CN110357621A - 陶瓷壳体及其制备方法、电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了陶瓷壳体及其制备方法、电子设备。具体的，本申请提出了一种陶瓷壳体，包括：具有通孔的陶瓷基板；以及位于所述通孔处的，与所述陶瓷基板一体化的盖板，所述盖板是由第一陶瓷材料构成的，所述盖板的光透过率不小于70％。由此，该陶瓷基板和盖板的结合强度较高，且密封性和一致性较好，该陶瓷壳体的外观效果良好，使用性能较佳。

Description

陶瓷壳体及其制备方法、电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备领域，具体地，涉及陶瓷壳体及其制备方法、电子设备。

背景技术

随着消费水平的提高，消费者对电子产品不仅追求功能的多样化，而且对其外观、质感等也有越来越高的要求。近年来，陶瓷材料形成的电子设备壳体因其类似于镜面一样的观感，瓷器一样的光泽，良好的手感，以及良好的耐热性等成为研究的热点。

然而，目前的陶瓷壳体及其制备方法、电子设备，仍有待改进。

发明内容

本申请是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识作出的：

发明人发现，目前的陶瓷壳体存在密封性和外观一致性较差等问题，影响陶瓷壳体的外观效果和使用性能。目前的陶瓷壳体(例如手机的电池后盖等)中，通常需要开设通孔，以便一些需要透光的功能元件，例如摄像头、闪光灯等，暴露在壳体的外面，实现其功能。目前的陶瓷壳体中，通常在通孔处设置玻璃盖板，然后利用胶水(点胶或背胶)将玻璃盖板和陶瓷壳体基体进行粘接，形成密封的陶瓷壳体。上述通过胶粘的方法制备的陶瓷壳体中，玻璃盖板和陶瓷壳体基体之间的结合力较差，导致陶瓷壳体的局部强度较差，并且会有玻璃盖板脱落的风险；玻璃盖板和陶瓷壳体基体之间容易留有间隙，不仅影响陶瓷壳体的外观，而且影响最终形成的陶瓷壳体的密封性，陶瓷壳体会有渗水、进灰等风险，影响使用该陶瓷壳体的电子设备的性能；并且玻璃盖板和陶瓷壳体之间很难做到平齐，外观一致性较差，影响陶瓷壳体的手感和外观效果。因此，如果能提出一种新的陶瓷壳体，陶瓷壳体基体和通孔处的盖板之间的结合力较强，密封性良好，且外观一致性较好，将能在很大程度上解决上述问题。

本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

在本申请的一个方面，本申请提出了一种壳体。该壳体包括：一种陶瓷壳体，其特征在于，包括：具有通孔的陶瓷基板；以及位于所述通孔处的，与所述陶瓷基板一体化的盖板，所述盖板是由第一陶瓷材料构成的，所述盖板的光透过率不小于70％。由此，该一体化的陶瓷基板和盖板之间的结合强度较高，且密封性和一致性较好，该陶瓷壳体的外观效果良好，产品表现力强。

在本申请的另一个方面，本申请提出了一种制备壳体的方法。该方法包括：提供陶瓷壳体生坯，所述陶瓷壳体生坯包括陶瓷基板生坯和盖板生坯，所述陶瓷基板生坯中具有通孔，所述盖板生坯设置在所述通孔中；对所述陶瓷壳体生坯进行烧结处理，以基于所述陶瓷基板生坯形成陶瓷基板，基于所述盖板生坯形成盖板，所述陶瓷基板和所述盖板通过所述烧结处理熔结为一体，所述盖板的光透过率为不小于70％，以便得到所述陶瓷壳体。由此，该方法制备的陶瓷壳体中，熔结为一体的陶瓷基板和盖板之间的结合强度较高，且密封性和一致性较好，制备的陶瓷壳体的外观效果良好，产品表现力强。

在本申请的又一个方面，本申请提出了一种电子设备。该电子设备包括：前面所述的陶瓷壳体或前面所述的方法所制备的陶瓷壳体；显示组件，所述显示组件和所述陶瓷壳体相连，且所述显示组件和所述陶瓷壳体限定出容纳空间；摄像头，所述摄像头设置在所述容纳空间中，且所述摄像头和所述陶瓷壳体的盖板相对应设置；主板以及存储器，所述主板以及存储器位于所述容纳空间内部，且所述显示组件和所述主板相连。由此，该电子设备具有前面所述的壳体或前面所述的方法所制备的壳体所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该电子设备外观效果良好，产品表现力强。

附图说明

图1显示了根据本申请一个示例的陶瓷壳体的结构示意图；

图2显示了根据本申请一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图3显示了根据本申请另一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图4显示了根据本申请又一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图5显示了根据本申请又一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图6显示了根据本申请又一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图7显示了根据本申请又一个示例的制备陶瓷壳体的方法流程图；

图8显示了根据本申请一个示例的电子设备的结构示意图；以及

图9显示了根据本申请一个示例的盖板的XRD衍射图。

附图标记说明：

100：陶瓷基板；200：盖板；1000：陶瓷壳体；1100：电子设备。

具体实施方式

下面详细描述本申请的示例，所述示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的示例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的一个方面，本申请提出了一种陶瓷壳体。根据本申请的一些示例，参考图1，该陶瓷壳体1000包括：陶瓷基板100以及盖板200，其中，陶瓷基板100具有通孔(图中未示出)，盖板200位于陶瓷基板100的通孔处，且盖板200和陶瓷基板100是一体化的，并且，盖板200是由第一陶瓷材料构成的，盖板100的光透过率不小于70％。由此，该一体化的陶瓷基板100和盖板200之间的结合强度较高，且密封性和一致性较好，该陶瓷壳体1000的外观效果良好，产品表现力强。

为了方便理解，下面对该陶瓷壳体能获得上述有益效果的原理作简单说明：

如前所述，目前的陶瓷壳体中，通常在通孔处设置玻璃盖板，然后采用胶水将玻璃盖板和陶瓷壳体基体粘合，该方法制备的陶瓷壳体存在密封性和外观一致性较差等问题，影响陶瓷壳体的外观效果和使用性能。而本申请中的陶瓷壳体，通孔处设置的盖板是由第一陶瓷材料构成的，并且盖板和陶瓷基板之间是一体化的，例如可以将陶瓷基板和盖板通过烧结处理熔结为一体，形成一体化的陶瓷壳体。因此，该陶瓷基板和盖板之间的结合强度较高，密封性好，盖板不会滑落，陶瓷基板和盖板的结合处不会出现渗水、进灰等问题；并且，一体化的陶瓷壳体外观一致性较好，陶瓷壳体表面较为平齐和光滑，手感较好，该陶瓷壳体的外观效果和使用性能较佳；并且，该第一陶瓷材料形成的盖板的光透过率较高(不小于70％)，可以满足陶瓷壳体的通孔处的透光需求，不影响设置在通孔处的功能元件的正常使用。需要说明的是，前面所述的“一体化”，是指陶瓷基板和盖板不是通过胶水等材料粘接的，而是通过烧结等处理，使陶瓷基板和盖板融合为一个密封的整体。

根据本申请的一些示例，参考图1，陶瓷基板100的材料、颜色等不受特别限制，本领域技术人员可以根据需要进行设计。具体的，陶瓷基板100可以是由第二陶瓷材料形成的，第二陶瓷材料可以包括二氧化锆，该二氧化锆中可以包含四方相二氧化锆以及单斜相二氧化锆。具体的，第二陶瓷材料可以包括：0～100重量份的四方相二氧化锆，0～100重量份的单斜相二氧化锆，其中，四方相二氧化锆和单斜相二氧化锆两者的重量份之和为60～100重量份，0～10重量份的三氧化二钇，0～20重量份的二氧化铈，0～5重量份的二氧化铪，0～5重量份的二氧化钛，0～5重量份的二氧化镨，0～20重量份的二氧化硅，0～5重量份的二氧化锰，0～5重量份的氧化钴，0～5重量份的氧化锌，0～5重量份的氧化镍，0～5重量份的氧化镁，0～5重量份的氧化钙，0～5重量份的氧化锶，0～30重量份的三氧化二铝，0～5重量份的三氧化二铁，0～5重量份的三氧化二铬，0～5重量份的三氧化二铒，0～5重量份的三氧化二钕，以及0～5重量份的三氧化二镧等。具体的，通过对上述第二陶瓷材料的成分进行调节，并对利用该第二陶瓷材料形成陶瓷基板100过程中的温度参数等进行调节，可以得到半透明或不透明的陶瓷基板100，并且可以得到不同颜色的陶瓷基板100，例如黑色、白色、蓝色、紫色、绿色等。由此，该陶瓷基板100的颜色丰富，该陶瓷壳体的外观较为丰富。具体的，形成陶瓷基板100的二氧化锆中的四方相二氧化锆的含量不小于95wt％。由此，进一步提高了陶瓷基板100的使用性能。

具体的，该陶瓷基板100的形状也不受特别限制，例如陶瓷基板100可以是平面型的，可以是具有一定弧度的，例如可以是2.5D的，可以是3D的，本领域技术人员可以根据需要进行设计。

具体的，陶瓷基板100上具有通孔(图中未示出)，通孔的种类和形状等不受特别限制，例如，将该陶瓷壳体1000用于电子设备中时，可以在需要透光的功能元件对应处，设置通孔，例如通孔可以为摄像头孔，可以为灯光孔等。具体的，通孔的数目不受特别限制，例如可以为一个(参考图1所示出的)，可以为2个，也可以为多个。

根据本申请的一些示例，参考图1，盖板200是由第一陶瓷材料形成的，该第一陶瓷材料形成的盖板200可以简便地和陶瓷基板100形成一体化的陶瓷壳体1000，例如可以通过烧结处理，将盖板200和陶瓷基板100融合为一体，提高了陶瓷壳体1000的密封性和外观一致性。具体的，第一陶瓷材料可以包括二氧化锆，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量可以为60～100wt％，例如可以为70wt％，可以为80wt％，可以为90wt％，可以为95wt％等。由此，该立方相二氧化锆含量较高的二氧化锆形成的盖板和前面所述的四方相二氧化锆含量较高的二氧化锆形成的陶瓷基板100，可以较好地通过烧结处理融为一体，结合强度高，外观一致性较好；并且，该立方相二氧化锆含量较高的二氧化锆形成的盖板200的透明度较高，硬度较高，耐刮擦性能较好，进一步提高了该盖板200的使用性能。具体的，如前所述，该第一陶瓷材料中，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量可以为60～100wt％，二氧化锆中的立方相氧化锆的含量较高，形成的盖板的透明度可以较高；并且后续通过烧结处理，部分其他相的二氧化锆会进一步转变为立方相二氧化锆，因此，经过烧结处理后形成的盖板中，二氧化锆中的立方相氧化锆的含量可以更高，例如盖板中，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量可以不小于95％。由此，可以进一步提高盖板的光透过率进一步提高了盖板200的使用性能。

更具体地，第一陶瓷材料可以包括：60～100重量份的立方相二氧化锆；0～20重量份的三氧化二钇；0～40重量份的二氧化铈；以及0～20重量份的二氧化钛，其中，三氧化二钇和二氧化铈的重量份不同时为0。由此，通过调整上述第一陶瓷材料的具体配方组成，并通过控制烧结形成盖板200时的工艺和温度等参数，可以简便地调节盖板200的光透过率以及硬度等性能，例如，盖板200的光透过率可以不小于70％，例如可以为70％～90％，可以为80％等，由此，该盖板200的透光性能良好，不影响该盖板200处的需要透光的功能元件的正常使用；例如，盖板200的维氏硬度可以为1400～1800，例如可以为1500，可以为1600，可以为1700等，由此，该盖板200的硬度较高，耐刮擦性能较好，该盖板200的使用性能较佳。

综上可知，本申请的陶瓷壳体1000中，一体化的陶瓷基板100和盖板200之间的结合强度较高，且密封性和一致性较好，该陶瓷壳体1000的外观效果良好，产品表现力强。

在本申请的另一方面，本申请提出了一种制备陶瓷壳体的方法。根据本申请的一些示例，该方法制备的陶瓷壳体可以为前面所述的，由此，该方法制备的陶瓷壳体具有前面所述的陶瓷壳体所具有的全部特征以及效果，在此不再赘述。总的来说，该方法制备陶瓷壳体时，通过烧结处理将陶瓷基板生坯和盖板生坯一体化，形成一体化的陶瓷壳体，并且形成的盖板的光透过率较高(不小于70％)，该方法制备的陶瓷壳体的强度较高，密封性和一致性较好，该方法制备的陶瓷壳体的外观效果良好，使用性能较佳。

根据本申请的一些示例，参考图2，该方法包括：

S100：提供陶瓷壳体生坯

在该步骤中，提供陶瓷壳体生坯。具体的，陶瓷壳体生坯包括陶瓷基板生坯和盖板生坯，陶瓷基板生坯中具有通孔，盖板生坯设置在通孔中。具体的，陶瓷壳体生坯的制备方法不受特别限制，例如可以通过注塑工艺一次形成由陶瓷基板生坯和盖板生坯形成的陶瓷壳体生坯。具体的，可以通过双色注塑工艺将第一陶瓷材料和第二陶瓷材料同步注塑成型，第一陶瓷材料可以形成盖板生坯，第二陶瓷材料可以形成陶瓷基板生坯。由此，可以简便地制备陶瓷壳体生坯。例如，还可以分别制作好陶瓷基板生坯和盖板生坯后，将盖板生坯放置在陶瓷基板生坯的通孔中，形成陶瓷壳体生坯。根据本申请的一些示例，参考图3，该方法可以进一步包括：

S110：对第一陶瓷材料进行第一成型处理，得到盖板生坯

该步骤中，对第一陶瓷材料进行第一成型处理，得到盖板生坯。具体的，第一陶瓷材料可以和前面描述的相同，在此不再赘述，例如，第一陶瓷材料可以包括二氧化锆，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量可以为60～100wt％，，更具体地，第一陶瓷材料可以包括：60～100重量份的立方相二氧化锆；0～20重量份的三氧化二钇；0～40重量份的二氧化铈；以及0～20重量份的二氧化钛，其中，三氧化二钇和二氧化铈的重量份不同时为0。该立方相二氧化锆含量较高的二氧化锆形成的盖板的透明度可以较高，硬度较高，耐刮擦性能较好；并且，后续步骤中，该立方相二氧化锆含量较高的二氧化锆形成的盖板生坯和陶瓷基板生坯可以较好地融为一体，形成一体化的陶瓷壳体，提高陶瓷壳体的外观效果和使用性能。具体的，第一成型处理的具体方法不受特别限制，例如可以采用干压、注塑或流延的方法，将第一陶瓷材料制备为盖板生坯。

具体的，参考图4，该方法可以进一步包括：

S11：将第一陶瓷材料注塑成型

在该步骤中，将第一陶瓷材料注塑成型。具体的，可以对前面所述的第一陶瓷材料(例如立方相二氧化锆)进行注塑成型，可以预先按照配方将各组分按质量比配料，然后加入一定量的有机物，进行注塑成型。

S12：进行第一脱脂处理和第一预烧结处理，形成盖板预烧坯

在该步骤中，对前面步骤中经过注塑成型的第一陶瓷材料进行第一脱脂处理和第一预烧结处理，形成盖板预烧坯。具体的，第一脱脂处理的温度可以为400-900℃，例如可以为500℃，可以为600℃，可以为700℃，可以为800℃等。第一预烧结处理的温度可以为1200-1400℃，例如可以为1300℃等。经过第一预烧结处理后，形成的盖板预烧坯的致密度可以为60％-90％，盖板预烧坯的气孔率可以为10％-40％。

S13：进行第一切割处理，得到盖板生坯

在该步骤中，对前面步骤中形成的盖板预烧坯进行第一切割处理，得到盖板生坯。具体的，可以对盖板预烧坯进行平磨处理、激光切割处理或数控加工(CNC)处理等，以便形成具有特定形状的盖板生坯。具体的，经过第一切割处理后形成的盖板生坯的形状，可以和陶瓷基板生坯中的通孔相匹配。具体的，盖板生坯的形状可以为圆形，可以为椭圆形，盖板生坯可以为平面型的，也可以具有2D、2.5D或3D结构。

S120：对第二陶瓷材料进行第二成型处理，形成具有通孔的陶瓷基板生坯

在该步骤中，对第二陶瓷材料进行第二成型处理，形成具有通孔的陶瓷基板生坯。具体的，第二陶瓷材料可以和前面描述的相同，在此不再赘述，例如，第二陶瓷材料可以包括四方相二氧化锆等。具体的，第二成型处理的具体方法不受特别限制，例如可以采用干压、注塑或流延的方法，将第二陶瓷材料制备为陶瓷基板生坯。

具体的，参考图5，该方法可以进一步包括：

S21：将第二陶瓷材料注塑成型

在该步骤中，将第二陶瓷材料注塑成型。具体的，可以对前面所述的第二陶瓷材料(例如四方相二氧化锆)进行注塑成型，可以预先按照配方将各组分按质量比配料，然后加入一定量的有机物，进行注塑成型。

S22：进行第二脱脂处理和第二预烧结处理，形成陶瓷基板预烧坯

在该步骤中，对前面步骤中经过注塑成型的第二陶瓷材料进行第二脱脂处理和第二预烧结处理，形成陶瓷基板预烧坯。具体的，第二脱脂处理的温度可以为400-900℃，例如可以为500℃，可以为600℃，可以为700℃，可以为800℃等。第二预烧结处理的温度可以为900-1200℃，例如可以为1000℃、可以为1100℃等。经过第二预烧结处理后，形成的陶瓷基板预烧坯的致密度可以为60％-90％，陶瓷基板预烧坯的气孔率可以为10％-40％。

S23：进行第二切割处理，得到陶瓷基板生坯

在该步骤中，对前面步骤中形成的陶瓷基板预烧坯进行第二切割处理，得到陶瓷基板生坯。具体的，可以对陶瓷基板预烧坯进行平磨处理、激光切割处理或数控加工(CNC)处理等，以便形成具有特定形状的陶瓷基板生坯，并且可以在陶瓷基板生坯中加工出通孔。具体的，经过第二切割处理后形成的陶瓷基板生坯中的通孔的形状，可以和盖板生坯相匹配。具体的，陶瓷基板生坯可以为平面型的，也可以具有2D、2.5D或3D结构。

需要说明的是，前面所述的制备盖板生坯的步骤，和制备陶瓷基板生坯的步骤的顺序不受限制，可以先制备盖板生坯，再制备陶瓷基板生坯；也可以先制备陶瓷基板生坯，再制备盖板生坯等。

S130：将盖板生坯设置在陶瓷基板生坯的通孔中

在该步骤中，将前面步骤中制备的盖板生坯设置在陶瓷基板生坯的通孔中，由此，可以简便地制备陶瓷壳体生坯。

S200：对陶瓷壳体生坯进行烧结处理，得到陶瓷壳体

在该步骤中，可以对前面步骤中制备的陶瓷壳体生坯进行烧结处理，得到陶瓷壳体。具体的，参考图6，该方法进一步包括：

S210：对陶瓷壳体生坯进行第一烧结处理

在该步骤中，对前面步骤中制备的陶瓷壳体生坯进行第一烧结处理。具体的，第一烧结处理的温度可以为1400～1600℃，例如可以为1450℃，可以为1500℃，可以为1550℃等。经过第一烧结处理之后，陶瓷壳体生坯的致密度不小于99％，陶瓷壳体生坯的气孔率不大于1％。

S220：进行第二烧结处理，得到陶瓷壳体

对前面步骤中经过第一烧结处理的陶瓷壳体生坯进行第二烧结处理，得到陶瓷壳体。具体的，得到的陶瓷壳体包括由陶瓷基板生坯形成的陶瓷基板，以及由所述盖板生坯形成的盖板，陶瓷基板和盖板是一体化的，且盖板的光透过率为不小于70％。

具体的，第二烧结处理可以包括热等静压烧结处理(HIP处理)，即可以将前面所述的经过第一烧结处理的陶瓷壳体生坯放置到密闭的容器中，并向该陶瓷壳体生坯施加各向同等的压力，同时施加高温，在高温高压作用下，陶瓷壳体生坯可以进一步致密化。具体的，热等静压烧结处理可以在惰性气体氛围(例如氮气或氩气)中进行，惰性气体的纯度不小于99.9％，热等静压烧结处理的压力可以为100～250MPa，例如可以为120MPa，可以为150MPa，可以为180MPa，可以为200MPa，可以为230MPa等。当热等静压烧结处理的压力过小时，例如小于100MPa时，形成的盖板的透明度较低，使用性能较差。热等静压烧结处理的温度可以为1400～1700℃，例如可以为1500℃，可以为1600℃等，当热等静压烧结处理的温度过小时，例如小于1400℃时，形成的盖板的透明度较低，使用性能较差。由此，通过热等静压烧结处理，可以将陶瓷壳体生坯致密化，进一步提高了陶瓷壳体生坯的硬度，并且通过该热等静压烧结处理，可以令第一陶瓷材料中，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量更高，即通过烧结处理，第一陶瓷材料中的部分其他相的二氧化锆可以转变为立方相二氧化锆，从而令形成的盖板中的立方相二氧化锆的含量更高，例如，形成的盖板中，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量可以不小于95％，从而可以进一步提高形成的盖板的透明度(光透过率不小于70％)，提高盖板的使用性能。具体的，可以通过调节上述热等静压烧结处理的压力以及温度等，来调节最终形成的盖板的硬度和透光率等。例如，形成的盖板的透光率可以为70～90％，维氏硬度可以为1400～1800等，由此，该方法制备的盖板的透光性能良好，不影响该盖板处的需要透光的功能元件的正常使用；该盖板的硬度较高，耐刮擦性能较好，该盖板的使用性能较佳。

需要说明的是，前面步骤中未经过第三烧结处理的陶瓷壳体生坯，其致密度较小，孔隙率较大，如果直接对其进行热等静压烧结处理，由于陶瓷壳体生坯的表面和内部的孔洞较多，在进行热等静压烧结处理时，惰性气体容易进入陶瓷壳体生坯，从而影响最终制备的陶瓷壳体的硬度和透明度等性能。因此，本申请中，在对陶瓷壳体生坯进行热等静压烧结处理之前，可以预先对其进行第三烧结处理，使其致密度较高，孔隙率较低(例如前面所述的致密度不小于99％，陶瓷壳体生坯的气孔率不大于1％)，由此，对经过第一烧结处理的陶瓷壳体生坯进行热等静压烧结处理时，可以形成致密度较高、硬度较大的陶瓷壳体，并形成透明度较高的透明基板，进一步提高所制备的陶瓷壳体的使用性能。

具体的，该方法制备的陶瓷壳体可以具有前面所述的陶瓷壳体所具有的全部特征以及有点，在此不再赘述。例如，形成的陶瓷基板中，二氧化锆中的四方相二氧化锆的含量不小于95wt％，盖板中，二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量不小于95wt％。由此，进一步提高了制备的陶瓷壳体的使用性能，具体的，形成的陶瓷基板可以为半透明的或不透明的，可以为白色、黑色、蓝色等。

具体的，为了进一步提高所制备的陶瓷壳体的使用性能，参考图7，该方法可以进一步包括：

S300：对陶瓷壳体进行后处理，得到具有特定形状的陶瓷壳体

在该步骤中，对前面步骤中形成的陶瓷壳体进行后处理，以便得到具有特定形状的所述陶瓷壳体。具体的，后处理可以包括平磨处理、数控加工处理以及抛光处理的至少之一。由此，得到的具有特定形状的陶瓷壳体，例如可以得到2.5D或3D陶瓷壳体，该陶瓷壳体可以直接作为电子设备，例如手机的壳体使用。

S400：在具有特定形状的陶瓷壳体上设置外观层

在该步骤中，在前面步骤中得到的具有特定形状的陶瓷壳体上设置外观层，外观层覆盖陶瓷基板。具体的，可以再陶瓷壳体上设置纹理层、镀膜层等外观层，从而可以进一步提高该陶瓷壳体的外观效果。

综上可知，该方法通过使得到的颜色层中具有镂空区域，该镂空区域对应处可以呈现填充层和镀膜层叠加的颜色以及金属光泽效果，而制备的壳体上除镂空区域之外的区域可以呈现颜色层和镀膜层等叠加的外观效果，从而仅通过一次镀膜工艺就实现了LOGO等图案和壳体的金属光泽效果，生产成本较低，节约了生产工序，且得到的壳体以及LOGO等图案外观效果良好，产品表现力强。

在本申请的又一个方面，本申请提出了一种电子设备。具体的，参考图8，该电子设备1100包括：前面所述的陶瓷壳体1000或前面所述的方法所制备的陶瓷壳体1000、摄像头、主板以及存储器、显示组件(图中未示出)，显示组件和陶瓷壳体1000限定出容纳空间，摄像头设置在容纳空间中，且摄像头和陶瓷壳体1000的盖板200相对应设置，主板以及存储器位于容纳空间内部，显示组件与主板相连。由此，该电子设备具有前面所述的陶瓷壳体或前面所述的方法所制备的陶瓷壳体所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该电子设备外观效果良好，使用性能较佳。并且，如前所述，该陶瓷壳体1000包括陶瓷基板100和盖板200，盖板200是透明的，且盖板200和陶瓷基板100是一体化的，即盖板200和陶瓷基板100不是通过胶水等材料粘接的，而是通过烧结等处理，使陶瓷基板100和盖板200融合为一个密封的整体，陶瓷基板100和盖板200之间没有缝隙，外观效果良好，且陶瓷基板100和盖板200的连接强度高，该陶瓷壳体1000的机械强度较高，使用性能良好，进一步提高了该电子设备1100的外观效果和使用性能。

示例性的，电子设备可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种。具体的，电子设备可以为移动电话或智能电话，便携式游戏设备、膝上型电脑、PDA、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备，其他手持设备以及诸如手表、入耳式耳机、吊坠、头戴式耳机等，电子设备还可以为其他的可穿戴设备(例如，诸如电子眼镜、电子衣服、电子手镯、电子项链、电子纹身、电子设备或智能手表的头戴式设备(HMD))。

电子设备还可以是多个电子设备中的任何一个，多个电子设备包括但不限于蜂窝电话、智能电话、其他无线通信设备、个人数字助理、音频播放器、其他媒体播放器、音乐记录器、录像机、照相机、其他媒体记录器、收音机、医疗设备、车辆运输仪器、计算器、可编程遥控器、寻呼机、膝上型计算机、台式计算机、打印机、上网本电脑、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、运动图像专家组(MPEG-1或MPEG-2)音频层3(MP3)播放器，便携式医疗设备以及数码相机及其组合。

下面通过具体的示例对本申请的方案进行说明，需要说明的是，下面的示例仅用于说明本申请，而不应视为限定本申请的范围。示例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。

示例1

(1)将80重量份的立方相二氧化锆含量为80wt％的二氧化锆粉、15重量份的三氧化二钇以及5重量份的二氧化钛混合，形成第一陶瓷材料；

(2)对前面步骤中形成的第一陶瓷材料进行注塑成型，并在800℃下进行脱脂处理，之后在1300℃下进行预烧结处理，得到盖板预烧坯，对盖板预烧坯进行切割处理，得到盖板生坯；

(3)将预先配置好的包括四方相二氧化锆的第二陶瓷材料进行注塑成型，并在600℃下进行脱脂处理，之后在1000℃下进行预烧结处理，得到陶瓷基板预烧坯，对陶瓷基板预烧坯进行切割处理，得到具有通孔的陶瓷基板生坯；

(5)将前面步骤中制备的盖板生坯放置在陶瓷基板生坯的通孔中，形成陶瓷壳体生坯，并对陶瓷壳体生坯在1500℃下进行烧结处理；

(6)对经过前面步骤中的烧结处理的陶瓷壳体生坯进行热等静压烧结处理，即将经过前面步骤中的烧结处理的陶瓷壳体生坯放置到密闭的容器中，并向该陶瓷壳体生坯施加各向同等的压力，同时施加高温，热等静压烧结处理在纯度为99.999％的氩气氛围中进行，压力为200MPa，温度为1600℃，形成陶瓷壳体。

示例2

其他操作方式同示例1，不同的是，步骤(1)中，将90重量份的含有75wt％立方相二氧化锆的二氧化锆粉、10重量份的三氧化二钇、20重量份的二氧化铈以及10重量份的二氧化钛混合，形成第一陶瓷材料。

示例3

其他操作方式同示例1，所不同的是，步骤(6)中，进行热等静压烧结处理时的压力为150MPa。

示例4

其他操作方式同示例1，所不同的是，步骤(6)中，进行热等静压烧结处理时的温度为1500℃。

对比例1

其他操作方式同示例1，所不同的是，步骤(1)中，将40重量份的含有50wt％立方相二氧化锆的二氧化锆粉、20重量份的三氧化二钇、20重量份的二氧化铈以及10重量份的二氧化钛混合，形成第一陶瓷材料。

对比例2

其他操作方式同示例1，所不同的是，步骤(6)中，进行热等静压烧结处理时的压力为50MPa，温度为1200℃。

对比例3

将玻璃材料形成的盖板和陶瓷基板利用点胶的方式进行粘接。

性能测试：

对示例1制备的陶瓷壳体中的立方相二氧化锆盖板进行XRD测试，示例1中的盖板的XRD衍射图谱如附图9所示出，从图中可以看出，该立方相二氧化锆盖板的主要XRD特征峰的2θ角为30.2°，由此可以证明该陶瓷壳体中的盖板为立方相二氧化锆形成的。

利用分光光度计对示例1-4以及对比例1和对比例2制备的陶瓷壳体中的盖板进行光透过率测试。测得示例1-4中制备的立方相二氧化锆盖板的光透过率较高，均在70％以上，并且，测得示例1中的立方相氧化锆盖板光透过率较高，约为80％。而对比例1以及对比例2中制备的盖板的光透过率较低，光透过率在50％以下。

对示例1-4以及对比例3制备的陶瓷壳体中，陶瓷基板和盖板的结合强度进行测试，测得对比例3中的陶瓷壳体中，陶瓷基板和盖板的结合强度较差，均低于示例1-4中的陶瓷壳体中的陶瓷基板和盖板之间的结合强度，证明了本申请中通过烧结处理将盖板和陶瓷基板融合为一体，可以较好地提高陶瓷基板和盖板的结合强度。

在本说明书的描述中，参考术语“示例”、“一些示例”等的描述意指结合该示例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个示例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的示例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个示例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同示例或示例以及不同示例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的示例，可以理解的是，上述示例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述示例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (20)

1.一种陶瓷壳体，其特征在于，包括：

具有通孔的陶瓷基板；以及

位于所述通孔处的，与所述陶瓷基板一体化的盖板，所述盖板是由第一陶瓷材料构成的，所述盖板的光透过率不小于70％。

2.根据权利要求1所述的陶瓷壳体，其特征在于，所述第一陶瓷材料包括二氧化锆，所述二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量为60～100wt％。

3.根据权利要求2所述的陶瓷壳体，其特征在于，所述第一陶瓷材料进一步包括：60～100重量份的所述立方相二氧化锆；0～20重量份的三氧化二钇；0～40重量份的二氧化铈；以及0～20重量份的二氧化钛，其中，

所述三氧化二钇和所述二氧化铈的重量份不同时为0。

4.根据权利要求2所述的陶瓷壳体，其特征在于，形成所述盖板的所述二氧化锆中，所述立方相二氧化锆的含量不小于95wt％。

5.根据权利要求1所述的陶瓷壳体，其特征在于，所述盖板的维氏硬度为1400～1800。

6.根据权利要求1所述的陶瓷壳体，其特征在于，所述陶瓷基板是由第二陶瓷材料构成的，所述第二陶瓷材料包括二氧化锆，形成所述陶瓷基板的所述二氧化锆中，四方相二氧化锆的含量不小于95wt％。

7.根据权利要求1所述的陶瓷壳体，其特征在于，所述通孔包括摄像头孔、灯光孔的至少之一。

8.一种制作陶瓷壳体的方法，其特征在于，包括：

提供陶瓷壳体生坯，所述陶瓷壳体生坯包括陶瓷基板生坯和盖板生坯，所述陶瓷基板生坯中具有通孔，所述盖板生坯设置在所述通孔中；

对所述陶瓷壳体生坯进行烧结处理，以基于所述陶瓷基板生坯形成陶瓷基板，基于所述盖板生坯形成盖板，所述陶瓷基板和所述盖板通过所述烧结处理熔结为一体，所述盖板的光透过率为不小于70％，以便得到所述陶瓷壳体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供陶瓷壳体生坯进一步包括：

通过双色注塑工艺将第一陶瓷材料和第二陶瓷材料同步注塑成型，所述第一陶瓷材料形成所述盖板生坯，所述第二陶瓷材料形成所述陶瓷基板生坯。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供陶瓷壳体生坯进一步包括：

对第一陶瓷材料进行第一成型处理，得到所述盖板生坯；

对第二陶瓷材料进行第二成型成型，得到具有所述通孔的所述陶瓷基板生坯；

将所述盖板生坯设置在所述陶瓷基板生坯的所述通孔中。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一成型处理进一步包括：将所述第一陶瓷材料注塑成型，并经过第一脱脂处理以及第一预烧结处理，得到盖板预烧坯，对所述盖板预烧坯进行第一切割处理，得到所述盖板生坯。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一脱脂处理的温度为400-900℃，所述第一预烧结处理的温度为1200-1400℃，所述盖板预烧坯的致密度为60％-90％，所述盖板预烧坯的气孔率为10％-40％。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二成型处理进一步包括：将所述第二陶瓷材料注塑成型，并经过第二脱脂处理以及第二预烧结处理，得到陶瓷基板预烧坯，对所述陶瓷基板预烧坯进行第二切割处理，得到具有所述通孔的所述陶瓷基板生坯。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二脱脂处理的温度为400-900℃，所述第二预烧结处理的温度为900-1200℃，所述陶瓷基板预烧坯的致密度为60％-90％，所述陶瓷基板预烧坯的气孔率为10％-40％。

15.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述烧结处理包括：

对所述陶瓷壳体生坯进行第一烧结处理，所述第一烧结处理的温度为1400～1600℃；

所述第一烧结处理之后，所述陶瓷壳体生坯的致密度不小于99％，所述陶瓷壳体生坯的气孔率不大于1％。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一烧结处理之后，所述烧结处理进一步包括：

对经过所述第一烧结处理的所述陶瓷壳体生坯进行第二烧结处理，得到所述陶瓷壳体；

所述第二烧结处理在惰性气体氛围中进行，所述惰性气体的纯度不小于99.9％。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二烧结处理包括热等静压烧结处理，所述热等静压烧结处理的压力为100～250MPa；所述热等静压烧结处理的温度为1400～1700℃。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一陶瓷材料包括二氧化锆，所述二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量为60～100wt％；经过所述热等静压烧结处理之后形成的所述盖板中，所述二氧化锆中的所述立方相二氧化锆的含量不小于95wt％。

19.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，对所述陶瓷壳体生坯进行烧结处理之后，所述方法进一步包括：

对所述陶瓷壳体进行后处理，以便得到具有特定形状的所述陶瓷壳体；

任选地，所述后处理包括平磨处理、数控加工处理以及抛光处理的至少之一；

任选地，对所述陶瓷壳体进行后处理之后，所述方法进一步包括：

在所述具有特定形状的所述陶瓷壳体上设置外观层，所述外观层覆盖所述陶瓷基板。

20.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1～7任一项所述的陶瓷壳体，或权利要求8～19任一项所述的方法所制备的陶瓷壳体；

显示组件，所述显示组件和所述陶瓷壳体相连，且所述显示组件和所述陶瓷壳体限定出容纳空间；

摄像头，所述摄像头设置在所述容纳空间中，且所述摄像头和所述陶瓷壳体的盖板相对应设置；

主板以及存储器，所述主板以及存储器位于所述容纳空间内部，且所述显示组件和所述主板相连。