CN110474530A - 一种电容充电控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种电容充电控制电路，包括：电容充电缓冲电路和电容充电状态确定电路；所述电容充电缓冲电路用于在电容接入电路时对充电电流进行缓冲；所述电容充电状态确定电路用于根据所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端的输出信号确定电容是否处于充电状态，并在电容处于充电状态时进入闭合状态，使得电容通过所述电容充电缓冲电路进行充电；在电容充电完成后进入导通状态，使得电容通过所述电容充电状态确定电路与电容所接入电路的电压输出端相连。通过该实施例方案，能够无需芯片控制，利用电容充放电原理自动控制充放电时长及电流，结构简单、成本低，并可以自由调节。

Description

一种电容充电控制电路
技术领域
本发明实施例涉及电容充电控制技术，尤指一种电容充电控制电路。
背景技术
现有的电子设备中，电容接入电路时，电路需要对电容充电。
由于电容特性，在充电完成时间内电容等效于短路到地，瞬态电流很大，会造成电路短时间负载巨大，对于电路的稳定及保护提出巨大挑战。
现有技术方案都是利用芯片控制上电时长，如图1所示，控制电路逐步充电，完成电容的充电过程。然而现有技术方案中，由于完全依靠芯片控制，具有参数调节困难，适应范围有限，成本高昂，结构复杂的缺点。
发明内容
本发明实施例提供了一种电容充电控制电路，能够无需芯片控制，利用电容充放电原理自动控制充放电时长及电流，结构简单、成本低，并可以自由调节。
为了达到本发明实施例目的，本发明实施例提供了一种电容充电控制电路，所述控制电路可以包括：电容充电缓冲电路和电容充电状态确定电路；
所述电容充电缓冲电路，用于在电容接入电路时对充电电流进行缓冲；
所述电容充电状态确定电路，用于根据所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端的输出信号确定电容是否处于充电状态，并在电容处于充电状态时进入闭合状态，使得电容通过所述电容充电缓冲电路进行充电；在电容充电完成后进入导通状态，使得电容通过所述电容充电状态确定电路与电容所接入电路的电压输出端相连。
在本发明的示例性实施例中，所述电容充电缓冲电路的电流输入端与电容所接入电路的电压输出端相连，所述电容充电缓冲电路的电流输出端与电容的第一端相连，所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端与所述电容充电状态确定电路的充电状态输入端相连；其中，电容的第二端与电容所接入电路的电压输入端相连；
所述电容充电状态确定电路的充电状态完成端与所述电容的第一端相连。
在本发明的示例性实施例中，所述电容充电缓冲电路可以包括：限流电阻R1和第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管Q1；第一MOS管Q1为N型MOS管；
其中，所述限流电阻R1的第一端与所述电容所接入电路的电压输出端相连，并且所述限流电阻R1的第一端作为所述电流输入端；
所述限流电阻R1的第二端作为所述电流输出端与电容的第一端相连，
所述第一MOS管Q1的栅极与所述限流电阻R1的第二端相连；所述第一MOS管Q1的源极与所述电容所接入电路的电压输出端相连；所述第一MOS管Q1的漏极作为所述充电状态输出端，与所述电容充电状态确定电路的充电状态输入端相连。
在本发明的示例性实施例中，所述电容充电状态确定电路可以包括：第一分压电阻R2、第二分压电阻R3和第二MOS管Q2；所述第二MOS管Q2为N型MOS管；
所述第一分压电阻R2的第一端与电容所接入电路的电压输入端相连，第二端与所述第二分压电阻R3的第一端相连；所述第二分压电阻R3的第二端与所述电容所接入电路的电压输出端相连；所述第一分压电阻R2的第二端与所述第二分压电阻R3的第一端之间的连接点A作为所述充电状态输入端；
所述第二MOS管Q2的栅极与所述连接点A相连，源极与所述电容所接入电路的电压输出端相连，漏极作为所述充电状态完成端与所述电容的第一端相连。
在本发明的示例性实施例中，所述电容所接入电路的电压输出端接地。
本发明实施例的电容充电控制电路包括：电容充电缓冲电路和电容充电状态确定电路；所述电容充电缓冲电路，用于在电容接入电路时对充电电流进行缓冲；所述电容充电状态确定电路，用于根据所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端的输出信号确定电容是否处于充电状态，并在电容处于充电状态时进入闭合状态，使得电容通过所述电容充电缓冲电路进行充电；在电容充电完成后进入导通状态，使得电容通过所述电容充电状态确定电路与电容所接入电路的电压输出端相连。通过该实施例方案，能够无需芯片控制，利用电容充放电原理自动控制充放电时长及电流，结构简单、成本低，并可以自由调节。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有的通过电流控制芯片调节电容电流的电路结构图；
图2为本发明实施例的电容充电控制电路组成框图；
图3为本发明实施例的电容充电控制电路连接示意图；
图4为本发明实施例的电容充电控制电路的一种实施例示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
为了达到本发明实施例目的，本发明实施例提供了一种电容充电控制电路，如图2所示，所述控制电路1可以包括：电容充电缓冲电路11和电容充电状态确定电路12；
所述电容充电缓冲电路11，用于在电容接入电路时对充电电流进行缓冲；
所述电容充电状态确定电路12，用于根据所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端的输出信号确定电容是否处于充电状态，并在电容处于充电状态时进入闭合状态，使得电容通过所述电容充电缓冲电路进行充电；在电容充电完成后进入导通状态，使得电容通过所述电容充电状态确定电路与电容所接入电路的电压输出端相连。
在本发明的示例性实施例中，如图3所示，所述电容充电缓冲电路11的电流输入端a与电容13所接入电路的电压输出端Vout相连，所述电容充电缓冲电路11的电流输出端b与电容13的第一端相连，所述电容充电缓冲电路11的充电状态输出端c与所述电容充电状态确定电路12的充电状态输入端d相连；其中，电容13的第二端与电容所接入电路的电压输入端Vin相连；
所述电容充电状态确定电路12的充电状态完成端e与所述电容13的第一端相连。
在本发明的示例性实施例中，所述电容所接入电路的电压输出端Vout可以接地。
在本发明的示例性实施例中，如图4所示，所述电容充电缓冲电路可以包括：限流电阻R1和第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管Q1；第一MOS管Q1可以为N型MOS管；
其中，所述限流电阻R1的第一端与所述电容所接入电路的电压输出端Vout相连(例如，接地)，并且所述限流电阻R1的第一端作为所述电流输入端a；
所述限流电阻R1的第二端作为所述电流输出端b与电容的第一端相连，
所述第一MOS管Q1的栅极与所述限流电阻R1的第二端相连；所述第一MOS管Q1的源极与所述电容所接入电路的电压输出端Vout相连；所述第一MOS管Q1的漏极作为所述充电状态输出端c，与所述电容充电状态确定电路的充电状态输入端d相连。
在本发明的示例性实施例中，如图4所示，电容充电缓冲电路11如果要通过电容所接入电路的电压输入端Vin输入电压，则可以首先对电容13(例如，可以由C1&C2并联获得)进行充电，电流强度与电容13两端压差以及电容容量成正比，此时电容充电缓冲电路11工作，由于电容充电环路为电流由电容负向(通过R1接地)端流向正向端(接Vin端)，此时电容充电时的电流越大，则通过限流电阻R1产生的电压越高，电容两端的压差缩小，电容完成充电的时间越短，电流强度越被抑制，同时限流电阻R1上的高电压使得第一MOS管Q1处于导通状态，直到电容充电电流过小，导致通过R1产生的电压无法使Q1导通时，Q1处于截止状态，电容充电缓冲电路11停止工作。
在本发明的示例性实施例中，所述电容充电状态确定电路可以包括：第一分压电阻R2、第二分压电阻R3和第二MOS管Q2；所述第二MOS管Q2可以为N型MOS管；
所述第一分压电阻R2的第一端与电容所接入电路的电压输入端Vin相连，第二端与所述第二分压电阻R3的第一端相连；所述第二分压电阻R3的第二端与所述电容所接入电路的电压输出端Vout相连；所述第一分压电阻R2的第二端与所述第二分压电阻R3的第一端之间的连接点A作为所述充电状态输入端；
所述第二MOS管Q2的栅极与所述连接点A相连，源极与所述电容13所接入电路的电压输出端Vout相连，漏极作为所述充电状态完成端e与所述电容的第一端相连。
在本发明的示例性实施例中，当电容充电缓冲电路11中Q1处于导通状态时，第二MOS管Q2处于截止状态，电容13(例如，可以由C1&C2并联获得)负向端无法直接接地，只能通过R1接地，保证电容充电缓冲电路11有效运行。当电容充电电流过小，导致电容充电缓冲电路11停止工作时，输入电压通过电阻R2和R3分压后使得第二MOS管Q2处于导通状态，电容13负向端通过第二MOS管Q2接地，保证电容13充放电回路有效运行。
在本发明的示例性实施例中，此时，电容13所接入电路处于完全工作状态。
在本发明的示例性实施例中，本发明实施例方案可用于各种需要使用大容量电容的电子设备中。
在本发明的示例性实施例中，本发明实施例方案无需芯片控制，利用电容充放电原理自动控制充放电时长及电流，结构简单、成本低，并可以自由调节。总之，具有无需额外芯片，自主控制，结构简单，成本低廉等多种优点。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

Claims (5)

1.一种电容充电控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：电容充电缓冲电路和电容充电状态确定电路；
所述电容充电缓冲电路，用于在电容接入电路时对充电电流进行缓冲；
所述电容充电状态确定电路，用于根据所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端的输出信号确定电容是否处于充电状态，并在电容处于充电状态时进入闭合状态，使得电容通过所述电容充电缓冲电路进行充电；在电容充电完成后进入导通状态，使得电容通过所述电容充电状态确定电路与电容所接入电路的电压输出端相连。
2.根据权利要求1所述的电容充电控制电路，其特征在于，
所述电容充电缓冲电路的电流输入端与电容所接入电路的电压输出端相连，所述电容充电缓冲电路的电流输出端与电容的第一端相连，所述电容充电缓冲电路的充电状态输出端与所述电容充电状态确定电路的充电状态输入端相连；其中，电容的第二端与电容所接入电路的电压输入端相连；
所述电容充电状态确定电路的充电状态完成端与所述电容的第一端相连。
3.根据权利要求2所述的电容充电控制电路，其特征在于，
所述电容充电缓冲电路包括：限流电阻R1和第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管Q1；第一MOS管Q1为N型MOS管；
其中，所述限流电阻R1的第一端与所述电容所接入电路的电压输出端相连，并且所述限流电阻R1的第一端作为所述电流输入端；
所述限流电阻R1的第二端作为所述电流输出端与电容的第一端相连，
所述第一MOS管Q1的栅极与所述限流电阻R1的第二端相连；所述第一MOS管Q1的源极与所述电容所接入电路的电压输出端相连；所述第一MOS管Q1的漏极作为所述充电状态输出端，与所述电容充电状态确定电路的充电状态输入端相连。
4.根据权利要求2或3所述的电容充电控制电路，其特征在于，所述电容充电状态确定电路包括：第一分压电阻R2、第二分压电阻R3和第二MOS管Q2；所述第二MOS管Q2为N型MOS管；
所述第一分压电阻R2的第一端与电容所接入电路的电压输入端相连，第二端与所述第二分压电阻R3的第一端相连；所述第二分压电阻R3的第二端与所述电容所接入电路的电压输出端相连；所述第一分压电阻R2的第二端与所述第二分压电阻R3的第一端之间的连接点A作为所述充电状态输入端；
所述第二MOS管Q2的栅极与所述连接点A相连，源极与所述电容所接入电路的电压输出端相连，漏极作为所述充电状态完成端与所述电容的第一端相连。
5.根据权利要求2所述的电容充电控制电路，其特征在于，所述电容所接入电路的电压输出端接地。
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