CN110397896A - 发光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供响应速度高且消耗电流小的发光模块。该发光模块(1)具备：LD(12)，射出激光(L0)；转换构件(15)，将激光(L0)转换为不同的波长的光；第一晶体管(21)，漏极与LD(12)连接，源极与电源布线(19)连接；第二晶体管(22)，源极与第一晶体管(21)的栅极连接，漏极与第一基准电位(V1)连接；第一电阻(23)，被连接在第一晶体管(21)的栅极和第二基准电位(V2)之间；感测布线(25)，被连接在第二晶体管(22)的栅极和第三基准电位(V3)之间，并与转换构件(15)结合；以及第二电阻(24)，被连接在第二晶体管(22)的栅极和第四基准电位(V4)之间。

Description

发光模块
技术领域
实施方式涉及发光模块。
背景技术
近年，作为照明装置或车辆用的头灯，开发了使用激光二极管(LD：Laser Diode)的发光模块。在这样的发光模块中，从LD射出的激光被照射到转换构件，由转换构件将波长转换为适于照明的光而被射出到外部。
在这样的发光模块中，若由于来自外部的冲击等导致转换构件破损，则存在激光泄露到发光模块的外部从而进入人眼的可能性。因此，提出了在转换构件破损的情况下使LD停止的停止单元(例如，参照专利文献1及2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6091926号公报
专利文献2：日本特开2015-060159号公报
发明内容
为了更切实地抑制激光的泄漏，期望这样的停止单元响应速度高。此外，期望消耗电流小。
实施方式鉴于上述的问题而完成，其目的在于，提供响应速度高且消耗电流小的发光模块。
实施方式所涉及的发光模块，其中，具备：激光元件，射出激光；转换构件，将所述激光转换为不同的波长的光；第一晶体管，第一电极与所述激光元件连接，第二电极与用于向所述激光元件供应电力的电源布线连接；第二晶体管，第一电极与所述第一晶体管的控制电极连接，第二电极与第一基准电位连接；第一电阻，被连接在所述第一晶体管的控制电极和第二基准电位之间；感测布线，被连接在所述第二晶体管的控制电极和第三基准电位之间，且与所述转换构件结合；以及第二电阻，被连接在所述第二晶体管的控制电极和第四基准电位之间。所述第一基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为接通状态的电位，所述第二基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为关断状态的电位，所述第三基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为接通状态的电位，所述第四基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为关断状态的电位。
根据实施方式，能够实现响应速度高且消耗电流小的发光模块。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的发光模块的电路图。
图2(a)是表示第一实施方式所涉及的发光模块的发光装置的剖视图，图2(b)是该发光装置的俯视图。
图3是表示第二实施方式所涉及的发光模块的电路图。
图4是表示第三实施方式所涉及的发光模块的电路图。
图5是表示比较例所涉及的发光模块的电路图。
图6是表示第二实施方式所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流。
图7是表示第三实施方式所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流。
图8是表示比较例所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流。
标号说明
1、2、3：发光模块
10：发光装置
11：壳体
12：LD(激光二极管)
13：光学构件
14a、14b：电极
15：转换构件
16：辅助基座
19：电源布线
20：停止电路
21：第一晶体管
22：第二晶体管
23：第一电阻
24：第二电阻
25：感测布线
25a、25b：端子
26：第二晶体管
30：停止电路
101：发光模块
ILD：LD电流
Is：感测电流
L0：激光
L1：白色光
N1、N2、N3：连接点
RDS1：第一晶体管21的漏极-源极间的电阻
RDS2：第二晶体管22的漏极-源极间的电阻
V1～V4：第一～第四基准电位
Vcom：公共电位
VGS1：第一晶体管21的栅极-源极间电压
VGS2：第二晶体管22的栅极-源极间电压
VLD+：正极侧的LD电源电位
VLD-：负极侧的LD电源电位
VN1：连接点N1的电位
VN2：连接点N2的电位
Vs：感测电位
具体实施方式
第一实施方式
首先，说明第一实施方式。
图1是表示本实施方式所涉及的发光模块的电路图。
图2(a)是表示本实施方式所涉及的发光模块的发光装置的剖视图，图2(b)是该发光装置的俯视图。
如图1以及图2(a)及图2(b)所示，在本实施方式所涉及的发光模块1中，设置有发光装置10及停止电路20。
在发光装置10中，设置有壳体11。在壳体11的内底面上固定有辅助基座(submount)16，在辅助基座16上，固定有作为激光元件的LD(Laser Diode：激光二极管)12。LD 12例如射出蓝色的激光L0。此外，在壳体11内的激光L0入射的位置，设置有光学构件13。光学构件13例如是在玻璃等母材的表面上设置了电介质多层膜等反射膜而得到的光反射构件。光反射构件将从LD 12射出的激光L0向朝向转换构件15的方向反射。在壳体11的外表面，设置有用于向LD 12供应电力的一对电极14a及14b。
在壳体11上设置有开口部，在堵塞该开口部的位置上设置有转换构件15。转换构件15被配置在激光L0入射的位置上。转换构件15是含有用于将激光L0转换为不同的波长的光的荧光体的构件。在转换构件15中，荧光体分散在由透明材料构成的母材中。荧光体例如是吸收蓝色的光而放射黄色的光的YAG(Yttrium Aluminum Garnet：钇铝柘榴石)荧光体。
如图1所示，在停止电路20中，设置有第一晶体管21、第二晶体管22、第一电阻23、第二电阻24、及感测布线25。其中，第一晶体管21、第二晶体管22、第一电阻23、及第二电阻24被设置在发光装置10的外部。关于感测布线25在后面叙述。若概略地说明停止电路20的结构，则如下述(1)～(5)那样。
(1)在正极侧的LD电源电位VLD+和负极侧的LD电源电位VLD-之间，串联连接有LD 12及第一晶体管21。
(2)在第一基准电位V1和第二基准电位V2之间，串联连接有第二晶体管22及第一电阻23。第二晶体管22和第一电阻23的连接点N1、与第一晶体管21的栅极连接。
(3)在第三基准电位V3和第四基准电位V4之间，串联连接有感测布线25及第二电阻24。感测布线25和第二电阻24的连接点N2、与第二晶体管22的栅极连接。
(4)第一基准电位V1是假设被施加给第一晶体管21的栅极则会将第一晶体管21设为接通状态的电位。第二基准电位V2是假设被施加给第一晶体管21的栅极则会将第一晶体管21设为关断状态的电位。若以第一晶体管21的栅极为基准，则在电路中，第二晶体管22被配置在接通电位侧，第一电阻23被配置在关断电位侧。
(5)第三基准电位V3是假设被施加给第二晶体管22的栅极则会将第二晶体管22设为接通状态的电位。第四基准电位V4是假设被施加给第二晶体管22的栅极则会将第二晶体管22设为关断状态的电位。若以第二晶体管22的栅极为基准，则在电路中，感测布线25被配置在接通电位侧，第二电阻24被配置在关断电位侧。
以下，更详细地说明停止电路20的结构。
第一晶体管21及第二晶体管22例如是n沟道型的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。在该情况下，第一基准电位V1比第二基准电位V2高，第三基准电位V3比第四基准电位V4高。在本实施方式中，正极侧的LD电源电位VLD+、负极侧的LD电源电位VLD-、第一基准电位V1、第二基准电位V2、第三基准电位V3及第四基准电位V4相互独立。
另外，在第一晶体管21为p沟道型的晶体管的情况下，第一基准电位V1比第二基准电位V2低。此外，在第二晶体管22为p沟道型的晶体管的情况下，第三基准电位V3比第四基准电位V4低。以下，举第一晶体管21及第二晶体管22为n沟道型的晶体管的情况为例进行说明。第一晶体管21及第二晶体管22例如是相同的规格的晶体管。
LD 12的阳极经由电极14a与LD电源电位VLD+连接。LD 12的阴极经由电极14b与第一晶体管21的漏极连接。第一晶体管21的源极与LD电源电位VLD-连接。另外，在本说明书中，“某构件与某电位连接”这样的表达方式意味着是能对该构件施加该电位的结构，不限于始终对该构件施加该电位。例如，在发光模块进行动作时对该构件施加该电位，但在非进行动作时不施加该电位。
另外，第一晶体管21也可以被连接在LD电源电位VLD+和LD 12的阳极之间。若以更一般的方式来表达，在将晶体管的源极、漏极之中一方作为“第一电极”，将另一方作为“第二电极”，将栅极作为“控制电极”的情况下，第一晶体管21的第一电极与LD 12连接，第一晶体管21的第二电极与向LD 12供应电力的电源布线19连接即可。即，第一晶体管21介入电源布线19即可。
第二晶体管22的漏极与第一基准电位V1连接，第二晶体管22的源极与第一晶体管21的栅极(控制电极)及第一电阻23的一端连接。第一电阻23的另一端与第二基准电位V2连接。若以更一般的方式来表达，第二晶体管22的第一电极(源极、漏极中的一方)与第一晶体管21的控制电极连接，第二晶体管22的第二电极(源极、漏极中的另一方)与第一基准电位V1连接。
如图1以及图2(a)及图2(b)所示，感测布线25为一条布线，其一个端子25a与第三基准电位V3连接，另一个端子25b与第二晶体管22的栅极(控制电极)及第二电阻24的一端连接。感测布线25被固定在转换构件15的表面并被配置为以遍及该表面的大致整体的方式而蜿蜒，该转换构件15的表面构成发光装置10的外表面。感测布线25例如由ITO(Indium-Tin-Oxide：氧化铟锡)等透光性导电材料形成。另外，在图2(a)及图2(b)所示的例子中，感测布线25被设置在转换构件15的光取出面，但也可以被设置在转换构件15的激光L0入射的面，也可以被嵌入转换构件15内。若以更一般的方式来表达，感测布线25与转换构件15以机械方式结合即可。
此外，感测布线25也可以不与转换构件15接触。例如，也可以在转换构件15的表面固定透光性构件，在该透光性构件的表面设置有感测布线25。通过感测布线25与转换构件15以机械方式结合，由此在转换构件15中产生了断裂等破损的情况下，在感测布线25中也会产生断裂等例如断线，感测布线25的电阻值会增加。由此，停止电路20能够检测转换构件15的破损。即，感测布线25是破损检测用电阻体。感测布线25除了透光性导电材料外，也可以由金属材料形成。其中，如图2(a)及图2(b)所示，在将感测布线25配置在光的主要路径上的情况下，优选感测布线25由透光性导电材料构成，以使能够减轻因设置感测布线25而导致的发光装置10的光输出的降低程度。在该情况下，也可以由金属材料形成感测布线25的端子25a及25b。
如图1所示，第二电阻24的一端与感测布线25的端子25b及第二晶体管22的栅极(控制电极)连接，另一端与第四基准电位V4连接。例如，第一电阻23的电阻值比第二电阻24的电阻值低。例如，第一电阻23的电阻值能够设为第二电阻24的电阻值的10000分之1～100分之1。
接着，关于本实施方式所涉及的发光模块1的动作而进行说明。
首先，说明通常动作。
对感测布线25的端子25a施加第三基准电位V3，对第二电阻24的另一端施加第四基准电位V4。由此，对第二晶体管22的栅极施加第三基准电位V3和第四基准电位V4之间的电位，从而第二晶体管22成为接通状态，其中，该第三基准电位V3和第四基准电位V4之间的电位是根据感测布线25的电阻和第二电阻24的电阻分压而决定的电位。换言之，第二电阻24的电阻值由与感测布线25的电阻值的平衡来决定，以使第二晶体管22成为接通状态。
此外，对第二晶体管22的漏极施加第一基准电位V1，对第一电阻23的另一端施加第二基准电位V2。由此，对第一晶体管21的栅极施加第一基准电位V1和第二基准电位V2之间的电位，从而第一晶体管21成为接通状态，其中，该第一基准电位V1和第二基准电位V2之间的电位是根据第二晶体管22的内部电阻和第一电阻23的电阻分压而决定的电位。换言之，在第二晶体管22为接通状态时，第一电阻23的电阻值由与第二晶体管22的内部电阻的平衡来决定，以使第一晶体管21成为接通状态。
并且，在将第一晶体管21的源极与LD电源电位VLD-连接的状态下，若对电极14a施加LD电源电位VLD+，则第一晶体管21为接通状态，所以对LD 12施加规定的电压，LD 12例如射出蓝色的激光L0。该激光L0入射到转换构件15。转换构件15中的荧光体吸收所入射的激光L0的一部分，放射与激光L0不同的波长的光，例如黄色的光。由此，从转换构件15射出由激光L0被散射而得到的蓝色的光和荧光体放射的黄色的光混合后的白色光L1。白色光L1的一部分透过感测布线25，剩余部分穿过感测布线25的间隙，射出到发光装置10的外部。
接着，说明转换构件15破损时的动作。
若由于例如来自外部的冲击等导致转换构件15破损，则产生下述(a)～(e)的现象。
(a)若转换构件15破损，则被固定在转换构件15的表面的感测布线25断线。
(b)由于上述(a)，通过电阻分压，连接点N2的电位VN2降低而接近第四基准电位V4，第二晶体管22的栅极-源极间电压VGS2减小。此时，第二晶体管22的内部电容中积蓄的电荷经由第二电阻24被排出至第四基准电位V4。
(c)由于上述(b)，当电压VGS2减小时，第二晶体管22的漏极-源极间的电阻RDS2增加。若第二晶体管22的栅极-源极间电压VGS2成为第二晶体管22的阈值以下，则第二晶体管22成为关断状态。
(d)由于上述(c)，当电阻RDS2增加时，通过与第一电阻23的电阻分压，连接点N1的电位VN1降低而接近第二基准电位V2。此时，第一晶体管21的内部电容中积蓄的电荷经由第一电阻23被排出至第二基准电位V2。这样，当连接点N2的电位VN2降低时，连接点N1的电位VN1也与其同步地降低。其结果是，第一晶体管21的栅极-源极间电压VGS1减小。
(e)由于上述(d)，当电压VGS1减小时，第一晶体管21的漏极-源极间电阻RDS1增加。若第一晶体管21的栅极-源极间电压VGS1成为第一晶体管21的阈值以下，则第一晶体管21成为关断状态。由此，LD 12熄灭。
实际上，在产生了上述(a)的现象之后，上述(b)～(e)大致同时地进行。因此，若上述(b)～(e)中任一个现象被加速，则整体的响应时间变短，LD 12在短时间熄灭。
接着，关于本实施方式的效果而进行说明。
根据本实施方式，在作为转换构件的转换构件15破损时，能够熄灭作为激光元件的LD 12。由此，能够降低激光L0不经由转换构件15而直接泄漏到发光装置10的外部的可能性。
此外，在本实施方式中，使感测布线25相对于LD 12的电源布线19独立。因此，能够独立驱动LD 12和停止电路20，双方的动作稳定。此外，用于驱动LD 12的大电流(以下，称为“LD电流ILD”)不会流过感测布线25，所以能够将感测布线25形成得较细且较薄。其结果是，能够使白色光L1之中被感测布线25遮挡的比例变少，能够使发光模块1的光取出效率提高。感测布线25的宽度例如能够设为5～200μm。感测布线25的厚度例如能够设为50～200nm。
此外，由于感测布线25细且薄，在转换构件15破损时，感测布线25能更切实地被切断或电阻变得足够高。感测布线25因其至少一部分损伤从而电阻变高。感测布线25的电阻变得足够高是指，电阻变高到足以使第二晶体管22的栅极-源极间电压VGS2成为阈值电压以下的程度。由此，前述的(d)及(e)的现象进行。流过正常的感测布线25(没有损伤的感测布线25)的电流越增大则电路的消耗电流也越增大，所以流过感测布线25的电流例如能够设为100mA以下，优选设为1mA以下。感测布线25的电流也可以设为1μA以上。
进而，根据本实施方式，第一电阻23的电阻值能够由与第二晶体管22的内部电阻的平衡来决定。第二晶体管22为接通状态时的内部电阻非常小，所以第一电阻23也能够设定得比较低。由此，在上述(d)的动作中，能够将第一晶体管21的内部电容中积蓄的电荷经由第一电阻23快速地排出至第二基准电位V2，从而使连接点N1的电位VN1快速地降低至第二基准电位V2。其结果是，上述(b)～(d)的现象整体上快速进行，能够快速地熄灭LD 12。
另一方面，第二电阻24的电阻值由与感测布线25的电阻值的平衡来决定，所以变得比较高。但是，由第一晶体管21的内部电容积蓄的电荷不穿过第二电阻24，所以对至LD12的熄灭为止的时间造成的影响小。此外，通过将第二电阻24设定得比较高，能够减小从第三基准电位V3向第四基准电位V4流过的电流。其结果是，能够减小发光模块1的消耗电流，并且能够减小在感测布线25中流过的电流。
这样，根据本实施方式，是因感测布线25的断线而导致LD 12自动地关断的电路结构，并且能够分别独立调整在LD 12中流过的电流量、在感测布线25中流过的电流量、及从感测布线25被切断至LD 12熄灭为止的响应时间。从而，能够实现响应速度高且消耗电流小的发光模块。
在将第一晶体管21的内部电容设为C1，将第二晶体管22的内部电容设为C2，将第一电阻23的电阻值设为R1，将第二电阻24的电阻值设为R2时，(C1×R1)为第一晶体管21的关断过渡时的时间常数，(C2×R2)为第二晶体管22的关断过渡时的时间常数。即，使(C1×R1)的值越小则能够使至第一晶体管21成为关断为止的时间越短，使(C2×R2)的值越小则能够使至第二晶体管22成为关断为止的时间越短。(C1×R1)的值越小则越优选，具体而言优选1×10-4秒以下。(C1×R1)的值例如为1×10-9秒以上。(C2×R2)的值也是越小则越优选，具体而言优选1×10-4秒以下。(C2×R2)的值例如为1×10-9秒以上。
第二电阻24的电阻值相对于感测布线25的电阻值和第二电阻24的电阻值的合计的比率越减少则连接点N2的电位VN2越下降。将感测布线25的电阻值和第二电阻24的电阻值设定为使得电位VN2可使第二晶体管22接通的值。即使第二电阻24的电阻值比感测布线25的电阻值低也能够将电位VN2设为那样的值，但在该情况下，要求第三基准电位V3是例如几十V程度的较高的值。因此，第二电阻24的电阻值比感测布线25的电阻值高的情况能够降低第三基准电位V3，是优选的。
另一方面，存在第二电阻24的电阻值越高则从感测布线25断线等至第二晶体管22成为关断为止的时间越长的趋势。越减小感测布线25的电阻值则能够使第二电阻24的电阻值越变小。因此，感测布线25的电阻值优选设为1MΩ以下。感测布线25的电阻值例如在使用金属作为感测布线25的情况下设为几mΩ以上，在使用ITO作为感测布线25的情况下能够设为100Ω以上。为了减小感测布线25的电阻值，能够将感测布线25的宽度例如设为10～500μm左右。与使用ITO等透明导电性材料作为感测布线25的材料的情况相比，使用金属作为感测布线25的材料的情况更易于使感测布线25的电阻值变低。
另外，在本实施方式中，示出了使用MOSFET作为第一晶体管21及第二晶体管22的例子，但不限定于此。第一晶体管21及第二晶体管22之中的至少一方例如也可以是双极晶体管。在该情况下，发射极、集电极之中的一方作为“第一电极”，另一方作为“第二电极”，基极作为“控制电极”。在使用双极晶体管作为第一晶体管21的情况下，为了限制从基极流入至双极晶体管的电流，优选在基极和连接点N1之间，设置电阻。此外，在使用双极晶体管作为第二晶体管22的情况下，也可以同样地在基极和连接点N2之间设置电流限制用的电阻，或者也可以将感测布线25兼用作电流限制用的电阻。为了减小感测布线25中流过的电流，减小电路的消耗电流，与使用双极晶体管相比，使用FET作为第一晶体管21及第二晶体管22更优选。
此外，在本实施方式中，示出了在发光装置10中，将LD 12和转换构件15固定在相同的壳体11中而一体地形成的例子，但不限定于此。也可以将LD 12和转换构件15分开而设置。此外，激光元件不限定于振荡蓝色光的激光二极管，荧光体不限定于放射黄色的光的物质。进而，转换构件的形状不限定于板状，例如也可以是球状。转换构件是使激光波长转换或散射等的构件，除了包含荧光体的构件外，可列举例如不包含荧光体但包含散射粒子的构件。进而此外，光学构件不限定于光反射构件，例如，也可以是棱镜。此外，根据激光元件和转换构件的位置关系，也可以不设置光学构件。
进而此外，在本实施方式中，作为为了驱动发光模块1而从外部供应的电位，说明了6种电位、即LD电源电位VLD+、LD电源电位VLD-、第一基准电位V1、第二基准电位V2、第三基准电位V3、及第四基准电位V4。这些电位也可以相互独立，但如后述的第二及第三实施方式中说明的那样，被统一的电位也可以进行统一。
第二实施方式
接着，关于第二实施方式而进行说明。
图3是表示本实施方式所涉及的发光模块的电路图。
如图3所示，本实施方式所涉及的发光模块2与前述的第一实施方式所涉及的发光模块1(参照图1、图2(a)及图2(b))相比，区别点在于代替停止电路20而设置有停止电路30。在停止电路30中，将第一基准电位V1和第三基准电位V3被共同设置而成为感测电位Vs。此外，将负极侧的LD电源电位VLD-、第二基准电位V2、第四基准电位V4被共同设置而成为公共电位Vcom。公共电位Vcom例如是接地电位(GND)。正极侧的LD电源电位VLD+相对于感测电位Vs独立。另外，将从感测电位Vs至公共电位Vcom流过的电流的合计值称为感测电流Is。
根据本实施方式，作为用于使发光模块2进行动作的电源电位，仅准备正极侧的LD电源电位VLD+、感测电位Vs及公共电位Vcom这三个电位即可。因此，本实施方式所涉及的发光模块2与第一实施方式所涉及的发光模块1(参照图1)相比安装容易，并且能够简化停止电路30的结构。另一方面，将LD电源电位VLD+和感测电位Vs设为相互独立的电位，所以能够使LD 12和停止电路30相互独立而稳定地进行动作。
本实施方式中的上述以外的结构、动作及效果与前述的第一实施方式同样。
第三实施方式
接着，关于第三实施方式而进行说明。
图4是表示本实施方式所涉及的发光模块的电路图。
如图4所示，本实施方式所涉及的发光模块3与前述的第二实施方式所涉及的发光模块2(参照图3)相比，区别点在于代替第二晶体管22而设置有第二晶体管26。第二晶体管26的内部电容比第一晶体管21的内部电容小。在第二晶体管26中仅流过感测电流Is的一部分，不流过LD电流ILD，所以能够使用内部电容小的小信号用的晶体管。第一晶体管21的内部电容例如能够设为100～10000pF。第二晶体管26的内部电容例如能够设为1～100pF。在本说明书中，内部电容是指控制端子电容，例如在FET的情况下是指栅极电容。
此外，由于如前述那样第二电阻24的电阻值越高则越能够减小感测布线25中流过的电流，所以有将第二电阻24设置为比第一电阻23更高的电阻的趋势。因此，就内部电容而言，优选使第二晶体管26与第一晶体管21相比更小，由此减小第二晶体管26的关断过渡时的时间常数。
在本实施方式中，第二晶体管26的内部电容小，所积蓄的电荷少。因此，在感测布线25被切断之后，第二晶体管26的内部电容中积蓄的电荷经由第二电阻24被快速地排出至公共电位Vcom，连接点N2的电位快速地降低。由此，上述(b)的现象被加速，整体的响应速度提高。其结果是，能够使LD 12更快速地熄灭，安全性提高。
本实施方式中的上述以外的结构、动作及效果与前述的第二实施方式同样。
比较例
接着，关于比较例而进行说明。
图5是表示本比较例所涉及的发光模块的电路图。
如图5所示，本比较例所涉及的发光模块101与前述的第二实施方式所涉及的发光模块2(参照图3)相比，区别点在于，没有设置第二晶体管22及第二电阻24，感测布线25与第一电阻23连接，感测布线25和第一电阻23的连接点N3与第一晶体管21的栅极连接。
在本比较例所涉及的发光模块101中，对第一晶体管21的栅极施加感测电位Vs和公共电位Vcom之间的电位，从而第一晶体管21成为接通状态，其中，该感测电位Vs和公共电位Vcom之间的电位是根据感测布线25的电阻值和第一电阻23的电阻分压而决定的电位。并且，若转换构件15破损，则感测布线25被切断，第一晶体管21的栅极电位接近公共电位Vcom。由此，第一晶体管21成为关断状态，LD 12熄灭。
在本比较例中，第一晶体管21由于栅极与感测布线25连接，所以直接受到感测布线25的断线的影响，并且由于源极、漏极与LD 12和公共电位Vcom连接，所以与LD 12的通电直接关联。此外，第一电阻23也与感测布线25连接，所以直接受到感测布线25的断线的影响，并且与第一晶体管21的栅极连接，所以与第一晶体管21的内部电容中积蓄的电荷的排出直接关联。这样，第一晶体管21及第一电阻23对LD 12中流过的电流量、感测布线25中流过的电流量、及从感测布线25被切断至LD 12熄灭为止的响应时间的全部造成影响，所以不能将它们独立调整。
例如，在本比较例中，为了与感测布线25的电阻值取得平衡，所以使第一电阻23的电阻值与第二实施方式相比变高。具体而言，需要对第一电阻23的电阻值进行调整，以使根据感测布线25的电阻值和第一电阻23的电阻值的电阻分压而决定的电位将第一晶体管21设为接通状态。因此，第一晶体管21的寄生电容中积蓄的电荷的排出变慢，从感测布线25断线至LD 12熄灭为止的时间变长。
相对于此，在上述的各实施方式中，将受到感测布线25的断线的影响的第二晶体管22、和对LD 12的通电进行控制的第一晶体管21分开设置。由此，作为由于感测布线25的断线而导致LD 12自动地断开的电路结构，并且能够分别独立调整LD 12中流过的电流量、感测布线25中流过的电流量、直至熄灭LD 12为止的响应时间。例如，感测布线25中流过的电流量能够利用第二电阻24的电阻值来调整。
测试例
接着，关于表示上述的各实施方式的效果的测试例而进行说明。
图6是表示第二实施方式所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流。
图7是表示第三实施方式所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流，。
图8是表示比较例所涉及的发光模块的动作测试的结果的曲线图，该曲线图在横轴上取时间，在纵轴上取各连接点的电位及LD电流。
在本测试例中，制作了前述的第二实施方式所涉及的发光模块2(参照图3)的样本、第三实施方式所涉及的发光模块3(参照图4)的样本、及比较例所涉及的发光模块101(参照图5)的样本。并且，关于这些样本，测定了感测布线25被切断之后的连接点N1的电位VN1的变化、连接点N2的电位VN2的变化、连接点N3的电位VN3的变化、及LD 12中流过的LD电流ILD的变化。另外，在本测试例中，为了提升测试的精度，代替破坏转换构件15而切断感测布线25，在感测布线25和连接点N3之间设置与它们串联连接的开关，将该开关设为断开。
将公共的测试条件在表1中示出。此外，将每个样本的测试条件在表2及表3中示出。进而，将测试结果在表4中示出。表4所示的“感测电流Is”是从感测电位Vs流向公共电位Vcom的电流的合计值，“流过感测布线25的电流”是感测电流Is之中的流过感测布线25的电流。
作为全部样本的第一晶体管21及第二实施方式的样本的第二晶体管22，使用东芝制“SSM3K341R”。此外，作为第三实施方式的样本的第二晶体管26，使用了东芝制“SSM3K56MFV”。
【表1】
项目 值
LD电源电位V<sub>LD+</sub> 10V
LD电流(通常动作时) 2.3A
传感器电位Vs 10V
公共电位Vcom GND
传感器布线25的电阻值 47kΩ
【表2】
【表3】
【表4】
如图6～图8及表4所示，就从感测布线25被切断，实际上，从将与感测布线25连接的开关设为断开，至LD 12完全熄灭为止的响应时间而言，在比较例的样本中为500μs(微秒)，相对于此，在第二实施方式的样本中成为3.90μs和100分之1以下。此外，在第三实施方式的样本中成为1.53μs、第二实施方式的一半以下。
另一方面，在第二实施方式的样本及第三实施方式的样本中，与比较例的样本相比，感测电流Is增加。此外，感测布线25中流过的电流也与比较例的样本相比更增加。但是，可以认为是实用上没问题的范围。
前述的各实施方式是具体实现本发明的例子，本发明不限定于这些实施方式。例如，在前述的各实施方式中，对几个构成要素或步骤进行追加、删除或变更而得到的实施方式也被包含于本发明。
产业可利用性
本发明例如能够利用于照明装置或车辆用头灯等。

Claims (10)

1.一种发光模块，其中，具备：
激光元件，射出激光；
转换构件，将所述激光转换为不同的波长的光；
第一晶体管，第一电极与所述激光元件连接，第二电极与用于向所述激光元件供应电力的电源布线连接；
第二晶体管，第一电极与所述第一晶体管的控制电极连接，第二电极与第一基准电位连接；
第一电阻，被连接在所述第一晶体管的控制电极和第二基准电位之间；
感测布线，被连接在所述第二晶体管的控制电极和第三基准电位之间，并与所述转换构件结合；以及
第二电阻，被连接在所述第二晶体管的控制电极和第四基准电位之间，
所述第一基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为接通状态的电位，
所述第二基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为关断状态的电位，
所述第三基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为接通状态的电位，
所述第四基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为关断状态的电位。
2.如权利要求1所述的发光模块，其中，
被供应给所述激光元件的电源电位之中较高的电源电位相对于所述第一基准电位及所述第二基准电位之中较高的基准电位独立。
3.如权利要求1或2所述的发光模块，其中，
所述第二基准电位与所述第四基准电位相等。
4.如权利要求1～3的任一项所述的发光模块，其中，
所述第一基准电位与所述第三基准电位相等。
5.一种发光模块，其中，具备：
激光元件，射出激光；
转换构件，将所述激光转换为不同的波长的光；
n沟道型的第一晶体管，源极、漏极中的一方与所述激光元件连接，源极、漏极中的另一方与向所述激光元件供应电力的电源布线连接；
n沟道型的第二晶体管，漏极与感测电位连接，源极与所述第一晶体管的栅极连接；
第一电阻，被连接在所述第一晶体管的栅极和比所述感测电位低的公共电位之间；
感测布线，被连接在所述第二晶体管的栅极和所述感测电位之间，并与所述转换构件结合；以及
第二电阻，被连接在所述第二晶体管的栅极和所述公共电位之间，
所述感测电位是若被施加给所述第一晶体管的栅极则将所述第一晶体管设为接通状态，若被施加给所述第二晶体管的栅极则将所述第二晶体管设为接通状态的电位，
所述公共电位是若被施加给所述第一晶体管的栅极则将所述第一晶体管设为关断状态，若被施加给所述第二晶体管的栅极则将所述第二晶体管设为关断状态的电位。
6.一种发光模块，其中，具备：
激光元件，射出激光；
转换构件，将所述激光转换为不同的波长的光；
第一晶体管，与所述激光元件串联连接；
第二晶体管；
第一电阻，与所述第二晶体管串联连接；
感测布线，与所述转换构件结合；以及
第二电阻，与所述感测布线串联连接，
所述第二晶体管和所述第一电阻的连接点与所述第一晶体管的控制电极连接，
所述感测布线和所述第二晶体管的连接点与所述第二晶体管的控制电极连接。
7.如权利要求1～6的任一项所述的发光模块，其中，
所述第一电阻的电阻值比所述第二电阻的电阻值低。
8.如权利要求1～7的任一项所述的发光模块，其中，
所述第二晶体管的内部电容比所述第一晶体管的内部电容小。
9.如权利要求1～8的任一项所述的发光模块，其中，
所述感测布线被固定在所述转换构件的表面。
10.如权利要求9所述的发光模块，其中，
所述感测布线由透光性导电材料形成。
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