CN205789968U - 发光二极管光源 - Google Patents

发光二极管光源 Download PDF

Info

Publication number
CN205789968U
CN205789968U CN201620459969.XU CN201620459969U CN205789968U CN 205789968 U CN205789968 U CN 205789968U CN 201620459969 U CN201620459969 U CN 201620459969U CN 205789968 U CN205789968 U CN 205789968U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electrically connected
driving
led
led wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201620459969.XU
Other languages
English (en)
Inventor
彭信衡
黄英典
谢祥政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201620459969.XU priority Critical patent/CN205789968U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205789968U publication Critical patent/CN205789968U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本实用新型的发光二极管光源可在面积介于64mm2至300 mm2的小型化基板上，同时设置至少一发光二极管晶片、驱动积体电路、桥式整流电路以及至少一被动元件，且由一封装体将基板、发光二极管晶片、驱动积体电路、桥式整流电路及被动元件封装成为一体，不须要外挂其他电路元件，不仅让整体发光二极管光源发光面积减小，可灵活应用于不同应用端，增加发光二极管光源的实用性。

Description

发光二极管光源
技术领域
本实用新型有关一种发光二极管光源，尤指一种发光面积减小，无须外置电源、电路、元件即可直接接上交流电源使用，可灵活应用的发光二极管光源。
背景技术
发光二极管(LED)以低耗电及高效能等特性袭卷照明市场，一般使用发光二极管作为照明之用时，因习知发光二极管所需电压较低，如3V左右，故一般是使用电池来供电。若欲以市电直接供应，由于所供应交流电为110V，故需先将此交流电经过整流、稳压后才可提供习知发光二极管使用。
在传统的发光二极管驱动装置中一般由控制晶片、功率开关以及外挂电路等等的电路所组成。其中，控制晶片可提供驱动讯号来切换功率开关，使得发光二极管串得以依据功率开关的切换所产生的电流而发光。而一般发光二极管光源中，发光二极管与该控制晶片等驱动电路分开设置，使得整体发光二极管光源体积较大。
如中国台湾专利公告号第I228838号，其揭露一种发光二极管的光源构造，其主要以三色发光二极管晶片为主，配合一控制晶片，将各该元件封装在一起，以达到缩减该电路基板尺寸。以及中国专利公告号第CN204879532号，其揭露一种一体化COB封装LED光源及LED灯，其可将二极管、驱动晶片以及LED晶片均一体封装在基板上。
上述中国台湾专利所揭露的习有光源构造虽可缩减该电路基板尺寸，以及中国专利所揭露的LED光源虽可缩小LED光源的面积；然，为因应交流电输入，习知发光二极管的光源产品需外挂一整流二极管模组或被动元件(例如电阻及电容)等驱动电路于发光二极管整体封装结构之外，也就是透过二电连接线分别将正极线架与负极线架电性连接于整流二极管模组四个电性连接端子其中之二。整流二极管模组其余两个电性连接端子则用于连接交流电来源。
上述习知发光二极管封装结构缺点在于必须预留摆放外挂的整流二极管模组或被动元件(例如电阻及电容)等驱动电路所需的空间，不仅体积大，再者就产品使用性而言非常不方便。
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题即在提供一种发光面积减小，且在发光二极管光源相同功率下，可实现小型化基板的优势，可灵活应用的发光二极管光源。
本实用新型所采用的技术手段如下。
本实用新型的发光二极管光源，至少包含：基板、至少一发光二极管晶片、驱动积体电路、至少一被动元件、桥式整流电路以及封装体，基板的表面设有至少一电路回路，基板的面积介于64mm2至300 mm2；至少一发光二极管晶片设置于基板表面并与电路回路的至少一部分形成电性连接；驱动积体电路设置于基板表面并与电路回路的至少一部分形成电性连接，并与发光二极管晶片形成电性连接；至少一被动元件设置于基板表面并与电路回路的至少一部分形成电性连接，并与发光二极管晶片以及驱动积体电路形成电性连接；封装体将该板、发光二极管晶片、驱动积体电路及被动元件封装成为一体。
其中，本实用新型的发光二极管光源可在面积介于64mm2至300 mm2的小型化基板上，同时设置至少一发光二极管晶片、驱动积体电路、桥式整流电路以及至少一被动元件，且由一封装体将基板、发光二极管晶片、驱动积体电路、桥式整流电路及被动元件封装成为一体，不须要外挂其他电路元件，无须外置电源、电路、元件即可直接接上交流电源使用，不仅让整体发光二极管光源面积减小，且在发光二极管光源相同功率下，可实现小型化基板的优势，更可灵活应用于不同应用端，增加发光二极管光源的实用性。
依据上述技术特征，所述驱动积体电路位于该基板中央位置处；该四个二极管分别设置于基板的周围。
依据上述技术特征，所述基板表面设有至少二发光二极管晶片，而驱动积体电路具有一多阶驱动单元。
依据上述技术特征，所述驱动积体电路表面覆盖有一屏蔽层；或者四个二极管表面覆盖有一屏蔽层。
依据上述技术特征，所述屏蔽层为白胶。
依据上述技术特征，所述基板上所设置的发光二极管晶片为复数个，驱动积体电路进一步设有调光单元。
依据上述技术特征，所述基板为矩形，该驱动积体电路设置于该基板的中央位置处，而至少一发光二极管晶片则设置于该驱动积体电路外围处，该四个二极管设置于该至少一发光二极管晶片外围处，且分别设置于基板的四个边角处。
依据上述技术特征，所述至少一被动元件进一步包含电容及电阻。
依据上述技术特征，所述基板以表面黏着技术(SMT)装设于印刷电路板或散热片。
本实用新型的第二种发光二极管光源，至少包含：基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2；至少一发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接； 驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处；桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该至少一被动元件为四个二极管，该四个二极管分别设置于基板的周围；以及封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
本实用新型的第三种发光二极管光源，至少包含：基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2；至少二发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接； 驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处，该驱动积体电路具有一多阶驱动单元；桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该四个二极管分别设置于基板的周围；至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；以及封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
本实用新型的第四种发光二极管光源，至少包含：基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2，该基板以表面黏着技术或插件式装设于一印刷电路板或散热片；至少二发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接； 驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处，该驱动积体电路具有一多阶驱动单元及调光单元；桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该四个二极管分别设置于基板的周围；至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；以及封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
本实用新型所产生的有益效果：发光面积减小，且在发光二极管光源相同功率下，可实现小型化基板的优势，可灵活应用。
附图说明
图1所示为本实用新型中发光二极管光源的第一结构示意图。
图2所示为本实用新型中发光二极管光源的第二结构示意图。
图号说明：
基板1
电路回路11
发光二极管晶片2
驱动积体电路3
屏蔽层31
二极管41
电容42
电阻43
封装体5
金线6。
具体实施方式
请参阅图1所示为本实用新型中发光二极管光源的第一结构示意图，以及图2所示为本实用新型中发光二极管光源的第二结构示意图。首先，本实用新型的发光二极管光源至少包含：基板1、一至少一发光二极管晶片2、驱动积体电路3、桥式整流电路、至少一被动元件以及封装体5，其中：基板1的表面设有至少一电路回路11，电路回路11为预先设置于基板表面的布局图案，基板1的面积介于64mm2至300 mm2，基板1为氧化铝、氮化铝、蓝宝石或玻璃等透明或不透明材质。
至少一发光二极管晶片2设置于基板表面并与电路回路11的至少一部分形成电性连接。
驱动积体电路3设置于基板1表面并与电路回路11的至少一部分形成电性连接，并与发光二极管晶片2形成电性连接。
桥式整流电路具有四个二极管41，其设置于基板1表面并与电路回路11的至少一部分形成电性连接，并与发光二极管晶片2以及驱动积体电路3形成电性连接。
至少一被动元件，本实施例中至少一被动元件可进一步包含电容42及电阻43，设置于基板1表面并与电路回路11的至少一部分形成电性连接，并与发光二极管晶片2以及驱动积体电路3形成电性连接。
封装体5将基板1、发光二极管晶片2、驱动积体电路3、桥式整流电路(四个二极管41)及被动元件(电容42及电阻43)封装成为一体。
其中，可在面积介于64mm2至300 mm2的小型化基板1上，同时设置至少一发光二极管晶片2、驱动积体电路3、桥式整流电路以及至少一被动元件，并利用封装体5封装成为一体，上述各元件与电路回路11以金线6或以覆晶方式构成电性连接，以及上述各元件间同样以金线构成电性连接；且如图所示的实施例中，驱动积体电路3位于基板1中央位置处，至少一发光二极管晶片则设置于驱动积体电路3外围处，而四个二极管41分别设置于基板的周围，如此元件的排列设置，可实现在小型化基板1上同时设置至少一发光二极管晶片2、驱动积体电路3、桥式整流电路以及至少一被动元件，而不须要外挂其他电路元件，不仅让整体发光二极管光源面积减小，且在发光二极管光源相同功率下，可实现小型化基板的优势，更可灵活应用于不同应用端，增加发光二极管光源的实用性，例如可应用于灯具，而本实用新型发光二极管光源面积较小可灵活配置于灯具内。
而以图1所示的实施例，基板1为矩形，驱动积体电路3位于基板1中央位置处，驱动积体电路3外围以行星式布设有14个发光二极管晶片2，四个二极管41设置于发光二极管晶片2外围处，且分别设置于基板1的四个边角处；当然，本实用新型的发光二极管光源中驱动积体电路可进一步设有多阶驱动单元(图未示)以及调光单元(图未示)，可利用多阶方式驱动，而调光单元可以为一般所使用的三级体流开关(TRIAC , Triode for Alternating Current)的调光器，以达到调光效果。当然，基板亦可以为其他几何形状，而驱动积体电路同样位于基板中央位置处，四个二极管则位于边角角落处。
再者，如图2所示，驱动积体电路3表面覆盖有一屏蔽层31；或者四个二极管41表面覆盖有一屏蔽层(图未示)，上述的屏蔽层31为白胶，由屏蔽层31可覆盖于驱动积体电路3或二极管41表面，不仅避免影响发光二极管晶片2的光线被吸收，亦可屏蔽发光二极管晶片2的光线，以避免光线影响驱动积体电路3或被动元件的运作；以及，上述实施例中发光二极管的光源基板可以利用表面黏着技术(SMT)或插件式装设于印刷电路板或散热片。

Claims (13)

1.一种发光二极管光源，其特征在于，至少包含：
基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2；
至少一发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接；
驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接；
桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；
至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；以及
封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
2.一种发光二极管光源，其特征在于，至少包含：
基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2；
至少一发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接；
驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处；
桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；
至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该至少一被动元件为四个二极管，该四个二极管分别设置于基板的周围；以及
封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
3.一种发光二极管光源，其特征在于，至少包含：
基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2；
至少二发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接；
驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处，该驱动积体电路具有一多阶驱动单元；
桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该四个二极管分别设置于基板的周围；
至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；以及
封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
4.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该驱动积体电路表面覆盖有一屏蔽层；或者至少一被动元件表面覆盖有一屏蔽层。
5.如权利要求4所述的发光二极管光源，其特征在于，该屏蔽层为白胶。
6.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该基板上所设置的发光二极管晶片为复数个，该驱动积体电路设有调光单元。
7.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该驱动积体电路表面覆盖有一屏蔽层；或者至少一被动元件表面覆盖有一屏蔽层；以及该基板上所设置的发光二极管晶片为复数个，该驱动积体电路设有调光单元。
8.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管光源，其特征在于，该基板为矩形，该驱动积体电路设置于该基板的中央位置处，而至少一发光二极管晶片则设置于该驱动积体电路外围处，该四个二极管设置于该至少一发光二极管晶片外围处，且分别设置于基板的四个边角处。
9.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该至少一被动元件包含电容及电阻。
10.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该基板以表面黏着技术或插件式装设于一印刷电路板或散热片。
11. 如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该驱动积体电路表面覆盖有一屏蔽层；或者至少一被动元件表面覆盖有一屏蔽层；以及该基板以表面黏着技术或插件式装设于一印刷电路板或散热片。
12.如权利要求1至3任一所述的发光二极管光源，其特征在于，该基板为氧化铝、氮化铝、蓝宝石或玻璃制成的透明或不透明材质。
13.一种发光二极管光源，其特征在于，至少包含：
基板，其表面设有至少一电路回路，该基板的面积介于64mm2至300 mm2，该基板以表面黏着技术或插件式装设于一印刷电路板或散热片；
至少二发光二极管晶片，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接；
驱动积体电路，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片形成电性连接，且该驱动积体电路位于该基板中央位置处，该驱动积体电路具有一多阶驱动单元及调光单元；
桥式整流电路，具有四个二极管，且设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接，该四个二极管分别设置于基板的周围；
至少一被动元件，设置于该基板表面并与该电路回路的至少一部分形成电性连接，并与该发光二极管晶片以及该驱动积体电路形成电性连接；以及
封装体，将该基板、该发光二极管晶片、该驱动积体电路、该桥式整流电路及该被动元件封装成为一体。
CN201620459969.XU 2016-05-19 2016-05-19 发光二极管光源 Expired - Fee Related CN205789968U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620459969.XU CN205789968U (zh) 2016-05-19 2016-05-19 发光二极管光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620459969.XU CN205789968U (zh) 2016-05-19 2016-05-19 发光二极管光源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205789968U true CN205789968U (zh) 2016-12-07

Family

ID=58118074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620459969.XU Expired - Fee Related CN205789968U (zh) 2016-05-19 2016-05-19 发光二极管光源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205789968U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9271354B2 (en) Lighting source and lighting apparatus
JP6369784B2 (ja) 発光装置、及びそれを用いた照明用光源及び照明装置
US20090262527A1 (en) High-Voltage Light Emitting Diode Circuit Having a Plurality of Critical Voltages and Light Emitting Diode Device Using the Same
JP6470904B2 (ja) 発光モジュール
CN104976547A (zh) 发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡
JP2011146353A (ja) 照明装置
TWM419233U (en) Light source apparatus
CN108365080A (zh) MicroLED或mini LED封装结构
KR101508006B1 (ko) Led 하이브리드 파워 패키지 모듈
JP2004014899A (ja) 発光ダイオードチップの直列構造
US9370063B2 (en) LED driving device and lighting device
KR20130021106A (ko) 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 조명 장치 및 조명 시스템
CN205789968U (zh) 发光二极管光源
TWM597022U (zh) 發光二極體照明裝置
KR102261945B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
US20120025719A1 (en) LED Tube and Drive Circuit thereof
TWM430006U (en) Light emitting diode package structure
JP6827195B2 (ja) 発光モジュール及び照明器具
CN208014743U (zh) MicroLED或mini LED封装结构
TWI614915B (zh) 發光二極體光源改良
CN208317049U (zh) 一种大电流发光玻璃
CN204424312U (zh) 直接接受交流电的发光二极管封装元件
CN111341199B (zh) 一种光源组件、降低背光模组工作电流的方法及显示装置
JP2018120962A (ja) 発光装置、及び、照明装置
CN206398391U (zh) 发光二极管驱动整合组件

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161207

Termination date: 20180519