CN110459661A - 一种高光效紫光led芯片及其制备方法 - Google Patents
一种高光效紫光led芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110459661A CN110459661A CN201910768098.8A CN201910768098A CN110459661A CN 110459661 A CN110459661 A CN 110459661A CN 201910768098 A CN201910768098 A CN 201910768098A CN 110459661 A CN110459661 A CN 110459661A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- led chip
- light
- light film
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000243 photosynthetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高光效紫光LED芯片，其包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。本发明在紫光LED芯片的外延层与透明导电层之间设置了出光膜层，且出光膜层的折射率与GaN层相近，减少了紫光的反射，增加了紫光的透光率，提升了LED芯片的光效，采用本发明的LED芯片结构，紫光的透光率可达到90％以上。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高光效紫光LED芯片及其制备方法。
背景技术
发光二极管，英文单词的缩写LED，主要含义：LED＝Light Emitting Diode，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，作为照明器件，相对传统照明器件，发光二极管有相当大优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。
紫光LED是一种新兴LED芯片，在紫光LED芯片各层之中Al含量较高；因此其P型GaN掺杂较普通LED芯片更为困难；也导致P型GaN层空穴载流子浓度低下和不易长厚而导致电流不易扩散，当前普遍采用在P型GaN表面制备ITO薄膜的方法达到电流得均匀扩散。但是这种ITO层的折射率较小，仅为1.7～1.9左右，而GaN的折射率又相对较高(2.4左右)；根据斯奈尔定律，当光密介质传输到光疏介质时，容易产生全反射现象；由于紫光波长较短，紫光的全反射现象较其他颜色光更加严重。因此，传统的紫光LED芯片通常光效较低，透光率通常低于85％。
为了减少ITO层对于紫光的全反射，目前常用的手段是减薄ITO层的厚度，将其厚度降到60nm以下，从而提升紫光的透过率。然而，减薄ITO层会导致电流扩展效应变差，也会提高正向电压，从而降低LED芯片的性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种高光效紫光LED芯片，其能有效增加紫光LED芯片透光率，提升光效。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种高光效紫光LED芯片的制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高光效紫光LED芯片，其包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；
其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。
作为上述技术方案的改进，所述出光膜层经光刻刻蚀后形成出光柱；所述孔道设于所述出光柱之间；所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。
作为上述技术方案的改进，所述出光膜层由AlN、TiO2、Ti2O5、TiO、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、ZnO5、ZnO2、Nb2O5、CeO2、ZnS、ZnSe中的一种或多种制成。
作为上述技术方案的改进，所述出光膜层的厚度为
作为上述技术方案的改进，根据公式
计算所述出光膜层的厚度；其中，T为出光膜层的厚度，λ为LED芯片发出的蓝光的波长，n为出光膜层的折射率；N为常数，其值为大于0的正整数。
作为上述技术方案的改进，所述出光柱的形状为圆形、椭圆形或多边形。
作为上述技术方案的改进，所述出光柱的形状为三角形、矩形或六边形。
作为上述技术方案的改进，所述透明导电层为ITO层，其厚度为50～120nm；
所述出光膜层的厚度为10～20nm。
相应的，本发明还公开了一种上述高光效紫光LED芯片的制备方法，其包括：
(1)提供一衬底；
(2)在所述衬底上形成外延层；所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
(3)对所述外延层进行光刻和刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域刻蚀至所述第一半导体层；
(4)在所述第二半导体层上形成出光膜层；
(5)对所述出光膜层进行光刻和刻蚀，形成出光柱；
(6)在所述出光膜层上形成透明导电层；
(7)在所述裸露区域形成第一电极，在所述透明导电层上形成第二电极；即得到高光效紫光LED芯片成品。
作为上述技术方案的改进，步骤(6)包括：
(6.1)在所述出光膜层上采用MOCVD法形成ITO层；
(6.2)将LED芯片在400～550℃退火10～30分钟。
实施本发明，具有如下有益效果：
1.本发明在紫光LED的外延层与透明导电层之间设置了出光膜层，且出光膜层的折射率与GaN层相近，减少了紫光的反射，增加了紫光的透光率，提升了LED芯片的光效，采用本发明的LED芯片结构，紫光的透光率可达到90％以上。
2.本发明通过在出光膜层设置孔洞，有效提升了透明导电层与P-GaN层的接触，促进了电流的扩展，提升了紫光LED芯片的性能。
附图说明
图1是本发明一种高光效紫光LED芯片的结构示意图；
图2是本发明另一实施例之中高光效紫光LED芯片的结构示意图；
图3是本发明一实施例中高光效紫光LED芯片出光柱的结构示意图；
图4是本发明另一实施例中高光效紫光LED芯片出光柱的结构示意图；
图5是本发明中一种高光效紫光LED芯片的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。仅此声明，本发明在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本发明的附图为基准，其并不是对本发明的具体限定。
参见图1，本发明公开了一种高光效紫光LED芯片，其包括衬底1、外延层2、出光膜层3、透明导电层4、第一电极5和第二电极6；其中，外延层2依次包括第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23；出光膜层3设于第二半导体层23上，透明导电层4设于出光膜层3上；第一电极1设于第一半导体层21上，第二电极6设于透明导电层4上。
其中，出光膜层3为一透明层，其折射率为1.9～2.6。出光膜层设有孔道31，所述透明导电层4通过孔道31与所述第二半导体层23连接。本发明在透明导电层4与第二半导体层23之间设置透明的出光膜层3，由于出光膜层3的折射率与第二半导体层23的折射率相近，因此降低了对紫光的全反射效应。同时，通过光刻刻蚀工艺在出光膜层3形成了孔洞31，确保了透明导电层4与第二半导体层23的良好欧姆接触，进一步提升了紫光LED芯片的整体性能。
优选的，参见图2，在本发明的另一实施例之中，出光膜层3光刻刻蚀后形成出光柱32，孔道31设于出光柱32之间；即将出光膜层3刻蚀形成若干个独立分隔的出光柱32，出光柱32之间即为孔道31；透明导电层4与第二半导体层23通过孔道31形成欧姆接触。这种结构有利于提升透明导电层与第二半导体层之间的接触效果，提升LED芯片的整体电流注入性能。
具体的，在本发明中，出光膜层3的厚度为当出光膜层3的厚度时，工艺难度高，难以形成出光膜层；当出光膜层3的厚度以后，透明导电层4难以均匀分布，形成全覆盖，会削弱电流的扩散效应；同时也会使得透明导电层4与第二半导体层23之间无法形成良好的欧姆接触。
需要说明的是，本发明中的出光膜层3主要是通过降低紫光从光密介质进入光疏介质时候的反射量，提升紫光LED芯片的整体透光率。然而，由于光具有波粒二象性，从波动性的角度来讲，较厚的出光膜层3有利于紫光形成稳定的折射，提升光效；从粒子性的角度来讲，较厚的出光膜层3会阻挡更多的光粒子，减少透光性。为了实现两方面的平衡，本发明通过理论分析以及大量实验的验证，确定了出光膜层4厚度的计算方法。
具体的，在本发明中，根据公式
计算所述出光膜层的厚度；其中，T为出光膜层3的厚度，λ为LED芯片发出的蓝光的波长，n为出光膜层3的折射率；N为常数，其值为大于0的正整数。采用上述公式计算得到的厚度能有效地平衡对光子的阻挡以及折射，得到最高范围的透光率。
优选的，在上述公式中，N的取值范围为1～150，且N为正整数；优选的为，N的取值范围为3～20，即出光膜层3的厚度为在此范围内的出光膜层具有较佳的透光性。通过出光膜层3的调控，使得本发明中的紫光LED芯片的透光率达到90％以上。
具体的，在本发明中，透明导电层4为ZnO层、AZO层、GZO层、IZO层或ITO层；但不限于此；优选的，透明导电层4为ITO层；ITO层的带隙宽，透光率高，且电阻率低，使得电流容易分散。
透明导电层4的厚度为50～150nm；优选的，为80～150nm；此厚度范围内的透明导电层4具有较好的电流扩散效应。
进一步的，为了保证透明导电层4能够与第二半导体层23形成良好的欧姆接触，还需要对出光膜层3的厚度进行控制。具体的，控制出光膜层3的厚度为10～20nm。
具体的，在本发明中，出光膜层3由AlN、TiO2、Ti2O5、TiO、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、ZnO5、ZnO2、Nb2O5、CeO2、ZnS、ZnSe中的一种或多种制成。上述材料的折射率n与GaN的折射率相似，可减少紫光的全反射，增强紫光LED芯片功效。
在本发明中，透明导电层4通过设在出光膜层3的孔道31与第二半导体层23接触；一方面，增大孔道31的面积，则透明导电层4与第二半导体层23的接触面积越大，其欧姆接触越良好；而另一方面，尽量减少孔道31所占的面积，有利于增加出光柱32的面积，增强出光效果。为了达到两者的平衡，在本发明中，控制出光柱32的横截面积与孔洞31的横截面积之比为(1～3)：(0.5～1)，优选的为(2～3)：1。
具体的，在本发明中，出光柱32的形状为圆形、椭圆形(图3)和多边形，但不限于此。这种形状不仅能够增加出光效能，也能确保透明导电层4与第二半导体层23形成优良的欧姆接触。
优选的，出光柱32的形状为三角形、矩形或六边形；进一步优选为等边三角形、正方形和正六边形(图4)；上述形状能够形成平面镶嵌，实现出光膜层3的面积利用最大化；这种形状工艺加工难度较低；同时，这种出光柱32之间的孔道31也呈规律形状，有利于后续透明导电层4的形成。
具体的，在本发明中，为了提升紫光LED芯片的整体性能，还可在衬底1与外延层2之间还设有外延缓冲层7。
具体的，在本发明中，第一电极5与第二电极6由Cr、Al、Ti、Pt、Ni、Au、Cu、Ag中的一种或几种制成。优选的，第一电极5与第二电极6由Cr、Al、Ti、Pt和Au制成，其结构为，Cr层，依次设于Cr层上的Al层、Ti层、Pt层和Au层。其中，Cr层具有良好的粘结力，防止合金层脱落，且可与半导体层形成良好的欧姆接触；Al层能够具有良好的反射性能，有利于提升LED芯片的整体性能；同时为了防止Al层中的Al迁移，在Al层上部设置了Ti层；Pt与Au具有导电性良好，稳定，延展性好等优点。
相应的，参考图5，本发明还公开了一种上述高光效紫光LED芯片的制备方法，其包括：
S1：提供一衬底；
所述衬底1可选用蓝宝石；但不限于此。
S2：在所述衬底上形成外延层；
具体的，采用化学沉积(MOCVD)的方法在所述衬底上形成外延层。
外延层2包括第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23；第一半导体层21和第二半导体层23均为氮化镓基半导体层，有源层为氮化镓基有源层；此外，本申请实施例提供的第一半导体层21、第二半导体层23和有源层22的材质还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
S3：对外延层进行光刻和刻蚀，形成裸露区域；
具体的，采用ICP或RIE刻蚀设备对所述外延层2进行蚀刻，形成第一裸露区域，第一裸露区域刻蚀至第一半导体层。
S4：在所述第二半导体层上形成出光膜层；
具体的，采用MOCVD法或MBE法在第二半导体层23上形成出光膜层3。
S5：对所述出光膜层进行光刻和刻蚀，形成出光柱；
具体的，采用ICP或RIE刻蚀设备对所述出光膜层3进行蚀刻，形成出光柱31和孔道32。
S6：在所述出光膜层上形成透明导电层；
具体的，可采用蒸镀或磁控溅射的方式形成透明导电层，但不限于此；
具体的，步骤S6包括：
S61：在所述出光膜层上采用MOCVD法形成ITO层；
S62：将LED芯片在400～550℃退火10～30分钟。
通过退火可将ITO层中的晶粒尺寸增大，减弱ITO层中载流子的散射作用，降低ITO层的电阻率，优化ITO层与第二半导体层之间的欧姆接触。
S7：在裸露区域形成第一电极，在所述透明导电层上形成第二电极；即得到高光效紫光LED芯片成品。
具体的，步骤S7包括：
S71：对所述ITO层进行刻蚀，形成第二裸露区域；并将所述第一裸露区域裸露出来；具体的，采用ICP或RIE刻蚀设备对所述透明导电层进行蚀刻。
S72：在所述第一裸露区域沉积第一电极，在所述第二裸露区域上沉积第二电极。
优选的，本发明中LED芯片的制备方法还包括：
S8：研磨减薄衬底厚度；
S9：采用激光划裂衬底，并用钢劈刀劈裂，形成晶粒，得到高光效紫光LED芯片成品。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种高光效紫光LED芯片，其特征在于，包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；
其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。
2.如权利要求1所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述出光膜层经光刻刻蚀后形成出光柱；所述孔道设于所述出光柱之间；所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。
3.如权利要求2所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述出光膜层由AlN、TiO2、Ti2O5、TiO、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、ZnO5、ZnO2、Nb2O5、CeO2、ZnS、ZnSe中的一种或多种制成。
4.如权利要求3所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述出光膜层的厚度为
5.如权利要求4所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，根据公式
计算所述出光膜层的厚度；其中，T为出光膜层的厚度，λ为LED芯片发出的蓝光的波长，n为出光膜层的折射率；N为常数，其值为大于0的正整数。
6.如权利要求5所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述出光柱的形状为圆形、椭圆形或多边形。
7.如权利要求6所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述出光柱的形状为三角形、矩形或六边形。
8.如权利要求4所述的高光效紫光LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层，其厚度为50～120nm；
所述出光膜层的厚度为10～20nm。
9.一种如权利要求1～8任一项所述的高光效紫光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
(1)提供一衬底；
(2)在所述衬底上形成外延层；所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
(3)对所述外延层进行光刻和刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域刻蚀至所述第一半导体层；
(4)在所述第二半导体层上形成出光膜层；
(5)对所述出光膜层进行光刻和刻蚀，形成出光柱；
(6)在所述出光膜层上形成透明导电层；
(7)在所述裸露区域形成第一电极，在所述透明导电层上形成第二电极；即得到高光效紫光LED芯片成品。
10.如权利要求9所述的高光效紫光LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤(6)包括：
(6.1)在所述出光膜层上采用MOCVD法形成ITO层；
(6.2)将LED芯片在400～550℃退火10～30分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910768098.8A CN110459661A (zh) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 一种高光效紫光led芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910768098.8A CN110459661A (zh) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 一种高光效紫光led芯片及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110459661A true CN110459661A (zh) | 2019-11-15 |
Family
ID=68487870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910768098.8A Pending CN110459661A (zh) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 一种高光效紫光led芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110459661A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111564544A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片外延结构及其制备方法、芯片 |
| CN111697116A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光led芯片及制备方法 |
| CN113594328A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-11-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 发光二极管及其制备方法 |
| CN114267760A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201117424A (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-16 | Genesis Photonics Inc | Light emitting diode |
| CN102097568A (zh) * | 2010-12-15 | 2011-06-15 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法 |
| CN109935674A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN210379103U (zh) * | 2019-08-20 | 2020-04-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种高光效紫光led芯片 |
-
2019
- 2019-08-20 CN CN201910768098.8A patent/CN110459661A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201117424A (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-16 | Genesis Photonics Inc | Light emitting diode |
| CN102097568A (zh) * | 2010-12-15 | 2011-06-15 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法 |
| CN109935674A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN210379103U (zh) * | 2019-08-20 | 2020-04-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种高光效紫光led芯片 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张乐等: "简明大学物理", 31 January 2018, 同济大学出版社, pages: 273 - 274 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111564544A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片外延结构及其制备方法、芯片 |
| CN111697116A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光led芯片及制备方法 |
| CN113594328A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-11-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 发光二极管及其制备方法 |
| CN114267760A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110459661A (zh) | 一种高光效紫光led芯片及其制备方法 | |
| KR101240011B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 이것을 이용하는 조명 장치 | |
| JP4777141B2 (ja) | 光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子 | |
| CN1909256B (zh) | 全向反射器和采用其的发光二极管 | |
| US8519430B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
| US20060267027A1 (en) | Light-emitting gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device with high light extraction efficiency | |
| WO2016019860A1 (zh) | 垂直型led芯片结构及其制备方法 | |
| US20100148199A1 (en) | Light emitting device with fine pattern | |
| US20060054907A1 (en) | Light-emitting device of gallium nitride-based III-V group compound semiconductor | |
| WO2008107654A1 (en) | Vertical light emitting diodes | |
| CN108258089A (zh) | 发光二极管结构制作方法及发光二极管结构 | |
| CN101510578B (zh) | 发光二极管装置 | |
| CN104103733A (zh) | 一种倒装发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN102593292B (zh) | 发光装置 | |
| US20140217355A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| CN102082216B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN109346564A (zh) | 一种倒装发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN114400276A (zh) | 一种高压led芯片的制作方法 | |
| CN104868022A (zh) | Led芯片的制造方法 | |
| CN208014727U (zh) | 发光二极管 | |
| CN203607447U (zh) | Led芯片 | |
| CN103489977A (zh) | 具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法 | |
| Seo et al. | High-efficiency vertical AlGaInP light-emitting diodes with conductive omni-directional reflectors | |
| CN101364621B (zh) | 发光二极管 | |
| CN108110116B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |