CN110350007A - 一种amoled封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种AMOLED封装结构及其制作方法，包括背板玻璃、阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃，所述阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃依次设置在所述背板玻璃表面，通过在frit胶层下方设置金属层，能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损，从而提高产品的良率，以降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种AMOLED封装结构及其制作方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode，缩写为AMOLED)工艺主要分为蒸镀和封装两个主要制程，封装的主要目的是将外界水汽和氧气隔绝在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，缩写为OLED)面板以外，以保证OLED有机膜的寿命。而封装制程目前有Frit、四氟乙烯(TFE)、Dam and Filler等。目前硬板AMOLED常用的是Frit制程，主要是利用网印制程，将Frit印刷到盖板玻璃上，并在封装设备与背板做合板以后，通过激光密封(Laser Sealing)制程，使用激光烧结技术，使Frit烧结，以达到将OLED面板与外界空气隔绝的目的。
现行的Laser Sealing制程会将激光聚焦到Frit上，但因为激光能量具有辐射特性，激光能量会辐射到Frit下方的线路上，激光烧结时温度可达800℃～1000℃左右的高温，而OLED面板外围驱动线路通常是以Al为主要材质，而Al的熔点为660.4℃，因此LaserSealing制程很容易会导致Al融化而造成线路受损，造成面板报废。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：一种AMOLED封装结构及其制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种AMOLED封装结构，包括背板玻璃，在所述背板玻璃表面上依次层叠设有阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃；
所述有机平坦层上设有开口，所述开口中填充有金属层和frit胶层，所述frit胶层和金属层依次设置在所述有机层表面，所述frit胶层远离背板玻璃的一侧面与所述盖板玻璃靠近背板玻璃的一侧面接触。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种AMOLED封装结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一背板玻璃，且在背板玻璃表面覆盖有阵列膜层；
S2、形成一有机层，且覆盖于所述阵列膜层表面；
S3、形成一有机平坦层，且覆盖于所述有机层表面，在有机平坦层中形成一开口；
S4、在开口中形成金属层，所述金属层覆盖于所述有机层表面；
S5、形成一frit胶层，且覆盖于所述金属层表面；
S6、形成一盖板玻璃，覆盖于所述有机平坦层表面且与frit胶层远离所述背板玻璃的一侧面接触；
S7、提供激光对所述盖板玻璃进行照射，使激光聚焦到frit胶层上。
本发明的有益效果在于：
通过在frit胶层下方设置金属层，能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损，避免封装完成后由于驱动线路的损失造成产品无法正常使用以致造成生产材料及生产产能的浪费，本方案设计的AMOLED封装结构在生产材料成本和产能上都节约了支出，从而提升产品收益和提高产品的良率。
附图说明
图1为根据本发明的一种AMOLED封装结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种AMOLED封装结构的制作方法的步骤流程图；
标号说明：
1、背板玻璃；2、阵列膜层；3、有机层；4、有机平坦层；5、盖板玻璃；6、金属层；7、frit胶层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：通过设置金属层以预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种AMOLED封装结构，包括背板玻璃，在所述背板玻璃表面上依次层叠设有阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃；
所述有机平坦层上设有开口，所述开口中填充有金属层和frit胶层，所述frit胶层和金属层依次设置在所述有机层表面，所述frit胶层远离背板玻璃的一侧面与所述盖板玻璃靠近背板玻璃的一侧面接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在frit胶层下方设置金属层，能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损，避免封装完成后由于驱动线路的损失造成产品无法正常使用以致造成生产材料及生产产能的浪费，本方案设计的AMOLED封装结构在生产材料成本和产能上都节约了支出，从而提升产品收益和提高产品的良率。
进一步的，所述金属层的厚度为1.5-2.2μm。
由上述描述可知，若金属层的厚度小于1.5μm会对线路的保护及热量的扩散不足，若金属层的厚度超过2.2μm会造成制程时间过久且会垫高frit胶，使得AMOLED盒内空间变大，会造成盖板玻璃边缘弯曲程度变大，影响强度。
进一步的，所述金属层为钛金属层。
由上述描述可知，钛的强度大、密度小、硬度大、熔点高和抗腐蚀性很强；高纯度钛具有良好的可塑性，但当有杂质存在时变得脆而硬；激光烧结时温度可达800℃～1000℃左右的高温，而钛金属的熔点为1660℃，其熔点较高，在成膜后纯钛膜表面光线反射度较强，能够更好的保护底层驱动线路不被激光损伤。
进一步的，所述开口设置在所述有机平坦层的中心位置。
由上述描述可知，将开口设置在有机平坦层的中心位置，使得frit胶层在受激光烧结时能够均匀固化，以便使盖板玻璃与背板玻璃贴合牢固。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种AMOLED封装结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一背板玻璃，且在背板玻璃表面覆盖有阵列膜层；
S2、形成一有机层，且覆盖于所述阵列膜层表面；
S3、形成一有机平坦层，且覆盖于所述有机层表面，在有机平坦层中形成一开口；
S4、在开口中形成金属层，所述金属层覆盖于所述有机层表面；
S5、形成一frit胶层，且覆盖于所述金属层表面；
S6、形成一盖板玻璃，覆盖于所述有机平坦层表面且与frit胶层远离所述背板玻璃的一侧面接触；
S7、提供激光对所述盖板玻璃进行照射，使激光聚焦到frit胶层上。
进一步的，所述金属层的厚度为1.5-2.2μm。
从上述描述可知，
进一步的，所述金属层为钛金属层。
从上述描述可知，钛的强度大、密度小、硬度大、熔点高和抗腐蚀性很强；高纯度钛具有良好的可塑性，但当有杂质存在时变得脆而硬；激光烧结时温度可达800℃～1000℃左右的高温，而钛金属的熔点为1660℃，其熔点较高，在成膜后纯钛膜表面光线反射度较强，能够更好的保护底层驱动线路不被激光损伤。
进一步的，所述开口设置在所述有机平坦层的中心位置。
从上述描述可知，将开口设置在有机平坦层的中心位置，使得frit胶层在受激光烧结时能够均匀固化，以便使盖板玻璃与背板玻璃贴合牢固。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种AMOLED封装结构，包括背板玻璃1，在所述背板玻璃1表面上依次层叠设有阵列膜层2、有机层3、有机平坦层4和盖板玻璃5；
所述有机平坦层4上设有开口，所述开口中填充有金属层6和frit胶层7，所述frit胶层7和金属层6依次设置在所述有机层3表面，所述frit胶层7远离背板玻璃1的一侧面与所述盖板玻璃5靠近背板玻璃1的一侧面接触。
所述阵列膜层2上设有驱动线路。
所述金属层6的厚度为1.5-2.2μm，优选为1.8μm。
所述金属层6为钛金属层，在实际工艺制程施作过程中，对于金属层金属材质的选择可选择熔点高于1000℃百分之五十以上的金属且是对光线发射度较强的金属(例如钼的熔点为2617℃，但是钼金属对光线的发射度不如钛金属，对于线路总体的保护效果会不如钛金属，故本方案不选择钼金属)，以保证金属在受热时不会因为临近熔点而无法吸收更多的能量。
所述开口设置在所述有机平坦层4的中心位置。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种AMOLED封装结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一背板玻璃1，且在背板玻璃1表面覆盖有阵列膜层2；
S2、形成一有机层3，且覆盖于所述阵列膜层2表面；
S3、形成一有机平坦层4，且覆盖于所述有机层3表面，在有机平坦层4中形成一开口；
S4、在开口中形成金属层6，所述金属层6覆盖于所述有机层3表面；
S5、形成一frit胶层7，且覆盖于所述金属层6表面；
S6、形成一盖板玻璃5，覆盖于所述有机平坦层4表面且与frit胶层7远离所述背板玻璃1的一侧面接触；
S7、提供激光对所述盖板玻璃5进行照射，使激光聚焦到frit胶层7上。
综上所述，本发明提供的一种AMOLED封装结构及其制作方法，通过在frit胶层下方设置金属层，能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损，避免封装完成后由于驱动线路的损失造成产品无法正常使用以致造成生产材料及生产产能的浪费，本方案设计的AMOLED封装结构在生产材料成本和产能上都节约了支出，从而提升产品收益和提高产品的良率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种AMOLED封装结构，其特征在于，包括背板玻璃，在所述背板玻璃表面上依次层叠设有阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃；
所述有机平坦层上设有开口，所述开口中填充有金属层和frit胶层，所述frit胶层和金属层依次设置在所述有机层表面，所述frit胶层远离背板玻璃的一侧面与所述盖板玻璃靠近背板玻璃的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的AMOLED封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度为1.5-2.2μm。
3.根据权利要求1所述的AMOLED封装结构，其特征在于，所述金属层为钛金属层。
4.根据权利要求1所述的AMOLED封装结构，其特征在于，所述开口设置在所述有机平坦层的中心位置。
5.一种权利要求1所述的AMOLED封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一背板玻璃，且在背板玻璃表面覆盖有阵列膜层；
S2、形成一有机层，且覆盖于所述阵列膜层表面；
S3、形成一有机平坦层，且覆盖于所述有机层表面，在有机平坦层中形成一开口；
S4、在开口中形成金属层，所述金属层覆盖于所述有机层表面；
S5、形成一frit胶层，且覆盖于所述金属层表面；
S6、形成一盖板玻璃，覆盖于所述有机平坦层表面且与frit胶层远离所述背板玻璃的一侧面接触；
S7、提供激光对所述盖板玻璃进行照射，使激光聚焦到frit胶层上。
6.根据权利要求5所述的AMOLED封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度为1.5-2.2μm。
7.根据权利要求5所述的AMOLED封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层为钛金属层。
8.根据权利要求5所述的AMOLED封装结构的制作方法，其特征在于，所述开口设置在所述有机平坦层的中心位置。
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| GR01 | Patent grant | ||
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