CN110473974A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开的一种实施方式的发光装置，具备：多个有机电致发光部，各自依次包括第一反射层、有机发光层和第二反射层；以及光提取面，通过第二反射层取出从各个有机电致发光部发出的光。第二反射层从有机发光层侧依次包括第一金属层、透明层和第二金属层。在各个有机电致发光部中，通过包括第一反射层的有机发光层侧的第一反射界面、第一金属层的有机发光层侧的第二反射界面和第二金属层的有机发光层侧的第三反射界面的构造，形成微腔构造。
Description
技术领域
本公开涉及一种使用通过有机电致发光(EL：Electro Luminescence)现象而发光的有机电致发光部的发光装置。
背景技术
近些年，对于使用有机EL元件的发光装置的构造，有许多提案(例如专利文献1～4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开WO01/039554号小册子
专利文献2：日本特开2006-244713号公报
专利文献3：日本特开2011-159431号公报
专利文献4：日本特开2011-159433号公报
发明内容
在这样的发光装置中，对于顶部发光型，伴随大型化，不易同时确保供电性能与色度的视角特性。因此，期望提供一种可以同时确保供电性能与色度的视角特性的发光装置。
本公开的一种实施方式的发光装置具备：多个有机电致发光部，各自依次包括第一反射层、有机发光层和第二反射层；以及光提取面，通过第二反射层取出从各个有机电致发光部发出的光。第二反射层从有机发光层侧依次包括第一金属层、透明层和第二金属层。在各个有机电致发光部中，通过包括第一反射层的有机发光层侧的第一反射界面、第一金属层的有机发光层侧的第二反射界面和第二金属层的有机发光层侧的第三反射界面的构造，形成微腔构造。
在本公开的一种实施方式的发光装置中，各个有机电致发光部的光提取面侧的第二反射层构成为：从有机发光层侧依次包括第一金属层、透明层和第二金属层。通过包括第一反射层的有机发光层侧的第一反射界面、第一金属层的有机发光层侧的第二反射界面和第二金属层的有机发光层侧的第三反射界面的构造，形成微腔构造。由此，即使在第一金属层为厚膜的情况下，也能够降低色度的视角特性的恶化。
根据本公开的一种实施方式的发光装置，因为即使在第一金属层为厚膜的情况下，也能够降低色度的视角特性的恶化；所以能够同时确保供电性能与色度的视角特性。再有，不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本公开中记载的任何一个效果。
附图说明
图1是表示本公开的一种实施方式的发光装置的概略结构的剖视图。
图2是表示图1所示的红色发光部的结构的剖视图。
图3是表示图1所示的绿色发光部的结构的剖视图。
图4是表示图1所示的蓝色发光部的结构的剖视图。
图5是用于说明图1所示的发光装置的动作的剖视图。
图6是表示由比较例的发光装置的视角引起的色度变化的一个例图。
图7是表示由图1所示的发光装置的视角引起的色度变化的一个例图。
图8是表示比较例的发光装置的45度色度视角对光提取面侧的电极的膜厚的变化的一个例图。
图9是表示比较例的发光装置的相对亮度对光提取面侧的电极的膜厚的变化的一个例图。
图10是表示图1所示的发光部的结构的变形例的剖视图。
图11是表示图1所示的发光部的结构的变形例的剖视图。
图12是表示图1所示的发光部的结构的变形例的剖视图。
图13是表示图1所示的发光部的结构的变形例的剖视图。
图14是表示适用有图1等所示的发光装置的显示装置的概略结构图。
图15是表示图14所示的像素的电路结构的电路图。
图16是表示适用有图14所示的显示装置的电子设备的外观的一个例图。
图17是表示适用有图1等所示的发光装置的照明装置的外观的一个例图。
符号说明
1 发光装置
2 显示装置
3 电子设备
10R 红色发光部
10G 绿色发光部
10B 蓝色发光部
11 基板
12、12R、12G、12B 电极层
13R 红色有机层
13G 绿色有机层
13B 蓝色有机层
131R 红色发光层
131G 绿色发光层
131B 蓝色发光层
14R、14G、14B 金属层
15R、15G、15B 透明层
16R、16G、16B 金属层
17R、17G、17B 透明层
18 像素
18-1 像素电路
18-2 有机电致发光部
18R、18G、18B、19R、19G、19B 透明层
20 控制器
30 驱动器
31 水平选择器
32 写入扫描仪
310 壳体
320 显示面
410 照明部
420 天花板
430 壁
OR、OG、OB 发光中心
LR 红色光
LG 绿色光
LB 蓝色光
Lal、La2、La3、La4、La5、Lb1、Lb2、Lb3、Lb4、Lb5、Lc1、Lc2、Lc3、Lc4、Lc5光学距离
S1R、S1G、S1B 第一反射界面
S2R、S2G、S2B 第二反射界面
S3R、S3G、S3B 第三反射界面
S4R、S4G、S4B 第四反射界面
S5R、S5G、S5B 第五反射界面
SDR、SDG、SDB 光提取面。
具体实施方式
下面参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.实施方式(发光装置)
2.变形例(发光装置)
3.应用例(显示装置、电子设备、照明装置)
<1.实施方式>
[结构]
图1表示本公开的一种实施方式的发光装置1的主要部分的截面结构。发光装置1具备基板11，并且在基板11上具备多个红色发光部10R、多个绿色发光部10G和多个蓝色发光部10B。红色发光部10R相当于本公开的“有机电致发光部”、“第一有机电致发光部”的一个具体例子。绿色发光部10G相当于本公开的“有机电致发光部”、“第一有机电致发光部”的一个具体例子。蓝色发光部10B相当于本公开的“有机电致发光部”、“第二有机电致发光部”的一个具体例子。
红色发光部10R在基板11上依次具有电极层12R、包括红色发光层131R的红色有机层13R、金属层14R、透明层15R、金属层16R和透明层17R。绿色发光部10G在基板11上依次具有电极层12G、包括绿色发光层131G的绿色有机层13G、金属层14G、透明层15G、金属层16G和透明层17G。蓝色发光部10B在基板11上依次具有电极层12B、包括蓝色发光层131B的蓝色有机层13B、金属层14B、透明层15B、金属层16B和透明层17B。
电极层12R、12G、12B相当于本公开的“第一反射层”的一个具体例子。由金属层14R、透明层15R和金属层16R构成的层叠体相当于本公开的“第二反射层”的一个具体例子。由金属层14G、透明层15G和金属层16G构成的层叠体相当于本公开的“第二反射层”的一个具体例子。由金属层14B、透明层15B和金属层16B构成的层叠体相当于本公开的“第二反射层”的一个具体例子。
红色发光部10R从透明层17R侧射出红色波长范围的光(红色光LR)，该红色光LR通过由电极层12R和金属层14R注入电流从而在红色发光层131R中产生。绿色发光部10G从透明层17G侧射出绿色波长范围的光(绿色光LG)，该绿色光LG通过由电极层12G和金属层14G注入电流从而在绿色发光层131G中产生。蓝色发光部10B从透明层17B侧射出蓝色波长范围的光(蓝色光LB)，该蓝色光LB通过由电极层12B和金属层14B注入电流从而在蓝色发光层131B中产生。发光装置1构成为：使从红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B射出的光分别在电极层12R、12G、12B与透明层17R、17G、17B之间多重反射，并且从透明层17R、17G、17B侧取出光。也就是说，发光装置1是具有谐振器构造的顶部发光型的发光装置。
基板11是用于支撑红色发光层131R、绿色发光层131G和蓝色发光层131B的板状部件，例如由透明玻璃基板或半导体基板等构成。基板11也可以由弹性基板(柔性基板)构成。基板11也可以是设置有驱动红色发光层131R、绿色发光层131G和蓝色发光层131B的电路(后述的像素电路18-1)的电路基板。
电极层12R、12G、12B是阳极电极，并且具有作为反射层的功能。电极层12R、12G、12B例如由光反射材料形成。作为用于电极层12R、12G、12B的光反射材料，可以列举：例如铝(A1)、铝合金、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)或钨(W)等。电极层12R、12G、12B也可以以例如透明导电材料与光反射材料层叠的方式构成。电极层12R、12G、12B的厚度例如是100nm～300nm。
红色有机层13R例如从接近电极层12R的位置依次具有：空穴注入层、空穴传输层、红色发光层131R、电子传输层和电子注入层。绿色有机层13G例如从接近电极层12G的位置依次具有：空穴注入层、空穴传输层、绿色发光层131G、电子传输层和电子注入层。蓝色有机层13B例如从接近电极层12B的位置依次具有：空穴注入层、空穴传输层、蓝色发光层131B、电子传输层和电子注入层。
空穴注入层是用于防止泄漏的层。空穴注入层由例如六氮杂苯并菲(HAT)等形成。空穴注入层的厚度例如是1nm～20nm。空穴传输层由例如α-NPD〔N，N’-di(1-naphthyl)-N，N’-diphenyl-〔1，1’-biphenyl〕-4，4’-diamine〕形成。空穴传输层的厚度例如是15nm～100nm。
红色发光层131R、绿色发光层131G和蓝色发光层131B以通过空穴与电子的结合而发出所定颜色的光的方式构成。红色发光层131R、绿色发光层131G和蓝色发光层131B的厚度例如是5nm～50nm。红色发光层131R发出红色波长范围(第一波长带)的光。红色发光层131R例如由掺杂有吡咯亚甲基(Pyrromethene)硼络合物的红荧烯形成。这时，红荧烯作为主体材料使用。绿色发光层131G发出绿色波长范围的光。绿色发光层131G例如由Alq3(三羟基喹啉(Trisquinolinol)铝络合物)形成。蓝色发光层131B发出波长小于红色波长范围的蓝色波长范围(波长小于第一波长带的第二波长带)的光。蓝色发光层131B例如由掺杂有二氨基草屈(Diamino chrysene)衍生物的ADN(9，10-二(2-萘基)蒽)形成。这时，ADN作为主体材料使用，例如是厚度为20nm的蒸镀膜。二氨基草屈衍生物作为掺杂剂材料使用，例如以5％的膜厚比掺杂。
电子传输层由BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)形成。电子传输层的厚度例如是15nm～200nm。电子注入层例如由氟化锂(LiF)形成。电子注入层的厚度例如是15nm～270nm。
在本实施方式中，由金属层14R、透明层15R和金属层16R构成的层叠体是与电极层12R成对的阴极电极，并且具有作为反射层的功能。同样，由金属层14G、透明层15G和金属层16G构成的层叠体是与电极层12G成对的阴极电极，并且具有作为反射层的功能。由金属层14B、透明层15B和金属层16B构成的层叠体是与电极层12B成对的阴极电极，并且具有作为反射层的功能。
金属层14R、14G、14B由具有高反射率的金属材料形成。金属层14R、14G、14B例如由镁(Mg)、银(Ag)或它们的合金形成。金属层14R、14G、14B比金属层16R、16G、16B厚。金属层14R、14G、14B的厚度是例如5nm～50nm。通过金属层14R、14G、14B由这样的具有高反射率的金属材料形成，能够提高谐振器构造的效果，并且提高光提取效率。由此，也能够抑制电力消耗，另外，也能够延长红色发光部10R、绿色发光部10G和蓝色发光部10B的寿命。
透明层15R、15G、15B由透明导体材料形成。作为用于透明层15R、15G、15B的透明导体材料，可以列举例如ITO(Indium Tin Oxide)或铟锌氧化物(IZO)等。透明层15R、15G、15B的厚度是例如30nm～600nm。透明层15R与金属层14R、16R接触。透明层15G与金属层14G、16G接触。透明层15B与金属层14B、16B接触。
金属层16R、16G、16B由具有高反射率的金属材料形成。作为用于金属层16R、16G、16B的金属材料，可以列举：例如镁(Mg)、银(Ag)或它们的合金等。金属层14R、14G、14B和金属层16R、16G、16B的总厚度例如大于等于15nm。金属层16R、16G、16B的厚度是例如5nm～20nm。金属层16R通过透明层15R与金属层14R电连接。金属层16G通过透明层15G与金属层14G电连接。金属层16B通过透明层15B与金属层14B电连接。
透明层17R、17G、17B例如由透明介电材料形成。作为用于透明层17R、17G、17B的透明介电材料，可以列举：例如氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)等。透明层17R、17G、17B也可以由例如MgF或NaF等低折射率材料形成。透明层17R、17G、17B的厚度是例如500nm～10000nm。
在透明层17R、17G、17B的上层，也可以设置有膜厚为1μm以上的层。该层由例如透明导电材料、透明绝缘材料、树脂材料或玻璃等形成。该层也可以由空气层构成。通过设置这样的层，能够防止从外部对在电极层12R、12G、12B与透明层17R、17G、17B之间构成的谐振器构造的干涉。
其次，对红色发光部10R、绿色发光部10G和蓝色发光部10B的谐振器构造进行说明。图2是表示红色发光部10R的结构的剖视图。图3是表示绿色发光部10G的结构的剖视图。图4是表示蓝色发光部10B的结构的剖视图。
红色发光部10R从基板11侧依次具有：第一反射界面S1R、第二反射界面S2R、第三反射界面S3R和光提取面SDR。这时，通过包括第一反射界面S1R、第二反射界面S2R和第三反射界面S3R的构造，形成微腔构造。在第一反射界面S1R与第二反射界面S2R之间，设置有红色发光层131R的发光中心OR。换句话说，在互相对置的第一反射界面S1R与光提取面SDR之间设置有红色发光层131R。第一反射界面S1R是电极层12R与红色有机层13R的界面。第二反射界面S2R是红色有机层13R与金属层14R的界面。第三反射界面S3R是透明层15R与金属层16R的界面。光提取面SDR是红色发光部10R的最外表面。红色发光部10R的最外表面例如与空气层接触。通过金属层14R、透明层15R、金属层16R，从红色发光部10R发出的光被从光提取面SDR取出。
绿色发光部10G从基板11侧依次具有：第一反射界面S1G、第二反射界面S2G、第三反射界面S3G和光提取面SDG。这时，通过包括第一反射界面S1G、第二反射界面S2G和第三反射界面S3G的构造，形成微腔构造。在第一反射界面S1G与第二反射界面S2G之间，设置有绿色发光层131G的发光中心OG。换句话说，在互相对置的第一反射界面S1G与光提取面SDG之间设置有绿色发光层131G。第一反射界面S1G是电极层12G与绿色有机层13G的界面。第二反射界面S2G是绿色有机层13G与金属层14G的界面。第三反射界面S3G是透明层15G与金属层16G的界面。光提取面SDG是绿色发光部10G的最外表面。绿色发光部10G的最外表面例如与空气层接触。通过金属层14G、透明层15G、金属层16G，从绿色发光部10G发出的光被从光提取面SDG取出。
蓝色发光部10B从基板11侧依次具有：第一反射界面S1B、第二反射界面S2B、第三反射界面S3B和光提取面SDB。这时，通过包括第一反射界面S1B、第二反射界面S2B和第三反射界面S3B的构造，形成微腔构造。在第一反射界面S1B与第二反射界面S2B之间，设置有发光中心OB。换句话说，在互相对置的第一反射界面S1B与光提取面SDB之间设置有蓝色发光层131B。第一反射界面S1B是电极层12B与蓝色有机层13B的界面。第二反射界面S2B是蓝色有机层13B与金属层14B的界面。第三反射界面S3B是透明层15B与金属层16B的界面。光提取面SDB是蓝色发光部10B的最外表面。蓝色发光部10B的最外表面例如与空气层接触。通过金属层14B、透明层15B、金属层16B，从蓝色发光部10B发出的光被从光提取面SDB取出。
第一反射界面S1R，S1G，S1B、第二反射界面S2R，S2G，S2B和第三反射界面S3R，S3G，S3B，由金属的反射膜构成。
(第一反射界面S1R、S1G、S1B)
电极层12R、12G、12B由折射率为0.73且消光系数为5.91的铝(Al)形成，红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B由折射率为1.75的材料形成。这时，第一反射界面S1R配置在离发光中心OR的光学距离为La1的位置，第一反射界面S1G配置在离发光中心OG的光学距离为Lb1的位置，第一反射界面S1B配置在离发光中心OB的光学距离为Lc1的位置。
光学距离La1被设定为：通过第一反射界面S1R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互增强。光学距离Lb1被设定为：通过第一反射界面S1G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互增强。光学距离Lc1被设定为：通过第一反射界面S1B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。
具体地说，光学距离La1、Lb1、Lc1满足下列式(1)～(6)。
λa-150＜λa1＜λa+80……(2)
λb-150＜λb1＜λb+80……(4)
λc-150＜λc1＜λc+80……(6)
其中，Na、Nb、Nc：0以上的整数
λa、λa1、λb、λb1、λc、λc1的单位：nm
φa1：从红色发光层131R射出的光在第一反射界面S1R反射时的相位变化
φb1：从绿色发光层131G射出的光在第一反射界面S1G反射时的相位变化
φc1：从蓝色发光层131B射出的光在第一反射界面S1B反射时的相位变化
λa1：满足式(2)的波长
λb1：满足式(4)的波长
λc1：满足式(6)的波长
能够使用电极层12R、12G、12B的构成材料的复折射率N＝n0-jk(nO：折射率、k：消光系数)的n0、k，和红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B的折射率来计算φa1、(例如参照Principles of Optics、Max Born and Emil Wolf、1974(PERGAMONPRESS)等)。能够使用椭圆偏振光谱(Spectroscopic ellipsometry)测定装置来测定各种构成材料的折射率。
如果Na、Nb、Nc的值大，那么就可能得不到所谓的微腔(微小谐振器)效果。为此，优选地，Na＝0，Nb＝0，Nc＝0。在光学距离La1满足上述式(1)、(2)的情况下，可以使λa1从中心波长λa大幅偏移。同样，在光学距离Lb1满足上述式(3)、(4)的情况下，可以使λb1从中心波长λb大幅偏移。另外，在光学距离Lc1满足上述式(5)、(6)的情况下，可以使λc1从中心波长λc大幅偏移。
(第二反射界面S2R、S2G、S2B)
红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B由折射率为1.75的材料形成，金属层14R、14G、14B由折射率为0.13且消光系数为3.96的银(Ag)形成。这时，第二反射界面S2R配置在离发光中心OR的光学距离为La2的位置，第二反射界面S2G配置在离发光中心OG的光学距离为Lb2的位置，第二反射界面S2B配置在离发光中心OB的光学距离为Lc2的位置。
光学距离La2被设定为：通过第二反射界面S2R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互增强。光学距离Lb2被设定为：通过第二反射界面S2G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互增强。光学距离Lc2被设定为：通过第二反射界面S2B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。
具体地说，光学距离La2、Lb2、Lc2满足下列式(7)～(12)。
λa-80＜λa2＜λa+80……(8)
λb-80＜λb2＜λb+80……(10)
λc-80＜λc2＜λc+80……(12)
其中，Ma、Mb、Mc：0以上的整数
λa、λa2、λb、λb2、λc、λc2的单位：nm
φa2：从红色发光层131R射出的光在第二反射界面S2R反射时的相位变化
φb2：从绿色发光层131G射出的光在第二反射界面S2G反射时的相位变化
φc2：从蓝色发光层131B射出的光在第二反射界面S2B反射时的相位变化
λa2：满足式(8)的波长
λb2：满足式(10)的波长
λc2：满足式(12)的波长
φa2、能够用与同样的方法求得。如果Ma、Mb、Mc的值大，那么就可能得不到所谓的微腔(微小谐振器)效果。为此，优选地，Ma＝1、Mb＝1、Mc＝1。
在光学距离La1满足上述式(1)、(2)且光学距离La2满足上述式(7)、(8)的情况下，由于第一反射界面S1R和第二反射界面S2R的增幅效果，在所定的波长处产生透射率的峰值。在光学距离Lb1满足上述式(3)、(4)且光学距离Lb2满足上述式(9)、(10)的情况下，由于第一反射界面S1G和第二反射界面S2G的增幅效果，在所定的波长处产生透射率的峰值。在光学距离Lc1满足上述式(5)、(6)且光学距离Lc2满足上述式(11)、(12)的情况下，由于第一反射界面S1B和第二反射界面S2B的增幅效果，在所定的波长处产生透射率的峰值。
(第三反射界面S3R、S3G、S3B)
光学距离La3例如被设定为：通过第三反射界面S3R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互减弱。这时，第二反射界面S2R与第三反射界面S3R的光学距离小于等于从红色发光层131R发出的光的中心波长λa。光学距离Lb3例如被设定为：通过第三反射界面S3G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互减弱。这时，第二反射界面S2G与第三反射界面S3G的光学距离小于等于从绿色发光层131G发出的光的中心波长λb。光学距离Lc3例如被设定为：通过第三反射界面S3B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。这时，第二反射界面S2B与第三反射界面S3B的光学距离小于等于从蓝色发光层131B发出的光的中心波长λc。
光学距离La3、Lb3、Lc3例如满足下列式(13)～(18)。
λa-150＜λa3＜λa+150……(14)
λb-150＜λb3＜λb+150……(16)
λc-150＜λc3＜λc+150……(18)
其中，Ka、Kb、Kc：0以上的整数
λa、λa3、λb、λb3、λc、λc3的单位：nm
φa3：从红色发光层131R射出的光在第三反射界面S3R反射时的相位变化
φb3：从绿色发光层131G射出的光在第三反射界面S3G反射时的相位变化
φc3：从蓝色发光层131B射出的光在第三反射界面S3B反射时的相位变化
λa3：满足式(14)的波长
λb3：满足式(16)的波长
λc3：满足式(18)的波长
φa3、能够用与同样的方法求得。在光学距离La3、Lb3、Lc3满足上述式(13)～(18)的情况下，能够调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第三反射界面S3R的反射，能够减弱在红色发光层131R产生的光，使光谱的半峰全宽变宽。另外，通过加上在第三反射界面S3G的反射，能够减弱在绿色发光层131G产生的光，使光谱的半峰全宽变宽。通过加上在第三反射界面S3B的反射，能够增强在蓝色发光层131B产生的光，使光谱的半峰全宽变窄。
再有，光学距离La3例如也可以被设定为：通过第三反射界面S3R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互增强。这时，第二反射界面S2R与第三反射界面S3R的光学距离小于等于从红色发光层131R发出的光的中心波长λa。光学距离Lb3例如也可以被设定为：通过第三反射界面S3G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互增强。这时，第二反射界面S2G与第三反射界面S3G的光学距离小于等于从绿色发光层131G发出的光的中心波长λb。光学距离Lc3例如也可以被设定为：通过第三反射界面S3B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互减弱。这时，第二反射界面S2B与第三反射界面S3B的光学距离小于等于从蓝色发光层131B发出的光的中心波长λc。
光学距离La3、Lb3、Lc3例如也可以满足下列式(19)～(24)。
λa-150＜λa3＜λa+150……(20)
λb-150＜λb3＜λb+150……(22)
λc-150＜λc3＜λc+150……(24)
φa3、能够用与同样的方法求得。在光学距离La3、Lb3、Lc3满足上述式(19)～(24)的情况下，能够调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第三反射界面S3R的反射，能够增强在红色发光层131R产生的光，使光谱的半峰全宽变窄。另外，通过加上在第三反射界面S3G的反射，能够增强在绿色发光层131G产生的光，使光谱的半峰全宽变窄。通过加上在第三反射界面S3B的反射，能够减弱在蓝色发光层131B产生的光，使光谱的半峰全宽变宽。
这样的发光装置1，能够通过在基板11上依次形成电极层12R，12G，12B、有机层(红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B)、金属层14R，14G，14B、透明层15R，15G，15B、金属层16R，16G，16B和透明层17R，17G，17B，进行制造。红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B可以通过蒸镀法形成，也可以通过印刷形成。换句话说，红色有机层13R、绿色有机层13G、蓝色有机层13B也可以是印刷层。金属层14R、14G、14B也可以用彼此共同的层构成。在这种情况下，金属层14R、14G、14B的材料和厚度相同。透明层15R、15G、15B也可以用彼此共同的层构成。在这种情况下，透明层15R、15G、15B的材料和厚度相同。金属层16R、16G、16B也可以用彼此共同的层构成。在这种情况下，金属层16R、16G、16B的材料和厚度相同。透明层17R、17G、17B也可以用彼此共同的层构成。在这种情况下，透明层17R、17G、17B的材料和厚度相同。
[作用、效果]
在如上所述的发光装置1中，通过电极层12R、12G、12B与金属层14R、14G、14B向红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B的各个发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B)注入驱动电流。其结果是：在各个发光层中，空穴与电子再结合而产生激发子，从而发光。
如图5所示，在红色有机层13R产生的光在第一反射界面S1R与第三反射界面S3R之间多重反射，并且被从光提取面SDR取出。在红色发光部10R中，红色光LR被从光提取面SDR取出；在绿色发光部10G中，绿色光LG被从光提取面SDG取出；在蓝色发光部10B中，蓝色光LB被从光提取面SDB取出。通过这些红色光LR、绿色光LG和蓝色光LB的加色混合，能够显示各种各样的颜色。
然而，在具有这样的谐振器构造的发光装置中，虽然提出了各种各样的构造，但是都不易提高配光特性。
例如提出了：设定透光性电极与反射性电极之间的膜厚，以使所望的波长的光产生共振，由此提高发光效率的方法(例如参照专利文献1)。另外，也尝试了：通过控制有机层的膜厚，来控制3原色(红色、绿色、蓝色)的衰减的平衡，提高白色色度点的视角特性(例如参照专利文献4)。
但是，因为这样的谐振器构造对提取光的光谱，发挥作为半峰全宽的狭窄干涉滤光片的功能；所以在从斜方向看光提取面的情况下，光波长有大的移动。因此，由视角产生发光强度降低等，导致视角依赖性变大。
另外，在专利文献2中，提出了用于降低由视角产生的色度变化的构造。但是，该构造虽然可以适用于单色，降低亮度的视角依赖性，却不易适用于充分宽的波段。虽然为了扩展可以适用的波段，可以考虑提高反射率；但是在这种情况下，光提取效率显著下降。
如上所述，虽然可以考虑通过调整谐振器构造内的位置关系和发光位置等，来降低角度依赖性的方法；但是在该方法中，有可能不易进行调整。例如由于从各个发光层射出的光的光谱，产生折射率的波长色散的情况。在折射率的波长色散中，因为构成材料的折射率因各个波长而不同，所以在红色有机EL元件、绿色有机EL元件、蓝色有机EL元件之间，谐振器构造的效果产生差异。例如在红色有机EL元件中，取出的红色光的峰值变得过于陡峭；在蓝色有机EL元件中，取出的蓝色光的峰值变得过于平缓。像这样，如果在每个元件区域，谐振器构造的效果有大的不同；那么亮度和色度的角度依赖性变大，配光特性降低。
对此，在本实施方式的发光装置1中，第三反射界面S3R对在红色发光层131R产生的光的影响，与第三反射界面S3B对在蓝色发光层131B产生的光的影响互相不同。同样，在本实施方式的发光装置1中，第三反射界面S3G对在绿色发光层131G产生的光的影响，与第三反射界面S3B对在蓝色发光层131B产生的光的影响互相不同。例如在红色发光层131R、绿色发光层131G和蓝色发光层131B产生的光如下所述。
在红色发光层131R产生的光，通过红色发光层131R的发光中心OR与第二反射界面S2R、第三反射界面S3R之间的干涉而减弱。同样，在绿色发光层131G产生的光，通过绿色发光层131G的发光中心OG与第二反射界面S2G、第三反射界面S3G之间的干涉而减弱。另一方面，在蓝色发光层131B产生的光，通过蓝色发光层131B的发光中心OB与第二反射界面S2B、第三反射界面S3B之间的干涉而增强。
由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出峰值附近平缓的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出峰值附近平缓的绿色光LG；在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出具有陡峭的峰值的蓝色光LB。因此，红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
另外，在红色发光层131R产生的光，通过红色发光层131R的发光中心OR与第二反射界面S2R、第三反射界面S3R之间的干涉而增强。同样，在绿色发光层131G产生的光，通过绿色发光层131G的发光中心OG与第二反射界面S2G、第三反射界面S3G之间的干涉而增强。另一方面，在蓝色发光层131B产生的光，通过蓝色发光层131B的发光中心OB与第二反射界面S2B、第三反射界面S3B之间的干涉而减弱。
由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出具有陡峭的峰值的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出具有陡峭的峰值的绿色光LG；在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出峰值附近平缓的蓝色光LB。因此，红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
图6表示由比较例的发光装置的视角引起的色度变化的一个例子。在比较例的发光装置中，基板侧的电极层由单层的A1合金构成，光提取面侧的电极层由单层的Ag合金构成。并且，在比较例的发光装置中，基板侧的电极层与发光中心之间的共振条件为0，光提取面侧的电极层与发光中心之间的共振条件为1。在图6中，表示有比较例的发光装置的电极层的膜厚t为13nm、21nm时的结果。
图7表示由实施例的发光装置1的视角引起的色度变化的一个例子。在实施例的发光装置1中，电极层12R、12G、12B由单层的A1合金构成，金属层14R、14G、14B由膜厚为18nm的单层的Ag合金构成，透明层15R、15G、15B由膜厚为75nm的单层的IZO构成，金属层16R、16G、16B由膜厚为6nm的单层的Ag合金构成。并且，在实施例的发光装置1中，光学距离La3被设定为：通过第三反射界面S3R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互减弱。光学距离Lb3被设定为：通过第三反射界面S3G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互减弱。光学距离Lc3被设定为：通过第三反射界面S3B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。
从图6可知，在单层的电极层的膜厚t为13nm的情况下，从视角超过50度的附近开始，色度超过0.020，0.020是视角依赖性的好坏的1个指标。另外，从图6可知，如果使单层的电极层的膜厚t从13nm变厚至21nm，那么色度的视角特性恶化。像这样，可知在由单层构成光提取面侧的电极层的情况下，如果使电极层的膜厚t变厚，那么色度的视角特性恶化。这是由以下原因产生的：随着电极层的膜厚t变厚，共振条件变强，与折射率的波长色散的影响互相作用，每种颜色的视角特性产生偏离。
另一方面，从图7可知，即使包含在光提取面侧的电极层(上述层叠体)中的Ag合金的总厚度变厚至24nm(＝18nm+6nm)，也有良好的视角特性。这时，实施例的发光装置1的光提取面侧的电极层的电阻值，与比较例的发光装置的光提取面侧的电极层的电阻值相比，为13nm/24nm＝0.54倍。因此，可知在实施例的发光装置1中，不仅视角特性良好，而且供电性能也良好。
从上可知，在本实施方式中，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的光提取面SDR、SDG、SDB侧的阴极电极构成为：从有机发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B)侧依次包括金属层14R，14G，14B、透明层15R，15G，15B和金属层16R，16G，16B。这时，通过包括第一反射界面S1R，S1G，S1B、第二反射界面S2R，S2G，S2B和第三反射界面S3R，S3G，S3B的构造，形成微腔构造。由此，即使在包含在光提取面SDR、SDG、SDB侧的阴极电极中的金属层为厚膜的情况下，也能够降低色度的视角特性的恶化。因此，能够同时确保供电性能与色度的视角特性。
另外，在本实施方式中，第二反射界面S2R与第三反射界面S3R的光学距离小于等于从红色发光层131R发出的光的中心波长λa。同样，第二反射界面S2G与第三反射界面S3G的光学距离小于等于从绿色发光层131G发出的光的中心波长λb。第二反射界面S2B与第三反射界面S3B的光学距离小于等于从蓝色发光层131B发出的光的中心波长λc。由此，通过第二反射界面S2R、S2G、S2B与第三反射界面S3R、S3G、S3B对在发光层131R、131G、131B产生的光的作用，能够调整在红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B产生的光的光谱的峰值轮廓。因此，即使在使包含在光提取面SDR、SDG、SDB侧的阴极电极中的金属层的总厚度变厚的情况下，也能够降低色度的视角特性的恶化。
另外，在本实施方式中，红色发光部10R的微腔构造以满足上述式(1)、(2)、(7)、(8)、(13)、(14)的方式构成。同样，绿色发光部10G的微腔构造以满足上述式(3)、(4)、(9)、(10)、(15)、(16)的方式构成。由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出峰值附近平缓的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出峰值附近平缓的绿色光LG。其结果是：能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。
并且，在本实施方式中，蓝色发光部10B的微腔构造以满足上述式(5)、(6)、(11)、(12)、(17)、(18)的方式构成。由此，在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出具有陡峭的峰值的蓝色光LB。因此，红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
另外，在本实施方式中，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的微腔构造构成为：第一反射界面S1R、S1G、S1B和第二反射界面S2R、S2G、S2B使从各个发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B)发出的光的波长带的光增强，第三反射界面S3R、S3G、S3B使从各个发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G)发出的光的波长带的光减弱且使从蓝色发光层131B发出的光的波长带的光增强。
由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出峰值附近平缓的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出峰值附近平缓的绿色光LG；在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出具有陡峭的峰值的蓝色光LB。其结果是：在红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小的情况下，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
另外，在本实施方式中，红色发光部10R的微腔构造以满足上述式(1)、(2)、(7)、(8)、(19)、(20)的方式构成。同样，绿色发光部10G的微腔构造以满足上述式(3)、(4)、(9)、(10)、(21)、(22)的方式构成。由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出具有陡峭的峰值的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出具有陡峭的峰值的绿色光LG。其结果是：在红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小的情况下，能够使亮度和色度的角度依赖性变小。
并且，在本实施方式中，蓝色发光部10B的微腔构造以满足上述式(5)、(6)、(11)、(12)、(23)、(24)的方式构成。由此，在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出峰值附近平缓的蓝色光LB。其结果是：能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。因此，红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
另外，在本实施方式中，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的微腔构造构成为：第一反射界面S1R、S1G、S1B和第二反射界面S2R、S2G、S2B使从各个发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B)发出的光的波长带的光增强，第三反射界面S3R、S3G、S3B使从各个发光层(红色发光层131R、绿色发光层131G)发出的光的波长带的光增强且使从蓝色发光层131B发出的光的波长带的光减弱。
由此，在红色发光部10R，可以从光提取面SDR取出具有陡峭的峰值的红色光LR；在绿色发光部10G，可以从光提取面SDG取出具有陡峭的峰值的绿色光LG；在蓝色发光部10B，可以从光提取面SDB取出峰值附近平缓的蓝色光LB。其结果是：在红色发光部10R和绿色发光部10G的谐振器构造的效果，与蓝色发光部10B的谐振器构造的效果的差异变小的情况下，亮度和色度的角度依赖性变小。因此，能够提高配光特性。另外，具有高配光特性的发光装置1也适用于需要高画质的显示装置，并且能够提高显示装置的生产率。
另外，在本实施方式中，金属层14R、14G、14B比金属层16R、16G、16B厚。由此，能够不损坏色度的角度依赖性，并且能够提高供电性能。
另外，在本实施方式中，金属层14R、14G、14B和金属层16R、16G、16B的总厚度大于等于15nm。由此，能够不损坏色度的角度依赖性，并且能够提高供电性能。关于此理由，在这里，使用图8、图9进行说明。图8表示比较例的发光装置的45度色度视角对光提取面侧的电极的膜厚的变化的一个例子。图9表示比较例的发光装置的相对亮度对光提取面侧的电极的膜厚的变化的一个例子。在图8、图9中，表示有使用与在图6中使用的发光装置同一的发光装置的结果。从图8可知，为了使色度小于等于0.020，有必要使光提取面侧的电极的膜厚小于等于15nm，0.020是视角依赖性的好坏的1个指标。总之，在比较例的发光装置中，实用上非常不易使光提取面侧的电极的膜厚大于等于15nm。另一方面，在本实施方式中，即使在使金属层14R、14G、14B和金属层16R、16G、16B的总厚度大于等于15nm的情况下，也没有损坏色度的角度依赖性。但是，如图9所示，如果使取出面侧的电极的膜厚大于38nm，那么与使取出面侧的电极的膜厚为15nm时相比，亮度变低。因此，在本实施方式中，通过使金属层14R、14G、14B和金属层16R、16G、16B的总厚度为15nm～38nm，就不会损坏亮度和色度的角度依赖性。
另外，在本实施方式中，基板11是设置有驱动红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B的电路(像素电路18-1)的电路基板。在这里，发光装置1是顶部发光型的发光装置。由此，因为从红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B发出的光不会被电路基板内的像素电路18-1遮挡，所以能够获得高的光提取效率。
另外，在本实施方式中，透明层15R、15G、15B为透明导体层。由此，金属层14R，14G，14B、透明层15R，15G，15B和金属层16R，16G，16B互相电连接，发挥作为光提取面SDR、SDG、SDB侧的电极(阴极电极)的功能。其结果是：能够使光提取面SDR、SDG、SDB侧的电极(阴极电极)的总厚度变厚。因此，能够不损坏色度的角度依赖性，并且能够提高供电性能。
另外，在本实施方式中，优选地，红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B为印刷层。有机层通过经由干燥工序等，容易产生起因于区域的厚度的大小。也就是说，有机层容易产生膜厚分布。另一方面，在本实施方式中，通过使红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B为印刷层，能够调整起因于红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B的膜厚分布的每个发光元件的谐振器构造的效果的差异。
<2.变形例>
下面对本实施方式的变形例进行说明，在以后的说明中对与上述实施方式相同的构成部分附加相同的符号并适当省略其说明。
[变形例A]
在上述实施方式中，透明层15R、15G、15B由透明导体材料形成。但是，在上述实施方式中，透明层15R、15G、15B也可以由透明介电材料形成。在这种情况下，作为用于透明层15R、15G、15B的透明介电材料，可以列举：例如氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)等。透明层15R、15G、15B的厚度例如是30nm～600nm。金属层14R、14G、14B与金属层16R、16G、16B隔着透明层15R、15G、15B电分离。因此，在本变形例中，金属层14R、14G、14B发挥作为与电极层12B成对的阴极电极的功能，而金属层16R、16G、16B没有发挥作为阴极电极的功能。
在本变形例中，金属层14R、14G、14B的厚度例如是15nm～50nm。金属层14R、14G、14B通过由上述具有高反射率的金属材料形成，谐振器构造的效果变高，从而能够提高光提取效率。另外，金属层14R、14G、14B因为具有上述厚的膜厚，所以能够同时确保供电性能与色度的视角特性。
[变形例B]
在上述实施方式及其变形例中，如图10所示，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)也可以在透明层15R、15G、15B与金属层16R、16G、16B之间具有透明层18R、18G、18B。
透明层18R、18G、18B例如由透明导体材料形成。作为用于透明层18R、18G、18B的透明导体材料，可以列举：例如ITO或铟锌氧化物(IZO)等。第二反射界面S2R、S2G、S2B与第三反射界面S3R、S3G、S3B的光学距离优选地，在可以获得谐振器构造的效果的范围内。因此，透明层18R、18G、18B的厚度优选地，在各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)发挥作为谐振器构造的功能的范围内。
这时，通过包括第一反射界面S1R、第二反射界面S2R、第三反射界面S3R和第四反射界面S4R的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4R是透明层15R与透明层18R的界面。第四反射界面S4R例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1G、第二反射界面S2G、第三反射界面S3G和第四反射界面S4G的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4G是透明层15G与透明层18G的界面。第四反射界面S4G例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1B、第二反射界面S2B、第三反射界面S3B和第四反射界面S4B的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4B是透明层15B与透明层18B的界面。第四反射界面S4B例如由折射率差为0.15以上的界面构成。
(第四反射界面S4R、S4G、S4B)
光学距离La4例如被设定为：通过第四反射界面S4R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互减弱。光学距离Lb4例如被设定为：通过第四反射界面S4G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互减弱。光学距离Lc4例如被设定为：通过第四反射界面S4B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。
光学距离La4、Lb4、Lc4例如满足下列式(25)～(30)。
λa-150＜λa4＜λa+150……(26)
λb-150＜λb4＜λb+150……(28)
λc-150＜λc4＜λc+150……(30)
其中，Ja、Jb、Jc：0以上的整数
λa、λa4、λb、λb4、λc、λc4的单位：nm
φa4：从红色发光层131R射出的光在第四反射界面S4R反射时的相位变化
φb4：从绿色发光层131G射出的光在第四反射界面S4G反射时的相位变化
φc4：从蓝色发光层131B射出的光在第四反射界面S4B反射时的相位变化
λa4：满足式(26)的波长
λb4：满足式(28)的波长
λc4：满足式(30)的波长
φa4、能够用与同样的方法求得。在光学距离La3、Lb3、Lc3满足上述式(13)～(18)或上述式(19)～(24)，并且光学距离La4、Lb4、Lc4满足上述式(25)～(30)的情况下，能够调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第四反射界面S4R、S4G、S4B的反射，能够进行调整，使在红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B产生的光的光谱的峰值轮廓为所望的轮廓。其结果是：例如能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。另外，例如通过使在发光层产生的光的光谱具有陡峭的峰值，能够提高光提取效率。另外，也可以提高色度点。
再有，光学距离La4例如也可以被设定为：通过第四反射界面S4R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互增强。光学距离Lb4例如也可以被设定为：通过第四反射界面S4G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互增强。光学距离Lc4例如也可以被设定为：通过第四反射界面S4B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互减弱。
光学距离La4、Lb4、Lc4例如也可以满足下列式(31)～(36)。
λa-150＜λa4＜λa+150……(32)
λb-150＜λb4＜λb+150……(34)
λc-150＜λc4＜λc+150……(36)
φa4、能够用与同样的方法求得。在光学距离La3、Lb3、Lc3满足上述式(13)～(18)或上述式(19)～(24)，并且光学距离La4、Lb4、Lc4满足上述式(31)～(36)的情况下，能够调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第四反射界面S4R、S4G、S4B的反射，能够进行调整，使在红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B产生的光的光谱的峰值轮廓为所望的轮廓。其结果是：例如能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。另外，例如通过使在发光层产生的光的光谱具有陡峭的峰值，能够提高光提取效率。另外，也可以提高色度点。
在本变形例中，能够获得与上述实施方式同样的效果。
[变形例C]
在上述实施方式及其变形例中，如图11所示，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)也可以在金属层16R、16G、16B与透明层17R、17G、17B之间具有透明层18R、18G、18B。
这时，通过包括第一反射界面S1R、第二反射界面S2R、第三反射界面S3R和第四反射界面S4R的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4R是金属层16R与透明层18R的界面。第四反射界面S4R例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1G、第二反射界面S2G、第三反射界面S3G和第四反射界面S4G的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4G是金属层16G与透明层18G的界面。第四反射界面S4G例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1B、第二反射界面S2B、第三反射界面S3B和第四反射界面S4B的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4B是金属层16B与透明层18B的界面。第四反射界面S4B例如由折射率差为0.15以上的界面构成。
在本变形例中，能够获得与上述变形例B同样的效果。
[变形例D]
在上述实施方式及其变形例中，如图12所示，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)也可以在透明层17R、17G、17B上具有透明层18R、18G、18B。
这时，通过包括第一反射界面S1R、第二反射界面S2R、第三反射界面S3R和第四反射界面S4R的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4R是透明层17R与透明层18R的界面。第四反射界面S4R例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1G、第二反射界面S2G、第三反射界面S3G和第四反射界面S4G的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4G是透明层17G与透明层18G的界面。第四反射界面S4G例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1B、第二反射界面S2B、第三反射界面S3B和第四反射界面S4B的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4B是透明层17B与透明层18B的界面。第四反射界面S4B例如由折射率差为0.15以上的界面构成。
在本变形例中，能够获得与上述变形例B同样的效果。
[变形例E]
在上述实施方式及其变形例中，如图13所示，各个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)也可以在透明层15R、15G、15B与金属层16R、16G、16B之间具有透明层18R、18G、18B，并且在金属层16R、16G、16B与透明层17R、17G、17B之间具有透明层19R、19G、19B。
这时，通过包括第一反射界面S1R、第二反射界面S2R、第三反射界面S3R、第四反射界面S4R和第五反射界面S5R的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4R是透明层15R与透明层18R的界面。第五反射界面S5R是透明层19R与透明层17R的界面。第四反射界面S4R和第五反射界面S5R例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1G、第二反射界面S2G、第三反射界面S3G、第四反射界面S4G和第五反射界面S5G的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4G是透明层15G与透明层18G的界面。第五反射界面S5G是透明层19G与透明层17G的界面。第四反射界面S4G和第五反射界面S5G例如由折射率差为0.15以上的界面构成。通过包括第一反射界面S1B、第二反射界面S2B、第三反射界面S3B、第四反射界面S4B和第五反射界面S5B的构造，形成微腔构造。第四反射界面S4B是透明层15B与透明层18B的界面。第五反射界面S5B是透明层19B与透明层17B的界面。第四反射界面S4B和第五反射界面S5B例如由折射率差为0.15以上的界面构成。
(第五反射界面S5R、S5G、S5B)
光学距离La5例如被设定为：通过第五反射界面S5R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互减弱。光学距离Lb5例如被设定为：通过第五反射界面S5G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互减弱。光学距离Lc5例如被设定为：通过第五反射界面S5B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互增强。
光学距离La5、Lb5、Lc5例如满足下列式(37)～(42)。
λa-150＜λa5＜λa+150……(38)
λb-150＜λb5＜λb+150……(40)
λc-150＜λc5＜λc+150……(42)
其中，Ha、Hb、Hc：0以上的整数
λa、λa5、λb、λb5、λc、λc5的单位：nm
φa5：从红色发光层131R射出的光在第五反射界面S5R反射时的相位变化
φb5：从绿色发光层131G射出的光在第五反射界面S5G反射时的相位变化
φc5：从蓝色发光层131B射出的光在第五反射界面S5B反射时的相位变化
λa5：满足式(38)的波长
λb5：满足式(40)的波长
λc5：满足式(42)的波长
φa5、能够用与同样的方法求得。在光学距离La5、Lb5、Lc5满足上述式(37)～(42)的情况下，能够更加精密地调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第五反射界面S5R、S5G、S5B的反射，能够进行调整，使在红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B产生的光的光谱的峰值轮廓为所望的轮廓。其结果是：例如能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。另外，例如通过使在发光层产生的光的光谱具有陡峭的峰值，能够提高光提取效率。另外，也可以提高色度点。
再有，光学距离La5例如也可以被设定为：通过第五反射界面S5R与发光中心OR之间的干涉，使红色发光层131R的发射光谱的中心波长λa的光相互增强。光学距离Lb5例如也可以被设定为：通过第五反射界面S5G与发光中心OG之间的干涉，使绿色发光层131G的发射光谱的中心波长λb的光相互增强。光学距离Lc5例如也可以被设定为：通过第五反射界面S5B与发光中心OB之间的干涉，使蓝色发光层131B的发射光谱的中心波长λc的光相互减弱。
光学距离La5、Lb5、Lc5例如也可以满足下列式(43)～(48)。
λa-150＜λa5＜λa+150……(44)
λb-150＜λb5＜λb+150……(46)
λc-150＜λc5＜λc+150……(48)
φa5、能够用与同样的方法求得。在光学距离La5、Lb5、Lc5满足上述式(43)～(48)的情况下，能够更加精密地调整每个发光部(红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)的发光状态。像这样，通过加上在第五反射界面S5R、S5G、S5B的反射，能够进行调整，使在红色发光层131R、绿色发光层131G、蓝色发光层131B产生的光的光谱的峰值轮廓为所望的轮廓。其结果是：例如能够抑制由角度引起的亮度和色度的急剧变化。另外，例如通过使在发光层产生的光的光谱具有陡峭的峰值，能够提高光提取效率。另外，也可以提高色度点。
在本变形例中，能够获得与上述变形例B同样的效果。
<3.应用例>
下面对在上述实施方式等中说明的发光装置1的应用例进行说明。
[应用例A]
图14表示上述实施方式及其变形例的发光装置1的一个应用例即显示装置2的概略结构例子。图15表示设置在显示装置2中的各个像素18的电路结构的一个例子。显示装置2例如具备发光装置1、控制器20和驱动器30。驱动器30例如安装在发光装置1的外缘部分。发光装置1具有配置成矩阵形状的多个像素18。控制器20和驱动器30根据从外部输入的映像信号Din和同步信号Tin，驱动发光装置1(多个像素18)。
(发光装置1)
发光装置1通过由控制器20和驱动器30对各个像素18进行有源矩阵驱动，根据从外部输入的映像信号Din和同步信号Tin显示图像。发光装置1具有：在行方向上延伸的多根扫描线WSL和多根电源线DSL，在列方向上延伸的多根信号线DTL，以及配置成矩阵形状的多个像素18。
扫描线WSL用于各个像素18的选择，并且对各个像素18供给选择脉冲，该选择脉冲以每个所定单位(例如像素行)选择各个像素18。信号线DTL用于向各个像素18供给对应于映像信号Din的信号电压Vsig，并且向各个像素18供给包含信号电压Vsig的数据脉冲。电源线DSL向各个像素18供给电力。
设置在发光装置1中的多个像素18包括：发出红色光的像素18，发出绿色光的像素18和发出蓝色光的像素18。在下文中，将发出红色光的像素18称为像素18r，将发出绿色光的像素18称为像素18g，将发出蓝色光的像素18称为像素18b。在多个像素18中，像素18r、18g、18b构成彩色图象的显示单位即显示像素。再有，各个显示像素例如也可以进一步包括发出其他颜色(例如白色、黄色等)的像素18。因此，设置在发光装置1中的多个像素18按照所定的数量作为显示像素分组。在各个显示像素中，多个像素18以在所定的方向(例如行方向)上排成一列的方式配置。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器31的输出端。对于每个像素列，例如分配多根信号线DTL中的1根。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪32的输出端。对于每个像素行，例如分配多根扫描线WSL中的1根。各根电源线DSL连接于电源的输出端。对于每个像素行，例如分配多根电源线DSL中的1根。
各个像素18具有像素电路18-1和有机电致发光部18-2。有机电致发光部18-2相当于上述实施方式及其变形例的发光部(例如红色发光部10R、绿色发光部10G、蓝色发光部10B)。
像素电路18-1控制有机电致发光部18-2的发光·消光。像素电路18-1具有通过写入扫描来保持写入各个像素18的电压的功能。像素电路18-1例如以包括驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2和储存电容器Cs的方式构成。
写入晶体管Tr2对驱动晶体管Tr1的栅极控制施加对应于映像信号Din的信号电压Vsig。具体地说，写入晶体管Tr2对信号线DTL的电压进行采样，并且将采样得到的电压写入驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1串联于有机电致发光部18-2。驱动晶体管Tr1驱动有机电致发光部18-2。驱动晶体管Tr1根据由写入晶体管Tr2采样的电压的大小，控制流入有机电致发光部18-2的电流。储存电容器Cs用于在驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间保持所定的电压。储存电容器Cs具有在所定的期间中使驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间的电压Vgs保持一定的功能。再有，像素电路18-1可以是对上述2Tr1C的电路附加各种电容器、晶体管的电路结构，也可以是与上述2Tr1C的电路结构不同的电路结构。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器31的输出端与写入晶体管Tr2的源极或漏极。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪32的输出端与写入晶体管Tr2的栅极。各根电源线DSL连接于电源电路与驱动晶体管Tr1的源极或漏极。
写入晶体管Tr2的栅极连接于扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极或漏极连接于信号线DTL。写入晶体管Tr2的源极和漏极中的未与信号线DTL连接的端子连接于驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接于电源线DSL。驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的未与电源线DSL连接的端子连接于有机电致发光部18-2的阳极21。储存电容器Cs的一端连接于驱动晶体管Tr1的栅极。储存电容器Cs的另一端连接于驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的有机电致发光部18-2侧的端子。
(驱动器30)
驱动器30例如具有水平选择器31和写入扫描仪32。水平选择器31例如对应(同步)控制信号的输入，将从控制器20输入的模拟信号电压Vsig施加到各根信号线DTL上。写入扫描仪32以每个所定单位扫描多个像素18。
(控制器20)
其次，对控制器20进行说明。控制器20例如对从外部输入的数字映像信号Din进行所定的补正，并且根据由此得到的映像信号生成信号电压Vsig。控制器20例如将生成的信号电压Vsig向水平选择器31输出。控制器20例如对应(同步)从外部输入的同步信号Tin，对驱动器30内的各个电路输出控制信号。
在本应用例中，使用发光装置1作为用于显示映像的显示面板。由此，即使在发光装置1为大型的情况下，也能够提供亮度和色度的角度依赖性小的显示质量优异的显示装置2。
[应用例B]
上述应用例A的显示装置2能够适用于各种类型的电子设备。图16表示适用有上述应用例A的显示装置2的电子设备3的立体结构。电子设备3例如是在壳体310的主面具备显示面320的片状个人电脑。电子设备3在其显示面320中具备上述应用例A的显示装置2，并且以映像显示面朝着外侧的方式配置上述应用例A的显示装置2。在本应用例中，因为上述应用例A的显示装置2设置在显示面320中，所以即使在显示面320为大型的情况下，也能够提供亮度和色度的角度依赖性小的显示质量优异的电子设备3。
[应用例C]
在下文中，对上述实施方式及其变形例的发光装置1的应用例进行说明。上述实施方式及其变形例的发光装置1可以适用于台式、落地式的照明装置或室内用照明装置等所有领域的照明装置的光源。
图17表示适用有上述实施方式及其变形例的发光装置1的室内用照明装置的外观。该照明装置具有例如以包括上述实施方式及其变形例的发光装置1的方式构成的照明部410。照明部410以适宜的个数和间隔配置在建筑物的天花板420上。再有，照明部410根据用途，不限定于设置在天花板420上，也可以设置在壁430或地板(未图示)等任意的地方。
在这些照明装置中，由来自上述实施方式及其变形例的发光装置1的光进行照明。由此，能够获得亮度和色度的角度依赖性小的照明质量高的照明装置。
虽然上面列举实施方式和应用例说明了本公开，但是本公开不限于实施方式等，可以做出各种变化。再有，本说明书所记载的效果仅为例示。本公开的效果并不限于本说明书所记载的效果。本公开也可以具有本说明书所记载的效果以外的效果。
另外，本公开也能够采用以下结构。
(1)
一种发光装置，具备：
多个有机电致发光部，各自依次包括第一反射层、有机发光层和第二反射层；以及
光提取面，通过所述第二反射层取出从各个所述有机电致发光部发出的光，
所述第二反射层从所述有机发光层侧依次包括第一金属层、透明层和第二金属层，
在各个所述有机电致发光部中，通过包括所述第一反射层的所述有机发光层侧的第一反射界面、所述第一金属层的所述有机发光层侧的第二反射界面和所述第二金属层的所述有机发光层侧的第三反射界面的构造，形成微腔构造。
(2)
所述(1)所述的发光装置，其中，
所述第二反射界面与所述第三反射界面的光学距离，小于等于从对应的所述有机发光层发出的光的中心波长。
(3)
所述(1)或所述(2)所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(A)～(F)的方式构成，
λa-150＜λa1＜λa+80……(B)
λa-80＜λa2＜λa+80……(D)
λa-150＜λa3＜λa+150……(F)
其中，
La1：所述第一反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La2：所述第二反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La3：所述第三反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φa1：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φa2：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φa3：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λa：所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λa1：满足式(B)的波长；
λa2：满足式(D)的波长；
λa3：满足式(F)的波长；
Na、Ma、Ka：0以上的整数。
(4)
所述(3)所述的发光装置，其中，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(G)～(L)的方式构成，
λc-150＜λc1＜λc+80……(H)
λc-80＜λc2＜λc+80……(J)
λc-150＜λc3＜λc+150……(L)
其中，
Lc1：所述第一反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc2：所述第二反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc3：所述第三反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φc1：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φc2：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φc3：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λc：所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λc1：满足式(H)的波长；
λc2：满足式(J)的波长；
λc3：满足式(L)的波长；
Nc、Mc、Kc：0以上的整数。
(5)
所述(1)至所述(4)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，所述多个第一有机电致发光部在第一波长带发光，所述多个第二有机电致发光部在波长小于所述第一波长带的第二波长带发光，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造的所述第一反射界面和所述第二反射界面以使所述第一波长带和所述第二波长带各自的光增强的方式构成，所述微腔构造的所述第三反射界面以使所述第一波长带的光减弱且使所述第二波长带的光增强的方式构成。
(6)
所述(1)或所述(2)所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(M)～(R)的方式构成，
λa-150＜λa1＜λa+80……(N)
λa-80＜λa2＜λa+80……(P)
λa-150＜λa3＜λa+150……(R)
其中，
La1：所述第一反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La2：所述第二反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La3：所述第三反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φa1：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φa2：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φa3：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λa：所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λa1：满足式(N)的波长；
λa2：满足式(P)的波长；
λa3：满足式(R)的波长；
Na、Ma、Ka：0以上的整数。
(7)
所述(6)所述的发光装置，其中，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(S)～(X)的方式构成，
λc-150＜λc1＜λc+80……(T)
λc-80＜λc2＜λc+80……(V)
λc-150＜λc3＜λc+150……(X)
其中，
Lc1：所述第一反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc2：所述第二反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc3：所述第三反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φc1：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φc2：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φc3：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λc：所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λc1：满足式(T)的波长；
λc2：满足式(v)的波长；
λc3：满足式(X)的波长；
Nc、Mc、Kc：0以上的整数。
(8)
所述(1)、所述(2)、所述(6)和所述(7)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，所述多个第一有机电致发光部在第一波长带发光，所述多个第二有机电致发光部在波长小于所述第一波长带的第二波长带发光，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造的所述第一反射界面和所述第二反射界面以使所述第一波长带和所述第二波长带各自的光增强的方式构成，所述微腔构造的所述第三反射界面以使所述第一波长带的光增强且使所述第二波长带的光减弱的方式构成。
(9)
所述(1)至所述(8)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述第一金属层比所述第二金属层厚。
(10)
所述(9)所述的发光装置，其中，
所述第一金属层和所述第二金属层的总厚度大于等于15nm。
(11)
所述(1)至所述(10)中的任一项所述的发光装置，其中，
由于与各个所述有机电致发光部的位置关系，在与所述光提取面相反的一侧进一步具备电路基板，所述电路基板形成有驱动各个所述有机电致发光部的驱动电路。
(12)
所述(1)至所述(11)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透明层由透明导体材料形成，
所述第一金属层、所述透明层和所述第二金属层互相电连接，并且发挥作为所述光提取面侧的电极的功能。
(13)
所述(1)至所述(11)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透明层由透明介电材料形成，
所述第一金属层和所述第二金属层隔着所述透明层互相电分离，
所述第二金属层发挥作为所述光提取面侧的电极的功能。
(14)
所述(1)至所述(13)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述有机发光层是印刷层。
本公开含有涉及在2018年5月11日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2018-092112中公开的主旨，其全部内容包括在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改、组合、子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。
Claims (14)
1.一种发光装置，具备：
多个有机电致发光部，各自依次包括第一反射层、有机发光层和第二反射层；以及
光提取面，通过所述第二反射层取出从各个所述有机电致发光部发出的光，
所述第二反射层从所述有机发光层侧依次包括第一金属层、透明层和第二金属层，
在各个所述有机电致发光部中，通过包括所述第一反射层的所述有机发光层侧的第一反射界面、所述第一金属层的所述有机发光层侧的第二反射界面和所述第二金属层的所述有机发光层侧的第三反射界面的构造，形成微腔构造。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第二反射界面与所述第三反射界面的光学距离，小于等于从对应的所述有机发光层发出的光的中心波长。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(A)～(F)的方式构成，
λa-150＜λa1＜λa+80……(B)
λa-80＜λa2＜λa+80……(D)
λa-150＜λa3＜λa+150……(F)
其中，
La1：所述第一反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La2：所述第二反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La3：所述第三反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φa1：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φa2：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φa3：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λa：所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λa1：满足式(B)的波长；
λa2：满足式(D)的波长；
λa3：满足式(F)的波长；
Na、Ma、Ka：0以上的整数。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(G)～(L)的方式构成，
λc-150＜λc1＜λc+80……(H)
λc-80＜λc2＜λc+80……(J)
λc-150＜λc3＜λc+150……(L)
其中，
Lc1：所述第一反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc2：所述第二反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc3：所述第三反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φc1：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φc2：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φc3：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λc：所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λc1：满足式(H)的波长；
λc2：满足式(J)的波长；
λc3：满足式(L)的波长；
Nc、Mc、Kc：0以上的整数。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，所述多个第一有机电致发光部在第一波长带发光，所述多个第二有机电致发光部在波长小于所述第一波长带的第二波长带发光，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造的所述第一反射界面和所述第二反射界面以使所述第一波长带和所述第二波长带各自的光增强的方式构成，所述微腔构造的所述第三反射界面以使所述第一波长带的光减弱且使所述第二波长带的光增强的方式构成。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(M)～(R)的方式构成，
λa-150＜λa1＜λa+80……(N)
λa-80＜λa2＜λa+80……(P)
λa-150＜λa3＜λa+150……(R)
其中，
La1：所述第一反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La2：所述第二反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
La3：所述第三反射界面与所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φa1：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φa2：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φa3：在所述第一有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λa：所述第一有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λa1：满足式(N)的波长；
λa2：满足式(P)的波长；
λa3：满足式(R)的波长；
Na、Ma、Ka：0以上的整数。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造以满足下列式(S)～(X)的方式构成，
λc-150＜λc1＜λc+80……(T)
λc-80＜λc2＜λc+80……(V)
λc-150＜λc3＜λc+150……(X)
其中，
Lc1：所述第一反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc2：所述第二反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
Lc3：所述第三反射界面与所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发光中心的光学距离；
φc1：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第一反射界面反射时的相位变化；
φc2：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第二反射界面反射时的相位变化；
φc3：在所述第二有机电致发光部中，从所述有机发光层射出的光在所述第三反射界面反射时的相位变化；
λc：所述第二有机电致发光部的所述有机发光层的发射光谱的中心波长；
λc1：满足式(T)的波长；
λc2：满足式(v)的波长；
λc3：满足式(X)的波长；
Nc、Mc、Kc：0以上的整数。
8.根据权利要求1、权利要求2、权利要求6和权利要求7中的任一项所述的发光装置，其中，
所述多个有机电致发光部包括多个第一有机电致发光部和多个第二有机电致发光部，所述多个第一有机电致发光部在第一波长带发光，所述多个第二有机电致发光部在波长小于所述第一波长带的第二波长带发光，
在各个所述第一有机电致发光部和各个所述第二有机电致发光部中，所述微腔构造的所述第一反射界面和所述第二反射界面以使所述第一波长带和所述第二波长带各自的光增强的方式构成，所述微腔构造的所述第三反射界面以使所述第一波长带的光增强且使所述第二波长带的光减弱的方式构成。
9.根据权利要求1至权利要求8中的任一项所述的发光装置，其中，
所述第一金属层比所述第二金属层厚。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，
所述第一金属层和所述第二金属层的总厚度大于等于15nm。
11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的发光装置，其中，
由于与各个所述有机电致发光部的位置关系，在与所述光提取面相反的一侧进一步具备电路基板，所述电路基板形成有驱动各个所述有机电致发光部的驱动电路。
12.根据权利要求1至权利要求11中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透明层由透明导体材料形成，
所述第一金属层、所述透明层和所述第二金属层互相电连接，并且发挥作为所述光提取面侧的电极的功能。
13.根据权利要求1至权利要求11中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透明层由透明介电材料形成，
所述第一金属层和所述第二金属层隔着所述透明层互相电分离，
所述第二金属层发挥作为所述光提取面侧的电极的功能。
14.根据权利要求1至权利要求13中的任一项所述的发光装置，其中，
所述有机发光层是印刷层。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180500A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用基板及电致发光显示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110544707B (zh) * | 2018-05-29 | 2023-06-06 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1497306A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-05-19 | ��ʽ��������Զ�֯�������� | 光发射器、显示单元和发光单元 |
| CN102163694A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-24 | 索尼公司 | 发光装置、照明装置和显示装置 |
| CN102683612A (zh) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | 索尼公司 | 发光器件、照明设备和显示设备 |
| CN104078422A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光装置的制造方法 |
| CN107546333A (zh) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102282B1 (en) | 1999-11-22 | 2006-09-05 | Sony Corporation | Display device with a cavity structure for resonating light |
| WO2006035956A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display |
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| JP4893378B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2012-03-07 | ソニー株式会社 | 発光装置、表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2009231274A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Canon Inc | 有機発光素子及び表示装置 |
| JP2010056016A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
| JP2011029172A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ装置及びその設計方法 |
| JP5210267B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-06-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置及びその製造方法 |
| JP2011060611A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機電界発光装置及びその製造方法 |
| JP5407910B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
| JP5698848B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2015-04-08 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101400389B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
| US8883531B2 (en) * | 2012-08-28 | 2014-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same |
| KR102440237B1 (ko) * | 2015-11-03 | 2022-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 |
| JP7034584B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2022-03-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置及び撮像装置 |
| KR20180095154A (ko) * | 2017-02-16 | 2018-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1497306A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-05-19 | ��ʽ��������Զ�֯�������� | 光发射器、显示单元和发光单元 |
| CN102163694A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-24 | 索尼公司 | 发光装置、照明装置和显示装置 |
| CN102683612A (zh) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | 索尼公司 | 发光器件、照明设备和显示设备 |
| CN104078422A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光装置的制造方法 |
| CN107546333A (zh) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180500A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用基板及电致发光显示装置 |
| CN111180500B (zh) * | 2020-02-26 | 2023-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用基板及电致发光显示装置 |
Also Published As
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| US20190348639A1 (en) | 2019-11-14 |
| US10756303B2 (en) | 2020-08-25 |
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