CN110492849A - 一种rc振荡电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种RC振荡电路，涉及集成电路技术领域。该电路振荡子电路、电流源子电路、稳压子电路和输出子电路；电流源子电路提供基准电流源至稳压子电路，稳压子电路输出稳压电压至振荡子电路，振荡子电路输出稳定的时钟至输出子电路，输出子电路将稳定的时钟放大后输出；稳压子电路包括连接于电流源子电路的第一PMOS管，第一PMOS管连接有第一NMOS管，第一NMOS管连接有第二NMOS管和第三NMOS管，第三NMOS管连接有第一电阻，基准电流源流经第一NMOS管、第三NMOS管和第一电阻，在第一电阻上产生压降，并由第三NMOS管输出稳压电压至振荡子电路。本发明技术方案中通过正温度相关的第一电阻以补偿第三NMOS管阈值电压的负温度系数，从而使得电路具有良好的温度系数。

Description

一种RC振荡电路

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种RC振荡电路。

背景技术

振荡器是许多电子系统的主要部分，应用范围从微处理器中的时钟产生到蜂窝电话中的载波合成，可广泛的应用于测量、遥控、通信、自动控制等领域。振荡器电路是在没有外加输入信号的情况下，依靠电路自激振荡而产生周期性输出信号的电路，一般分为RC振荡器和LC振荡器。

一般的RC振荡器精度较差，温漂随电源电压变化较大。LC振荡器具有较强的电源电压抑制能力和良好的温度特性，振荡频率比较精确，但其面积大和需要外挂晶体导致成本较高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种RC振荡电路，旨在使RC振荡电路的精度提高、功耗降低。

为实现上述目的，本发明提供一种RC振荡电路，所述电路包括振荡子电路、电流源子电路、稳压子电路和输出子电路；

所述电流源子电路提供基准电流源至所述稳压子电路，所述稳压子电路输出稳压电压至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出稳定的时钟至所述输出子电路，所述输出子电路将所述稳定的时钟放大后输出；

所述稳压子电路包括连接于所述电流源子电路的第一PMOS管，所述第一PMOS管连接有第一NMOS管，所述第一NMOS管连接有第二NMOS管和第三NMOS管，所述第三NMOS管连接有第一电阻，所述基准电流源流经所述第一NMOS管、所述第三NMOS管和所述第一电阻，在所述第一电阻上产生压降，并由所述第三NMOS管输出稳压电压至所述振荡子电路。

优选地，所述第一PMOS管的栅极连接于所述电流源子电路的输出端，源极连接于高电源电压，漏极连接于所述第一NMOS管的漏极；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相互连接并连接于所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接于所述第三NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的漏极连接于所述高电源电压，源极连接于所述第三NMOS管的栅极；

所述第三NMOS管的源极连接于所述第一电阻的一端，其栅极连接于所述稳压子电路的输出端，用以输出稳压电压至所述振荡子电路；所述第一电阻的另一端接地。

优选地，所述电流源子电路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第二电阻；

所述第二PMOS管和所述第三PMOS管相互连接、并连接于所述稳压子电路中的第一PMOS管；所述第四PMOS管连接于所述第二PMOS管、所述第五PMOS管连接于所述第三PMOS管，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管相互连接；所述第四NMOS管连接于所述第四PMOS管，所述第五NMOS管连接于所述第五PMOS管和所述第二电阻。

优选地， 所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第一PMOS管；所述第二PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第四PMOS管的源极；

所述第三PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第五PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极与所述第五PMOS管的栅极相互连接；所述第四PMOS管的漏极连接于所述第四NMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接于所述第五NMOS管的漏极；

所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第四PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管的源极连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地。

优选地，所述电路还包括用于为所述电流源子电路提供启动信号的启动子电路，所述启动子电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第三电阻和第一电容；

所述第六PMOS管连接于使能信号端、根据所述使能信号端发送的使能信号进行导通或关断；所述第三电阻的一端连接于所述第六PMOS管、另一端连接于所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端接地；所述第七PMOS管连接于所述第六NMOS管和第八NMOS管，所述第八NMOS管连接于所述第七NMOS管和所述电流源子电路。

优选地，所述第六PMOS管的栅极连接于所述使能信号端，源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第三电阻；所述第七PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第六NMOS管的漏极；所述第七PMOS管与所述第六NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第三电阻与所述第一电容相连的端；

所述第六NMOS管的源极接地；所述第七NMOS管的漏极连接于所述第八NMOS管的源极，源极接地，所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第七PMOS管的漏极；所述第八NMOS管的漏极连接于所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极，用以输出启动信号至所述电流源子电路。

优选地，所述第一电阻为具有正温度系数的电阻；所述第三NMOS管为低压NMOS管。

优选地，所述输出子电路包括结构相同的第一电平转换子电路和第二电平转换子电路，所述第一电平转换子电路和所述第二电平转换子电路分别由高电源电压和低电源电压供电。

优选地，所述振荡子电路包括依次串联的第一反相器、第二电容、第二反相器、第三反相器、第四反相器，所述第四反相器的输出端连接于所述第一反相器的输入端，所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器和所述第四反相器均分别连接于所述稳压电压；

所述振荡子电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接于所述第一反相器的输入端，所述第四电阻的另一端连接于所述第二电容的一端和所述第二反相器的输入端，所述第二电容的另一端连接于所述第一反相器的输出端；

所述第一电平转换子电路连接于所述高电源电压、所述第二反相器的输出端和所述第三反相器的输出端，以接收所述稳定的时钟，并输出第一时钟信号；

所述第二电平转换子电路连接于所述低电源电压、所述第二反相器的输出端和所述第三反相器的输出端，以接收所述稳定的时钟，并输出第二时钟信号。

本发明技术方案通过电流源子电路提供基准电流源至所述稳压子电路，电流流经正温度相关的第一电阻用以补偿第三NMOS管阈值电压的负温度系数，从而降低温度对稳压电压的影响，从而提高整个电路的温度敏感性，使得电路具有良好的温度系数。

附图说明

图1为本发明RC振荡电路的原理示意图；

图2为本发明RC振荡电路中稳压子电路的电路原理示意图；

图3为本发明RC振荡电路中电流源子电路的电路原理示意图；

图4为本发明RC振荡电路中启动子电路的电路原理示意图；

图5a为本发明RC振荡电路中第一电平转换子电路的电路原理示意图，图5b为本发明RC振荡电路中第二电平转换子电路的电路原理示意图；

图6为本发明RC振荡电路中振荡子电路的电路原理示意图；

图7为本发明实施例的电路原理示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面结合附图对本发明进一步说明。

一种RC振荡电路，如图1所示，所述电路包括振荡子电路、电流源子电路、稳压子电路和输出子电路；所述电流源子电路提供基准电流源至所述稳压子电路，所述稳压子电路输出稳压电压至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出稳定的时钟至所述输出子电路，所述输出子电路将所述稳定的时钟放大后输出。

如图2所示，所述稳压子电路包括连接于所述电流源子电路的第一PMOS管Mp1，所述第一PMOS管Mp1连接有第一NMOS管Mn1，所述第一NMOS管Mn1连接有第二NMOS管Mn2和第三NMOS管Mn3，所述第三NMOS管Mn3连接有第一电阻R1，所述基准电流源流经所述第一NMOS管Mn1、所述第三NMOS管Mn3和所述第一电阻R1，在所述第一电阻R1上产生压降，并由所述第三NMOS管Mn3输出稳压电压至所述振荡子电路。

本发明实施例通过电流源子电路提供基准电流源至所述稳压子电路，电流流经正温度相关的第一电阻R1用以补偿第三NMOS管Mn3阈值电压的负温度系数，从而降低温度对稳压电压的影响，从而提高整个电路的温度敏感性，使得电路具有良好的温度系数。并且，由于基准电流源输入至稳压子电路后，经过第一NMOS管Mn1、第三NMOS管Mn3和第一电阻R1，在第一电阻R1上产生了压降，加上第三NMOS管Mn3的阈值电压，即为输出的稳压电压。即稳压电压小于低电源电压，这样大大降低了振荡子电路的功耗，并且使其具有很好的稳定性。

具体地，如图2所示，第一PMOS管Mp1的栅极连接于所述电流源子电路的输出端VO，源极连接于高电源电压VDDH，漏极连接于所述第一NMOS管Mn1的漏极；所述第一NMOS管Mn1的栅极与所述第二NMOS管Mn2的栅极相互连接并连接于所述第一PMOS管Mp1的漏极，所述第一NMOS管Mn1的源极连接于所述第三NMOS管Mn3的漏极；所述第二NMOS管Mn2的漏极连接于所述高电源电压VDDH，源极连接于所述第三NMOS管Mn3的栅极；

所述第三NMOS管Mn3的源极连接于所述第一电阻R1的一端，其栅极连接于所述稳压子电路的输出端VREG，用以输出稳压电压至所述振荡子电路；所述第一电阻R1的另一端接地VSS。

如图3所示，所述电流源子电路包括第二PMOS管Mp2、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第五PMOS管Mp5、第四NMOS管Mn4、第五NMOS管Mn5和第二电阻R2；所述第二PMOS管Mp2和所述第三PMOS管Mp3相互连接、并连接于所述稳压子电路中的第一PMOS管Mp1；所述第四PMOS管Mp4连接于所述第二PMOS管Mp2、所述第五PMOS管Mp5连接于所述第三PMOS管Mp3，所述第四PMOS管Mp4和所述第五PMOS管Mp5相互连接；所述第四NMOS管Mn4连接于所述第四PMOS管Mp4，所述第五NMOS管Mn5连接于所述第五PMOS管Mp5和所述第二电阻R2。

具体地，如图3所示，所述第二PMOS管Mp2的栅极与所述第三PMOS管Mp3的栅极相互连接、并连接于所述第一PMOS管Mp1；所述第二PMOS管Mp2的源极连接于所述高电源电压VDDH，漏极连接于所述第四PMOS管Mp4的源极。

所述第三PMOS管Mp3的源极连接于所述高电源电压VDDH，漏极连接于所述第五PMOS管Mp5的源极；所述第四PMOS管Mp4的栅极与所述第五PMOS管Mp5的栅极相互连接；所述第四PMOS管Mp4的漏极连接于所述第四NMOS管Mn4的漏极，所述第五PMOS管Mp5的漏极连接于所述第五NMOS管Mn5的漏极。

所述第四NMOS管Mn4和所述第五NMOS管Mn5的栅极相互连接、并连接于所述第四PMOS管Mp4的漏极，所述第四NMOS管Mn4的源极接地VSS；所述第五NMOS管Mn5的源极连接于所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地VSS。

具体地，当电流源子电路开始工作后，第四NMOS管Mn4和第五NMOS管Mn5存在一个压差△VGS，并且这个压差△VGS等于第二电阻R2两端的电压，则基准电流I_PATA通过等式计算：I_PATA=△VGS/Rp，该基准电流经过电流源输出端VO镜像给稳压子电路。

在具体实施例中，第一电阻R1为具有正温度系数的电阻；所述第三NMOS管Mn3为低压NMOS管。由于第三NMOS管Mn3的阈值电压具有负的温度系数，而电流源子电路输出的电流具有正的温度系数，其流经正温度相关的第一电阻R1，在预设的权重相加下，稳压子电路产生的稳压电压就会具有较小的温度系数，因此提升整个RC振荡电路的温度系数。

在另一些实施例中，电流源子电路还可以输出负的温度系数的基准电流，在另一个预设的权重下，即可使得稳压子电路产生的稳压电压具有较小的温度系数。

如图4所示，所述电路还包括用于为所述电流源子电路提供启动信号的启动子电路，所述启动子电路包括第六PMOS管Mp6、第七PMOS管Mp7、第六NMOS管Mn6、第七NMOS管Mn7、第八NMOS管Mn8、第三电阻R3和第一电容C1；所述第六PMOS管Mp6连接于使能信号端EN、根据使能信号端EN发送的使能信号进行导通或关断；所述第三电阻R3的一端连接于所述第六PMOS管Mp6、另一端连接于所述第一电容C1的一端，所述第一电容C1的另一端接地VSS；所述第七PMOS管Mp7连接于所述第六NMOS管Mn6和第八NMOS管Mn8，所述第八NMOS管Mn8连接于所述第七NMOS管Mn7和所述电流源子电路。

具体地，如图4所示，所述第六PMOS管Mp6的栅极连接于所述使能信号端EN，源极连接于所述高电源电压VDDH，漏极连接于所述第三电阻R3；所述第七PMOS管Mp7的源极连接于所述高电源电压VDDH，漏极连接于所述第六NMOS管Mn6的漏极；所述第七PMOS管Mp7与所述第六NMOS管Mn6的栅极相互连接、并连接于所述第三电阻R3与所述第一电容C1相连的端。

所述第六NMOS管Mn6的源极接地VSS；所述第七NMOS管Mn7的漏极连接于所述第八NMOS管Mn8的源极，源极接地VSS，所述第七NMOS管Mn7和所述第八NMOS管Mn8的栅极相互连接、并连接于所述第七PMOS管Mp7的漏极；所述第八NMOS管Mn8的漏极连接于所述第四PMOS管Mp4和所述第五PMOS管Mp5的栅极，用以输出启动信号至所述电流源子电路。

当使能信号由高到低切换，第六PMOS管Mp6和第七PMOS管Mp7开始导通，通过对第一电容C1充放电实现启动电压输出端XO的电平从高逐渐到低，实现启动目的。本实施例的启动子电路采用电容充电启动，稳定之后不消耗电流，启动速度快。

如图5a和图5b所示，所述输出子电路包括结构相同的第一电平转换子电路和第二电平转换子电路，所述第一电平转换子电路和所述第二电平转换子电路分别由高电源电压VDDH和低电源电压VDDL供电。

具体地，如图5a所示，第一电平转换子电路包括第八PMOS管Mp8、第九PMOS管Mp9、第十PMOS管Mp10、第十一PMOS管Mp11、第九NMOS管Mn9、第十NMOS管Mn10和第五反相器INV5，第八PMOS管Mp8和第九PMOS管Mp9的源极连接于高电源电压VDDH，第八PMOS管Mp8的漏极连接于第十PMOS管Mp10的源极，第十PMOS管Mp10的漏极连接于第九PMOS管Mp9的栅极和第九NMOS管Mn9的漏极，第十PMOS管Mp10和第九NMOS管Mn9的栅极相互连接并连接于振荡子电路的第一输出端X1，第九NMOS管Mn9的源极接地VSS。第九PMOS管Mp9的漏极连接于第十一PMOS管Mp11的源极，第十一PMOS管Mp11的漏极连接于第八PMOS管Mp8的栅极、第十NMOS管Mn10的漏极和第五反相器INV5的输入端，第十一PMOS管Mp11的栅极与第十NMOS管Mn10的栅极相互连接并连接于振荡子电路的第二输出端X2，第十NMOS管Mn10的源极接地VSS。第五反相器INV5连接于高电源电压VDDH，其输出端输出第一时钟信号CLK_H。

具体地，如图5b所示，第二电平转换子电路与第一电平转换子电路的电路结构相同，但其连接于低电源电压VDDL，并输出第二时钟信号CLK_L。

如图6所示，所述振荡子电路包括依次串联的第一反相器INV1、第二电容C2、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4，所述第四反相器INV4的输出端连接于所述第一反相器INV1的输入端，所述第一反相器INV1、所述第二反相器INV2、所述第三反相器INV3和所述第四反相器INV4均分别连接于所述稳压电压。

所述振荡子电路还包括第四电阻R4，所述第四电阻R4的一端连接于所述第一反相器INV1的输入端，所述第四电阻R4的另一端连接于所述第二电容C2的一端和所述第二反相器INV2的输入端，所述第二电容C2的另一端连接于所述第一反相器INV1的输出端。

所述第一电平转换子电路连接于所述高电源电压VDDH、所述第二反相器INV2的输出端（即振荡子电路的第一输出端X1）和所述第三反相器INV3的输出端（即振荡子电路的第二输出端X2），以接收所述稳定的时钟，并输出第一时钟信号CLK_H。所述第二电平转换子电路连接于所述低电源电压VDDL、所述第二反相器INV2的输出端和所述第三反相器INV3的输出端，以接收所述稳定的时钟，并输出第二时钟信号CLK_L。

在具体实施例中，振荡子电路均采用低压器件，可进一步降低电路功耗。

由于本发明实施例采用第一电平转换子电路和第二电平转换子电路对振荡子电路输出的稳定时钟进行放大后输出，使得RC振荡电路可输出两种电压的稳定时钟，从而满足更多环境的应用。

如图7所示，本发明实施例的工作原理为：VDDH为高电源电压，VDDL为低电源电压。当使能上电之后，电流源子电路产生的电流镜像到稳压子电路，稳压子电路输出的稳压电压作为振荡子电路的工作电压，振荡子电路输出稳定的时钟经过其第一输出端X1和第二输出端X2送到第一电平转换子电路和第二电平转换子电路，使得第一电平转换子电路和第二电平转换子电路分别输出高电源电压和低电源电压的时钟信号。

应当理解的是，以上仅为本发明的优选实施例，不能因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种RC振荡电路，其特征在于，所述电路包括振荡子电路、电流源子电路、稳压子电路和输出子电路；

所述电流源子电路提供基准电流源至所述稳压子电路，所述稳压子电路输出稳压电压至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出稳定的时钟至所述输出子电路，所述输出子电路将所述稳定的时钟放大后输出；

所述稳压子电路包括连接于所述电流源子电路的第一PMOS管，所述第一PMOS管连接有第一NMOS管，所述第一NMOS管连接有第二NMOS管和第三NMOS管，所述第三NMOS管连接有第一电阻，所述基准电流源流经所述第一NMOS管、所述第三NMOS管和所述第一电阻，在所述第一电阻上产生压降，并由所述第三NMOS管输出稳压电压至所述振荡子电路。

2.根据权利要求1所述的RC振荡电路，其特征在于，所述第一PMOS管的栅极连接于所述电流源子电路的输出端，源极连接于高电源电压，漏极连接于所述第一NMOS管的漏极；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相互连接并连接于所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接于所述第三NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的漏极连接于所述高电源电压，源极连接于所述第三NMOS管的栅极；

所述第三NMOS管的源极连接于所述第一电阻的一端，其栅极连接于所述稳压子电路的输出端，用以输出稳压电压至所述振荡子电路；所述第一电阻的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的RC振荡电路，其特征在于，所述电流源子电路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第二电阻；

所述第二PMOS管和所述第三PMOS管相互连接、并连接于所述稳压子电路中的第一PMOS管；所述第四PMOS管连接于所述第二PMOS管、所述第五PMOS管连接于所述第三PMOS管，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管相互连接；所述第四NMOS管连接于所述第四PMOS管，所述第五NMOS管连接于所述第五PMOS管和所述第二电阻。

4.根据权利要求3所述的RC振荡电路，其特征在于， 所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第一PMOS管；所述第二PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第四PMOS管的源极；

所述第三PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第五PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极与所述第五PMOS管的栅极相互连接；所述第四PMOS管的漏极连接于所述第四NMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接于所述第五NMOS管的漏极；

所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第四PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管的源极连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地。

5.根据权利要求3所述的RC振荡电路，其特征在于，所述电路还包括用于为所述电流源子电路提供启动信号的启动子电路，所述启动子电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第三电阻和第一电容；

所述第六PMOS管连接于使能信号端、根据所述使能信号端发送的使能信号进行导通或关断；所述第三电阻的一端连接于所述第六PMOS管、另一端连接于所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端接地；

所述第七PMOS管连接于所述第六NMOS管和第八NMOS管，所述第八NMOS管连接于所述第七NMOS管和所述电流源子电路。

6.根据权利要求5所述的RC振荡电路，其特征在于，所述第六PMOS管的栅极连接于所述使能信号端，源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第三电阻；

所述第七PMOS管的源极连接于所述高电源电压，漏极连接于所述第六NMOS管的漏极；所述第七PMOS管与所述第六NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第三电阻与所述第一电容相连的端；

所述第六NMOS管的源极接地；所述第七NMOS管的漏极连接于所述第八NMOS管的源极，源极接地，所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第七PMOS管的漏极；

所述第八NMOS管的漏极连接于所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极，用以输出启动信号至所述电流源子电路。

7.根据权利要求3所述的RC振荡电路，其特征在于，所述第一电阻为具有正温度系数的电阻；所述第三NMOS管为低压NMOS管。

8.根据权利要求1所述的RC振荡电路，其特征在于，所述输出子电路包括结构相同的第一电平转换子电路和第二电平转换子电路，所述第一电平转换子电路和所述第二电平转换子电路分别由高电源电压和低电源电压供电。

9.根据权利要求8所述的RC振荡电路，其特征在于，所述振荡子电路包括依次串联的第一反相器、第二电容、第二反相器、第三反相器、第四反相器，所述第四反相器的输出端连接于所述第一反相器的输入端，所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器和所述第四反相器均分别连接于所述稳压电压；

所述振荡子电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接于所述第一反相器的输入端，所述第四电阻的另一端连接于所述第二电容的一端和所述第二反相器的输入端，所述第二电容的另一端连接于所述第一反相器的输出端；

所述第一电平转换子电路连接于所述高电源电压、所述第二反相器的输出端和所述第三反相器的输出端，以接收所述稳定的时钟，并输出第一时钟信号；

所述第二电平转换子电路连接于所述低电源电压、所述第二反相器的输出端和所述第三反相器的输出端，以接收所述稳定的时钟，并输出第二时钟信号。