CN110373693A - 一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法 - Google Patents

一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，包括以下步骤：1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸；通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，更降低了生产成本。

Description

一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体电镀技术领域，具体涉及一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法。
背景技术
晶圆物理电镀制程是将晶圆安装在专用的电镀治具内，对晶圆通负电流进行金属沉积的工艺方法。化学镀镍金是靠化学镍和化学金药水自身的还原原理进行金属沉积的工艺。电镀铜至化学镍金的转移，需要将晶圆从电镀铜治具内取出，再装入化学镍金专用治具的生产过程。在此生产过程中，电镀铜和化学镍金制程，不属于同一个制程。制程站越多，不仅降低了良率，而且增加了人工成本和能源消耗。化学镍金制备过程中需要使用金氰化钾原料，金氰化钾是剧毒物，制备过程中增加了操作人员的使用风险。
现有滤波器电极制造方法是先切割成滤波器颗粒，再大量成堆倒入电镀滚筒内电镀，电镀镀层不稳定，良率较低。
为了解决上述问题，因此，亟待一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法的出现，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，包括以下步骤：
1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；
2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；
3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸。
本发明提供的一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以作如下改进：
作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～300g/L或
氨基磺酸镍100～300g/L；
氯化镍10-50g/L；
硼酸10-50g/L。
作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～200g/L或
氨基磺酸镍100～200g/L；
氯化镍10-30g/L；
硼酸10-30g/L。
作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍200～300g/L或
氨基磺酸镍200～300g/L；
氯化镍30-50g/L；
硼酸30-50g/L。
作为优选方案，骤2)中电镀镍制备温度为30-60℃，电流密度位1-5ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间3-20min。
作为优选方案，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～300ml/L；
甲基磺酸50～200ml/L。
作为优选方案，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～200ml/L；
甲基磺酸50～125ml/L。
作为优选方案，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡200～300ml/L；
甲基磺酸125～200ml/L。
作为优选方案，步骤3)中制备温度为20-50℃，电流密度为2-10ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间为1-5min。
作为优选方案，一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法在滤波器产品中的应用。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非特别指明，以下实施例中所用的原料均可从正规渠道商购获得。
一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，包括以下步骤：
1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；
2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；
3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸。
从晶圆级滤波器片表面由里到外依次电镀铜、电镀镍和电镀锡。
本发明提供的一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
步骤1)中电镀铜配方为五水硫酸铜，硫酸和盐酸。
步骤1)中电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜100-300g/L；
硫酸50-200g/L；
盐酸50-100mg/L。
步骤1)中电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜100-200g/L；
硫酸50-125g/L；
盐酸50-75mg/L。
步骤1)中电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜200-300g/L；
硫酸125-200g/L；
盐酸75-100mg/L。
步骤1)中电镀铜制备温度20-35℃，电流密度2-10ASD，电镀厚度20-100um，电镀时间10-60min。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以作如下改进：
在一些实施例中，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～300g/L或
氨基磺酸镍100～300g/L；
氯化镍10-50g/L；
硼酸10-50g/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～200g/L或
氨基磺酸镍100～200g/L；
氯化镍10-30g/L；
硼酸10-30g/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍200～300g/L或
氨基磺酸镍200～300g/L；
氯化镍30-50g/L；
硼酸30-50g/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤2)中电镀镍制备温度为30-60℃，电流密度位1-5ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间3-20min。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
作为优选方案，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～300ml/L；
甲基磺酸50～200ml/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～200ml/L；
甲基磺酸50～125ml/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡200～300ml/L；
甲基磺酸125～200ml/L。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，步骤3)中电镀锡制备温度为20-50℃，电流密度为2-10ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间为1-5min。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
在一些实施例中，一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法在滤波器产品中的应用。
采用上述实施例，有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，从晶圆级滤波器片表面由里到外依次电镀铜、电镀镍和电镀锡；电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜100g/L；
硫酸50g/L；
盐酸50mg/L。
电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100g/L或
氨基磺酸镍100g/L；
氯化镍10g/L；
硼酸10g/L。
电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100ml/L；
甲基磺酸50ml/L。
电镀铜制备温度20℃，电流密度2ASD，电镀厚度20um，电镀时间10min。
电镀镍制备温度为30℃，电流密度位1ASD，电镀厚度为2um，电镀时间3min。
电镀锡制备温度为20℃，电流密度为2ASD，电镀厚度为2um，电镀时间为1min。
通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工；良率提高至98.6％，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，从晶圆级滤波器片表面由里到外依次电镀铜、电镀镍和电镀锡；电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜200g/L；
硫酸125g/L；
盐酸75mg/L。
步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍200g/L或
氨基磺酸镍200g/L；
氯化镍30g/L；
硼酸30g/L。
步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡200ml/L；
甲基磺酸125ml/L。
电镀铜制备温度28℃，电流密度6ASD，电镀厚度60um，电镀时间35min。
电镀镍制备温度为45℃，电流密度位3ASD，电镀厚度为5um，电镀时间12min。
电镀锡制备温度为35℃，电流密度为6ASD，电镀厚度为5um，电镀时间为3min。
通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工；良率提高至99.2％，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，从晶圆级滤波器片表面由里到外依次电镀铜、电镀镍和电镀锡；电镀铜配方包括以下质量浓度的化学组分：
五水硫酸铜300g/L；
硫酸200g/L；
盐酸100mg/L。
所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍300g/L或
氨基磺酸镍300g/L；
氯化镍50g/L；
硼酸50g/L。
步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡300ml/L；
甲基磺酸200ml/L。
电镀铜制备温度35℃，电流密度10ASD，电镀厚度100um，电镀时间60min。
电镀镍制备温度为60℃，电流密度位5ASD，电镀厚度7um，电镀时间20min。
电镀锡制备温度为50℃，电流密度为10ASD，电镀厚度为7um，电镀时间为5min。
通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工；良率提高至99.95％，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。
本发明提供的一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，将传统化学镍金处理的良率从90-98％提高至本申请电镀镍锡制备良率的98.6-99.95％。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；
2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；
3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～300g/L或
氨基磺酸镍100～300g/L；
氯化镍10-50g/L；
硼酸10-50g/L。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍100～200g/L或
氨基磺酸镍100～200g/L；
氯化镍10-30g/L；
硼酸10-30g/L。
4.根据权利要求2所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：
硫酸镍200～300g/L或
氨基磺酸镍200～300g/L；
氯化镍30-50g/L；
硼酸30-50g/L。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于，步骤2)中电镀镍制备温度为30-60℃，电流密度为1-5ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间为3-20min。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～300ml/L；
甲基磺酸50～200ml/L。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法其特征在于，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡100～200ml/L；
甲基磺酸50～125ml/L。
8.根据权利要求6所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于，步骤3)中所述电镀锡配方包括以下质量浓度的化学组分：
甲基磺酸锡200～300ml/L；
甲基磺酸125～200ml/L。
9.根据权利要求1所述的晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于，步骤3)中电镀锡制备温度为20-50℃，电流密度为2-10ASD，电镀厚度为2-7um，电镀时间为1-5min。
10.一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法在滤波器产品中的应用。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1719725A (zh) * 2004-07-07 2006-01-11 Tdk株式会社 表面安装型电子零件
CN1885524A (zh) * 2005-06-24 2006-12-27 米辑电子股份有限公司 线路组件结构制造方法及其结构
CN104451797A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 鹏南电子科技（厦门）有限公司 一种碲化铋基体的镀锡加工方法及一种补充剂
CN107195605A (zh) * 2017-05-18 2017-09-22 上海交通大学 以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法
CN107429415A (zh) * 2015-03-26 2017-12-01 三菱综合材料株式会社 使用了磷盐的电镀液
CN108063606A (zh) * 2016-11-09 2018-05-22 Tdk株式会社 层叠型滤波器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1719725A (zh) * 2004-07-07 2006-01-11 Tdk株式会社 表面安装型电子零件
CN1885524A (zh) * 2005-06-24 2006-12-27 米辑电子股份有限公司 线路组件结构制造方法及其结构
CN104451797A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 鹏南电子科技（厦门）有限公司 一种碲化铋基体的镀锡加工方法及一种补充剂
CN107429415A (zh) * 2015-03-26 2017-12-01 三菱综合材料株式会社 使用了磷盐的电镀液
CN108063606A (zh) * 2016-11-09 2018-05-22 Tdk株式会社 层叠型滤波器
CN107195605A (zh) * 2017-05-18 2017-09-22 上海交通大学 以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张允诚等: "《电镀手册 第4版》", 31 December 2011, 国防工业出版社 *
菲利普•加罗主编: "《3D集成手册—3D集成电路技术与应用》", 31 May 2017, 中国宇航出版社 第1版 *

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