片进行背面碱抛光处理,将分片背面抛光,且背面碱抛光处理过程中,碱液与分片边缘接触,碱液将分片边缘的损伤层腐蚀掉,去除分片边缘的损伤层;碱液可以选用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液;
7)局部印刷保护胶:在背面碱抛光后的分片正面局部印刷保护胶;
8)正面PN结腐蚀:对局部印刷保护胶的分片正面进行PN结腐蚀;
9)去胶:去除分片正面的保护胶;
10)镀膜:对去胶后的分片进行镀膜,在分片正面沉积钝化层和减反层,在分片背面沉积钝化层和掩膜层,分片边缘会同时沉积钝化层,从而形成边缘钝化;
11)激光开孔:对镀膜后的分片进行激光开孔,使用激光在分片背面掩膜层开孔;
12)丝印:对激光开孔后的分片进行丝网印刷;
13)烧结:对丝网印刷后的分片进行烧结。
上述各实施例中的硅片整片可以是规则形状,也可以是不规则形状;如整片可以为三角形、凸多边形或凹多边形;常见的整片为方形硅片或带圆倒角的方形硅片。整片可以由硅棒的边皮料切割而成,边皮料为硅棒切方产生的边皮料。
上述各实施例中的分片可以由硅片整片等分分割而得,也可以由硅片整片不等分分割而得;优选的,将硅片整片等分分割成2个分片、3个分片、4个分片、5个分片、6个分片、7个分片、8个分片、9个分片、10个分片、11个分片或12个分片。
本发明将整片分割步骤放在去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤之间进行,可通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层(背面碱抛光过程中,背面碱抛光所用的碱液与分片边缘接触,碱液可将分片边缘的损伤层腐蚀掉),进而消除分片边缘损伤层的不良影响。
且在镀膜过程中,分片边缘会被钝化,可进一步电池分片的性能。
上述各实施例仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
还要声明的是,虽然上述各实施例都通过划片+裂片来分割硅片整片,但这并不表明只能通过划片+裂片来分割硅片整片,采用其他方法来分割硅片整片,也在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,在晶硅电池的制备工艺中加入整片分割步骤,该整片分割步骤将硅片整片分割成至少两个分片;所述晶硅电池的制备工艺包括去背面PSG步骤和背面碱抛光步骤;所述整片分割步骤在去背面PSG步骤之后进行,且整片分割步骤在背面碱抛光步骤之前进行,且通过背面碱抛光去除分片边缘的损伤层。
2.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为SE电池、BSF电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、TOPCon电池、IBC电池或MWT电池。
3.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,丝印,烧结。
4.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为SE电池,所述制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,丝印,烧结。
5.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为PERC电池,所述制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
6.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
7.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,局部印刷或喷涂磷浆,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,去正面PSG,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
8.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述晶硅电池为SE-PERC电池,所述制备工艺包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,去背面PSG,整片分割,背面碱抛光,局部印刷保护胶,正面PN结腐蚀,去胶,镀膜,激光开孔,丝印,烧结。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片分割步骤包括依次进行的如下具体步骤:划片,裂片。
10.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片为规则形状或不规则形状。
11.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片为三角形、凸多边形或凹多边形。
12.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片为方形硅片或带圆倒角的方形硅片。
13.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片由硅棒的边皮料切割而成。
14.根据权利要求13所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述边皮料为硅棒切方产生的边皮料。
15.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片分割步骤对硅片整片进行等分分割或不等分分割。
16.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片分割步骤将硅片整片分割成N个分片,N≥2,且N≤12。
17.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺,其特征在于,所述整片分割步骤将硅片整片等分分割成N个分片,N≥2,且N≤12。
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