CN110534501B - 一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 - Google Patents
一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110534501B CN110534501B CN201910818423.7A CN201910818423A CN110534501B CN 110534501 B CN110534501 B CN 110534501B CN 201910818423 A CN201910818423 A CN 201910818423A CN 110534501 B CN110534501 B CN 110534501B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- strip
- layer
- measurement
- measuring
- along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 212
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims description 55
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置,其中,显示面板包括:衬底和形成在衬底上的多层外延层;形成在基准层的上的前层测量标记;基准层为衬底或多层外延层中的一层;形成在基准层远离衬底的一侧的当前层的后层测量标记,当前层为多层外延层中的一层;前层测量标记包括多个第一条状结构;后层测量标记包括多个第二条状结构,显示面板可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离;测量抓取距离为沿抓取方向上,第一条状结构与对应的第二条状结构相邻两边之间的距离;第一方向和第二方向相交。本发明提供了一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置,以解决现有套刻精度的测量精度较低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置。
背景技术
套刻测试是半导体制造光刻过程中的一项基本工艺,套刻精度的大小反映不同功能膜层之间光刻图形的位置对准的好坏程度,目前显示面板行业的套刻精度的通过相邻膜层之间的测量标记实现。
常用测量标记基本为“回”字方口型测量标记,在精度上基本满足了面板的精度需求,但存在因测量标记本身制作时存在的异常导致无法量测或量测错误的情况,例如:测量标记因脱落等因素导致缺失部分等情况。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置,以解决现有套刻精度的测量精度较低的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底和形成在所述衬底上的多层外延层;
形成在基准层的上的前层测量标记;所述基准层为所述衬底或所述多层外延层中的一层;
形成在所述基准层远离所述衬底的一侧的当前层的后层测量标记,所述当前层为所述多层外延层中的一层;
所述前层测量标记包括多个第一条状结构;所述后层测量标记包括多个第二条状结构,使得所述显示面板可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离;所述测量抓取距离为沿抓取方向上,所述第一条状结构与对应的第二条状结构相邻两边之间的距离;所述第一方向和所述第二方向相交。根据多组测量抓取距离进行计算能够获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,从而获取基准层和后层之间的套刻精度,提高显示面板的生产良率。
可选的,所述第一条状结构和所述第二条状结构均为直线型;所述前层测量标记包括至少一个第一线阵列组;每个所述第一线阵列组包括至少两条沿第一方向延伸的第一条状结构;所述后层测量标记包括与所述第一线阵列组一一对应的第二线阵列组;所述第二线阵列组包括沿第一方向延伸的,与对应第一线阵列组的第一条状结构一一对应的第二条状结构;所述第一线阵列组与对应的所述第二线阵列组沿第二方向相邻设置,以用于获取沿第二方向上的所述测量抓取距离;所述前层测量标记包括至少一个第三线阵列组;每个所述第三线阵列组包括至少两条沿第二方向延伸的第一条状结构;所述后层测量标记包括与所述第三线阵列组一一对应的第四线阵列组;所述第四线阵列组包括沿第二方向延伸的,与对应第三线阵列组的第一条状结构一一对应的第二条状结构;所述第三线阵列组与对应的所述第四线阵列组沿第一方向相邻设置,以用于获取沿第一方向上的所述测量抓取距离。多个直线型的条状结构形成线阵列组,能够获取多组测量抓取距离,从而获取多组前层测量标记和后层测量标记的中心偏移数据,并根据多组中心偏移数据取中点偏移量,测量角度较高,计算逻辑简单,并且线阵列组的结构结构,设计错误率低。
可选的,所述第一条状结构和所述第二条状结构均为“L”型;所述第一条状结构和第二条状结构均包括相互垂直设置第一端子和第二端子;所述前层测量标记包括至少一个第一嵌套阵列组;每个第一嵌套阵列组包括至少两个嵌套的第一条状结构;所述嵌套的第一条状结构的第一端子沿第二方向相互平行设置,第二端子沿第一方向相互平行设置;所述后层测量标记包括与所述第一嵌套阵列组一一对应的第二嵌套阵列组;每个第二嵌套阵列组包括与对应第一嵌套阵列组的第一条状结构一一对应的第二条状结构;所述第二条状结构嵌套设置,所述第二条状结构的第一端子沿第二方向相互平行设置,第二端子沿第一方向相互平行设置;所述第一嵌套阵列组与对应的所述第二嵌套阵列组成呈中心对称设置,以用于获取沿第一方向的测量抓取距离和沿第二方向的测量抓取距离。每个“L”型嵌套阵列组包括多条“L”型条状结构,从而获取多组测量抓取距离,有助于获取准确的套刻精度的测量,减少测量标记本身的缺陷造成的测量误差,并且根据多组中心偏移数据取中点偏移量,进一步提高测量精准度。
可选的,所述第一条状结构为十字型,所述第二条状结构为用于围绕所述第一条状结构的矩形框状;或者,所述第二条状结构为十字型,所述第一条状结构为用于围绕所述第二条状结构的矩形框状。十字型的条状结构可包括更多的测量端子,以获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度测量的准确性。
可选的,所述第一条状结构和所述第二条状结构均为“梳子”型;存在所述第一条状结构包括等间距设置的,沿第一方向延伸的至少两个第一伸出端子;存在所述第二条状结构包括等间距设置的,沿第一方向延伸的至少两个第二伸出端子;沿第二方向上,所述第一伸出端子与所述第二伸出端子交错设置,以用于获取沿第二方向的测量抓取距离;存在所述第一条状结构包括等间距设置的,沿第二方向延伸的至少两个第三伸出端子;存在所述第二条状结构包括等间距设置的,沿第二方向延伸的至少两个第四伸出端子;沿第一方向上,所述第三伸出端子与所述第四伸出端子交错设置,以用于获取沿第一方向的测量抓取距离。上述“梳子”型条状结构包括多个伸出端子,将伸出端子作为测量端子可获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性,并且,“梳子”型测量标记在结构上设置简单易实现。
可选的,所述第一条状结构与所述第二条状结构均包括支撑链和基因端子;所述支撑链沿第二方向延伸;所述基因端子包括第一基因端子和第二基因端子;所述基因端子沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向排布;所述第一条状结构的支撑链和至少两条所述第一条状结构的第一基因端子,以及至少两条所述第一条状结构的第二基因端子连接;所述第二条状结构的支撑链与至少两条所述第二条状结构的第一基因端子,以及至少一条所述第二条状结构的第二基因端子连接;以用于获取沿第二方向上的测量抓取距离;沿第一方向上,所述第一条状结构连接的第一基因端子或第二基因端子与所述第二条状结构连接的第二基因端子或第一基因端子相对且间隔设置,以用于获取沿第一方向上的测量抓取距离。基因链状的条状结构同样能够为测量过程提供更多的测量端子,获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性。
可选的,所述第一条状结构与所述第二条状结构均包括第一条状块、第二条状块和第三条状块;所述第二条状块和所述第三条状块沿所述第二方向排列,所述第一条状块设置于所述第二条状块和所述第三条状块的中垂线上;所述第一条状结构与所述第二条状结构的第二条状块沿所述第一方向排布,所述第一条状结构与所述第二条状结构的第三条状块沿所述第一方向排布,所述第一条状结构与所述第二条状结构的第一条状块沿所述第一方向排布,以用于获取沿所述第一方向上的测量抓取距离;沿所述第二方向上,所述第一条状结构的第二条状块和第三条状块之间设置有所述第二条状结构的第一条状块,所述第二条状结构的第二条状块和第三条状块之间设置有所述第一条状结构的第一条状块,以用于获取沿第二方向上的测量抓取距离。上述品字状的条状结构同样能够为测量过程提供更多的测量端子,获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的套刻精度测量方法,适用于本发明任意实施例提供的显示面板,显示面板的套刻精度测量方法包括:
由多组前层测量标记的第一条状结构与所述后层测量标记的对应第二条状结构沿第一方向抓取测量抓取距离;由多组前层测量标记的第一条状结构与所述后层测量标记的对应第二条状结构沿第二方向抓取测量抓取距离;
根据所述第一方向的测量抓取距离和所述第二方向的测量抓取距离获取所述前层测量标记和所述后层测量标记的中点偏移量。根据多组测量抓取距离进行计算能够获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,从而获取基准层和后层之间的套刻精度,提高显示面板的生产良率。
可选的,根据所述第一方向的测量抓取距离和所述第二方向的测量抓取距离获取所述前层测量标记和所述后层测量标记的中点偏移量,包括:根据所述第一方向的测量抓取距离获取多个所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第一方向的中心偏移数据;将多个沿第一方向的所述中心偏移数据的平均值作为所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第一方向的中点偏移量;根据所述第二方向的测量抓取距离获取多个所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第二方向的中心偏移数据;将多个沿第二方向的所述中心偏移数据的平均值作为所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第二方向的中点偏移量。通过将多组中心偏移数据求取平均值获取前层测量标记和后层测量标记的中心偏移量,从而准确获取前层测量标记和后层测量标记的对位精度,提高显示面板生产良率。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明中,在显示面板的基准层设置前层测量标记,在靠近基准层的当前层中设置后层测量标记,前层测量标记包括多个第一条状结构,后层测量标记包括多个第二条状结构,则根据第一条状结构和第二条状结构可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离,测量抓取距离为前层测量标记的第一条状结构与后层测量标记的对应的第二条状结构相邻两边之间的距离,根据分别沿不同方向抓取的多组测量抓取距离进行计算能够获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,从而获取基准层和当前层之间的光刻图形的位置对准情况,即获取基准层和当前层之间的套刻精度,实现不同功能膜层之间的精准的对位校准,提高显示面板的生产良率。
附图说明
图1是现有技术中的一种显示面板的平面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的剖视图;
图4是图2中显示面板的前层测量标记的结构示意图;
图5是图2中显示面板的后层测量标记的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图;
图12是本发明实施例提供的一种显示面板的套刻精度测量方法的流程示意图;
图13是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
如图1所示,图1是现有技术中的一种显示面板的平面结构示意图,在套刻精度现常用的前层测量标记13和后层测量标记14均为口型测量标记,通常测量外侧口型测量和内侧口型测量标记之间的距离作为测量抓取距离,例如,测量抓取距离x1,或者测量抓取距离y1,但是外侧口型测量标记和内侧口型测量标记均为单一的图形结构,测量抓取距离的抓取边缘单一,一旦测量标记边缘因工艺和碰撞缺失部分区域,则非常容易造成测量抓取距离的准确性降低,如图1所示,当外侧口型测量标记出现破损,测量抓取距离x1的测量是不准确的,导致前层测量标记和后层测量标记的中心偏移较大。为解决上述问题,本发明实施例提供了如下显示面板:
本发明实施例提供了一种显示面板,显示面板的包括:
衬底和形成在衬底上的多层外延层;
形成在基准层的上的前层测量标记;基准层为衬底或多层外延层中的一层;
形成在基准层远离衬底的一侧的当前层的后层测量标记,当前层为多层外延层中的一层;
前层测量标记包括多个第一条状结构;后层测量标记包括多个第二条状结构,使得显示面板可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离;测量抓取距离为沿抓取方向上,第一条状结构与对应的第二条状结构相邻两边之间的距离;第一方向和第二方向相交。
本实施例提供的显示面板,在显示面板的基准层设置前层测量标记,在靠近基准层的当前层中设置后层测量标记,前层测量标记包括多个第一条状结构,后层测量标记包括多个第二条状结构,则根据第一条状结构和第二条状结构可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离,测量抓取距离为前层测量标记的第一条状结构与后层测量标记的对应的第二条状结构相邻两边之间的距离,根据分别沿不同方向抓取的多组测量抓取距离进行计算能够获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,从而获取基准层和当前层之间的光刻图形的位置对准情况,即获取基准层和当前层之间的套刻精度,实现不同功能膜层之间的精准的对位校准,提高显示面板的生产良率。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在上述实施例的基础上,图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图,图3是本发明实施例提供的一种显示面板的剖视图,如图2和图3所示,显示面板1包括衬底11和设置于衬底11上的多层外延层12,本实施例中上述外延层12可以为缓冲层,以及栅极层、栅极绝缘层、源漏极层等薄膜晶体管层。本实施例中的主要通过相邻的基准层和当前层上的测量标记之间的距离的测量,获取显示面板的基准层和当前层的对位精度,即基准层和当前层之间的套刻精度。基准层可以为衬底11,也可以为衬底11上设置的其他外延层12中的任一层,则当前层为基准板远离衬底11一侧设置的,与基准层相接触的外延层。基准层上可设置前层测量标记13,当前层上可以设置后层测量标记14。
前层测量标记13和后层测量标记14均可设置条状结构作为测量标记,条状结构便于为套刻精度的测量提供抓取边缘,以提高测量精度。可选的,抓取边缘的长度大于或等于10mil,有利于设备对测量抓取距离进行抓取,但本实施例中对抓取边缘的长度不进行具体限制,可根据实际需要进行确定。本实施例中,前层测量标记13可包括多个第一条状结构131,后层测量标记14可包括多个第二条状结构141,可通过测量第一条状结构131和对应第二条状结构141在多个抓取方向上的距离,作为测量抓取距离。本实施例可将在抓取方向上,第一条状结构131和对应第二条状结构141的相邻两边之间的距离作为第一条状结构131和对应第二条状结构141之间的距离。如图2所示,为体现第一条状结构131和对应第二条状结构141在显示面板所在平面的距离关系,可设置两个抓取方向,第一方向X和第二方向Y,第一方向X和第二方向Y相交设置,参考图2,第一条状结构131和对应第二条状结构141沿第一方向X的测量抓取距离可为x1、x2及x3等,第一条状结构131和对应第二条状结构141沿第二方向Y的测量抓取距离可为y1、y2及y3等。
测量抓取距离为表征前层测量标记13和后层测量标记14之间的距离的参数。多组测量抓取距离通过运算可获取前层测量标记13的中心和后层测量标记14的中心的偏移量。中心偏移量可以表征基准层和当前层之间光刻图形的偏移量,若光刻图形的偏移量过大,则可以将当前层上光阻材料形成的后层测量标记进行清除,并重新涂覆光阻材料形成新的后层测量标记,并再次将新的后层测量标记与前层测量标记进行中心偏移量的测量,直至基准层和当前层之间光刻图形的中心偏移量达到生产标准,本实施例通过后层测量标记对基准层和当前层之间光刻图形的差异进行对比,从而能够获取当前层的准确光刻图形,提高对当前层的刻蚀精准性,提高显示面板的生产良率。本实施例的多条第一条状结构131和多条第二条状结构141能够提供更多的测量抓取距离,便于精准地对显示面板的套刻精度进行测量。
可选的,继续参考图2,第一条状结构131和第二条状结构141均为“L”型;第一条状结构131和第二条状结构141可均包括相互垂直设置第一端子a和第二端子b;前层测量标记13包括至少一个第一嵌套阵列组13a;每个第一嵌套阵列组13a包括至少两个嵌套的第一条状结构131;嵌套的第一条状结构131的第一端子a沿第二方向Y相互平行设置,第二端子b沿第一方向X相互平行设置;后层测量标记14包括与第一嵌套阵列组13a一一对应的第二嵌套阵列组14a;每个第二嵌套阵列组14a包括与对应第一嵌套阵列组13a的第一条状结构131一一对应的第二条状结构141;第二条状结构141嵌套设置,第二条状结构141的第一端子a沿第二方向Y相互平行设置,第二端子b沿第一方向X相互平行设置;第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组13b成呈中心对称设置,以获取沿第一方向X的测量抓取距离和沿第二方向Y的测量抓取距离。
本实施例中,第一条状结构131和第二条状结构141均为“L”型,条状结构均包括第一端子a和第二端子b,多个端子作为测量端子可获取多组测量抓取距离。如图2所示,多个第一条状结构131嵌套设置形成第一嵌套阵列组13a,并且嵌套的第一条状结构131的第一端子a相互平行,第二端子b相互平行。同理,多个第二条状结构141嵌套设置形成第二嵌套阵列组14a,并且嵌套的第二条状结构141的第一端子a相互平行,第二端子b相互平行。前层测量标记13包括至少两组第一嵌套阵列组13a,后层测量标记14包括与第一嵌套阵列组13a一一对应的第二嵌套阵列组14b,并且第二嵌套阵列组14b中包括与对应第一嵌套阵列组13a中第一条状结构131一一对应的第二条状结构141。值得注意的是,本实施例中相互对应的第一嵌套阵列组13a和第二嵌套阵列组14a是能够获取测量抓取距离的两个抓取物,同理,对应设置的第一条状结构131和第二条状结构141也为测量抓取距离获取的两个抓取物,如图2所示,第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a成呈中心对称设置,第一条状结构131的第一端子a与第二条状结构141的第一端子a相互平行,第一条状结构131的第二端子b与第二条状结构141的第二端子b相互平行。示例性的,如图2所示,第一条状结构131的第一端子a和第二条状结构141的第一端子a沿第一方向X进行延伸,第一条状结构131的第二端子b和第二条状结构141的第二端子b沿第二方向Y进行延伸。如图4和图5所示,图4是图2中显示面板的前层测量标记的结构示意图,图5是图2中显示面板的后层测量标记的结构示意图,图4示出了显示面板的基准层的结构示意图,基准层仅设置了前层测量标记13,图5示出了显示面板基准层的后一层,即基准层远离衬底的一侧的当前层的结构示意图,基准层仅设置了前层测量标记13,当前层仅设置了后层测量标记14,则通过前层测量标记13和后层测量标记14进行对位,能够获取基准层和当前层的对位精度,获取显示面板的套刻精度,提升显示面板生产良率。
本实施例中,每个“L”型嵌套阵列组包括多条“L”型条状结构,“L”型条状结构包括第一端子a和第二端子b,从而获取多组测量抓取距离,例如,可沿第一方向X抓取测量抓取距离x1等,可沿第二方向Y抓取测量抓取距离y1等。有助于获取准确的套刻精度的测量,减少测量标记本身的缺陷造成的测量误差,并且根据多组中心偏移数据取中点偏移量,进一步提高测量精准度。
本实施例中,以每个第一嵌套阵列组13a包括三个第一条状结构131为例进行示意说明,沿第一方向X,某一组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a之间可获取测量抓取距离x1,x2和x3,另一组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a之间可获取测量抓取距离x4,x5和x6,获取沿第一方向X上的中心偏移数据OLx=((x1-x4)+(x2-x5)+(x3-x6))/3,本实施例可通过多组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a获取沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx,沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx的平均值,即中点偏移量其中OLx(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLx,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLx的总个数,沿第二方向Y,某一组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a之间可获取测量抓取距离y1,y2和y3,另一组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a之间可获取测量抓取距离y4,y5和y6,获取沿第二方向Y上的中心偏移数据OLx=((y1-y4)+(y2-y5)+(y3-y6))/3,本实施例可通过多组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a获取沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy,沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy的平均值,即中点偏移量其中OLy(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLy,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLy的总个数,本实施例中采用多组中心偏移数据求均值可获取中点偏移量,可进一步提高测量精度,降低错误率。本实例中,第一方向X和第二方向Y相交,通过对第一方向X和第二方向Y分别进行中点偏移量的获取,能够获取显示面板所在平面的中点偏移量。
可选的,参考图6,图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,第一条状结构131和第二条状结构141可均为直线型;前层测量标记13包括至少一个第一线阵列组13c;每个第一线阵列组13c包括至少两条沿第一方向X延伸的第一条状结构131;后层测量标记14包括与第一线阵列组13c一一对应的第二线阵列组14c;第二线阵列组14c包括沿第一方向X延伸的,与对应第一线阵列组13c的第一条状结构131一一对应的第二条状结构141;第一线阵列组13c与对应的第二线阵列组14c沿第二方向Y相邻设置,以获取沿第二方向Y上的测量抓取距离;前层测量标记13包括至少一个第三线阵列组13b;每个第三线阵列组13b包括至少两条沿第二方向Y延伸的第一条状结构131;后层测量标记14包括与第三线阵列组13b一一对应的第四线阵列组14b;第四线阵列组14b包括沿第二方向Y延伸的,与对应第三线阵列组13b的第一条状结构131一一对应的第二条状结构141;第三线阵列组13b与对应的第四线阵列组14b沿第一方向X相邻设置,以获取沿第一方向X上的测量抓取距离。
本实施例中,如图6所示,第一条状结构131和第二条状结构141可均为直线型,前层测量标记13包括第一线阵列组13c和第三线阵列组13b,后层测量标记14包括与第一线阵列组13c一一对应的第二线阵列组14c,以及与第三线阵列组13b一一对应的第四线阵列组14b。第一线阵列组13c和第二线阵列组14c沿第一方向X延伸,并沿第二方向Y排布,可选的,第一线阵列组13c和第二线阵列组14c可沿第二方向Y等间距排布,便于进行测量抓取距离的获取。通过某一组对应设置的第一线阵列组13c和第二线阵列组14c,在第二方向Y可获取测量抓取距离y1,y2和y3,通过另一组对应设置的第一线阵列组13c和第二线阵列组14c,在第二方向Y可获取测量抓取距离y4,y5和y6。同理,第三线阵列组13b和第四线阵列组14b沿第二方向Y延伸,并沿第一方向X排布,可选的,第三线阵列组13b和第四线阵列组14b可沿第一方向X等间距排布,便于进行测量抓取距离的获取。通过某一组对应设置的第三线阵列组13b和第四线阵列组14b,在第一方向X可获取测量抓取距离x1,x2和x3,通过另一组对应设置的第三线阵列组13b和第四线阵列组14b,在第一方向X可获取测量抓取距离x4,x5和x6。多个直线型的条状结构形成线阵列组,能够获取多组测量抓取距离,从而获取多组前层测量标记13和后层测量标记14的中心偏移数据,并根据多组中心偏移数据取中点偏移量,测量精度较高,计算逻辑简单,并且线阵列组的结构设计错误率较低。
参考图6,示例性的,以每个第一线阵列组13c包括三个第一条状结构131为例进行示意说明,获取沿第一方向X上的中心偏移数据OLx=((x1-x4)+(x2-x5)+(x3-x6))/3,本实施例可通过多组第一线阵列组13c与对应的第二线阵列组14c获取沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx,沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx的平均值,即中点偏移量其中OLx(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLx,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLx的总个数;获取沿第二方向Y上的,第三线阵列组13b和第四线阵列组14b的中心偏移数据OLy=((y1-y4)+(y2-y5)+(y3-y6))/3,本实施例可通过多组第一嵌套阵列组13a与对应的第二嵌套阵列组14a获取沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy,沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy的平均值,即中点偏移量其中OLy(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLy,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLy的总个数。可选的,第一方向X与第二方向Y相互垂直设置,能够在显示面板所在平面上获取中点偏移量OL_x和OL_y,使得套刻精度的测量更加准确,较单一“回”字型量测标记,多出求取均值步骤,可提高量测精度,且结构简单,设置成本较低。
参考图7,图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,可选的,所述第一条状结构131为十字型,所述第二条状结构141用于围绕对应第一条状结构131的矩形框状;或者,所述第二条状结构141为十字型,所述第一条状结构131用于围绕对应第二条状结构141的矩形框状。十字型的条状结构可包括更多的测量端子,以获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度测量的准确性。如图7所示,每个十字型的条状结构包括四个测量端子15,则获取由四个测量端子15分别到矩形框状的条状结构的距离可作为测量抓取距离,示例性的,沿第一方向X上,可获取测量抓取距离x1,沿第二方向Y上,可获取测量抓取距离y1。
本实施例中,可设置两个十字型第一条状结构131,并在第一条状结构131的两侧设置矩形框状的第二条状结构141,如图7所示,沿第一方向X上,可获取第一条状结构131和对应第二条状结构141之间的测量抓取距离x1、x2、x3和x4,沿第二方向Y上,可获取第一条状结构131和对应第二条状结构141之间的测量抓取距离y1、y2、y3和y4。获取沿第一方向X上的中心偏移数据OLx=((x1-x2)+(x3-x4))/2,本实施例可通过多组第一条状结构131与对应的第二条状结构141获取沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx,沿第一方向X上的多个中心偏移数据OLx的平均值,即中点偏移量其中OLx(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLx,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLx的总个数;获取沿第二方向Y上的,第一条状结构131和对应第二条状结构141的中心偏移数据OLy=((y1-y2)+(y3-y4))/2,本实施例可通过多组第一条状结构131和对应第二条状结构141获取沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy,沿第二方向Y上的多个中心偏移数据OLy的平均值,即中点偏移量其中OLy(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLy,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLy的总个数。本实施例采用十字型条状结构,本实施例中显示面板的测量标记采用此种设计方式,与现有技术模式相似,仅将现有技术中的口字型优化为十字型,并可进行测量标记的组合。
参考图8,图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,图8中仅示出了包括一个十字型条状结构和一个矩形条状结构的测量标记。如图8所示,十字型条状结构可以为第二条状结构141,矩形框状条状结构可以为第一条状结构131,沿第一方向X,第一条状结构131和第二条状结构141可以获取测量抓取距离x1、x2、x3和x4,沿第二方向Y,第一条状结构131和第二条状结构141可以获取测量抓取距离y1、y2、y3和y4,从而对基准层和当前层的中点偏移量进行测量,对套刻精度进行测量。
参考图9,图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,可选的,第一条状结构131和第二条状结构141均为“梳子”型;存在第一条状结构131包括等间距设置的,沿第一方向X延伸的至少两个第一伸出端子161;存在第二条状结构141包括等间距设置的,沿第一方向X延伸的至少两个第二伸出端子162;沿第二方向Y上,第一伸出端子161与第二伸出端子162交错设置,以获取沿第二方向Y的测量抓取距离;存在第一条状结构131包括等间距设置的,沿第二方向Y延伸的至少两个第三伸出端子163;存在第二条状结构141包括等间距设置的,沿第二方向Y延伸的至少两个第四伸出端子164;沿第一方向X上,第三伸出端子163与第四伸出端子164交错设置,以获取沿第一方向X的测量抓取距离。本实施例中的条状结构均为“梳子”型,“梳子”型条状结构包括多个伸出端子,将伸出端子作为测量端子可获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性,并且,“梳子”型测量标记在结构上设置简单易实现。
如图9所示,每个条状结构可包括3个伸出端子,本实施例中,沿第一方向X上,可获取测量抓取距离x1、x2、x3、x4和x5,则沿第一方向X上的中心偏移数据OLx=((x1-x2)+(x3-x2)+(x3-x4)+(x5-x4))/4,沿第二方向Y上的中心偏移数据OLy=((y1-y2)+(y3-y2)+(y3-y4)+(y5-y4))/4,从而能够计算前层测量标记与后层测量标记的中点偏差,针对高精度需求,可采取图9所示的“梳子”型组合,提高精度降低错误率,并且“梳子”型的测量标记在结构上更简单,设计上更易实现。
如图10所示,图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,可选的,第一条状结构131与第二条状结构141可均包括支撑链171和基因端子172;支撑链171沿第二方向Y延伸;基因端子172包括第一基因端子172a和第二基因端子172b;基因端子沿第一方向X延伸并沿第二方向Y排布;第一条状结构131的支撑链171和至少两条第一条状结构131的第一基因端子172a,以及至少两条第一条状结构131的第二基因端子172b连接;第二条状结构141的支撑链171与至少两条第二条状结构141的第一基因端子172a,以及至少一条第二条状结构141的第二基因端子172b连接;以用于获取沿第二方向Y上的测量抓取距离;沿第一方向X上,第一条状结构131连接的第一基因端子172a或第二基因端子172b与第二条状结构141连接的第二基因端子172b或第一基因端子172a相对且间隔设置,以用于获取沿第一方向X上的测量抓取距离。
图10示出了一条“基因链状”的条状结构的测量标记的示意图,本实施例中,沿第一方向X,第一条状结构131的第一基因端子172a和第二条状结构141的第二基因端子172b相对设置,其相邻边缘之间的距离可以作为测量抓取距离;第一条状结构131的第二基因端子172b和第二条状结构141的第一基因端子172a相对设置,其相邻边缘之间的距离可以作为测量抓取距离。总之,相对设置的基因端子172分设于前层测量标记和后层测量标记。沿第二方向Y,每条支撑链171的第一基因端子172a和第二基因端子172b交错设置,边缘获取沿第二方向Y上的测量抓取距离。
沿第一方向X上,单“基因链”的中心偏移数据OLx=((x1-x2)+(x3-x4))/2,多“基因链”的中点偏移量其中OLx(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLx,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLx的总个数;单“基因链”的中心偏移数据OLy=((y1-y2)+(y3-y4))/2,多“基因链”的中点偏移量其中OLy(k)为本实施例获取的第k个中心偏移数据OLy,n表示本实施例获取的中心偏移数据OLy的总个数,采用“基因链”结构,同“梳子”型设计方案具有相同的优点,设计上更易实现。基因链状的条状结构同样能够为测量过程提供更多的测量端子,获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性。
图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图,可选的,第一条状结构131与第二条状结构141可均包括第一条状块C1、第二条状块C2和第三条状块C3;第二条状块C2和第三条状块C3沿第二方向Y排列,第一条状块C1设置于第二条状块C2和第三条状块C3的中垂线L1上;第一条状结构131与第二条状结构141的第二条状块C2沿第一方向X排布,第一条状结构131与第二条状结构141的第三条状块C3沿第一方向X排布,第一条状结构131与第二条状结构141的第一条状块C1沿第一方向X排布,以用于获取沿第一方向X上的测量抓取距离;沿第二方向Y上,第一条状结构131的第二条状块C2和第三条状块C3之间设置有第二条状结构141的第一条状块C1,第二条状结构141的第二条状块C2和第三条状块C3之间设置有第一条状结构131的第一条状块C1,以用于获取沿第二方向Y上的测量抓取距离。
图11示出了品字状的条状结构,第一条状结构131与第二条状结构141对称设置,便于获取各方向上的测量抓取距离,如图11所示,沿第一方向X上,可获取测量抓取距离x1、x2和x3,中心偏移数据OLx=((x1-x2)+(x3-x2))/2,沿第二方向Y上,中心偏移数据OLy=((y1-y2)+(y4-y3))/2,采用“品”字方块,设计更简单,效果优于现有技术,同样可现实两组或多组组合,使测量精度更高,降低错误率。上述品字状的条状结构同样能够为测量过程提供更多的测量端子,获取更多的测量抓取距离,提高套刻精度的测量准确性。
基于同一构思,本发明实施例还提供一种显示面板的套刻精度测量方法,适用于本发明任意实施例提供的显示面板。图12是本发明实施例提供的一种显示面板的套刻精度测量方法的流程示意图,如图12所示,本实施例的显示面板的套刻精度测量方法包括:
S101、由多组前层测量标记的第一条状结构与后层测量标记的对应第二条状结构沿第一方向抓取测量抓取距离;由多组前层测量标记的第一条状结构与后层测量标记的对应第二条状结构沿第二方向抓取测量抓取距离。
S102、根据第一方向的测量抓取距离和第二方向的测量抓取距离获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量。
本实施例中的显示面板的套刻精度测量方法,在显示面板的基准层设置前层测量标记,在靠近基准层的当前层中设置后层测量标记,前层测量标记包括多个第一条状结构,后层测量标记包括多个第二条状结构,则根据第一条状结构和第二条状结构可获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离,测量抓取距离为前层测量标记的第一条状结构与后层测量标记的对应的第二条状结构相邻两边之间的距离,根据分别沿不同方向抓取的多组测量抓取距离进行计算能够获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,从而获取基准层和当前层之间的光刻图形的位置对准情况,即获取基准层和当前层之间的套刻精度,实现不同功能膜层之间的精准的对位校准,提高显示面板的生产良率。
在上述实施例的基础上,根据第一方向的测量抓取距离和第二方向的测量抓取距离获取前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,包括:根据第一方向的测量抓取距离获取多个前层测量标记和后层测量标记沿第一方向的中心偏移数据;将多个沿第一方向的中心偏移数据的平均值作为前层测量标记和后层测量标记沿第一方向的中点偏移量;根据第二方向的测量抓取距离获取多个前层测量标记和后层测量标记沿第二方向的中心偏移数据;将多个沿第二方向的中心偏移数据的平均值作为前层测量标记和后层测量标记沿第二方向的中点偏移量。采用多组中心偏移数据的平均值作为前层测量标记和后层测量标记的中点偏移量,能够准确获取前层测量标记和后层测量标记的对位精度,提高显示面板生产良率。值得注意的是,在上述获取中心偏移数据的过程中,若某个测量抓取距离超过产品的设定阈值,则该测量抓取距离不计入上述中心偏移数据的计算过程。并且,一般通过测量抓取距离的差值计算中心偏移数据,本实施例中,若作差的两个测量抓取距离的差值大于差值阈值,则该中心偏移数据不计入上述多组中心偏移数据的平均值的计算范围。
本发明实施例还提供一种显示装置。图13是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图13所示,本发明实施例提供的显示装置2包括本发明任意实施例所述的显示面板1。显示装置2可以为如图13中所示的手机,也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等,本实施例对此不作特殊限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (4)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底和形成在所述衬底上的多层外延层;
形成在基准层的上的前层测量标记;所述基准层为所述衬底或所述多层外延层中的一层;
形成在所述基准层远离所述衬底的一侧的当前层的后层测量标记,所述当前层为所述多层外延层中的一层;
所述前层测量标记包括多个第一条状结构;所述后层测量标记包括多个第二条状结构,使得所述显示面板获取多组沿第一方向抓取的测量抓取距离和多组沿第二方向抓取的测量抓取距离;所述测量抓取距离为沿抓取方向上,所述第一条状结构与对应的第二条状结构相邻两边之间的距离;所述第一方向和所述第二方向相交;
所述第一条状结构和所述第二条状结构均为“L”型;所述第一条状结构和第二条状结构均包括相互垂直设置第一端子和第二端子;
所述前层测量标记包括至少一个第一嵌套阵列组;每个第一嵌套阵列组包括至少两个嵌套的第一条状结构;所述嵌套的第一条状结构的第一端子沿第二方向相互平行设置,第二端子沿第一方向相互平行设置;
所述后层测量标记包括与所述第一嵌套阵列组一一对应的第二嵌套阵列组;每个第二嵌套阵列组包括与对应第一嵌套阵列组的第一条状结构一一对应的第二条状结构;所述第二条状结构嵌套设置,所述第二条状结构的第一端子沿第二方向相互平行设置,第二端子沿第一方向相互平行设置;
所述第一嵌套阵列组与对应的所述第二嵌套阵列组成呈中心对称设置,以用于获取沿第一方向的测量抓取距离和沿第二方向的测量抓取距离;
或者,所述第一条状结构与所述第二条状结构均包括支撑链和基因端子;所述支撑链沿第二方向延伸;所述基因端子包括第一基因端子和第二基因端子;所述基因端子沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向排布;
所述第一条状结构的支撑链和至少两条所述第一条状结构的第一基因端子,以及至少两条所述第一条状结构的第二基因端子连接;所述第二条状结构的支撑链与至少两条所述第二条状结构的第一基因端子,以及至少一条所述第二条状结构的第二基因端子连接;以用于获取沿第二方向上的测量抓取距离;
沿第一方向上,所述第一条状结构连接的第一基因端子或第二基因端子与所述第二条状结构连接的第二基因端子或第一基因端子相对且间隔设置,以用于获取沿第一方向上的测量抓取距离。
2.一种显示面板的套刻精度测量方法,其特征在于,适用于上述权利要求1所述的显示面板,包括:
由多组前层测量标记的第一条状结构与所述后层测量标记的对应第二条状结构沿第一方向抓取测量抓取距离;由多组前层测量标记的第一条状结构与所述后层测量标记的对应第二条状结构沿第二方向抓取测量抓取距离;
根据所述第一方向的测量抓取距离和所述第二方向的测量抓取距离获取所述前层测量标记和所述后层测量标记的中点偏移量。
3.根据权利要求2所述的显示面板的套刻精度测量方法,其特征在于,根据所述第一方向的测量抓取距离和所述第二方向的测量抓取距离获取所述前层测量标记和所述后层测量标记的中点偏移量,包括:
根据所述第一方向的测量抓取距离获取多个所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第一方向的中心偏移数据;将多个沿第一方向的所述中心偏移数据的平均值作为所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第一方向的中点偏移量;
根据所述第二方向的测量抓取距离获取多个所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第二方向的中心偏移数据;将多个沿第二方向的所述中心偏移数据的平均值作为所述前层测量标记和所述后层测量标记沿第二方向的中点偏移量。
4.一种显示装置,其特征在于,包括上述权利要求1项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910818423.7A CN110534501B (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910818423.7A CN110534501B (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110534501A CN110534501A (zh) | 2019-12-03 |
CN110534501B true CN110534501B (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=68666030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910818423.7A Active CN110534501B (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110534501B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022193151A1 (zh) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版、对准标记以及光刻系统 |
CN113109997B (zh) * | 2021-03-18 | 2022-08-26 | 上海信及光子集成技术有限公司 | 测量外延前后光刻套刻误差的方法及结构 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050110467A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 마크 및 얼라인 키 형성방법 |
KR20060110940A (ko) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 오버레이 마크 및 그 형성 방법 |
CN102692831B (zh) * | 2012-05-28 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标识及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法 |
US8908181B2 (en) * | 2012-06-28 | 2014-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Overlay mark and method of measuring the same |
-
2019
- 2019-08-30 CN CN201910818423.7A patent/CN110534501B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110534501A (zh) | 2019-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11822750B2 (en) | Touch screen sensor | |
CN110534501B (zh) | 一种显示面板及套刻精度测量方法、显示装置 | |
CN104317158B (zh) | 一种掩膜板、掩膜板组、彩膜基板及显示装置 | |
CN105974638B (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
US10558286B2 (en) | Array substrate, touch display panel, and touch display device thereof | |
TW201512936A (zh) | 觸控感測器用電極、觸控面板及顯示裝置 | |
KR890004566B1 (ko) | 반도체 제조공정중의 패턴의 씨디변화를 모니타링하기 위한 테스트 패턴 | |
CN107272961A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN107368222B (zh) | 一种阵列基板、触控显示面板及其显示装置 | |
CN108919527A (zh) | 一种便捷式量测框胶宽度的基板及显示装置 | |
CN108877526B (zh) | 一种显示面板及弯折区域弯折程度的检测方法 | |
JPH1115591A (ja) | 静電結合型タブレット装置 | |
CN105607308B (zh) | 一种测量标尺、以及制造方法和使用方法 | |
CN104934413A (zh) | 重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片 | |
CN208937904U (zh) | 掩膜组件 | |
CN215731697U (zh) | 一种对准标记结构以及半导体器件 | |
CN218567829U (zh) | 一种rgb光罩和彩色滤光片 | |
CN113270392B (zh) | 一种对准标记结构以及半导体器件 | |
JPS59119487A (ja) | 座標読取装置 | |
CN103605445B (zh) | Ito线路线阻的测算方法 | |
KR19980082846A (ko) | 버니어 패턴 및 그를 사용한 패턴의 정렬오차 측정방법 | |
KR19990070018A (ko) | 반도체 소자의 오정렬 측정 패턴 | |
CN105333812A (zh) | 可测量单侧双偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布五敏感栅中叉指金属应变片 | |
JPH04154141A (ja) | アライメントエラーの測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liu Xinghua Inventor after: Wang Zhonglai Inventor after: Chao Wei Inventor after: Ge Feng Inventor before: Liu Xinghua Inventor before: Wang Yuan Inventor before: Chao Wei Inventor before: Ge Feng |
|
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |