CN110470731B - 传感器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100)，具备：元件基板(10a)；检测部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测，所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波，所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波；以及保护膜(28)，覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，在元件基板(10a)中，与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比，反应部(13)所位于的区域更低。

Description

传感器装置
本申请是申请日为2015年09月30日、申请号为201580006044.8、发明名称为“传感器装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及能够测定检体液的性质或检体液所包含的成分的传感器装置。
背景技术
已知有通过使用声表面波元件等检测元件检测检体液中的被检测物来测定检体液的性质或成分的传感器装置(例如，参照专利文献1至3。)。
例如，使用了声表面波元件的传感器装置在压电基板上设置有与检体液的试样所包含的成分进行反应的反应部，通过测定在该反应部中传播的声表面波的变化，从而检测检体液的性质或成分。使用了声表面波元件等的测定方法与其它测定方法(例如，酶法等)相比，具有容易同时检测多个检查项目的优点。
然而，在以往的传感器装置中，位于一对IDT电极之间的反应部并未位于相对于该一对IDT电极足够低的位置，因此声表面波的能量难以集中在反应部，其结果难以以良好的灵敏度来检测检体中的被检测物。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-240762号公报
专利文献2：日本特开2006-184011号公报
专利文献3：日本特开2010-239477号公报
发明内容
发明要解决的课题
因此，要求一种能够以良好的灵敏度来检测检体中的被检测物的传感器装置。
用于解决课题的技术方案
本发明的实施方式涉及的传感器装置具备：元件基板；检测部，具有位于所述元件基板的上表面的反应部、第一IDT电极以及第二IDT电极，所述反应部具有固定化膜且检测被检测物，所述第一IDT电极产生朝向所述反应部传播的弹性波，所述第二IDT电极接收通过了所述反应部的所述弹性波；以及保护膜，覆盖所述第一IDT电极和所述第二IDT电极，在所述元件基板中，与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域相比，所述反应部所位于的区域更低。
发明效果
根据本发明的实施方式涉及的传感器装置，在元件基板的上表面，与第一IDT电极和第二IDT电极所位于的区域相比，反应部所位于的区域更低，因此在反应部中，在第一IDT电极与第二IDT电极之间传播的声表面波的能量容易集中在固定化膜，因此能够以高灵敏度进行测定。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式涉及的传感器装置的图，其中，(a)是俯视图，(b)是长度方向上的剖视图，(c)是宽度方向上的剖视图。
图2是图1的传感器装置的分解俯视图。
图3是示出图1的传感器装置的制造工序的俯视图。
图4是示出图1的传感器装置的检测元件的俯视图。
图5是示出图1的传感器装置的检测元件的剖视图。
图6是将图5的传感器装置的一部分放大示出的剖视图。
图7是示出检测元件3的制造工序的概略图。
附图标记说明
1：第一覆盖构件；
1A：中间覆盖构件；
1Aa：第一上游部；
2：第二覆盖构件；
2a：第三基板；
2b：第四基板；
3：检测元件；
4：凹部形成部位；
5：元件配置部；
6：端子；
7：布线；
9：填充构件；
10a：元件基板；
10b：检测部；
11：第一IDT电极；
12：第二IDT电极；
13：反应部；
13a：固定化膜；
14：流入部；
15：流路；
15a：上游部；
15b：下游部(延长部)；
18：排气孔；
19：第一引出电极；
19e：端部；
20：第二引出电极；
20e：端部；
27：导线(金属丝)；
28：保护膜；
100：传感器装置。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明涉及的传感器装置的实施方式进行详细说明。另外，在以下说明的各附图中对于相同的构成构件标注相同的附图标记。此外，各构件的大小、构件彼此之间的距离等是示意性地图示的，有时与实际的大小、距离等不同。
<传感器装置的结构>
使用图1～图6对本发明的实施方式涉及的传感器装置100进行说明。
如图1所示，本实施方式涉及的传感器装置100主要具备第一覆盖构件1、中间覆盖构件1A、第二覆盖构件2以及检测元件3。
具体地，如图1的(b)所示，传感器装置100具备流入部14和流路15，流入部14流入检体液，流路15与流入部14相连且被中间覆盖构件1A和第二覆盖构件2包围并至少延伸至反应部13。在本实施方式中，中间覆盖构件1A和第二覆盖构件2的宽度比检测元件3的宽度宽。由此，样本检体液流动时能够有效覆盖检测元件3的整个表面。
图1的(c)示出图1的(a)的剖视图，从上开始依次示出在a-a线剖开的剖面、在b-b线剖开的剖面、以及在c-c线剖开的剖面。流入部14形成为在厚度方向上贯通第二覆盖构件2。
(第一覆盖构件1)
如图1的(a)、图1的(b)以及图2的(a)所示，第一覆盖构件1为平板状。厚度例如为0.1mm～1.5mm。第一覆盖构件1的平面形状大致为长方形。第一覆盖构件1的长度方向上的长度例如为1cm～8cm，宽度方向上的长度例如为1cm～3cm。
作为第一覆盖构件1的材料，例如能够使用玻璃钢、纸、塑料、赛璐珞、陶瓷、无纺布、玻璃等。从兼顾所需的强度和成本的观点出发，优选使用塑料。
此外，如图1的(a)和图2的(a)所示，在第一覆盖构件1的上表面形成有端子6和从端子6迂回至检测元件3附近的布线7。
端子6在中间覆盖构件1A的上表面相对于检测元件3在宽度方向上形成在两侧。具体地，与检测元件3相对的端子6中的至少一部分配置得比检测元件3的流入部14侧的端部更靠近流入部14侧。此外，在以流路15的长边方向为基准而排列在检测元件3的一侧的四个端子6中，与外侧的两个端子6连接的布线7的长度彼此大致相同，此外，与内侧的两个端子6连接的布线7的长度彼此大致相同。由此，能够抑制在检测元件3中得到的信号由于布线7的长度而产生偏差。在该情况下，例如在对于图4所示的第一IDT电极11而经由布线7和第一引出电极19等从外部的测定器施加规定的电压时，如果采用连接成将一方的长度大致相同的布线7作为接地(ground)布线并将另一方的长度大致相同的布线7作为信号布线而在这些布线间产生电位差的构成，则能够抑制信号的偏差，能够提高检测的可靠性。
在用外部的测定器(未图示)测定传感器装置100时，端子6与外部的测定器电连接。此外，端子6与检测元件3经由布线7等电连接。
而且，来自外部的测定器的信号经由端子6输入到传感器装置100，并且来自传感器装置100的信号经由端子6输出到外部的测定器。
(中间覆盖构件1A)
在本实施方式中，如图1的(b)所示，中间覆盖构件1A与检测元件3并排位于第一覆盖构件1的上表面。此外，如图1的(a)和图3的(c)所示，中间覆盖构件1A与检测元件3隔开间隙设置。另外，中间覆盖构件1A与检测元件3也可以配置为各自的侧部彼此相接。
如图1的(b)和图2的(b)所示，中间覆盖构件1A为在平板状的板中具有凹部形成部位4的平板框状，其厚度例如为0.1mm～0.5mm。
在本实施方式中，如图1的(b)所示，凹部形成部位4是位于第一上游部1Aa的下游侧的部位。通过将中间覆盖构件1A与平板状的第一覆盖构件1接合，从而由第一覆盖构件1和中间覆盖构件1A形成元件配置部5。即，位于凹部形成部位4的内侧的第一覆盖构件1的上表面成为元件配置部5的底面，凹部形成部位4的内壁成为元件配置部5的内壁。
如图1和图3所示，在检测元件3的下游，在第一覆盖构件1之上不存在中间覆盖构件1A。由此，能够抑制或降低在中间覆盖构件1A中的第一上游部1Aa的下游侧产生气泡。其结果是，能够使检体液不含气泡地以液体状到达检测元件3上，能够提高检测的灵敏度或精度。
作为中间覆盖构件1A的材料，例如能够使用树脂(包括塑料)、纸、无纺布、玻璃。更具体地，优选使用聚酯树脂、聚乙烯树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂等树脂材料。另外，第一覆盖构件1的材料和中间覆盖构件1A的材料可以相同，也可以不同。
此外，在本实施方式中，中间覆盖构件1A具有第一上游部1Aa，如图1的(a)和图1的(b)所示，在俯视时检测元件3位于第一上游部1Aa的下游。由此，通过流路15中的第一上游部1Aa而在检测元件3上流过的检体液会向下游侧流过超过测定所需的量，因此能够向检测元件3供给适当的量的检体液。
(第二覆盖构件2)
如图1的(b)和图3的(e)所示，第二覆盖构件2覆盖检测元件3并且与第一覆盖构件1和中间覆盖构件1A接合。在此，如图1的(b)和(c)所示，第二覆盖构件2具有第三基板2a和第四基板2b。
作为第二覆盖构件2的材料，例如能够使用树脂(包括塑料)、纸、无纺布、玻璃。更具体地，优选使用聚酯树脂、聚乙烯树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂等树脂材料。另外，第一覆盖构件1的材料与第二覆盖构件2的材料可以相同。由此，能够抑制由彼此的热膨胀系数之差造成的变形。另外，第二覆盖构件2可以是只与中间覆盖构件1A接合的结构，或者也可以是与第一覆盖构件1和中间覆盖构件1A这两者接合的结构。
如图1的(c)、图3的(c)以及图3的(d)所示，第三基板2a粘合在中间覆盖构件1A的上表面。第三基板2a为平板状，其厚度例如为0.1mm～0.5mm。第四基板2b粘合在第三基板2a的上表面。第四基板2b为平板状，其厚度例如为0.1mm～0.5mm。而且，通过第四基板2b与第三基板2a接合，从而如图1的(b)所示，在第二覆盖构件2的下表面形成有流路15。流路15从流入部14至少延伸至反应部13的正上方区域，剖面形状例如为矩形。另外，第三基板2a与第四基板2b可以是相同材料，也可以将两者一体化。
在本实施方式中，如图1的(b)所示，在流路15的端部不存在中间覆盖构件1A和第三基板2a，第四基板2b与第一覆盖构件1的缝隙作为排气孔18发挥功能。排气孔18用于将流路15内的空气等排出到外部。排气孔18的开口的形状为圆形或矩形等，只要能够除去流路15内的空气，可以是任何形状。例如，在是圆形的排气孔18的情况下，使其直径为2mm以下，在是由矩形构成的排气孔18的情况下，使其一边为2mm以下。
另外，第一覆盖构件1、中间覆盖构件1A以及第二覆盖构件2也可以全都由相同的材料形成。由此，能够使各构件的热膨胀系数大致一致，因此可抑制由每个构件的热膨胀系数之差造成的传感器装置100的变形。此外，有时会在反应部13涂敷活体材料，其中也有由于紫外线等外部的光而容易变质的活体材料。在该情况下，作为第一覆盖构件1、中间覆盖构件1A以及第二覆盖构件2的材料，只要使用具有遮光性的不透明的材料即可。另一方面，在反应部13基本不产生由外部的光造成的变质的情况下，也可以由接近透明的材料来形成构成流路15的第二覆盖构件2。在该情况下，能够对在流路15内流动的检体液的状态进行视觉确认，因此还能够与利用光的检测方式组合使用。
(检测元件3)
使用图1～图6，特别是使用图4～图6对本实施方式涉及的检测元件3进行说明。
如图6所示，作为概略结构，检测元件3具有元件基板10a和至少一个检测部10b，元件基板10a位于第一覆盖构件1的上表面，检测部10b位于元件基板10a的上表面、且对检体液所包含的被检测物(检测对象)进行检测。
具体地，本实施方式的检测元件3具备元件基板10a、检测部10b以及保护膜28，检测部10b具有位于元件基板10a的上表面的反应部13、第一IDT(Inter DigitalTransducer：叉指换能器)电极11、以及第二IDT电极12，反应部13具有固定化膜13a且进行被检测物的检测，第一IDT电极11产生朝向反应部13传播的弹性波，第二IDT电极12接收通过了反应部13的弹性波，保护膜28覆盖第一IDT电极11和第二IDT电极12，在元件基板10a的上表面，与第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1相比，反应部13所位于的区域10a2更低。另外，检测部10b除了第一IDT电极11、反应部13以及第二IDT电极12以外，还具有保护膜28、第一引出电极19以及第二引出电极20等。另外，保护膜28只要覆盖第一IDT电极11和第二IDT电极12即可，其形态没有限定。例如，可以从第一IDT电极11遍及至第二IDT电极12进行覆盖，也可以断续地覆盖第一IDT电极11和第二IDT电极12。
(元件基板10a)
元件基板10a例如由石英、钽酸锂(LiTaO3)单晶或铌酸锂(LiNbO3)单晶等具有压电性的单晶的基板构成。元件基板10a的平面形状和各种尺寸只要适宜地设定即可。元件基板10a的厚度例如为0.3mm～1mm。
如上所述，在本实施方式中，如图6的(a)、(b)所示，在元件基板10a的上表面，与第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1相比，反应部13所位于的区域10a2更低。由此，在反应部13中，在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)的能量容易集中在固定化膜13a，因此能够以高灵敏度来检测检体液所包含的被检测物。设在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的SAW的波长为λ时，只要相对于第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1而将反应部13所位于的区域10a2设定得较低，例如在0.02λ以下的范围内进行设定即可。
在元件基板10a的上表面，与第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1的表面粗糙度相比，反应部13所位于的区域10a2的表面粗糙度更大。由此，能够在反应部13中使后述的适体、抗体等以高密度固定化，能够提高检测灵敏度。在此，各构成要素的表面粗糙度只要使用算术平均粗糙度Ra来判断即可，在作为测定对象的上表面设置有电极以外的其它膜的情况下，例如只要通过在使用SEM(扫描型电子显微镜)、TEM(透射型电子显微镜)等分析方法得到的剖面照片中对剖面形状进行图形分析来测定即可。此外，在能够对作为测定对象的上表面进行直接测定的情况下，只要使用通常的接触式或非接触式的表面粗糙度测定机进行测定即可。以下只要没有特别说明，就设为相同。
元件基板10a中的固定化膜13a所位于的区域的表面粗糙度比固定化膜13a的上表面的表面粗糙度大。由此，能够提高元件基板10a与固定化膜13a的接合强度，并且能够在固定化膜13a使适体、抗体等以高密度固定化，能够提高检测灵敏度。
(IDT电极11、12)
如图4和图6所示，第一IDT电极11具有一对梳齿电极。各梳齿电极具有彼此对置的两根汇流条和从各汇流条向另一个汇流条侧延伸的多个电极指11a～11e(11a、11b、11c、11d)。而且，一对梳齿电极配置为多个电极指11a～11e彼此啮合。第二IDT电极12也与第一IDT电极11同样地构成。第一IDT电极11和第二IDT电极12构成横向型的IDT电极。
第一IDT电极11用于产生规定的SAW，第二IDT电极12用于接收在第一IDT电极11产生的SAW。第一IDT电极11和第二IDT电极12配置在同一直线上，使得第二IDT电极12能够接收在第一IDT电极11产生的SAW。能够将第一IDT电极11和第二IDT电极12的电极指的根数、相邻的电极指彼此的距离、以及电极指的交叉宽度等作为参数来设计频率特性。
作为由IDT电极激发的SAW存在各种振动模式，在本实施方式涉及的检测元件3中利用例如被称为SH波的横波的振动模式。SAW的频率例如可以在几兆赫(MHz)至几千兆赫(GHz)的范围内进行设定。其中，特别是设为几百MHz至2GHz是实用的，且能够实现检测元件3的小型化，进而能够实现传感器装置100的小型化。在本实施方式中，以将SAW的中心频率设为几百MHz的情况为例来记载规定的构成要素的厚度、长度。
第一IDT电极11和第二IDT电极12例如可以是由金的薄膜层等构成的单层结构，也可以是从元件基板10a侧起由钛层、金层以及钛层构成的3层结构或由铬层、金层以及铬层构成的3层结构等多层结构。
第一IDT电极11和第二IDT电极12的厚度只要在例如0.005λ～0.015λ的范围内进行设定即可。
另外，可以在第一IDT电极11和第二IDT电极12的SAW的传播方向(宽度方向)的外侧设置有用于抑制SAW的反射的弹性构件。
(反应部13)
如图4和图6所示，反应部13设置在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间。
在本实施方式中，反应部13具有形成在元件基板10a的上表面的固定化膜13a(例如，金属膜)、和固定化在固定化膜13a的上表面且与被检测物反应的反应物质。反应物质只要根据检测对象的被检测物适宜地选择即可，例如在将检体液中的特定的细胞或活体组织等作为被检测物时，能够使用由核酸、肽构成的适体。在本实施方式中，反应物质与被检测物的反应例如可以是化学反应或抗原抗体反应等反应物质与被检测物结合的反应，此外不限于这些反应，也可以是通过被检测物与反应物质的相互作用使被检测物与反应物质结合或者使被检测物吸附到反应物质那样的反应。只要是在检体接触到反应部13时由于存在反应物质而根据被检测物的种类、含量使声表面波的特性变化的物质，就可以作为本实施方式的反应物质而用于反应部13。反应部13用于与检体液中的被检测物进行反应，具体地，当检体液接触到反应部13时，检体液中的特定的被检测物与对应于该被检测物的适体结合。
作为固定化膜13a(金属膜)，例如可以是由金层构成的单层结构，也可以是由钛层和位于钛层上的金层构成的二层结构或由铬层和位于铬层上的金层构成的二层结构等多层结构。此外，固定化膜13a的材料可以与第一IDT电极11和第二IDT电极12的材料相同。由此，能够将两者在同一工序中形成。另外，关于固定化膜13a的材料，也可以代替上述的金属膜而使用例如SiO2、TiO2等氧化膜。
在此，当将沿着流路的宽度方向配置的第一IDT电极11、第二IDT电极12以及反应部13设为一个组合时，如图4所示，在本实施方式涉及的传感器装置100中设置有两组该组合。由此，通过设定为使与一个反应部13反应的被检测物不同于与另一个反应部13反应的被检测物，从而能够在一个传感器装置中进行两种被检测物的检测。
在本实施方式中，如图6的(b)所示，固定化膜13a的上表面比元件基板10a的上表面中的第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1中的至少一方的上表面高。由此，在反应部13中，在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能够以更高的灵敏度来检测被检测物。
此外，如图6的(b)所示，固定化膜13a的上表面比第一IDT电极11的上表面和第二IDT电极12的上表面中的至少一方低。由此，在反应部13中，在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能够以更高的灵敏度来检测被检测物。
固定化膜13a的厚度只要在例如0.005λ～0.015λ的范围内进行设定即可。在本实施方式中，如图6的(b)所示，固定化膜13a的厚度比第一IDT电极11的厚度和第二IDT电极12的厚度中的至少一方薄。由此，即使在固定化膜13a的厚度比较薄的情况下，也能够在反应部13中降低在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的SAW的能量损耗。除此之外，SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能够以更高的灵敏度来检测被检测物。
固定化膜13a的上表面的表面粗糙度比第一IDT电极11的上表面的表面粗糙度和第二IDT电极12的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。由此，在反应部13中，能够增大表面积而使适体、抗体等以高密度固定化，能够进一步提高检测灵敏度。固定化膜13a的上表面的表面粗糙度Ra只要在例如0.5～2.0nm的范围内进行设定即可，并且只要使用通常的接触式或非接触式的表面粗糙度测定机来测定作为测定对象的上表面即可。此外，关于第一IDT电极11的上表面和第二IDT电极12的上表面的表面粗糙度，只要在任一个梳齿电极的部分或对它们进行连结的部分的任一处使用通常的接触式或非接触式的表面粗糙度测定机对作为测定对象的上表面进行测定即可。
(保护膜28)
如图6所示，保护膜28覆盖第一IDT电极11和第二IDT电极12。由此，能够抑制检体液与第一IDT电极11和第二IDT电极12接触，能够降低由于IDT电极的氧化等造成的腐蚀。作为保护膜28的材料，例如可举出氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛、氮化硅或硅。另外，这些材料只要作为在构成保护膜28的材料中质量比率最多的主成分使用即可，在作为杂质而混入有极微量等情况下则不判断为材料。
在本实施方式中，如图6的(b)所示，保护膜28也位于第一IDT电极11和第二IDT电极12中的至少一方与反应部13之间。通过所位于的该部分28a，能够抑制或降低IDT电极的侧部与检体液接触。在此，如图6的(b)所示，保护膜28不与反应部13相接，而是位置分离。由此，能够降低给针对反应部13中的SAW的灵敏度造成的影响。
此外，如图6的(b)所示，在侧剖视下，在保护膜28的反应部13侧的端部中，与上端相比，下端与反应部13的距离更近。在此，侧剖视是指，例如像也在图1的(b)中示出的那样，从传感器装置的侧面侧观察将图1的(a)在a-a线或与其垂直的方向上剖开而得到的剖面的状态。此外，所谓反应部13侧的端部，例如在如上述的那样保护膜28也位于第一IDT电极11和第二IDT电极12中的至少一方与反应部13之间且对反应部13的整个区域都不进行覆盖的情况下，是指第一IDT电极11和第二IDT电极12中的至少一方侧的端部和相反侧的端部。进而，如图6的(b)所示，在侧剖视下，保护膜28倾斜为随着从反应部13侧的端部中的上端朝向下端而靠近反应部13侧。由此，能够更有效地抑制检体液与第一IDT电极11和第二IDT电极12接触。此外，在保护膜28形成为覆盖元件基板10a的上表面的情况下，与元件基板10a之间的结合的稳定性会提高。
在本实施方式中，保护膜28的厚度只要在例如0.001λ～0.05λ的范围内进行设定即可。在此，保护膜28的厚度只要设为在不覆盖第一IDT电极11和第二IDT电极12的部位而测定的从元件基板10a的上表面到保护膜28的上表面的距离即可，但是不排除在除此以外的部位进行测定。
另外，保护膜28的厚度可以比第一IDT电极11的厚度和第二IDT电极12的厚度中的至少一方薄。由此，能够降低保护膜28对在第一IDT电极11与第二IDT电极12之间传播的SAW的影响，能够降低SAW的能量损耗。在该情况下，可以设定为保护膜28的上表面的至少一部分比第一IDT电极11的上表面和第二IDT电极12的上表面中的至少一方低。
如图4和图6所示，第一IDT电极11和第二IDT电极12分别具有位置彼此分离的多个电极指11a～11e、12a～12e(12a、12b、12c、12d、12e)，如图6的(b)所示，保护膜28位置(连续地、相连地)跨在多个电极指11a～11e、12a～12e中的相邻的两个电极指之上，例如跨在电极指11a、11b、电极指12a、12b之上以及露出在这两个电极指11a、11b以及电极指12a、12b之间的元件基板10a之上。由此，能够抑制IDT电极的多个电极指彼此间由于检体液而产生短路。
(引出电极19、20)
如图4所示，第一引出电极19与第一IDT电极11连接，第二引出电极20与第二IDT电极12连接。第一引出电极19从第一IDT电极11向反应部13的相反侧引出，第一引出电极19的端部19e与设置在第一覆盖构件1的布线7电连接。第二引出电极20从第二IDT电极12向反应部13的相反侧引出，第二引出电极20的端部20e与布线7电连接。
第一引出电极19和第二引出电极20只要做成为与第一IDT电极11和第二IDT电极12相同的材料、结构即可，例如，可以做成为由金的薄膜层等构成的单层结构，也可以做成为从元件基板10a侧起由钛层、金层以及钛层构成的3层结构或由铬层、金层以及铬层构成的3层结构等多层结构。
(使用了检测元件3的被检测物的检测)
为了在如上所述的利用了SAW的检测元件3中对试样液中的被检测物进行检测，首先，要经由布线7和第一引出电极19等从外部的测定器向第一IDT电极11施加规定的电压。
通过施加该电压，元件基板10a的表面中的第一IDT电极11的形成区域10a1被激发而产生具有规定的频率的SAW。产生的SAW的一部分朝向反应部13传播，在通过反应部13之后到达第二IDT电极12。在反应部13中，反应部13的适体与检体液中的特定的被检测物反应而结合，反应部13的重量(质量)会变化与所结合的量相对应的量，因此通过反应部13的SAW的相位等的特性会变化。当像这样特性变化的SAW到达第二IDT电极12时，在第二IDT电极12产生与其相应的电压。
这样产生的电压经由第二引出电极20、布线7等输出到外部，通过用外部的测定器读取该电压，从而能够检查包含被检测物的检体液的性质、成分。
在此，为了将检体液引导到反应部13，在传感器装置100中利用毛细现象。具体地，如上所述，流路15如图1所示地通过第二覆盖构件2与中间覆盖构件1A接合而在第二覆盖构件2的下表面成为细长的管状。因此，通过考虑检体液的种类、中间覆盖构件1A以及第二覆盖构件2的材质等而将流路15的宽度或直径等设定为规定的值，从而能够使细长的管状的流路15产生毛细现象。流路15的宽度例如为0.5mm～3mm，深度例如为0.1mm～0.5mm。另外，如图1的(b)所示，流路15具有作为超过反应部13而延伸的部分的下游部(延长部)15b，在第二覆盖构件2形成有与延长部15b相连的排气孔18。而且，当检体液流入到流路15内时，存在于流路15内的空气将从排气孔18向外部排出。
如果通过包括中间覆盖构件1A和第二覆盖构件2的覆盖构件来形成这种产生毛细现象的管，则通过使检体液与流入部14接触，从而检体液就会流过流路15而被吸入到传感器装置100的内部。像这样，传感器装置100自身具备检体液的抽吸机构，因此能够在不使用移液管等器具的情况下抽吸检体液。
(流路15与检测元件3的位置关系)
在本实施方式中，检体液的流路15的深度为0.3mm左右，相对于此，检测元件3的厚度为0.3mm左右，如图1的(b)所示，流路15的深度和检测元件3的厚度大致相等。因此，如果在流路15上将检测元件3直接置于第一覆盖构件1的上表面则会堵塞流路15。因此，如图1的(b)和图5所示，在传感器装置100中，通过安装检测元件3的第一覆盖构件1和接合在第一覆盖构件1上的中间覆盖构件1A来设置元件配置部5。通过将检测元件3容纳在该元件配置部5之中，使得不会堵塞检体液的流路15。即，通过将元件配置部5的深度设为与检测元件3的厚度相同的程度并将检测元件3安装在该元件配置部5之中，从而能够确保流路15。
检测元件3例如通过以环氧树脂、聚酰亚胺树脂或硅酮树脂等为主成分的管芯焊接材料而固定在元件配置部5的底面。
第一引出电极19的端部19e与布线7例如通过由Au等构成的金属丝27电连接。第二引出电极20的端部20e与布线7的连接也一样。另外，第一引出电极19和第二引出电极20与布线7的连接不限于利用金属丝27，例如也可以利用Ag膏等导电粘接材料。在第一引出电极19和第二引出电极20与布线7的连接部分设置有空隙，因此在将第二覆盖构件2粘合到第一覆盖构件1时可抑制金属丝27的破损。此外，第一引出电极19、第二引出电极20、金属丝27以及布线7被保护膜28所覆盖。通过第一引出电极19、第二引出电极20、金属丝27以及布线7被保护膜28所覆盖，从而能够抑制这些电极等腐蚀。
如上所述，根据本实施方式涉及的传感器装置100，通过将检测元件3容纳在第一覆盖构件1的元件配置部5，从而能够确保从流入部14到反应部13的检体液的流路15，能够通过毛细现象等使从流入部14抽吸的检体液流至反应部13。即，即使在使用具有规定的厚度的检测元件3的情况下，也能够在传感器装置100自身具备检体液的抽吸机构，因此能够提供可以将检体液有效地引导到检测元件3的传感器装置100。
<检测元件的制造工序>
对本发明的实施方式涉及的传感器装置100所具备的检测元件3的制造工序进行说明。图7是示出检测元件3的制造工序的概略图。
首先，将由石英制成的元件基板10a洗净。然后，根据需要通过RF溅射在元件基板10a的下表面形成Al膜(图7的(a))。
接着，在元件基板10a的上表面形成电极图案。在此，使用光刻法形成用于形成电极图案的图像反转型的光致抗蚀剂图案51(图7的(b))。
接着，使用电子束蒸镀机在元件基板10a的上表面中的形成有光致抗蚀剂的部位和未形成光致抗蚀剂的部位成膜Ti/Au/Ti的三层结构的金属层52(图7的(c))。
接着，使用溶剂剥离光致抗蚀剂图案51，然后，利用氧等离子体进行灰化，由此形成Ti/Au/Ti的电极图案53(图7的(d))。在本实施方式中，Ti/Au/Ti的电极图案53除了一对IDT电极11、12以外还构成反射器和安装用的引出电极19、20。一对IDT电极11、12配置为彼此相对置，使得一方具有发射器的功能，另一方具有接收器的功能。
接着，例如通过TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate：正硅酸乙酯)-等离子体CVD在元件基板10a的上表面成膜保护膜28，使得覆盖Ti/Au/Ti的电极图案(图7的(e))。
接着，在保护膜28的上表面形成正型光致抗蚀剂54，使用RIE装置对保护膜28进行蚀刻，由此形成保护膜28的图案(图7的(f))。此时，通过对保护膜28元件基板10a的中央部分，即想要形成固定化膜13a的部分进行过蚀刻，从而形成比周边低的凹部。然后，通过使用溶剂剥离光致抗蚀剂54，从而形成保护膜28的图案，使得覆盖IDT电极11、12。
接着，使用光刻法形成用于形成固定化膜13a的光致抗蚀剂图案55，并使用电子束蒸镀机形成成为反应部13的Au/Ti的二层结构的金属层(图7的(g))。使用溶剂剥离光致抗蚀剂图案55，然后，利用氧等离子体进行灰化，由此做成为由一对IDT电极11、12夹着Au/Ti的二层结构的固定化膜13a的结构(图7的(h))。在此，在一个传感器上形成两组一对IDT电极11、12和Au/Ti的固定化膜13a的组合，将一组用作“检测侧”并将另一组用作“参照侧”。然后，使用氟硝酸除去形成在元件基板10a的下表面的Al膜50。
在固定化膜13a的上表面固定化由核酸、肽构成的适体而形成反应部13。
如上所述，形成检测元件3。
接着，进行切割将元件基板10a截断成规定的尺寸(图7的(i))。然后，使用环氧类粘接剂将截断而得到的每个检测元件3在预先形成有布线的相当于第一覆盖构件1的玻璃钢安装基板(以下，记为安装基板。)上进行背面固定。之后，使用Au丝作为导线27而对检测元件3上的引出电极的端部19e、20e和与安装基板上的端子6相连的布线7之间进行电连接(图7的(j))。
然后，设置中间覆盖构件1A和第二覆盖构件2等来形成传感器装置100。
检测元件3的制造工序和传感器装置100的制造工序不限定于图7所示的上述的工序，只要是能够制造具有与第一IDT电极11和第二IDT电极12所位于的区域10a1相比反应部13所位于的区域10a2更低的上表面的元件基板10a的方法，就可以采用任何制造工序。
本发明不限定于以上的实施方式，可以以各种方式来实施。
虽然在上述的实施方式中对反应部13由固定化膜13a和固定化在固定化膜13a的上表面的适体构成的实施方式进行了说明，但是不限于适体，只要是能够与检体液中的被检测物反应并在通过反应部13前后SAW的特性变化的反应物质，就可以固定在固定化膜13a的上表面进行使用。此外，例如在检体液中的被检测物与固定化膜13a反应的情况下，也可以不使用适体等反应物质而仅由固定化膜13a构成反应部13。进而，也可以不使用固定化膜13a而将作为压电基板的元件基板10a的表面中的第一IDT电极11与第二IDT电极12之间的区域作为反应部13。在该情况下，通过使检体液直接附着到元件基板10a的表面，从而能够检测检体液的粘性等物理性质。更具体地，测量由反应部13上的检体液的粘性等变化而造成的SAW的相位变化。此外，作为固定化膜13a，也可以代替金属膜而将适体固定化在不具有导电性的膜的上表面。
此外，作为检测元件3，可以在一个基板上混合设置多种器件。例如，可以在SAW元件的旁边设置酶电极法的酶电极。在该情况下，除了使用了抗体、适体的免疫法以外，还可以用酶法进行测定，能够增加一次可以检查的项目。
此外，虽然在上述的实施方式中对设置有一个检测元件3的例子进行了说明，但是也可以设置多个检测元件3。在该情况下，可以按每个检测元件3来设置元件配置部5，也可以形成具有能够容纳所有的检测元件3的长度或宽度的元件配置部5。
此外，虽然在上述的实施方式中示出了第一覆盖构件1、中间覆盖构件1A以及第二覆盖构件2分别是单独的构件的例子，但是不限于此，可以使用某些构件彼此成为一体化的覆盖构件。此外，也可以使用所有这些构件彼此成为一体化的覆盖构件。

Claims (16)

1.一种传感器装置，具备：
元件基板；
检测部，具有位于所述元件基板的上表面的反应部、第一IDT电极以及第二IDT电极，所述反应部具有固定化膜且进行被检测物的检测，所述第一IDT电极产生朝向所述反应部传播的弹性波，所述第二IDT电极接收通过了所述反应部的所述弹性波；以及
保护膜，覆盖所述第一IDT电极和所述第二IDT电极，
所述反应部还具有固定化在所述固定化膜的上表面且与被检测物反应的反应物质，
所述固定化膜的上表面比所述元件基板的上表面中的所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域高，且比所述第一IDT电极的上表面和所述第二IDT电极的上表面中的至少一方低。
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，
在所述元件基板的上表面，与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域相比，所述反应部所位于的区域更低。
3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述固定化膜的材料与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极的材料相同。
4.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述固定化膜的厚度比所述第一IDT电极的厚度和所述第二IDT电极的厚度中的至少一方薄。
5.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述固定化膜的上表面的表面粗糙度比所述第一IDT电极的上表面的表面粗糙度和所述第二IDT电极的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。
6.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
在所述元件基板的上表面，与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域的表面粗糙度相比，所述反应部所位于的区域的表面粗糙度更大。
7.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述元件基板的上表面中的所述固定化膜所位于的区域的表面粗糙度比所述固定化膜的上表面的表面粗糙度大。
8.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述保护膜位于所述第一IDT电极和所述第二IDT电极中的至少一方与所述反应部之间。
9.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述保护膜位置与所述反应部分离。
10.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
在侧剖视下，在所述保护膜中的所述反应部侧的端部中，与上端相比，下端与所述固定化膜的距离更短。
11.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
在侧剖视下，所述保护膜中的所述反应部侧的端部随着从上端朝向下端而向所述固定化膜侧倾斜。
12.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述保护膜的厚度比所述第一IDT电极的厚度和所述第二IDT电极的厚度中的至少一方薄。
13.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述第一IDT电极和所述第二IDT电极分别具有位置彼此分离的多个梳齿电极，
所述保护膜位置跨在所述多个梳齿电极中的相邻的两个梳齿电极之上以及露出在所述两个梳齿电极之间的所述元件基板之上。
14.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述保护膜包含氧化硅。
15.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的金属膜。
16.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，
所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的氧化膜。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6194015B2 (ja) * 2013-11-29 2017-09-06 京セラ株式会社 センサ装置
WO2016159112A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 京セラ株式会社 検体液センサおよび検体液の測定方法
GB201714646D0 (en) * 2017-09-12 2017-10-25 Spts Technologies Ltd Saw device and method of manufacture
CN108956760A (zh) * 2018-08-01 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 检测装置及检测系统
US11573635B1 (en) * 2022-01-04 2023-02-07 United Arab Emirates University Face mask for accurate location of sensors relative to a users face, a communication enabling face mask and a communication system including the face mask

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133321A (zh) * 2005-04-06 2008-02-27 株式会社村田制作所 表面波传感器器件
CN101135674A (zh) * 2007-10-12 2008-03-05 电子科技大学 一种提高声表面波气体传感器温度稳定性的方法
CN102484466A (zh) * 2009-09-11 2012-05-30 松下电器产业株式会社 弹性波元件与弹性波元件传感器
CN103562716A (zh) * 2011-07-28 2014-02-05 京瓷株式会社 生物传感器

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3831115A (en) * 1973-07-20 1974-08-20 Bell Telephone Labor Inc Acoustic surface waveguide with graded profile cross section
JPS5580912A (en) * 1978-12-14 1980-06-18 Toshiba Corp Surface wave device
US5283037A (en) * 1988-09-29 1994-02-01 Hewlett-Packard Company Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device
US5306644A (en) 1988-09-29 1994-04-26 Hewlett-Packard Company Mass sensor method for measuring analytes in a sample
US5130257A (en) 1988-09-29 1992-07-14 Hewlett-Packard Company Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device
US6235488B1 (en) 1988-09-29 2001-05-22 Agilent Technologies, Inc. Surface preparation for chemical-specific binding
US5216312A (en) * 1992-02-28 1993-06-01 Hewlett-Packard Company Fluid sensing device having reduced attenuation of shear transverse waves
US5321331A (en) * 1992-03-13 1994-06-14 Hewlett-Packard Company Double-sided fluid sensor for reduced attenuation of shear transverse waves
EP0701698B1 (en) * 1993-06-01 1997-11-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Analyte-responsive ktp composition and method
JPH0846467A (ja) * 1994-07-27 1996-02-16 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタの周波数調整方法
JPH0868780A (ja) * 1994-08-31 1996-03-12 Meidensha Corp 弾性表面波素子を用いたセンサ
JP3296356B2 (ja) * 1999-02-08 2002-06-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波デバイスとその製造方法
DE60139983D1 (de) * 2000-03-20 2009-11-05 Draper Lab Charles S Biegewellensensor
US6626026B2 (en) 2000-04-07 2003-09-30 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Acoustic wave based sensor
DE10392760B4 (de) * 2002-06-08 2013-07-18 Lg Innotek Co., Ltd. SAW-Sensoreinrichtung unter Verwendung einer akustischen Schlitzwelle, die entlang einem Schlitz läuft und zugehöriges Verfahren
JP4507239B2 (ja) * 2003-09-16 2010-07-21 祥子 塩川 弾性表面波を利用した加熱装置
EP1548702A1 (en) * 2003-12-24 2005-06-29 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method for ultra-fast controlling of a magnetic cell and related devices
US20090115004A1 (en) * 2003-12-30 2009-05-07 3M Innovative Properties Company Surface acoustic wave sensor assemblies
JP2005315646A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Seiko Epson Corp 弾性表面波センサ及び弾性表面波センサシステム
JP4618492B2 (ja) 2004-12-24 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波センサ
US20060254356A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Honeywell International, Inc. Wireless and passive acoustic wave liquid conductivity sensor
JP2007010378A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子及びその製造方法、弾性表面波センサ、並びに弾性表面波センサシステム
US20070188054A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-16 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave packages and methods of forming same
US7331236B2 (en) * 2006-03-21 2008-02-19 Radi Medical Systems Ab Pressure sensor
TWI331216B (en) * 2006-06-15 2010-10-01 Murata Manufacturing Co Sensor for detecting substance in liquid
JP4816299B2 (ja) * 2006-07-25 2011-11-16 株式会社デンソー 弾性表面波角速度センサ
JP2008267968A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Japan Radio Co Ltd 被測定物特性測定装置
CN101135670B (zh) * 2007-10-12 2011-02-09 电子科技大学 一种具有湿度补偿功能的双通道声表面波气体传感器
US8015872B2 (en) * 2008-09-09 2011-09-13 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave based humidity sensor apparatus with integrated signal conditioning
US8508100B2 (en) * 2008-11-04 2013-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and methods for manufacturing the same
CN101504446B (zh) * 2009-03-06 2011-04-20 华南理工大学 薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器
JP2010239477A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Japan Radio Co Ltd 表面弾性波センサ
CN102373470B (zh) * 2010-08-06 2014-05-28 中国科学院微电子研究所 一种制作复合半导体薄膜材料的方法
JP5562441B2 (ja) * 2010-12-28 2014-07-30 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
BR112014010544B1 (pt) * 2011-11-01 2020-11-10 Japan Radio Co., Ltd. sensor de onda acústica de superfície
WO2013108608A1 (ja) 2012-01-20 2013-07-25 パナソニック株式会社 弾性波センサ
CN102636564A (zh) * 2012-04-25 2012-08-15 电子科技大学 集成有加热器的声表面波气体传感器阵列及其制备方法
JP6128764B2 (ja) 2012-06-27 2017-05-17 京セラ株式会社 バイオセンサ、検出方法、検出システム及び検出装置
CN202994730U (zh) * 2013-01-10 2013-06-12 淮南联合大学 一种h2s声表面波气体传感器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133321A (zh) * 2005-04-06 2008-02-27 株式会社村田制作所 表面波传感器器件
CN101135674A (zh) * 2007-10-12 2008-03-05 电子科技大学 一种提高声表面波气体传感器温度稳定性的方法
CN102484466A (zh) * 2009-09-11 2012-05-30 松下电器产业株式会社 弹性波元件与弹性波元件传感器
CN103562716A (zh) * 2011-07-28 2014-02-05 京瓷株式会社 生物传感器

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