CN110429154A - 一种拼片电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种拼片电池及其制备方法。包括多片电池片(1)，每片电池片(1)正面设有多条副栅线(2)以及与多条副栅线(2)相交的主栅线(3)，且每片电池片(1)背面设有背电极(4)以及背电场(5)，所述主栅线(3)下方位置的电池片(1)上设有多个穿孔(6)，所述穿孔(6)内设有用于与主栅线(3)电连接的连接条(7)，且所述连接条(7)与背电场(5)之间设有间隙，并且其中一片电池片(1)上的连接条(7)通过焊带(8)与相邻的另一片电池片(1)上的背电极(4)电连接，所述主栅线(3)设置在电池片(1)正面的中部，且所述焊带(8)与背电场(5)接触部位设有绝缘层(9)。这种拼片电池收集电流效果较好且废品率较低。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种拼片电池及其制备方法。
背景技术
现有技术的拼片电池，如本申请人申请的专利号为CN201821118001.6，名称为一种太阳能切片电池，它通过在电池上激光打孔，将正面主栅线引入到电池背面，然后再通过焊带在背面将正面主栅线与背电极连接，实现正面较少遮挡。但是这个技术因为需要将主栅线设置在电池片的边缘，所以收集电流效果较差，而且需要在设置在边缘的主栅线上打孔，很容易出现电池片破碎的情况，这样就导致了废品率较高。
发明内容
本发明所要解决的一个技术问题是：提供一种收集电流效果较好且废品率较低的拼片电池。
本发明所采用的一个技术方案是：一种拼片电池，包括多片电池片，每片电池片正面设有多条副栅线以及与多条副栅线相交的主栅线，且每片电池片背面设有背电极以及背电场，所述主栅线下方位置的电池片上设有多个穿孔，所述穿孔内设有用于与主栅线电连接的连接条，且所述连接条与背电场之间设有间隙，并且其中一片电池片上的连接条通过焊带与相邻的另一片电池片上的背电极电连接，所述主栅线设置在电池片正面的中部，且所述焊带与背电场接触部位设有绝缘层。
作为优选，所述多个穿孔形成穿孔线，且所述背电极与穿孔线之间的距离为1-3mm。
作为优选，所述间隙是指，以穿孔为圆心，半径为1-1.5mm的圆形区域。
作为优选，每片电池片的正面以及背面周边通过激光刻槽形成激光槽，且所述激光槽与电池片边缘距离为0.5-1mm，且所述激光槽与背电场之间的距离为0.5-1mm。
作为优选，所述焊带覆盖所有的穿孔以及70%以上的背电极。
采用以上结构与现有技术相比，本发明具有以下优点：将主栅线设置在电池片的中部，这样电流收集效果较好，而且在设置在中部的主栅线下方打孔，这样打孔时，电池片不容易碎裂，废品率较低。
将背电极与穿孔线做的较近，即将背电极与电池中部离得较近，这样即不与激光打的小孔重叠，同时尽量靠近中间，增强电流的收集效果。
设置成一个圆形间隙，能起到的将主栅线与背电场以及背电极之间进行隔离。
在电池正面以及背面设置一个激光槽，这样封装时不需要再将电池片隔开一点距离，两个电池片紧贴在一起封装时也不会导致使两片电池片导通，这样封装方便，并且与背电场以及电池边缘的距离都为0.5-1mm，这样即不会影响电池的效率，也能起到较好的隔离作用。
焊带将所有穿孔都覆盖，并且覆盖了至少70%的背电极，这样导通收集效果更好，并且也不会为了较少的背电极而做宽焊带，节约了成本。
本发明所要解决的另一个技术问题是：提供一种废品率较低的拼片电池的制备方法，采用这种制备方法制备出来的拼片电池收集电流效率较高。
本发明所采用的另一个技术方案是：一种拼片电池的制备方法，它包括以下步骤：
S1、设计正背面电极网版；
S2、硅片激光打孔；
S3、制绒、扩散；
S4、背面刻蚀；
S5、PECVD；
S6、印刷；
S7、烧结；
其中步骤S1具体包括，将主栅线设计在每片电池中部，将背电极设计在距离中心线距离1-3mm。
作为优选，步骤S4刻蚀前需要采用掩膜浆料保护电池背面穿孔位置，刻蚀之后再洗掉掩膜。
作为优选，步骤S6印刷包括背面银浆印刷、背面铝浆印刷以及正面银浆印刷，其中背面印刷包括对穿孔的孔洞的印刷。
作为优选，步骤S5与步骤S6中间还设有正背面激光刻槽，且激光刻槽位置距离电池周边距离为0.5-1.5mm。
采用以上方法与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过设计将主栅线设置在电池中部，在背电极设计在距离中部一点点距离，这样打孔时电池片不容易碎裂，而且加工出来的电池片电流收集效果较好。
蚀刻时先通过掩膜保护穿孔，然后去掉掩膜，这样可以很好的保护穿孔，即不会影响后续印刷步骤。
在穿孔中进行印刷，使得主栅线通过印刷物导通到电池背面，加工方便，且效果较好。
在电池正面以及背面设置一个激光槽，这样安装时不需要再将电池片隔开一点距离，两个电池片紧贴在一起安装时也不会导致使两片电池片导通，这样安装方便，并且与电池边缘的距离为0.5-1mm，这样即不会影响电池的效率，也能起到较好的隔离作用。
附图说明
图1为本发明拼片电池的两片电池片的连接示意图。
图2为本发明拼片电池具体实施例二的正面结构示意图。
图3为本发明拼片电池具体实施例二的背面结构示意图。
图4为本发明拼片电池具体实施例三的背面结构示意图。
图5为本发明拼片电池具体实施例四的背面结构示意图。
如图所示：1、电池片；2、副栅线；3、主栅线；4、背电极；5、背电场；6、穿孔；7、连接条；8、焊带；9、绝缘层；10、激光槽。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明做进一步描述，但是本发明不仅限于以下具体实施方式。
具体实施例一：一种拼片电池，包括三片电池片1，每片电池片1包括正面与背面，其中：
电池正面设有多条副栅线2以及与多条副栅线2相交的主栅线3，并且主栅线3设置在电池正面的中心线上，而且主栅线3下方设有穿孔6，穿孔6设置在主栅线3与副栅线2交接处，但是并不是所有的交接处均设置穿孔6，只是选择部分设置，并且穿孔6是均匀设置的，穿孔6内设置有连接条7用于连接主栅线3与电池背面，且这个连接条7主要是通过印刷时将浆料流入穿孔6内形成的；
电池背面设有背电场5和背电极4，背电极4设置在电池中心线附近，距离为1-3mm，背电场5不覆盖穿孔6区域，主要是以穿孔6为圆形，半径为1-1.5mm的圆形区域，
相邻的电池片1通过串内焊带8连接，串内焊带8包括设置在两侧的导电区以及设置在中部的绝缘区，绝缘区主要是在焊带8上镀涂绝缘膜形成的，串内焊带8一端导电区连接一片电池片1背面穿孔6处的连接条7，串内焊带8另一端导电区连接另一片电池片1背面的背电极4，实现相邻两片电池片1导通，串内焊带8导电区的宽度满足如下要求：覆盖全部穿孔6区域和70%以上的背电极4区域，本申请只有三片电池片1，所以通过两个串内焊带8连接形成一个三片电池片1组成的电池串。
并且因为同一条主栅线上的穿孔外的圆形区域之间还是存在背电场5的，所以焊带8对应这些背电场5区域也需要镀涂绝缘膜形成绝缘层9。
并且整块电池的制备方法包括以下步骤：
S1、设计正背面电极网版；主要是将主栅线3设在每片电池中间，背电极4距离中心线距离1-3mm，目的是为了不与激光打的小孔重叠，同时尽量靠近中间，增强电流的收集效果。提前设计好打孔位置，背电场5印刷区域需要避开背电极4和打孔周边区域。激光打孔的位置在主栅上同时尽量连接副栅线2，以便更好地收集电流。所述背电场5印刷区边缘距离激光槽100.5-1mm，所述打孔周边区域是指，以激光孔中心点为圆心，半径为1-1.5mm的圆形区域；
S2、硅片激光打孔；此步骤为现有技术常规技术，所以在此不详细展开；
S3、制绒、扩散；此步骤为现有技术常规技术，所以在此也不详细展开；
S4、背面刻蚀；刻蚀前采用掩膜浆料保护背面开孔位置，之后洗掉掩膜；
S5、PECVD；为等离子体增强化学的气相沉积法，也是现有技术常规技术，所以在此也不详细展开；
S6、印刷；印刷包括背面银浆印刷、背面铝浆印刷以及正面银浆印刷，其中背面印刷包括对孔洞的印刷，以保证孔洞内充满浆料，保证将正面电流引入背面；
S7、烧结形成整块电池；
这样整块电池片1就制备完成了，因为本申请整块电池切成三块电池片1，所以需要进行组装，其组装步骤如下：
S8、按照主栅线3的数量，将整块电池切成相应的小块。
S9、根据电池片1的尺寸，制作焊带8，并在非焊接区域涂上绝缘漆或覆盖绝缘膜，焊带8分串内焊带8和串间焊带8；
S10、将相邻两片电池片1紧贴，然后通过串内焊带8连接，形成电池串。
具体实施例二，与具体实施例一的区别在于，具体实施例二中每片电池片1的正面以及背面周边均通过激光刻槽，并且激光槽10与正面以及背面周边的距离为0.5-1mm，激光槽10与电池片1背面的背电场5之间的距离也为0.5-1mm。而且因为设置了激光槽10，所以相邻的电池片1设置时可以紧贴设置。
整块电池的制备方法是与具体实施例一相似的，只是在步骤S5与步骤S6之间还需要插入正背面激光刻槽步骤。
具体实施例三，与具体实施例二的区别在于，具体实施例三中的电池片1有六片，所以在组装时需要五个串内焊带8来进行组装形成电池串，其制备方法也与具体实施例二相同。
具体实施例四，与具体实施例三的区别在于，具体实施例四中有三个具体实施例三组装好的电池串，相邻的电池串之间需要通过串间焊带8来进行连接，串间焊带8与串内焊带8原理类似，主要包括上下两部分，分别是连接到背电极4的和连接到连接条7的，又因为背电极4与连接条7并没有完全竖直对准，所以其中一部分会宽点，而且宽的其中一部分为绝缘层9，通过串间焊带8将三组电池串连接起来可以形成一个完整的拼片电池。
其整块电池的制备方法是与具体实施例三相同的，但是在进行组装时，因为组装后产生了不止一串电池串，所以还需要将相邻的电池串紧贴，然后通过串间焊带8进行连接，然后再进行正常层压，装框工序。
具体实施例五，与具体实施例一的区别在于，具体实施例五中一条主栅线3下方的穿孔6外部形成一个条状的区域，穿孔6均位于这个条状的区域内，并且这个条状区域内是没有背电场5的，这样焊带8对应这个条状区域上不需要额外增加绝缘层9，使得焊带8加工比较方便。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的技术人员应当理解，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行同等替换；而这些修改或者替换，并不使相应的技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神与范围。
Claims (9)
1.一种拼片电池，包括多片电池片(1)，每片电池片(1)正面设有多条副栅线(2)以及与多条副栅线(2)相交的主栅线(3)，且每片电池片(1)背面设有背电极(4)以及背电场(5)，所述主栅线(3)下方位置的电池片(1)上设有多个穿孔(6)，所述穿孔(6)内设有用于与主栅线(3)电连接的连接条(7)，且所述连接条(7)与背电场(5)之间设有间隙，并且其中一片电池片(1)上的连接条(7)通过焊带(8)与相邻的另一片电池片(1)上的背电极(4)电连接，其特征在于：所述主栅线(3)设置在电池片(1)正面的中部，且所述焊带(8)与背电场(5)接触部位设有绝缘层(9)。
2.根据权利要求1所述的拼片电池，其特征在于：所述多个穿孔(6)形成穿孔(6)线，且所述背电极(4)与穿孔(6)线之间的距离为1-3mm。
3.根据权利要求1所述的拼片电池，其特征在于：所述间隙是指，以穿孔(6)为圆心，半径为1-1.5mm的圆形区域。
4.根据权利要求1所述的拼片电池，其特征在于：每片电池片(1)的正面以及背面周边通过激光刻槽形成激光槽(10)，且所述激光槽(10)与电池片(1)边缘距离为0.5-1mm，且所述激光槽(10)与背电场(5)之间的距离为0.5-1mm。
5.根据权利要求1所述的拼片电池，其特征在于：所述焊带(8)覆盖所有的穿孔(6)以及70%以上的背电极(4)。
6.一种拼片电池的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：
S1、设计正背面电极网版；
S2、硅片激光打孔；
S3、制绒、扩散；
S4、背面刻蚀；
S5、PECVD；
S6、印刷；
S7、烧结形成整块电池；
S8、按照主栅线的数量，将整块电池切成相应的小块；
S9、根据电池片的尺寸，制作焊带，并在非焊接区域涂上绝缘漆或覆盖绝缘膜，焊带分串内焊带和串间焊带；
S10、将相邻两片电池片紧贴，然后通过串内焊带连接，形成电池串；
S11、将电池串紧贴，然后通过串间焊带连接；
S12、正常层压，装框工序；
其中步骤S1具体包括，将主栅线设计在每片电池中部，将背电极设计在距离中心线距离1-3mm。
7.根据权利要求6所述的拼片电池的制备方法，其特征在于：步骤S4刻蚀前需要采用掩膜浆料保护电池背面穿孔位置，刻蚀之后再洗掉掩膜。
8.根据权利要求6所述的拼片电池的制备方法，其特征在于：步骤S6印刷包括背面银浆印刷、背面铝浆印刷以及正面银浆印刷，其中背面印刷包括对穿孔的孔洞的印刷。
9.根据权利要求6所述的拼片电池的制备方法，其特征在于：步骤S5与步骤S6中间还设有正背面激光刻槽，且激光刻槽位置距离电池周边距离为0.5-1.5mm。
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Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102629641A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法 |
| CN102779862A (zh) * | 2012-08-08 | 2012-11-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法 |
| CN202712196U (zh) * | 2012-05-27 | 2013-01-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构 |
| JP3184983U (ja) * | 2012-06-08 | 2013-07-25 | シーエスアイ セルズ カンパニー リミテッド | 背面接触式太陽電池モジュール |
| CN103594529A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-19 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN103765602A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-04-30 | 荷兰能源研究中心基金会 | 具有绕通连接的光伏电池 |
| CN104538461A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种mwt太阳能电池片 |
| US20150228831A1 (en) * | 2012-09-11 | 2015-08-13 | Rec Solar Pte. Ltd. | Method for fabricating a solar module of rear contact solar cells using linear ribbon-type connector strips and respective solar module |
| CN105830230A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-08-03 | 无锡携创新能源科技有限公司 | 一种背接触工艺电池组件及其制作方法 |
| US20170077334A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
| CN107195696A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-09-22 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池片及利用其制成的mwt太阳能电池组件 |
| US20180166598A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | mPower Technology, Inc. | High Performance Solar Cells, Arrays and Manufacturing Processes Therefor |
| CN207834313U (zh) * | 2017-12-28 | 2018-09-07 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池结构 |
| CN108735845A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-02 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种太阳能切片电池 |
| CN210040230U (zh) * | 2019-08-14 | 2020-02-07 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种拼片电池 |
-
2019
- 2019-08-14 CN CN201910747090.3A patent/CN110429154A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103765602A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-04-30 | 荷兰能源研究中心基金会 | 具有绕通连接的光伏电池 |
| CN102629641A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法 |
| CN202712196U (zh) * | 2012-05-27 | 2013-01-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构 |
| JP3184983U (ja) * | 2012-06-08 | 2013-07-25 | シーエスアイ セルズ カンパニー リミテッド | 背面接触式太陽電池モジュール |
| CN102779862A (zh) * | 2012-08-08 | 2012-11-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法 |
| US20150228831A1 (en) * | 2012-09-11 | 2015-08-13 | Rec Solar Pte. Ltd. | Method for fabricating a solar module of rear contact solar cells using linear ribbon-type connector strips and respective solar module |
| CN103594529A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-19 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN104538461A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种mwt太阳能电池片 |
| US20170077334A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
| CN105830230A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-08-03 | 无锡携创新能源科技有限公司 | 一种背接触工艺电池组件及其制作方法 |
| US20180166598A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | mPower Technology, Inc. | High Performance Solar Cells, Arrays and Manufacturing Processes Therefor |
| CN107195696A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-09-22 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池片及利用其制成的mwt太阳能电池组件 |
| CN207834313U (zh) * | 2017-12-28 | 2018-09-07 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池结构 |
| CN108735845A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-02 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种太阳能切片电池 |
| CN210040230U (zh) * | 2019-08-14 | 2020-02-07 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种拼片电池 |
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