CN110366304A - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，能够使多个加热器与多个线圈之间的配线长度短。在一个实施方式的等离子体处理装置中，高频电源经由供电体而与支承台的下部电极连接。供电体在腔室的外侧被导体管包围。在支承台的静电卡盘内置多个加热器。在多个加热器与加热器控制器之间设置有滤波装置。滤波装置具有多个线圈组，所述多个线圈组分别包括两个以上的线圈。在各线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线以螺旋状延伸，并且各个单匝线圈按顺序重复排列。多个线圈组在腔室的正下方以包围导体管的方式同轴地设置。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、支承台以及高频电源。支承台设置在腔室的内部空间中，并且构成为对载置于其上的基板进行支承。支承台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。

在由等离子体处理装置执行的等离子体处理中，需要调整基板的面内的温度分布。为了调整基板的面内的温度分布，在静电卡盘中设置多个加热器。多个加热器的各加热器经由多个供电线而与加热器控制器连接。

从高频电源向支承台的下部电极供给高频。被供给至下部电极的高频能够流入多个供电线。为了使高频在多个供电线上切断或衰减，将多个滤波器分别设置在多个供电线上。如专利文献1所记载的那样，多个滤波器分别包括线圈和电容器。多个滤波器配置在腔室的外侧。因而，多个供电线分别包括从静电卡盘的一侧延伸至腔室的外侧多个配线。

专利文献1：日本特开2014-99585号公报

发明内容

发明要解决的问题

当设置在静电卡盘内的加热器的个数变多时，难以在腔室的周围确保用于配置多个滤波器的线圈、即多个线圈的空间。因而，当设置在静电卡盘内的加热器的个数变多时，静电卡盘与多个线圈的各线圈之间的距离变长，分别构成多个供电线的多个配线的长度变长。当多个配线的长度变长时，由于各配线的寄生成分而引起多个滤波器的阻抗的频率特性劣化。因而，要求能够使将设置在静电卡盘内的多个加热器与多个滤波器的线圈电连接的多个配线的长度短。

用于解决问题的方案

在一个方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、支承台、供电体、导体管、高频电源、滤波装置以及多个配线。支承台构成为在腔室的内部空间之中支承基板。支承台具有下部电极和静电卡盘。静电卡盘设置在下部电极上。静电卡盘具有多个加热器。多个加热器设置在静电卡盘的内部。供电体与下部电极电连接。供电体在下部电极的下侧向下方延伸。导体管在腔室的外侧以包围供电体的方式延伸。导体管接地。高频电源与供电体电连接。滤波装置构成为防止高频从多个加热器流入加热器控制器。多个配线将多个加热器与滤波装置的多个线圈分别电连接。

滤波装置具有上述多个线圈、多个电容器、以及壳体。多个线圈与多个加热器电连接。多个电容器分别连接在多个线圈与地之间。壳体电接地，并且在该壳体中收容有多个线圈。多个线圈构成多个线圈组。多个线圈组分别包括两个以上的线圈。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线以螺旋状延伸，并且各个线圈的单匝线圈在中心轴线延伸的轴线方向上按顺序重复排列。多个线圈组在腔室的正下方以包围导体管的方式相对于中心轴线同轴地设置。

在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，多个线圈组以共同具有中心轴线的方式同轴地设置，所述多个线圈组分别包括两个以上的线圈。因而，构成多个线圈组的多个线圈所占有的空间小。因而，能够将包括多个线圈的滤波装置配置在腔室的正下方，能够使将设置在静电卡盘内的多个加热器与多个线圈电连接的多个配线的长度短。另外，多个线圈组以包围导体管的方式设置，因此多个线圈各自的截面积大。因而，多个线圈各自的线圈长度即使短也能够确保所需的电感。

在一个实施方式中，多个配线具有实质上彼此相同的长度。

在一个实施方式中，在静电卡盘的周缘部设置有与多个加热器电连接的多个端子。等离子体处理装置还具备电路板、多个第一电连接器、多个第二电连接器以及多个挠性电路板。电路板与多个线圈的引出线连接。多个第一电连接器从电路板向上方延伸。多个第二电连接器与多个第一电连接器分别结合。多个挠性电路板从多个第二电连接器延伸至静电卡盘的周缘部的下侧。多个配线分别在电路板、多个第一电连接器中的对应的第一电连接器、多个第二电连接器中的对应的第二电连接器、以及多个挠性电路板中的对应的挠性电路板之中延伸。根据该实施方式，能够使多个配线以各配线的长度实质上相同的方式在电路板和多个挠性电路板之中延伸。

在一个实施方式中，等离子体处理装置还具备多个其它电路板。多个其它电路板设置在多个线圈的下方。多个电容器的各电容器搭载在多个其它电路板中的对应的电路板上。

发明的效果

如以上所说明的那样，能够使将设置在静电卡盘内的多个加热器与多个滤波器电连接的多个配线的长度短。

附图说明

图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是图1所示的等离子体处理装置的支承台的放大截面图。

图3是图1所示的等离子体处理装置的多个滤波器的电路结构与多个加热器及加热器控制器一并示出的图。

图4是一个实施方式所涉及的滤波装置的多个线圈的立体图。

图5是将图4所示的多个线圈剖断来表示的立体图。

图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大来表示的截面图。

图7是概要性地表示在图1所示的等离子体处理装置中提供将滤波装置的多个线圈与静电卡盘的多个端子电连接的多个配线的多个构件的图。

图8是图1所示的等离子体处理装置的静电卡盘的下表面的俯视图。

图9是图1所示的等离子体处理装置的下部电极的下表面的俯视图。

图10是表示在图1所示的等离子体处理装置中提供将滤波装置的多个线圈与静电卡盘的多个端子电连接的多个配线的多个构件的俯视图。

图11是其它实施方式所涉及的滤波装置的多个线圈的立体图。

图12是表示模拟中的线圈组的立体图。

图13的(a)、图13的(b)以及图13的(c)是表示模拟结果的曲线图。

附图标记说明

1：等离子体处理装置；10：腔室；10s：内部空间；14：支承台；50：下部电极；52：静电卡盘；52t：端子；HT：加热器；HC：加热器控制器；61：第一高频电源；62：第二高频电源；65：供电体；66：导体管；72：配线；FD：滤波装置；CG：线圈组；80：线圈；80：卷绕部；82：电容器；84：壳体；AX：轴线；AXC：中心轴线。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的标记。

图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。在图1中，一个实施方式所涉及的等离子体处理装置以一部分被剖断的状态被示出。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型等离子体处理装置。

等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。在腔室主体12的内侧提供内部空间10s。腔室主体12例如由铝形成。腔室主体12接地。在腔室主体12的内壁面、即划分内部空间10s的壁面形成有具有耐等离子体性的膜。该膜能够是通过阳极氧化处理来形成的膜、或者由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。

在腔室主体12的侧壁形成有开口12p。当在内部空间10s与腔室10的外部之间搬送基板W时，基板W通过开口12p。能够通过闸阀12g使开口12p打开和关闭。闸阀12g沿着腔室主体12的侧壁设置。此外，基板W例如为由硅之类的材料形成的圆盘形状的板。

等离子体处理装置1还具备支承台14。支承台14设置在内部空间10s中。在支承台14上载置基板W。支承台14构成为在内部空间10s之中支承基板W。支承台14搭载在支承部15上，被支承部15支承。支承部15从腔室主体12的底部向上方延伸。

在支承台14和支承部15的周围设置有构件16、构件17以及隔板18。构件16具有圆筒形状，由导体形成。构件16沿着支承部15的外周面从腔室主体12的底部向上方延伸。构件17具有大致环形板状，由石英之类的绝缘体形成。构件17设置在构件16的上方。在构件17上，以包围载置在支承台14上的基板W的边缘的方式配置聚焦环FR。

隔板18具有大致环形板状。隔板18例如是通过对铝制的母材覆盖氧化钇等陶瓷而构成的。在隔板18形成有多个贯通孔。隔板18的内缘部被夹在构件16与构件17之间。隔板18从其内缘部延伸至腔室主体12的侧壁。在隔板18的下方，排气装置20与腔室主体12的底部连接。排气装置20具有自动压力控制阀之类的压力控制器和涡轮分子泵之类的真空泵。排气装置20能够对内部空间10s进行减压。

等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设置在支承台14的上方。上部电极30与构件32一同将腔室主体12的上部开口关闭。构件32具有绝缘性。借助构件32将上部电极30支承于腔室主体12的上部。此外，在后述的第一高频电源与支承台14的下部电极电连接的情况下，上部电极30的电位被设定为接地电位。

上部电极30包括顶板34和支承体36。顶板34的下表面划分出内部空间10s。在顶板34设置有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a分别沿板厚度方向(铅垂方向)将顶板34贯通。该顶板34例如由硅形成，但不对该顶板34进行限定。或者，顶板34能够具有在铝制的母材的表面设置有具有耐等离子体性的膜而成的构造。该膜能够是通过阳极氧化处理来形成的膜、或者由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。

支承体36为以拆卸自如的方式支承顶板34的部件。支承体36例如能够由铝之类的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。从气体扩散室36a向下方延伸出多个气体孔36b。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连通。气体源组40经由阀组41、流量控制器组42以及阀组43而与气体导入口36c连接。

气体源组40包括多个气体源。阀组41和阀组43各自包括多个阀。流量控制器组42包括多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组41的对应的阀、流量控制器组42的对应的流量控制器、以及阀组43的对应的阀而与气体导入口36c连接。等离子体处理装置1能够将来自从气体源组40的多个气体源中选择出的一个以上的气体源的气体以单独调整后的流量供给至内部空间10s。

等离子体处理装置1还具备控制部MC。控制部MC为具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机，控制等离子体处理装置1的各部。具体地说，控制部MC执行存储装置中存储的控制程序，基于该存储装置中存储的制程数据来控制等离子体处理装置1的各部。通过利用所述控制部MC进行的控制，来在等离子体处理装置1中执行由制程数据指定的工艺。

下面，详细地说明支承台14、以及等离子体处理装置1的与支承台14有关的结构要素。下面，一并参照图1和图2。图2为图1所示的等离子体处理装置的支承台的放大截面图。如图1和图2所示，支承台14具有下部电极50和静电卡盘52。在一个实施方式中，支承台14还具有导电构件54。

下部电极50具有大致圆盘形状，由铝之类的导体形成。在下部电极50的内部形成有流路50f。从设置在腔室10的外部的冷却单元向流路50f供给换热介质(例如制冷剂)。被供给至流路50f的换热介质返回至冷却单元。该下部电极50设置在导电构件54上。

导电构件54由导体、例如铝形成。导电构件54与下部电极50电连接。导电构件54具有大致环形板状，并且形成为中空状。导电构件54、下部电极50以及静电卡盘52具有共同的中心轴线(以下称作“轴线AX”)。轴线AX也是腔室10的中心轴线。

如图1所示，在一个实施方式中，等离子体处理装置1还具备第一高频电源61和第二高频电源62。第一高频电源61和第二高频电源62设置在腔室10的外侧。第一高频电源61和第二高频电源62经由供电体65而与下部电极50电连接。供电体65具有圆柱形状或圆筒形状。供电体65在下部电极50的下侧向下方延伸。在一个实施方式中，供电体65的一端与导电构件54结合，经由导电构件54而与下部电极50电连接。

第一高频电源61主要产生有助于生成等离子体的第一高频。第一高频的频率例如为40.68MHz或100MHz。第一高频电源61经由匹配器63及供电体65而与下部电极50电连接。匹配器63具有以使第一高频电源61的输出阻抗与负载侧的阻抗匹配的方式构成的电路。此外，第一高频电源61经由匹配器63而与上部电极30连接。

第二高频电源62主要输出有助于向基板W吸引离子的第二高频。第二高频的频率例如为13.56MHz，比第一高频的频率低。第二高频电源62经由匹配器64及供电体65而与下部电极50电连接。匹配器64具有以使第二高频电源62的输出阻抗与负载侧的阻抗匹配的方式构成的电路。

等离子体处理装置1还具备导体管66。导体管66由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。导体管66在腔室10的外侧以包围供电体65的方式延伸。导体管66与腔室主体12的底部结合。导体管66与腔室主体12电连接。因而，导体管66接地。此外，供电体65和导体管66共同具有轴线AX来作为它们的中心轴线。

如图1和图2所示，静电卡盘52设置在下部电极50上。静电卡盘52构成为对载置于其上的基板W进行保持。静电卡盘52具有大致圆盘形状，并且具有由陶瓷之类的绝缘体形成的层。静电卡盘52还具有电极52a来作为由绝缘体形成的层的内层。电极52a经由开关SW而与电源DCS连接(参照图1)。当向电极52a施加来自电源DCS的电压(例如直流电压)时，在静电卡盘52与基板W之间产生静电引力。通过产生的静电引力，使基板W吸附于静电卡盘52并且被静电卡盘52保持。

如图2所示，静电卡盘52包括中央部52c和周缘部52p。中央部52c为与轴线AX交叉的部分。在中央部52c的上表面上载置基板W。周缘部52p在中央部52c的外侧沿周向延伸。在一个实施方式中，周缘部52p的厚度比中央部52c的厚度薄，周缘部52p的上表面在比中央部52c的上表面低的位置处延伸。在周缘部52p和构件17上，以包围基板W的边缘的方式配置聚焦环FR。

在静电卡盘52内设置有多个加热器HT。多个加热器HT的各加热器HT能够由电阻发热体构成。在一个例子中，静电卡盘52具有相对于轴线AX同心的多个区域。在静电卡盘52的所述多个区域中分别设置有一个以上的加热器HT。利用多个加热器HT和/或向流路50f供给的换热介质来调整载置在支承台14上的基板W的温度。此外，也可以在支承台14中设置向基板W与静电卡盘52之间供给He气体之类的传热气体的气体线路。

在一个实施方式中，在周缘部52p的下表面设置有多个端子52t。多个端子52t的各端子52t与多个加热器HT中的对应的加热器电连接。多个端子52t的各端子52t经由静电卡盘52内的内部配线而与对应的加热器连接。

从加热器控制器HC(参照图1)供给用于驱动多个加热器HT的电力。加热器控制器HC包括加热器电源，构成为向多个加热器HT分别单独地供给电力(交流输出)。等离子体处理装置1具备多个供电线70，以向多个加热器HT供给来自加热器控制器HC的电力。多个供电线70分别用于向多个加热器HT供给来自加热器控制器HC的电力。等离子体处理装置1还具备滤波装置FD。滤波装置FD构成为防止高频经由多个供电线70流入加热器控制器HC。滤波装置FD具有多个滤波器FT。

图3是将图1所示的等离子体处理装置的多个滤波器的电路结构与多个加热器及加热器控制器一并示出的图。下面，一并参照图1、图2以及图3。多个加热器HT如上述那样经由多个供电线70而与加热器控制器HC连接。多个供电线70包括多个供电线对。如图3所示，各供电线对分别包括供电线70a和供电线70b。多个加热器HT分别经由一个供电线对、即供电线70a和供电线70b电连接而与加热器控制器HC。

滤波装置FD设置在腔室10的外侧。滤波装置FD具有多个滤波器FT。另外，滤波装置FD具有多个线圈80和多个电容器82。多个线圈80中的一个线圈和多个电容器82中的对应的一个电容器构成一个滤波器FT。多个线圈80分别构成多个供电线70中的对应的供电线的一部分。

多个线圈80收容在壳体84内。如图1和图2所示，壳体84为具有圆筒形状的容器，并且由导体形成。壳体84接地。壳体84的上端固定于腔室主体12的底部。因而，滤波装置FD设置在腔室10的正下方。在一个实施方式中，壳体84包括主体84a和底盖84b。主体84a具有圆筒形状。底盖84b安装于主体84a的下端，将主体84a的下端的开口关闭。

多个电容器82在壳体84内收容在多个线圈80的下方。多个电容器82各自的一端与对应的线圈80的、同加热器HT侧相反的一侧的另一端连接。多个电容器82各自的另一端与地连接。即，多个电容器82分别连接在对应的线圈80与地之间。

多个滤波器FT各自的线圈80和壳体84构成分布常数线路。即，多个滤波器FT的各滤波器FT具有包含多个共振频率的阻抗的频率特性。

下面，详细地说明多个线圈80。图4是一个实施方式所涉及的滤波装置的多个线圈的立体图。图5是将图4所示的多个线圈剖断来显示的立体图。图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大来显示的截面图。多个线圈80的各线圈80能够为空芯线圈。多个线圈80分别包括导体和覆盖该导体的覆膜。覆膜由绝缘材料形成。覆膜能够由PEEK(聚醚醚酮)或聚酰胺-酰亚胺之类的树脂形成。在一个实施方式中，多个线圈80各自的覆膜能够具有0.1mm以下的厚度。

多个线圈80分别具有引出线80a、引出线80b以及卷绕部80w。卷绕部80w绕中心轴线AXC以螺旋状延伸，并且具有多个单匝线圈。中心轴线AXC沿铅垂方向延伸。引出线80a和引出线80a在中心轴线AXC延伸的轴线方向Z上延伸。引出线80a与卷绕部80w的一端连接，引出线80b与卷绕部80w的另一端连接。卷绕部80w的另一端为卷绕部80w的靠对应的电容器82侧的的端部。

多个线圈80的集合体构成线圈组件CA。线圈组件CA包括多个线圈组CG。即，多个线圈80构成多个线圈组CG。多个线圈组CG的个数能够为两个以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，多个线圈组CG包括线圈组CG1、线圈组CG2、线圈组CG3、线圈组CG4以及线圈组CG5。多个线圈组CG分别包括两个以上的线圈80。多个线圈组CG的各线圈组CG中包括的线圈80的个数能够为两个以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1包括八个线圈80，线圈组CG2包括九个线圈80，线圈组CG3包括九个线圈80，线圈组CG4包括十个线圈80，线圈组CG5包括十一个线圈80。

多个线圈组CG的各线圈组CCG中的两个以上的线圈80设置为：各个线圈80的卷绕部80w绕中心轴线AXC以螺旋状延伸，并且在轴线方向Z上按顺序重复排列。即，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的卷绕部80w在轴线方向Z上排列成多层状，并且绕中心轴线AXC以螺旋状设置。在一个实施方式中，在多个线圈组CG的各线圈组CG中，在轴线方向Z上相邻的单匝线圈的导体间的间隙的在轴线方向Z上的距离能够为0.2mm以下。

多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的卷绕部80w共同具有中心轴线AXC，并且具有相同的内径和彼此相同的外径。多个线圈80的卷绕部80w的截面形状例如为扁平形状。

多个线圈组CG以共同具有中心轴线AXC的方式同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1～CG5同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1设置在线圈组CG2的内侧，线圈组CG2设置在线圈组CG3的内侧，线圈组CG3设置在线圈组CG4的内侧，线圈组CG4设置在线圈组CG5的内侧。

在相对于中心轴线AXC的辐射方向上相邻的两个线圈组中的一个线圈组的卷绕部80w的外径比另一个线圈组的卷绕部80w的内径小。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的外径比线圈组CG2中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的内径小。线圈组CG2中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的外径比线圈组CG3中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的内径小。线圈组CG3中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的外径比线圈组CG4中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的内径小。线圈组CG4中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的外径比线圈组CG5中包括的两个以上的线圈80各自的卷绕部80w的内径小。

多个线圈组CG中的任意一个线圈组的两个以上的线圈80各自的单匝线圈间的间距比多个线圈组CG中的设置在比该一个线圈组靠内侧的位置的线圈组的两个以上的线圈80各自的单匝线圈间的间距大。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG5的线圈80的单匝线圈间的间距比线圈组CG4的线圈80的单匝线圈间的间距大。线圈组CG4的线圈80的单匝线圈间的间距比线圈组CG3的线圈80的单匝线圈间的间距大。线圈组CG3的线圈80的单匝线圈间的间距比线圈组CG2的线圈80的单匝线圈间的间距大。线圈组CG2的线圈80的单匝线圈间的间距比线圈组CG1的线圈80的单匝线圈间的间距大。在一个实施方式中，以使多个线圈80的电感彼此大致相同的方式设定该多个线圈80的单匝线圈间的间距。

在单纯地将多个线圈排列的情况下，多个滤波器的阻抗下降，但在滤波装置FD中，通过多个线圈80间的耦合来抑制阻抗的下降。并且，外侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距比配置在更靠内侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距大，因此多个线圈80的电感的差异减小。因而，多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异减小。

在一个实施方式中，多个线圈80具有大致相同的线圈长度。线圈长度为多个线圈80各自的卷绕部80w的一端与另一端之间的在轴线方向Z上的长度。在一个实施方式中，多个线圈80中的具有最大的线圈长度的线圈与具有最小的线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为该最小的线圈长度的3％以下。根据这些实施方式，能够进一步减小多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

在一个实施方式中，多个线圈80的卷绕部80w的一端(与靠电容器82侧的端部相反一侧的端部)沿着与中心轴线AXC正交的面设置。在一个实施方式中，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的引出线80a相对于中心轴线AXC在周向上等间隔地设置。根据该实施方式，多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异进一步减小。

在一个实施方式中，多个线圈组CG中的在径向、即相对于中心轴线AXC的辐射方向上相邻的任意的两个线圈组之间的间隙的在该径向上的距离为1.5mm以下。在该实施方式中，多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异进一步减小。

在一个实施方式中，多个线圈组CG中的设置在最外侧的线圈组的两个以上的线圈80的内径为多个线圈组CG中的设置在最内侧的线圈组的两个以上的线圈的内径的1.83倍以下。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG5的两个以上的线圈80各自的内径为线圈组CG1的两个以上的线圈80各自的内径的1.83倍以下。根据该实施方式，进一步减小多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

具有所述多个线圈80的滤波装置FD设置在腔室10的外侧。多个线圈组CG在腔室10的正下方以包围导体管66的方式相对于中心轴线AXC同轴地设置。此外，在多个线圈组CG配置在腔室10的正下方的状态下，中心轴线AXC与轴线AX一致。

如图3所示，等离子体处理装置1还具备多个配线72。多个配线72分别构成多个供电线70的一部分。多个配线72将设置在腔室10的外侧的多个线圈80与静电卡盘52的多个端子52t电连接。下面，除了图1及图2之外还参照图7～图10来说明配线72。图7是概要性地表示在图1所示的等离子体处理装置中提供将滤波装置的多个线圈与静电卡盘的多个端子电连接的多个配线的多个构件的图。图8是图1所示的等离子体处理装置的静电卡盘的下表面的俯视图。图9是图1所示的等离子体处理装置的下部电极的下表面的俯视图。图10是表示在图1所示的等离子体处理装置中提供将滤波装置的多个线圈与静电卡盘的多个端子电连接的多个配线的多个构件的俯视图。

如图8所示，在一个实施方式中，多个端子52t设置在静电卡盘52的周缘部52p。多个端子52t沿周缘部52p的下表面设置。多个端子52t构成多个端子组52g。多个端子组52g分别包括几个端子52t。多个端子组52g遍及周缘部52p的整周地以均等的间隔排列。在一个例子中，如图8所示，多个端子52t构成十二个端子组52g。十二个端子组52g分别包括四个端子52t。

如图9所示，下部电极50具有中央部50c和周缘部50p。静电卡盘52的中央部52c设置在下部电极50的中央部50c上。静电卡盘52的周缘部52p设置在下部电极50的周缘部50p上。在下部电极50的周缘部50p形成有多个贯通孔。周缘部50p的多个贯通孔的上端与形成有多个端子组52g的周缘部52p内的多个区域相面对。在周缘部50p的多个贯通孔中设置有多个电连接器73。多个电连接器73分别包括数量与对应的端子组52g中包括的端子52t的个数相同的端子。由多个电连接器73提供的多个端子与多个端子52t分别连接。

如图2所示，在多个电连接器73的正下方且导电构件54的内部设置有多个电连接器74。多个电连接器74与对应的电连接器73结合。多个电连接器74分别包括与对应的电连接器73的端子的个数相同的数量的端子。由多个电连接器74提供的多个端子经由多个电连接器73提供的多个端子而与多个端子52t分别连接。

如图2和图7所示，多个线圈80的引出线80a与电路板85连接。电路板85设置在多个线圈80的上方。电路板85设置在壳体84内。电路板85具有环形板状，并且延伸至轴线AX中心。在电路板85形成有多个配线。电路板85的多个配线分别构成多个配线72中的对应的配线的一部分。

电路板85与多个第一电连接器86连接。第一电连接器86从电路板85向上方延伸。多个第一电连接器86从壳体84的内部延伸至腔室主体12的底部的上侧。多个第一电连接器86绕轴线AX以等间隔排列。在一个例子中，第一电连接器86的个数为六个。多个第一电连接器86分别具有几个端子。由多个第一电连接器86提供的多个端子与电路板85的多个配线连接。即，由多个第一电连接器86提供的多个端子分别构成多个配线72中的对应的配线的一部分。

在多个第一电连接器86的正上方设置有多个第二电连接器87。在一个例子中，第二电连接器87的个数为六个。多个第二电连接器87与对应的第一电连接器86分别结合。由多个第二电连接器87提供的多个端子与由多个第一电连接器86提供的多个端子连接。即，由多个第二电连接器87提供的多个端子分别构成多个配线72中的对应的配线的一部分。

多个第二电连接器87分别被多个电路板88支承。多个电路板88分别设置在多个第二电连接器87的上方。

多个挠性电路板89从多个第二电连接器87延伸至静电卡盘52的周缘部52p的下侧。多个挠性电路板89例如分别为柔性印刷基板。多个挠性电路板89分别具有上述的多个电连接器74中的一个以上的电连接器74。在一个例子中，多个挠性电路板89分别具有两个电连接器74。多个挠性电路板89分别提供几个配线。由多个挠性电路板89提供的多个配线将由多个第二电连接器87提供的多个端子与由多个电连接器74提供的多个端子连接。即，由多个挠性电路板89提供的多个配线分别构成多个配线72中的对应的配线的一部分。

如上所述，多个配线72分别在电路板85、多个第一电连接器86中的对应的第一电连接器、多个第二电连接器87中的对应的第二电连接器87、以及多个挠性电路板89中的对应的挠性电路板之中延伸。多个配线72具有实质上彼此相同的长度。

返回图2，等离子体处理装置1还具备多个电路板90。多个电路板90(其它电路板)设置在壳体84之中且多个线圈80的下方。多个电路板90在轴线方向Z上排列。多个电容器82分别设置在多个电路板90中的任意一个电路板90上。在多个电路板90的上表面和下表面上搭载有多个电容器82。在多个电路板90分别形成有将对应的线圈80与对应的电容器82连接的配线图案。通过使用多个电路板90，能够在壳体84内支承大量的电容器82。

在以上所说明的等离子体处理装置1中，多个线圈组CG以共同具有中心轴线AXC的方式同轴地设置，所述多个线圈组CG分别包括两个以上的线圈80。因而，构成多个线圈组CG的多个线圈80所占有的空间小。因而，能够将包括多个线圈80的滤波装置FD配置在腔室10的正下方，从而能够使将设置在静电卡盘52内的多个加热器HT与多个线圈80电连接的多个配线72的长度短。另外，多个线圈组CG以包围导体管66的方式进行设置，因此多个线圈80各自的截面积大。因而，即使多个线圈各自的线圈长度短，也能够确保所需的电感。

在一个实施方式中，如上所述，多个配线72分别在电路板85、多个第一电连接器86中的对应的第一电连接器、多个第二电连接器87中的对应的第二电连接器87、以及多个挠性电路板89中的对应的挠性电路板之中延伸。在该实施方式中，能够使多个配线72以各自的长度实质上相同的方式在电路板85和多个挠性电路板89之中延伸。即，能够利用电路板85和多个挠性电路板89中的配线图案的布局，来将多个配线72的长度设定为实质上相同的长度。

下面，对其它实施方式所涉及的滤波装置的多个线圈进行说明。图11是其它实施方式所涉及的滤波装置的多个线圈的立体图。能够将图11所示的多个线圈80用作上述的实施方式的等离子体处理装置的滤波装置的多个线圈。在图11所示的实施方式中，多个线圈80构成多个线圈组CG。在图11所示的实施方式中，线圈组CG的个数为两个，但不限定于此。多个线圈组CG分别包括多个线圈80中的两个以上的线圈80。在图11所示的实施方式中，多个线圈80的各线圈80与上述的实施方式的多个线圈80的各线圈80同样地具有卷绕部80w、引出线80a以及引出线80b。引出线80a沿周向排列。引出线80b也沿周向排列。

在图11所示的实施方式中，各线圈组CG中包括的两个以上的线圈80的引出线80a集中在周向上的一个以上的局部区域内。在各线圈组CG中，在距两个线圈80各自的引出线80a的距离为18mm以下的位置设置有所述两个以上的线圈80中的其它的线圈的引出线80a。在各线圈组CG中包括的两个以上的线圈80的引出线80a集中在周向上的一个以上的局部区域内的情况下，各滤波器FT的阻抗的实数成分减少。其结果是，能够抑制各滤波器FT中的高频的功率的损失。

此外，各线圈组CG中包括的两个以上的线圈80的引出线80b也集中在周向上的一个以上的局部区域内。也可以是，在各线圈组CG中，在距两个以上的线圈80各自的引出线80b的距离为18mm以下的位置设置有所述两个以上的线圈80中的其它的线圈的引出线80b。

以上对各种实施方式进行了说明，但不限定于上述的实施方式，能够构成各种变形方式。例如，变形方式所涉及的等离子体处理装置可以为如电感耦合型的等离子体处理装置、利用微波之类的表面波来生成等离子体的等离子体处理装置那样具有任意的等离子体源的等离子体处理装置。

下面，对关于图11所示的实施方式的模拟结果进行说明。图12是表示模拟中的线圈组的立体图。在模拟中，计算这些线圈80构成一个线圈组CG的两个滤波器的阻抗(合成后的阻抗)以及其实数成分各自的频率特性。在模拟中，将两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别设定为9mm、18mm、81mm。模拟中的其它条件如下。

<模拟中的条件>

各线圈80的截面形状：3mm×0.8mm的扁平形

各线圈80的单匝线圈数：7匝

各线圈80的线圈长度：200mm

各线圈的内径(直径)：130mm

电容器82的电容：2200pF

在图13的(a)、图13的(b)以及图13的(c)中示出模拟结果。在图13的(a)中示出两个线圈80的引出线80a间的间隔以及引出线80b间的间隔分别为9mm的情况下的滤波器的阻抗和实数成分各自的频率特性。在图13的(b)中示出两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别为18mm的情况下的滤波器的阻抗和实数成分各自的频率特性。在图13的(c)中示出两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别为81mm的情况下的滤波器的阻抗和实数成分各自的频率特性。

如图13的(c)所示，在两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别为81mm的情况下，产生实数成分大的峰值(在图13的(c)中用虚线包围的峰值)。如图13的(b)所示，在两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别为18mm的情况下，实数成分的峰值(在图13的(b)中用虚线包围的峰值)被大幅度抑制。另外，如图13的(a)所示，在两个线圈80的引出线80a间的间隔和引出线80b间的间隔分别为9mm的情况下，几乎没有产生实数成分的峰值。因而，确认出：通过在距各线圈组CG的两个以上的线圈80各自的引出线80a的距离为18mm以下的位置配置所述两个以上的线圈80中的其它的线圈的引出线80a，能够减少各滤波器FT的阻抗的实数成分。

Claims (5)

1.一种等离子体处理装置，具备：

腔室；

支承台，其构成为在所述腔室的内部空间之中支承基板，该支承台具有：

下部电极；以及

静电卡盘，其设置在所述下部电极上，并且具有设置在内部的多个加热器；

供电体，其与所述下部电极电连接，并且在所述下部电极的下侧向下方延伸；

接地的导体管，其在所述腔室的外侧以包围所述供电体的方式延伸；

高频电源，其与所述供电体电连接；

滤波装置，其构成为防止高频从所述多个加热器流入加热器控制器；以及

多个配线，所述多个配线将所述多个加热器与所述滤波装置的多个线圈分别电连接，

其中，所述滤波装置具有：

所述多个线圈，所述多个线圈与所述多个加热器电连接；

多个电容器，所述多个电容器分别连接在所述多个线圈与地之间；以及

壳体，其电接地，并且在所述壳体中收容有所述多个线圈，

所述多个线圈构成多个线圈组，所述多个线圈组分别包括两个以上的线圈，

在所述多个线圈组的各线圈组中，所述两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线以螺旋状延伸，并且各个单匝线圈在该中心轴线延伸的轴线方向上按顺序重复排列，

所述多个线圈组在所述腔室的正下方以包围所述导体管的方式相对于所述中心轴线同轴地设置。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述多个配线具有实质上彼此相同的长度。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述静电卡盘的周缘部设置有与所述多个加热器电连接的多个端子，

所述等离子体处理装置还具备：

电路板，其与所述多个线圈各自的多个引出线连接；

多个第一电连接器，所述多个第一电连接器从所述电路板向上方延伸；

多个第二电连接器，所述多个第二电连接器与所述多个第一电连接器分别结合；以及

多个挠性电路板，所述多个挠性电路板从所述多个第二电连接器延伸至所述静电卡盘的所述周缘部的下侧，

其中，所述多个配线分别在所述电路板、所述多个第一电连接器中的对应的第一电连接器、所述多个第二电连接器中的对应的第二电连接器、以及所述多个挠性电路板中的对应的挠性电路板之中延伸。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具备多个其它电路板，所述多个其它电路板设置在所述多个线圈的下方，

所述多个电容器的各电容器分别搭载在所述多个其它电路板中的对应的电路板上。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述多个线圈的各线圈分别具有与卷绕部的一端连接且与所述多个配线中的对应的配线连接的引出线，

在所述多个线圈组的各线圈组中，在距所述两个以上的线圈各自的所述引出线的距离为18mm以下的位置设置有所述两个以上的线圈中的其它的线圈的引出线。