CN110527865A - 一种高强高导铜硒多元合金材料的制备与形变方法 - Google Patents

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Abstract

一种高强高导铜硒多元合金材料的制备与形变方法,属于新型合金材料加工领域。该合金成分为硒:0.15‑‑0.6%,碲:0‑‑0.25%,微量添加元素:0.02‑‑0.1%,铜:余量,微量添加元素至少为锂、磷、稀土中的一种或两种,采用真空感应炉熔炼,其步骤包括配料、抽真空、氩气保护、合金熔炼、浇注、速冷获得铸坯,其中硒、碲、锂、稀土以中间合金加入;铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次2‑‑8,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材,电导率可达88‑‑95%IACS,维氏硬度可达150‑‑171 HV,根据国标GB3771‑83铜合金硬度与强度换算为506 MPa‑‑583 MPa。

Description

一种高强高导铜硒多元合金材料的制备与形变方法
技术领域
本发明属于新型铜合金材料加工领域,具体涉及一种高强高导铜硒多元合金材料的制备与形变方法。
背景技术
工业纯铜具有良好的导电、导热性能,并且塑性较好,因而工业纯铜用途广泛,常用于导电、导热等器材,但是,随着工业技术的飞速发展,工业纯铜强度低、软化温度低等缺点使其应用受到限制,这就要求开发新的高强高导铜合金,目前所开发的这类铜合金主要有铜锆、铜铬、铜镉、铜银、铜镁合金,但由于价格高、对环境影响大、导电性达不到要求等诸多原因,使这些合金并没有在大范围内使用。
碲的加入,赋予了纯铜抗电弧、抗电蚀等特殊性能,申请号为02113262.3,名称为“一种高强、高导、高灭弧的碲铜合金材料”,申请号为02133772.1,名称为“接触网导线用铜合金材料”中表明第三组元——镁的加入,使铜碲合金的强度有所提高,但导电率偏低,最高仅为76% IACS,《中外常用金属材料手册》(西安省标准化情报研究所编)中公开了牌号为C14500和C14510的易切削铜碲磷合金,但其强度仅为260 MPa,不具有高强高导、抗电弧和易切削相结合的综合性能指标。同时这些合金由于采用高纯碲为原料,碲资源有限,导致其研发和应用受到限制,因此迫切需要研制和开发新型高导电导热材料。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种高强高导铜硒多元合金材料的制备方法及形变方法,其特点是以硒元素代替碲元素,采用真空熔炼,速冷得到铸坯,经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)多道次挤压成型,相邻道次之间试样方向旋转90°,以获得高强高导铜硒多元合金,还可以根据加工需要调整其切削性能。
本发明提出的技术方案:引入硒(碲),微量添加元素,利用微量添加元素去除熔炼过程中产生的气体、杂质等以减少铸造缺陷,进而采用特殊形变工艺(ECAP)改善组织和切削性能,同时实现高强高导。
本发明提供一种高强高导铜硒多元合金材料的制备方法,具体步骤如下:
1)、根据铜硒多元合金成分设计,硒:0.15--0.6 w%,碲:0--0.25 w%,微量添加元素:0.02--0.1 w%,铜:余量,进行配料;微量添加元素至少为锂、磷、稀土中的一种或两种;
2)、采用真空感应炉熔炼,其步骤包括配料、抽真空、氩气保护、合金熔炼、浇注、速冷获得铸坯,其中硒、碲、锂、稀土以中间合金加入;
3)铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次2--8,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本发明具有如下有益效果:
1、本发明制备的铜硒多元合金材料电导率可达88--95% IACS,维氏硬度可达150--171HV,根据国标GB3771-83 铜合金硬度与强度换算为506 MPa--583 MPa。
2、本发明制备出的铜硒多元合金材料切削性能良好,硒(碲)、磷等均能改善合金材料的切削性能,因此可以通过控制硒(碲)、磷的加入量来调整合金的切削性能。其中硒(碲)是铜基体的非固溶元素,在合金凝固过程中,非固溶的硒、碲原子从合金液中析出生成Cu2Se、Cu2Te、Cu2(Se,Te)质点相,强化了铜基体,同时ECAP变形使其晶粒细化,大幅度提高合金硬度与强度,但对铜基体导电性削弱较少,同时赋予了铜合金优良的切削性能。
3、本发明以硒代碲,市场上硒的价格约为碲价格的2/5--3/5,因此,铜硒多元合金比铜碲合金在添加元素的成本上有大幅降低。
附图说明
图1是一种高强高导铜硒多元合金材料的ECAP形变模具示意图。
图2是一种高强高导铜硒多元合金材料的相邻ECAP道次试样旋转示意图。
图3是实施例3中铜硒多元合金材料经0、1、2、4、8道次ECAP形变后的导电率、硬度示意图。
图4是实施例3中铜硒多元合金材料经0、1、2、4、8道次ECAP形变后的微观组织示意图:a,0道次;b)1道次;c)2道次;d)4道次;e)8道次。
具体实施方式
实施例1
1、配料
按硒0.6 w%,磷0.05 w%,铜余量配料,其中硒以铜硒中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、磷继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次2次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为94.5% IACS,维氏硬度为150,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值506 MPa。
实施例2
1、配料
按硒0.5 w%,锂0.02 w%,铜余量配料,其中硒、锂分别以铜硒中间合金、铜锂中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、铜锂中间合金,继续熔炼,温度控制在1180--1200℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次4次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为93.5% IACS,维氏硬度为160,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值541 MPa。
实施例3
1、配料
按硒0.25 w%,碲0.25 w%、锂0.02 w%,铜余量配料,其中硒、碲、锂分别以铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜锂中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜锂中间合金,继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次4次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为93.9% IACS,维氏硬度为167,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值568MPa。
实施例4
1、配料
按硒0.25 w%,碲0.25 w%、铈0.04 w%,铜余量配料,其中硒、碲、铈分别以铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜铈中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜铈中间合金,继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次8次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为92.9% IACS,维氏硬度为171,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值583 MPa。
实施例5
1、配料
按硒0.15 w%,碲0.15 w%、铈0.02 w%,镧0.03 w%,铜余量配料,其中硒、碲分别以铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜铈中间合金、铜镧中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、铜碲中间合金、铜铈中间合金、铜镧中间合金,继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次8次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为93.7% IACS,维氏硬度为162,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值549 MPa。
实施例6
1、配料
按硒0.35 w%,铈0.05 w%,镧0.05 w%,铜余量配料,其中硒以铜硒中间合金、铜铈中间合金、铜镧中间合金加入;
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后分别加入铜硒中间合金、铜铈中间合金、铜镧中间合金,继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯。
3、变形工艺
铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次4次,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材。
本实施例制备的铜硒多元合金材料的导电率为94.1% IACS,维氏硬度为157,根据国标GB3771-83换算为抗拉强度值530 MPa。

Claims (1)

1.一种高强高导铜硒多元合金材料的制备与形变方法,其特征在于具体步骤如下:
1)、根据铜硒多元合金成分设计,硒:0.15--0.6%,碲:0--0.25%,微量添加元素:0.02--0.1%,铜:余量,进行配料;微量添加元素至少为锂、磷、稀土中的一种或两种;
2)、采用真空感应炉熔炼,在真空感应炉中装入工业纯铜,抽真空,氩气保护,加热至1140--1150 ℃,使得纯铜熔清,然后添加硒、碲,微量合金元素,继续熔炼,温度控制在1180--1200 ℃,使得合金元素均匀分布于铜液中,待完全熔化后保温10--15分钟,熔炼完成即浇注,速冷成铸坯,其中硒、碲、锂、稀土以中间合金加入;
3)铸坯经热挤压成直径为φ10 mm的铜棒后,采用等通道径向挤压工艺(ECAP)挤压成型,变形道次2--8,相邻道次之间试样方向旋转90°,获得高强高导合金棒材,其电导率可达88--95% IACS,维氏硬度可达150--171 HV,根据国标GB3771-83 铜合金硬度与强度换算为506 MPa--583 MPa。
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