CN110349826A - 清理方法 - Google Patents

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Abstract

一实施方式所涉及的清理方法为等离子体处理装置的载置台的清理方法，具备去除形成在载置台上的反应产物的工序。去除反应产物的工序具备将伪晶片载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从载置台的热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。

Description

清理方法
技术领域
本公开的示例性实施方式涉及一种清理方法。
背景技术
在半导体制造装置中通过等离子体处理等对晶片等被处理体进行成膜以及蚀刻等加工时，需要调节温度。例如，在专利文献1(日本特表2008-501927号公报)以及专利文献2(日本特表2011-501092号公报)中，公开了热控制方法及其系统。
发明内容
在一实施方式中，提供一种等离子体处理装置的部件的清理方法。该清理方法具备去除形成在设置于等离子体处理装置且载置被处理体的载置台上的反应产物的工序。载置台具备设置于等离子体处理装置且进行基于制冷剂的热交换的热交换部。去除反应产物的工序具备将伪晶片(dummy wafer)载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。
附图说明
图1是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的结构的一例的图。
图2是表示包含本公开的一实施方式所涉及的清理方法的处理内容的流程图。
图3是表示能够形成在载置台上的反应产物的图。
图4是表示图1所示的温度调节系统的动作的一例的时序图。
图5是表示表示了本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环的一例的Ph线图(莫里尔图，Mollier chart)的图。
图6是示意地表示使用本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的等离子体处理装置的结构的一例的图。
图7是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的结构(第1实施例)的图。
图8是例示沿图7所示的X1-X1线切割的下部电极的截面的一方式的图。
图9是表示表示了本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环的一例的Ph线图(莫里尔图)的图。
图10是用于与图9一同对本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环进行说明的图。
图11是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第2实施例)的图。
图12是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极的截面的一方式的图。
图13是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极的截面的另一方式的图。
图14是用于举例说明图11所示的温度调节系统的动作的图。
图15是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第3实施例)的图。
图16是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第4实施例)的图。
图17是例示沿图16所示的X3-X3线切割的下部电极的截面的一方式的图。
图18是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统另一结构(第5实施例)的图。
图19是表示图7、图11、图15、图16、图18分别所示的温度调节系统所具备的蒸发室的主要结构的图。
具体实施方式
本公开提供一种适当地清理载置被处理体的载置台的技术。
(本公开的实施方式的说明)
首先列举本公开的实施方式进行说明。基于本公开的一实施方式的清理方法为等离子体处理装置的部件的清理方法。该清理方法具备去除形成在设置于等离子体处理装置且载置被处理体的载置台上的反应产物的工序。载置台具备设置于等离子体处理装置且进行基于制冷剂的热交换的热交换部。去除反应产物的工序具备将伪晶片载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。如此，能够使载置台的温度上升来去除反应产物，因此能够在比较高的温度下良好地进行反应产物的去除。
在本公开的一实施方式中，反应产物具有碳、氟以及硅。
在本公开的一实施方式中，进行反应产物的去除的工序中，使用包含氟的气体和包含氧的气体的混合气体来进行反应产物的去除。
在本公开的一实施方式中，包含氟的气体包含CF4、NF3、C4F8中的至少一种，包含氧的气体包含O2、O3、CO、CO2、COS中的至少一种。
在本公开的一实施方式中，还具备随着进行反应产物的去除的工序的结束而结束向载置台的热量输入的工序。
在本公开的一实施方式中，向载置台的热量输入通过等离子体进行。
在本公开的一实施方式中，载置台具备加热器，向载置台的热量输入通过加热器进行。
(本公开的实施方式的详细内容)
以下，参考附图对各种实施方式详细地进行说明。另外，在各附图中对相同或等同的部分标注相同的符号。
如图1所示，温度调节系统CS具备载置台PD、检测装置TD、控制部Cnt、供给管道SL、排出管道DLd、气体管道AL1、气体管道AL2、冷凝装置CD、压缩器CM。载置台PD具备热交换部HE、加热器HT。冷凝装置CD具备冷凝器CDa、膨胀阀EV1(膨胀阀)、分流阀EV2(分流阀)。温度调节系统CS能够用于例如图6所示的等离子体处理装置10。冷凝装置CD以及压缩器CM能够包含于图6所示的等离子体处理装置10的制冷单元。
图1所示的温度调节系统CS对应于图7、图11、图15、图16、图18分别所示的温度调节系统。图1所示的冷凝装置CD对应于图7、图11、图15、图16分别所示的冷凝装置CD以及图18所示的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n的每一个。图1所示的压缩器CM对应于图7所示的压缩器CM、图11所示的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n的每一个、图15所示的压缩器CMd、压缩器CMu的每一个、图16所示的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n、压缩器CMu的每一个、图18所示的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n的每一个。
排出管道DLd设置于热交换部HE的输出端Out1与压缩器CM的输入端In2之间。排出管道DLd将从热交换部HE排出的制冷剂送往压缩器CM。
供给管道SL设置于热交换部HE的输入端In1与冷凝器CDa的输出端Out3之间。膨胀阀EV1设置于供给管道SL。供给管道SL经由膨胀阀EV1将通过冷凝器CDa冷凝的制冷剂送往热交换部HE。从膨胀阀EV1输出的制冷剂为液体状态，从膨胀阀EV1输出的制冷剂的干度大致为0[％]。
气体管道AL1设置于压缩器CM的输出端Out2与冷凝器CDa的输入端In3之间。气体管道AL2设置于压缩器CM的输出端Out2与膨胀阀EV1的输出端Out4之间。换言之，气体管道AL2设置于供给管道SL中膨胀阀EV1与热交换部HE之间的区域、与气体管道AL1之间。分流阀EV2设置于气体管道AL2。
气体管道AL2将从压缩器CM送往气体管道AL1的压缩后的制冷剂进行分流。分流阀EV2调节从压缩器CM经由气体管道AL2直接供给到热交换部HE的制冷剂的流量。从分流阀EV2输出的制冷剂为气体状态，从分流阀EV2输出的制冷剂的干度大致为100[％]。
膨胀阀EV1的输入端In4经由供给管道SL连接于冷凝器CDa的输出端Out3。膨胀阀EV1的输出端Out4经由供给管道SL连接于热交换部HE的输入端In1。分流阀EV2的输入端In5经由气体管道AL2连接于气体管道AL1。分流阀EV2的输出端Out5经由气体管道AL2连接于供给管道SL中膨胀阀EV1与热交换部HE之间的区域。
温度调节系统CS调节载置台PD的温度。载置台PD的温度例如能够为载置台PD的表面(载置晶片W的载置面)的温度。载置台PD设置于等离子体处理装置10的处理容器12内。载置台PD载置晶片W(被处理体)。热交换部HE设置于载置台PD内，进行基于制冷剂的热交换。
压缩器CM压缩从热交换部HE排出的制冷剂。冷凝器CDa冷凝通过压缩器CM压缩的制冷剂。
检测装置TD检测出载置台PD的温度，并将检测结果发送到控制部Cnt。检测装置TD通过未图示的温度检测器检测载置台PD的温度。该温度检测器为热敏电阻(thermistor)等，设置于载置台PD内。
控制部Cnt具备CPU、ROM、RAM等。控制部Cnt通过CPU执行记录于ROM、RAM等记录装置的电脑程序。该电脑程序包含用于使该CPU执行集中控制等离子体处理装置10的动作的功能的程序。该电脑程序尤其包含用于使控制部Cnt的CPU执行使用温度调节系统CS来调节载置台PD的温度的温度调节处理的程序。
控制部Cnt根据由检测装置TD检测出的载置台PD的温度来调节向载置台PD的热量输入以及膨胀阀EV1和分流阀EV2各自的开度。更具体而言，在打开膨胀阀EV1且关闭分流阀EV2的同时调节膨胀阀EV1的开度以使载置台PD成为第1温度的状况下使载置台PD的温度上升时，控制部Cnt向载置台PD输入热量，并且进一步打开分流阀EV2的同时调节分流阀EV2的开度以使载置台PD的温度达到比第1温度(C[℃])更高的第2温度(D[℃])(C[℃]＜D[℃])。向载置台PD的热量输入能够通过等离子体来进行。并且，向载置台PD的热量输入还能够通过加热器HT来进行。
若载置台PD的温度成为第2温度，则控制部Cnt进行去除反应产物的工序。在去除工序中，载置台PD的温度维持在第2温度以上。去除工序结束后，结束向载置台PD的热量输入，并且关闭分流阀EV2。控制部Cnt通过调节分流阀EV2的开度，调节载置台PD的温度达到第2温度为止的时间。
图2中示出处理方法MT所涉及的流程图。处理方法MT具备工序K1、工序K2。工序K2紧接着工序K1而执行。工序K2为本公开的一实施方式所涉及的清理方法。工序K1具备工序K11、工序K12、工序K13、工序K14。工序K2具备工序K21、工序K22、工序K23、工序K24。关于处理方法MT，作为一例通过图6所示的等离子体处理装置10来进行。
工序K11中，将设置于等离子体处理装置10的处理容器12内的载置台PD的温度调节成第1温度。载置台PD的温度的调节能够使用制冷单元(制冷单元CH等)进行，但也能够使用图1所示的温度调节系统CS进行。
紧接着工序K11的工序K12中，将晶片W载置于载置台PD上，紧接着工序K12的工序K13中，对晶片W进行处理(例如蚀刻处理)。紧接着工序K13的工序K14中，将处理后的晶片W搬出到处理容器12之外。
如图3所示，通过工序K12，因工序K12的处理产生的反应产物RM形成于载置台PD的静电卡盘ESC的周缘部。反应产物RM因范德华力附着于静电卡盘ESC。范德华力是指作用于分子间或原子间的引力。该范德华力能够通过提高静电卡盘ESC的温度来降低。反应产物RM能够具有例如碳、氟以及硅。
紧接着工序K1的工序K2对应于等离子体处理装置10的部件(以下作为一例设为载置台PD)的清理方法。更具体而言，工序K2为去除形成在载置台PD的反应产物RM的工序。工序K2能够使用温度调节系统CS并根据图4所示的后述的时序图来进行。
工序K21中，将伪晶片W1载置于载置台PD上。伪晶片W1为用于清理载置台PD的晶片。
紧接着工序K21的工序K22中，使载置台PD的温度上升。即，工序K22中，打开膨胀阀EV1的同时向载置台PD输入热量，并且关闭分流阀EV2的同时调节分流阀EV2的开度。工序K22中如此使载置台PD的温度上升。
图4所示的时刻TM1对应于开始工序K22的时刻，图4所示的时刻TM2对应于开始紧接着工序K22的工序K23的时刻。在执行工序K23期间，载置台PD的温度维持在D[℃]以上。
紧接着工序K22的工序K23中，在使载置台PD的温度上升后进行反应产物RM的去除。在工序K23中，载置台PD的温度能够为例如20[℃](D＝20[℃])左右以上。工序K24随着工序K23的结束而结束向载置台PD的热量输入。
工序K23中，能够使用包含氟的气体和包含氧的气体的混合气体来进行反应产物RM的去除。该混合气体中包含氟的气体能够包含CF4、NF3、C4F8中的至少一种。该混合气体中包含氧的气体能够包含O2、O3、CO、CO2、COS中的至少一种。在工序K23中，使用比较高的高频电力来生成该混合气体的等离子体，去除反应产物RM。
参考图4以及图5，对温度调节系统CS的动作进行说明。图4的时序图所示的温度调节系统CS的动作(温度调节方法)通过控制部Cnt的控制实现，且在工序K2中执行。温度调节方法为通过制冷剂调节载置晶片W的载置台PD的温度的温度调节方法。
首先，在工序K21中通过打开膨胀阀EV1且关闭分流阀EV2的同时调节膨胀阀EV1的开度，将载置台PD的温度调节为C[℃]。此时，没有向载置台PD的热量输入，向载置台PD的热量输入为0[W]。
膨胀阀EV1的开度在温度调节方法的执行期间维持在恒定的开度。供给到热交换部HE的制冷剂的压力在温度调节方法的执行期间维持在A[Pa]。供给到热交换部HE的制冷剂的气化温度(温度调节温度)在温度调节方法的执行期间维持在B[℃]。
在工序K22中，载置台PD的温度从C[℃]上升至D[℃](C[℃]＜D[℃])。在工序K22开始的时刻TM1，向载置台PD输入X[W]的热量。而且，进一步打开分流阀EV2来将分流阀EV2的开度调节为小于100[％]的值。
因此，供给到热交换部HE的制冷剂的干度成为小于100[％]的值。因此，从载置台PD排出的热量得以少于输入热量X[W]。由此，载置台PD的温度上升，能够在工序K22结束时(工序K23开始时)的时刻TM2成为D[℃]。
若到达载置台PD的温度成为D[℃]的时刻TM2，则执行工序K23。工序K23的执行期间，载置台PD的温度维持在D[℃]以上。
若工序K23结束，则过渡到工序K24，结束向载置台PD的热量输入并且关闭分流阀EV2。由此，供给到热交换部HE的制冷剂的干度成为大致0[％]，从载置台PD排出的热量成为0[W]，载置台PD的温度成为C[℃]。
如此，根据清理载置台PD的工序K2，能够使载置台PD的温度上升来去除反应产物RM，因此能够在比较高的温度下良好地进行反应产物RM的去除。
另外，通过调节分流阀EV2的开度，能够调节载置台PD的温度达到D[℃]为止的时间。例如，如图4所示，在结束向载置台PD的热量输入并关闭分流阀EV2的时刻TM2使载置台PD的温度达到D[℃]时，时刻TM1与时刻TM2之间的时间越长(越使时刻TM2延迟)，越减少分流阀EV2的开度。
图5是表示载置台PD的升温时(时刻TM1之后至时刻TM2之前)的Ph线图的图。图5中记载了饱和液线LSL以及饱和蒸气线LSV。图5中示出了过热蒸气区域ZN1、湿蒸气区域ZN2、过冷却区域ZN3。
首先，制冷剂从热交换部HE供给到压缩器CM(状态ET1)。之后，通过压缩器CM压缩制冷剂。压缩后的制冷剂从压缩器CM分流到冷凝器CDa和分流阀EV2。
分流到冷凝器CDa的制冷剂(状态ET2)通过冷凝器CDa冷凝。冷凝后供给到膨胀阀EV1的制冷剂为干度大致为0[％]的制冷剂(状态ET3)。
分流阀EV2调节从压缩器CM输出的制冷剂(干度大致为100[％]的制冷剂)向热交换部HE的流量。混合从膨胀阀EV1输出的制冷剂(干度大致为0[％]的制冷剂)和从分流阀EV2输出的制冷剂(干度大致为100[％]的制冷剂)而得的制冷剂(干度大于0[％]且小于100[％]的制冷剂)经由供给管道SL供给到热交换部HE(状态ETa4)。
当分流阀EV2关闭时，供给到热交换部HE的制冷剂仅为从膨胀阀EV1输出且干度大致为0[％]的制冷剂，成为最远离状态ET1的位置(焓值)的状态ETb4。分流阀EV2的开度变得越大，经由气体管道AL2从压缩器CM供给到热交换部HE的干度大致为100[％]的制冷剂的流量变得越多。分流阀EV2的开度变得越大，状态ETa4的位置(焓值)越从状态ETb4的位置向图5的图中箭头方向移动而接近状态ET1的位置。
当使用混合来自于膨胀阀EV1的制冷剂和来自于分流阀EV2的制冷剂而得的制冷剂(干度大于0[％]且小于100[％]的制冷剂)时，与仅使用来自于膨胀阀EV1的制冷剂时相比，热交换部HE中的排热量少，因此载置台PD的温度得以上升。
图1所示的温度调节系统CS能够应用于图6所示的等离子体处理装置10。图1所示的温度调节系统CS的冷凝装置CD能够应用于图7、图10、图11、图15、图16分别所示的冷凝装置CD以及图18所示的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n。
以下，对能够应用图1所示的冷凝装置CD的第1实施例～第5实施例各自所涉及的温度调节系统CS进行说明。第1实施例～第5实施例各自所涉及的温度调节系统CS能够在图6所示的等离子体处理装置10中使用。首先，参考图6，对能够使用第1实施例～第5实施例各自所涉及的温度调节系统CS的等离子体处理装置10的结构进行说明。
图6所示的等离子体处理装置10为具备平行平板的电极的等离子体蚀刻装置，具备处理容器12。处理容器12具有例如大致圆筒形状。处理容器12具有例如铝材料，在处理容器12的内壁面实施了阳极氧化处理。处理容器12被安全接地。
在处理容器12的底部上设置有大致圆筒状的支承部14。支承部14具有例如绝缘材料。构成支承部14的绝缘材料能够如石英那样包含氧。支承部14在处理容器12内从处理容器12的底部沿铅垂方向(朝向上部电极30)延伸。
在处理容器12内设置有载置台PD。载置台PD被支承部14支承。载置台PD在载置台PD的上表面保持晶片W。载置台PD具有下部电极LE以及静电卡盘ESC。
下部电极LE包含第1板18a以及第2板18b。第1板18a以及第2板18b例如具有铝之类的金属材料，且呈大致圆盘形状。第2板18b设置于第1板18a上，且与第1板18a电连接。在第2板18b上设置有静电卡盘ESC。
静电卡盘ESC具有将作为导电膜的电极配置于一对绝缘层之间或一对绝缘片之间而成的结构。直流电源22经由开关23电连接于静电卡盘ESC。静电卡盘ESC通过由来自于直流电源22的直流电压产生的库仑力等静电力来吸附晶片W。由此，静电卡盘ESC能够保持晶片W。
在第2板18b的周缘部上以包围晶片W的边缘以及静电卡盘ESC的方式配置有聚焦环FR。聚焦环FR是为了提高蚀刻的均匀性而设置的。聚焦环FR具有根据作为蚀刻对象的膜的材料适当选择的材料，例如能够具有石英。
在第2板18b的内部设置有图7、图15所示的蒸发室VP(或者图11、图16、图18所示的分室VP-1～分室VP-n)。蒸发室VP中，能够通过使制冷剂在蒸发室VP的导热壁SF中蒸发来降低位于蒸发室VP的导热壁SF上的静电卡盘ESC的温度，从而冷却载置于静电卡盘ESC的晶片W。在第1板18a的内部设置有图7、图15所示的储存室RT(或者图11、图16、图18所示的分室RT-1～分室RT-n)。储存室RT储存向蒸发室VP供给的制冷剂。
另外，在本说明书中，无论是从固体还是从液体，将相变为气体的现象称作“气化”，将仅在固体或液体的表面产生气化的现象称作“蒸发”。而且，将从液体的内部产生气化的现象称作“沸腾”。当制冷剂喷出而接触到导热壁时，制冷剂从液体蒸发为气体，此时，被称作潜热或气化热的热量从导热壁移动到制冷剂。
等离子体处理装置10具备图7、图11、图15、图16所示的制冷单元CH(或者图18所示的制冷单元CH-1～制冷单元CH-n)。制冷单元CH等经由供给管道SL等、储存室RT等、蒸发室VP等、排出管道DLd等使制冷剂循环来降低静电卡盘ESC的温度，从而冷却载置于静电卡盘ESC的晶片W。
制冷剂经由供给管道SL(或者图11、图16、图18所示的分支管道SL-1～分支管道SL-n)从制冷单元CH等供给到储存室RT等。制冷剂经由排出管道DLd(或者图11、图16、图18所示的分支管道DLd-1～分支管道DLd-n、图15、图16所示的排出管道DLu)从蒸发室VP等排出到制冷单元CH等。
等离子体处理装置10具备具有上述蒸发室VP等、储存室RT等、制冷单元CH等的温度调节系统CS。对温度调节系统CS的具体结构将在后面进行叙述。
在等离子体处理装置10设置有气体供给管道28。气体供给管道28将来自于传热气体供给机构的传热气体例如He气体供给到静电卡盘ESC的上表面与晶片W的背面之间。
在等离子体处理装置10设置有作为加热元件的加热器HT。加热器HT安装于例如第2板18b内。加热器HT上连接有加热器电源HP。
通过从加热器电源HP向加热器HT供给电力，载置台PD的温度被调整，载置于载置台PD上的晶片W的温度被调整。另外，加热器HT可以内置于静电卡盘ESC。
等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30在载置台PD的上方与载置台PD相对配置。下部电极LE与上部电极30彼此大致平行地设置。在上部电极30与下部电极LE之间，提供了用于对晶片W进行等离子体处理的处理空间S。
上部电极30经由绝缘性遮蔽部件32被支承于处理容器12的上部。绝缘性遮蔽部件32具有绝缘材料，例如能够如石英那样包含氧。上部电极30能够包含电极板34以及电极支承体36。
电极板34面向处理空间S，在该电极板34设置有多个气体喷出孔34a。在一实施方式中，电极板34含有硅。在另一实施方式中，电极板34能够含有氧化硅。
电极支承体36将电极板34支承为装卸自如，例如能够具有铝之类的导电性材料。电极支承体36能够具有水冷结构。在电极支承体36的内部设置有气体扩散室36a。
与气体喷出孔34a连通的多个气体流通孔36b从气体扩散室36a向下方(朝向载置台PD)延伸。在电极支承体36形成有将处理气体导向气体扩散室36a的气体导入口36c，气体导入口36c连接于气体供给管38。
在气体供给管38经由阀组42以及流量控制器组44连接有气体源组40。气体源组40具有多个气体源。
阀组42包含多个阀，流量控制器组44包含质量流量控制器之类的多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42中所对应的阀以及流量控制器组44中所对应的流量控制器连接于气体供给管38。
因此，等离子体处理装置10能够将来自于选自气体源组40的多个气体源中的一个或多个气体源的气体以单独进行调整的流量供给到处理容器12内。
在等离子体处理装置10中，沿着处理容器12的内壁，堆积物防护件46设置成装卸自如。堆积物防护件46还设置于支承部14的外周。堆积物防护件46防止蚀刻副产物(堆积物)附着于处理容器12，能够具有在铝材上涂覆Y2O3等陶瓷而成的结构。堆积物防护件除了Y2O3以外，例如还能够如石英那样具有包含氧的材料。
在处理容器12的底部侧(设置有支承部14的一侧)且支承部14与处理容器12的侧壁之间设置有排气板48。排气板48例如能够具有在铝材上涂覆Y2O3等陶瓷而成的结构。在排气板48的下方且处理容器12设置有排气口12e。在排气口12e经由排气管52连接有排气装置50。
排气装置50具有涡轮分子泵等真空泵，能够将处理容器12内的空间减压至所希望的真空度。在处理容器12的侧壁设置有晶片W的搬入搬出口12g，搬入搬出口12g能够通过闸阀54开闭。
等离子体处理装置10还具备第1高频电源62以及第2高频电源64。第1高频电源62为产生等离子体生成用第1高频电力的电源，产生27～100[MHz]的频率的电力，在一例中产生60[MHz]的高频电力。第1高频电源62经由匹配器66连接于上部电极30。匹配器66是用于使第1高频电源62的输出电阻与负载侧(下部电极LE侧)的输入电阻匹配的电路。另外，第1高频电源62也可以经由匹配器66连接于下部电极LE。
第2高频电源64为用于产生将离子引入到晶片W的第2高频电力即高频偏置电力的电源，产生400[kHz]～40.68[MHz]的范围内的频率的高频偏置电力，在一例中产生13.56[MHz]的频率的高频偏置电力。第2高频电源64经由匹配器68连接于下部电极LE。匹配器68是用于使第2高频电源64的输出电阻和负载侧(下部电极LE侧)的输入电阻匹配的电路。
等离子体处理装置10还具备电源70。电源70连接于上部电极30。电源70对上部电极30施加用于将存在于处理空间S内的正离子引入到电极板34的电压。在一例中，电源70为产生负的直流电压的直流电源。若这种电压从电源70施加到上部电极30，则存在于处理空间S的正离子与电极板34碰撞。由此，从电极板34释放出二次电子和/或硅。
在一实施方式中，等离子体处理装置10能够具备图1所示的控制部Cnt。控制部Cnt连接于阀组42、流量控制器组44、排气装置50、第1高频电源62、匹配器66、第2高频电源64、匹配器68、电源70、加热器电源HP以及制冷单元CH(或者制冷单元CH-1～制冷单元CH-n)等。
控制部Cnt能够使用控制信号来控制从气体源组40供给的气体的选择以及流量、排气装置50的排气、来自于第1高频电源62以及第2高频电源64的电力供给、来自于电源70的电压施加、来自于加热器电源HP的电力供给、从制冷单元CH(或者制冷单元CH-1～制冷单元CH-n)供给到蒸发室VP等的制冷剂的流量等。
控制部Cnt通过CPU执行记录于ROM、RAM等记录装置的电脑程序。该电脑程序尤其包含用于使控制部Cnt的CPU执行在等离子体处理装置10中进行的等离子体处理所涉及的方案的程序。
(第1实施例)
图7为表示第1实施例所涉及的温度调节系统CS的结构的图。温度调节系统CS具备制冷单元CH、供给管道SL、排出管道DLd(第1排出管道)、热交换部HE。
热交换部HE具备蒸发室VP、储存室RT、多个管PP。管PP具备喷射口JO。热交换部HE设置于载置台PD内，且经由载置台PD的载置面FA进行基于制冷剂的热交换。
储存室RT经由供给管道SL储存从制冷单元CH供给的制冷剂。储存室RT经由供给管道SL连接于制冷单元CH，且经由多个管PP与蒸发室VP连通。
蒸发室VP中，使储存于储存室RT的制冷剂蒸发。蒸发室VP经由排出管道DLd连接于制冷单元CH，遍及载置台PD的载置面FA而延伸，且包含多个喷射口JO。喷射口JO设置于管PP的一端，且配置成从管PP向蒸发室VP的内壁中位于载置面FA侧的导热壁SF喷射制冷剂。
图8为例示沿图7所示的X1-X1线切割的下部电极LE的截面的一方式的图。在图8所示的截面中，从载置面FA的上方观察时，多个管PP(即多个喷射口JO)在第1板18a的圆形的截面的圆周方向以及径向上大致等间隔配置。如图8所示，从载置面FA的上方观察时，多个管PP(即多个喷射口JO)遍及载置面FA内而分散配置。
返回到图7进行说明。制冷单元CH经由制冷剂的供给管道SL以及制冷剂的排出管道DLd连接于热交换部HE。制冷单元CH经由供给管道SL向热交换部HE供给制冷剂，且经由排出管道DLd从热交换部HE排出制冷剂。
制冷单元CH具备压力计PRLd、止回阀CVLd、膨胀阀EVLd、调整阀AV、压缩器CM、冷凝装置CD、膨胀阀EVC、压力计PRC。蒸发室VP设置于第2板18b，储存室RT设置于第1板18a。
更具体而言，供给管道SL连接冷凝装置CD和储存室RT。更具体而言，排出管道DLd连接冷凝装置CD和蒸发室VP。
在制冷单元CH中，膨胀阀EVC、压力计PRC从冷凝装置CD侧依次串联设置于供给管道SL。在制冷单元CH中，压缩器CM、调整阀AV、膨胀阀EVLd、止回阀CVLd、压力计PRLd从冷凝装置CD侧依次串联设置于排出管道DLd。
冷凝装置CD的出口连接于膨胀阀EVC的入口，膨胀阀EVC的出口连接于压力计PRC的入口。压力计PRC的出口连接于储存室RT。
冷凝装置CD的入口连接于压缩器CM的出口，压缩器CM的入口连接于调整阀AV的出口。调整阀AV的入口连接于膨胀阀EVLd的出口，膨胀阀EVLd的入口连接于止回阀CVLd的出口。
止回阀CVLd的入口连接于压力计PRLd的出口，压力计PRLd的入口连接于排出管道DLd。排出管道DLd连接于蒸发室VP中向喷射口JO的下方延伸的积液区域VPL。积液区域VPL为从暴露于蒸发室VP内的底壁SFa的表面至喷射口JO的蒸发室VP内的区域，为能够积存从喷射口JO喷射的制冷剂中液相状态的制冷剂(作为液体的制冷剂)的空间区域(以下，在本说明书的记载中相同。)。另外，蒸发室VP内除积液区域VPL以外的区域包含气体扩散区域VPA。气体扩散区域VPA在蒸发室VP内向喷射口JO的上方延伸，为从喷射口JO喷射的制冷剂中气相状态的制冷剂(作为气体的制冷剂)能够扩散的空间区域(以下在本说明书的记载中相同。)。
膨胀阀EVC、调整阀AV、膨胀阀EVLd、止回阀CVLd通过控制部Cnt来控制各自的开度[％]。
参考图9、图10，对温度调节系统CS的制冷循环进行说明。图9为表示表现温度调节系统CS的制冷循环的Ph线图(莫里尔图)的图。图10为用于与图9一同对温度调节系统CS的制冷循环进行说明的图。
首先，从热交换部HE的蒸发室VP(或者图11、图16、图18所示的分室VP-1～分室VP-n)排出的制冷剂到达压缩器CM(或者图15所示的压缩器CMd、图11、图16、图18所示的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n、图16所示的压缩器CMu)的入口，成为状态ST1。状态ST1位于过热蒸气区域ZN1。制冷剂沿着恒定的比熵(specific entropy)线被压缩器CM压缩的同时到达压缩器CM的出口，成为状态ST2。状态ST2位于过热蒸气区域ZN1。
从压缩器CM排出的制冷剂沿着等压线被冷凝装置CD(或者图18所示的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n)冷凝的同时穿过饱和蒸气线LSV以及饱和液线LSL而到达冷凝装置CD的出口，成为状态ST3。状态ST3位于过冷却区域ZN3。从冷凝装置CD排出的制冷剂沿着恒定的比焓(specific enthalpy)线通过膨胀阀EVC膨胀的同时穿过饱和液线LSL而到达膨胀阀EVC的出口，成为状态ST4。状态ST4位于湿蒸气区域ZN2。
在图9所示的Ph线图中，遍及过冷却区域ZN3、湿蒸气区域ZN2、过热蒸气区域ZN1通常以10℃的间隔划有等温线。图9中记载的等温线LST随着比焓的增加而在过冷却区域ZN3内作为接近于垂直的向右下方倾斜的曲线而延伸，在饱和液线LSL的交点处折弯，并在湿蒸气区域ZN2内作为水平的直线(作为压力恒定的线)而延伸，在饱和蒸气线LSV的交点处再次折弯，并在过热蒸气区域ZN1内作为向右下方倾斜的曲线而延伸。图9中记载的等温线LST为这种等温线的一例。湿蒸气区域ZN2内的制冷剂成为蒸发或冷凝过程的中间状态，饱和液与饱和蒸气共存。在理论制冷循环中，在蒸发或冷凝过程中压力与温度恒定。
从膨胀阀EVC排出的低压·低温的湿蒸气状态的制冷剂(状态ST4)通过蒸发室VP从导热壁SF夺取热量而沿着等压线蒸发的同时穿过饱和蒸气线LSV而到达蒸发室VP的出口。在理论制冷循环中，在饱和状态下，若指定制冷剂的压力则饱和温度确定，若指定温度则饱和压力确定。因此，制冷剂的蒸发温度能够通过压力来控制。
在蒸发室VP中，在等温变化(从ST4至ST1)期间，制冷剂的比焓从h4增加至h1。将制冷剂[1kg]从周围的被冷却体(导热壁)夺取的热量Wr[kJ/kg]称作制冷效果，与制冷剂[1kg]从被冷却体接受的热量相等，且与从蒸发室VP入口至出口为止的制冷剂的比焓增加量：h1-h4[kJ/kg]相等。因此，Wr＝h1-h4的关系成立。
制冷能力Φ0[kJ/s](或者[kW])如下式作为制冷效果即热量Wr[kJ/kg]与制冷剂循环量Qmr[kg/s]之乘积而求出。
Φ0＝Qmr×Wr＝Qmr×(h1-h4)。
其中，Wr、h1、h4分别如下进行定义。
Wr：制冷效果[kJ/kg]。
h1：蒸发室VP出口的制冷剂(过热蒸气)的比焓[kJ/kg]。
h4：蒸发室VP入口的制冷剂(湿蒸气)的比焓[kJ/kg]。
并且，将能够通过温度调节系统CS冷却被冷却体的能力称作制冷能力。因此，制冷能力与制冷剂的制冷效果、制冷剂的循环量之间存在比例关系。并且，即使在蒸发室VP被分割为分室VP-1～分室VP-n时，也能够通过调整制冷剂循环量来控制分室VP-1～分室VP-n各自的制冷能力。
温度调节系统CS通过图9、图10所示的如上所述的制冷循环中的制冷剂的循环在蒸发室VP中进行热交换。图9、图10所示的制冷循环不仅在第1实施例中，在以下说明的第2实施例～第5实施例中也可以同样地实现。
(第2实施例)
图11是表示一实施方式所涉及的温度调节系统CS的另一结构(第2实施例)的图。在第2实施例所涉及的温度调节系统CS中，变更了第1实施例的蒸发室VP以及储存室RT。
第2实施例所涉及的温度调节系统CS的蒸发室VP具备多个第1分室(分室VP-1～分室VP-n)。分室VP-1～分室VP-n在载置台PD的第2板18b内彼此隔离。第1分室(分室VP-1～分室VP-n)包含喷射口JO，从载置面FA的上方观察时，遍及载置面FA内而分散配置。
第2实施例所涉及的温度调节系统CS的储存室RT具备多个第2分室(分室RT-1～分室RT-n)。分室RT-1～分室RT-n在载置台PD的第1板18a内彼此隔离。第2分室(分室RT-1～分室RT-n)经由管PP与第1分室连通。
排出管道DLd具备多个第1分支管道(分支管道DLd-1～分支管道DLd-n)。分支管道DLd-1～分支管道DLd-n分别连接于对应的蒸发室VP的分室VP-1～分室VP-n。
供给管道SL具备多个第2分支管道(分支管道SL-1～分支管道SL-n)。供给管道SL的一端连接于第2实施例所涉及的制冷单元CH的冷凝装置CD。供给管道SL的另一端设置有分支管道SL-1～分支管道SL-n。即，从第2实施例所涉及的制冷单元CH延伸的供给管道SL分叉为分支管道SL-1～分支管道SL-n。分支管道SL-1～分支管道SL-n分别连接于对应的储存室RT的分室RT-1～分室RT-n。
第2实施例所涉及的制冷单元CH具备压力计PRC、膨胀阀EVC。压力计PRC、膨胀阀EVC设置在供给管道SL上。膨胀阀EVC在供给管道SL上配置于冷凝装置CD与压力计PRC之间。
第2实施例所涉及的制冷单元CH具备多个压力计PRLd(压力计PRLd-1～压力计PRLd-n)、多个止回阀CVLd(止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n)、多个膨胀阀EVLd(膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n)、多个调整阀AV(调整阀AVd-1～调整阀AVd-n)、多个压缩器CM(压缩器CMd-1～压缩器CMd-n)。
压缩器CMd-1～压缩器CMd-n分别设置于分支管道DLd-1～分支管道DLd-n的各个。调整阀AVd-1～调整阀AVd-n分别设置于对应的分支管道DLd-1～分支管道DLd-n。
膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n分别设置于对应的分支管道DLd-1～分支管道DLd-n。止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n分别设置于对应的分支管道DLd-1～分支管道DLd-n。压力计PRLd-1～压力计PRLd-n分别设置于对应的分支管道DLd-1～分支管道DLd-n。
第2实施例所涉及的冷凝装置CD连接于压缩器CMd-1～压缩器CMd-n的每一个。压缩器CMd-1～压缩器CMd-n分别连接于对应的调整阀AVd-1～调整阀AVd-n。调整阀AVd-1～调整阀AVd-n分别连接于对应的膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n。
膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n分别连接于对应的止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n。止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n分别连接于对应的压力计PRLd-1～压力计PRLd-n。压力计PRLd-1～压力计PRLd-n分别连接于对应的分室VP-1～分室VP-n。
在供给管道SL上，第2实施例所涉及的制冷单元CH的压力计PRC连接于流量调整阀FCV。流量调整阀FCV连接于第2实施例所涉及的制冷单元CH、分支管道SL-1～分支管道SL-n。流量调整阀FCV在供给管道SL上配置于制冷单元CH与分支管道SL-1～分支管道SL-n之间。
在分支管道SL-1～分支管道SL-n上分别设置有流量调整阀(对应的流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n)、压力计(对应的压力计PRC-1～压力计PRC-n)。例如，在分支管道SL-1上设置有流量调整阀FCV-1、压力计PRC-1，在分支管道SL-n上设置有流量调整阀FCV-n、压力计PRC-n。
流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n分别连接于流量调整阀FCV。压力计PRC-1～压力计PRC-n分别连接于对应的流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n。分室RT-1～分室RT-n分别连接于对应的压力计PRC-1～压力计PRC-n。
流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n分别配置于流量调整阀FCV与对应的压力计PRC-1～压力计PRC-n之间。压力计PRC-1～压力计PRC-n分别配置于对应的流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n与对应的分室RT-1～分室RT-n之间。
在第2实施例中，从制冷单元CH经由供给管道SL向蒸发室VP(分室VP-1～分室VP-n的每一个)输出的制冷剂能够首先通过调整流量调整阀FCV的开度[％]来集中调整流量之后，通过调整流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的开度[％]来单独调整对应的分支管道SL-1～分支管道SL-n中的流量(供给至分室RT-1～分室RT-n的每一个的制冷剂的流量)。
流量调整阀FCV、流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n、调整阀AVd-1～调整阀AVd-n、膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n、止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n分别通过控制部Cnt来控制各自的开度[％]。
图12是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极LE的截面的一方式的图。图13是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极LE的截面的另一方式的图。
如图12所示，分室RT-1～分室RT-n彼此隔离。在图12所示的截面中，从载置面FA的上方观察时，分室RT-1～分室RT-n从第1板18a的圆形的截面的中心朝向外周在径向上依次配置。在图12所示的截面中，从载置面FA的上方观察时，分室RT-1具有圆形的截面，位于分室RT-1的外侧的分室(例如分室RT-n)具有带状的截面。
如图12所示，从载置面FA的上方观察时，多个管PP(即多个喷射口JO)遍及载置面FA内而分散配置。如图12所示，在多个管PP各自的附近，配置有连接于与管PP连通的分室(分室VP-1～分室VP-n)的排出管道DLd(分支管道DLd-1～分支管道DLd-n)。
另外，位于分室RT-1的外侧的分室(例如为分室RT-i、分室RT-n，且i为1＜i＜N的范围内的整数。)并不限于具有图12所示的带状的截面的情况，如图13所示，能够具有该带状的截面在圆周方向上进一步被分割为多个而被隔离的截面。
图14是用于举例说明图11所示的温度调节系统CS的动作的图。图14所示的动作(动作PT1～动作PT3)也能够应用于后述的图16以及图18分别所示的温度调节系统CS(第4实施例以及第5实施例)中。
图14所示的动作能够通过控制部Cnt来控制。图14所示的动作为流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的动作，为随着期间T1、期间T2等期间的推移而变更流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的开度[％]的动作。例如期间T2为紧接着期间T1的期间。在期间T1等各期间内，流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的开度[％]的总计为100[％]。
动作PT1为随着期间T1、期间T2等期间的推移适当地变更流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n的开度[％]的动作。在动作PT1中，例如在期间T1内，从流量调整阀FCV-1的开度[％]设定为30[％]且流量调整阀FCV-n的开度[％]设定为10[％]的状态，在紧接着期间T1的期间T2内，流量调整阀FCV-1的开度[％]变更为20[％]，流量调整阀FCV-n的开度[％]变更为5[％]。
动作PT2为在所有期间(期间T1等)内固定流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的开度[％]的动作。在动作PT2中，例如在所有期间(期间T1等)内，流量调整阀FCV-1的开度[％]固定为50[％]，流量调整阀FCV-n的开度[％]固定为20[％]。如此，通过固定各流量调整阀的开度并调整制冷剂的循环量，即使在等离子体处理中的热量输入不均匀的情况下，也能够任意控制各分室的制冷能力。动作PT2为动作PT1的具体例。
动作PT3为在期间T1、期间T2等每一期间内仅将流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n中任一个流量调整阀设为100[％]的开度的动作。在动作PT3中，例如在期间T1内，流量调整阀FCV-1的开度[％]设定为100[％]，在紧接着期间T1的期间T2内，流量调整阀FCV-n的开度[％]设定为100[％]。如此，通过对欲进行温度调节的分室调整制冷剂的供给时间，即使在等离子体处理中的热量输入不均匀的情况下，也能够任意控制各分室的制冷能力。动作PT3为动作PT1的具体例。
(第3实施例)
图15是表示一实施方式所涉及的温度调节系统CS的另一结构(第3实施例)的图。第3实施例所涉及的温度调节系统CS具有在第1实施例上增加排出管道DLu(第2排出管道)而成的结构。
排出管道DLu连接蒸发室VP与制冷单元CH。更具体而言，排出管道DLu连接蒸发室VP与制冷单元CH的冷凝装置CD，在蒸发室VP中，连接于向喷射口JO的上方延伸的气体扩散区域VPA。
第3实施例所涉及的制冷单元CH还具备压力计PRLu、止回阀CVLu、膨胀阀EVLu、调整阀AVu、压缩器CMu。压缩器CMu、调整阀AVu、膨胀阀EVLu、止回阀CVLu、压力计PRLu设置于排出管道DLu。
第3实施例所涉及的冷凝装置CD连接于压缩器CMu。压缩器CMu连接于调整阀AVu。调整阀AVu连接于膨胀阀EVLu。膨胀阀EVLu连接于止回阀CVLu。止回阀CVLu连接于压力计PRLu。压力计PRLu连接于蒸发室VP。
压力计PRLu、止回阀CVLu、膨胀阀EVLu、调整阀AVu、压缩器CMu各自的功能与压力计PRLd、止回阀CVLd、膨胀阀EVLd、调整阀AVd、压缩器CMd各自的功能相同。
调整阀AVu、膨胀阀EVLu、止回阀CVLu分别通过控制部Cnt来控制各自的开度[％]。
(第4实施例)
图16是表示一实施方式所涉及的温度调节系统CS的另一结构(第4实施例)的图。第4实施例所涉及的温度调节系统CS具有在第2实施例上增加排出管道DLu而成的结构。第4实施例所涉及的排出管道DLu具备分支管道DLu-1～分支管道DLu-n。
分支管道DLu-1～分支管道DLu-n分别连接于对应的分室VP-1～分室VP-n。在分支管道DLu-1～分支管道DLu-n上分别设置有止回阀CVLu-1～止回阀CVLu-n。
止回阀CVLu-1～止回阀CVLu-n可以设置于第1板18a的内部，也可以设置于下部电极LE的外部。止回阀CVLu-1～止回阀CVLu-n分别通过控制部Cnt控制各自的开度[％]。
分室VP-1～分室VP-n分别经由对应的分支管道DLu-1～分支管道DLu-n连接于设置于第1板18a的储存室RK，储存室RK经由排出管道DLu连接于制冷单元CH。排出管道DLu(包含分支管道DLu-1～分支管道DLu-n)经由储存室RK连接分室VP-1～分室VP-n的每一个与第4实施例所涉及的制冷单元CH。
从分室VP-1～分室VP-n分别排出的制冷剂分别经由分支管道DLu-1～分支管道DLu-n而储存到储存室RK，储存到储存室RK的制冷剂从储存室RK经由连接于储存室RK的排出管道DLu而送往制冷单元CH。
与第3实施例相同地，第4实施例所涉及的制冷单元CH还具备连接于排出管道DLu的压力计PRLu、止回阀CVLu、膨胀阀EVLu、调整阀AVu、压缩器CMu。第4实施例所涉及的压力计PRLu、止回阀CVLu、膨胀阀EVLu、调整阀AVu、压缩器CMu与第3实施例的情况相同。
图17是例示沿图16所示的X3-X3线切割的下部电极LE的截面的一方式的图。如图17所示，在第4实施例中，分室RT-1～分室RT-n的形状以及配置、管PP的配置、分支管道DLd-1～分支管道DLd-n的配置与图12所示的第2实施例的情况相同。
如图17所示，在第4实施例中，在多个管PP各自的附近还配置有连接于与管PP连通的分室(分室VP-1～分室VP-n)的排出管道DLu(分支管道DLu-1～分支管道DLu-n)。
(第5实施例)
图18是表示一实施方式所涉及的温度调节系统CS的另一结构(第5实施例)的图。第5实施例所涉及的温度调节系统CS具有多个制冷单元(制冷单元CH-1～制冷单元CH-n)。制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别具有与第2实施例的制冷单元CH相同的功能。尤其，制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别(例如制冷单元CH-1)对彼此连通的一组第2分室和第1分室(例如对连接于制冷单元CH-1的分室RT-1和分室VP-1)进行制冷剂的供给以及排出。
制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别具备对应的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n。第5实施例所涉及的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n分别具有与第1实施例～第4实施例分别所涉及的冷凝装置CD相同的功能。
分支管道SL-1～分支管道SL-n分别连接于对应的分室RT-1～分室RT-n，且连接对应的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n。例如，分支管道SL-1连接分室RT-1与制冷单元CH-1的冷凝装置CD-1。
分支管道DLd-1～分支管道DLd-n分别连接于对应的分室VP-1～分室VP-n，且连接于对应的冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n。例如，分支管道DLd-1连接分室VP-1与制冷单元CH-1的冷凝装置CD-1。
制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别具备膨胀阀EVC、压力计PRC。
制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别具备对应的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n，且具备对应的调整阀AVd-1～调整阀AVd-n。
制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别具备对应的膨胀阀EVLd-1～膨胀阀EVLd-n，具备对应的止回阀CVLd-1～止回阀CVLd-n，且具备对应的压力计PRLd-1～压力计PRLd-n。
冷凝装置CD-1～冷凝装置CD-n分别连接于膨胀阀EVC，且连接于对应的压缩器CMd-1～压缩器CMd-n。
与第2实施例相同地，第5实施例所涉及的温度调节系统CS具备流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n、压力计PRC-1～压力计PRC-n。流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n分别设置于对应的分支管道SL-1～分支管道SL-n。压力计PRC-1～压力计PRC-n分别设置于对应的分支管道SL-1～分支管道SL-n。流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n分别设置于对应的制冷单元CH-1～制冷单元CH-n与对应的压力计PRC-1～压力计PRC-n之间。压力计PRC-1～压力计PRC-n分别设置于对应的流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n与对应的分室RT-1～分室RT-n之间。通过调整流量调整阀FCV-1～流量调整阀FCV-n各自的开度[％]，能够调整从制冷单元CH-1～制冷单元CH-n分别供给到对应的分室RT-1～分室RT-n的制冷剂的流量。
图19是表示图7、图11、图15、图16、图18分别所示的温度调节系统CS所具备的蒸发室VP(进一步为分室VP-1～分室VP-n)的主要结构的图。在蒸发室VP的导热壁SF设置有多个突部BM。在分室VP-1～分室VP-n各自的导热壁SF设置有突部BM。突部BM与导热壁SF一体地设置，与导热壁SF相同地具有比较高的导热性。
在突部BM，管PP的喷射口JO配置成与突部BM相对。从喷射口JO向喷射方向DR喷射制冷剂，制冷剂喷淋到突部BM上。喷淋到突部BM的制冷剂能够从突部BM以及导热壁SF接收热量。通过喷淋到突部BM的制冷剂，突部BM以及导热壁SF的热量移动到该制冷剂，因此载置面FA能够通过该制冷剂排热。
另外，不仅是在导热壁SF设置突部BM的情况，作为具有与使用突部BM的情况相同效果的情况，能够利用在导热壁SF设置柱状散热片(具有1.0～5.0[mm]的直径以及1.0～5.0[mm]的高度的柱状散热片)的情况、在导热壁SF设置凹部(具有1.0～5.0[mm]的直径以及1.0～5.0[mm]的深度的凹部)的情况、增加导热壁SF的表面粗糙度的情况(具有6.3[μm]的Ra以及25[μm]的Rz的表面粗糙度)、通过热喷涂等对导热壁SF的表面施加多孔状的表面加工的情况等。
当在导热壁SF设置柱状散热片时以及在导热壁SF设置凹部时，与突部BM的情况相比，尤其制冷剂所喷淋的部分进一步被限定(更详细)，因此空间分辨率提高。当增加导热壁SF的表面粗糙度时，通过热喷涂等对导热壁SF的表面施加多孔状的表面加工时，与突部BM的情况相比，尤其制冷剂所喷淋的部分的表面积增加，因此导热系数提高。
根据第1实施例～第5实施例分别所涉及的温度调节系统CS的结构，从载置面FA的上方观察时，向热交换部HE的导热壁SF喷射制冷剂的多个喷射口JO遍及载置面FA内而分散配置，因此从载置面FA上方观察时，制冷剂能够不分位置而均匀地喷射到导热壁SF。因此，能够在对载置于载置面FA的晶片W的排热中减少每一位置的偏差。
排出管道DLd(包含分支管道DLd-1～分支管道DLd-n)在蒸发室VP(包含分室VP-1～分室VP-n)中连接于向喷射口JO的下方延伸的积液区域VPL，因此能够高效地回收积存在底壁SFa上的制冷剂。
并且，已气化的制冷剂由于导热系数下降而对热交换几乎没有帮助，因此在残留的状态下反而会成为阻碍热交换的主要原因。因此优选已气化的制冷剂迅速排出。因此，排出管道DLu设置于蒸发室VP(包含分室VP-1～分室VP-n)中向喷射口JO的上方延伸的气体扩散区域VPA，因此能够迅速地回收在导热壁SF的周围存在的制冷剂的蒸气。
并且，如第2实施例、第4实施例、第5实施例，蒸发室VP以及储存室RT分别分割为彼此隔离的多个分室(分室VP-1～分室VP-n、分室RT-1～分室RT-n)时，由于从载置面FA的上方观察时，多个分室遍及载置面FA内而分散配置，因此能够在对载置于载置面FA的晶片W的排热中进一步减少每一位置的偏差。
并且，如第2实施例、第4实施例、第5实施例，储存室RT分割为彼此隔离的多个分室RT-1～分室RT-n时，能够调整向各分室供给的制冷剂的流量，因此能够针对每一位置细致地控制对晶片W的排热，从而能够在对晶片W的排热中进一步减少每一位置的偏差。
并且，如第2实施例、第4实施例、第5实施例，蒸发室VP以及储存室RT分别分割为彼此隔离的多个分室(分室VP-1～分室VP-n、分室RT-1～分室RT-n)时，针对储存室RT的分室RT-1～分室RT-n分别单独设置对应的制冷单元CH-1～制冷单元CH-n，制冷剂的循环能够分别通过单独的制冷单元CH-1～制冷单元CH-n来彼此独立地进行，因此能够针对每一位置更进一步细致地控制对晶片W的排热。
以上，在优选的实施方式中图示并说明了本发明的原理，但本发明在不脱离这种原理的情况下能够变更配置以及详细内容，这已是本领域技术人员所认知的。本发明并不限定于本实施方式中公开的特定的结构。因此，对来自于申请专利范围及其精神范围的所有的修正以及变更申请权利。
如上所述，提供一种适当地对载置被处理体的载置台进行清理的技术。

Claims (7)

1.一种等离子体处理装置的部件的清理方法，其中，
所述清理方法具备去除形成在设置于所述等离子体处理装置且载置被处理体的载置台上的反应产物的工序，
所述载置台具备设置于所述等离子体处理装置且进行基于制冷剂的热交换的热交换部，
去除所述反应产物的所述工序具备：
将伪晶片载置于所述载置台的工序；
使所述载置台的温度上升的工序；以及
在使所述载置台的温度上升后进行所述反应产物的去除的工序，
使所述载置台的温度上升的所述工序中，打开将从所述热交换部排出且经压缩后的所述制冷剂冷凝并供给到该热交换部的冷凝器的输出端与该热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向所述载置台输入热量，并且打开将从该热交换部排出的该制冷剂压缩并供给到该冷凝器的压缩器的输出端与该热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节该分流阀的开度，由此使该载置台的温度上升。
2.根据权利要求1所述的清理方法，其中，
所述反应产物具有碳、氟以及硅。
3.根据权利要求1或2所述的清理方法，其中，
进行所述反应产物的去除的所述工序中，使用包含氟的气体与包含氧的气体的混合气体来进行所述反应产物的去除。
4.根据权利要求3所述的清理方法，其中，
所述包含氟的气体包含CF4、NF3、C4F8中的至少一种，
所述包含氧的气体包含O2、O3、CO、CO2、COS中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的清理方法，其还具备根据进行所述反应产物的去除的所述工序的结束而结束向所述载置台的热量输入的工序。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的清理方法，其中，
向所述载置台的热量输入通过等离子体来进行。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的清理方法，其中，
所述载置台具备加热器，
向所述载置台的热量输入通过所述加热器来进行。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6994419B2 (ja) * 2018-03-29 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 冷却システム
CN113410113A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050221020A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
US20050279384A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Guidotti Emmanuel P Method and processing system for controlling a chamber cleaning process
US20070091537A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
US20090126378A1 (en) * 2007-11-20 2009-05-21 Hyun-Myung Oh Chiller of etch equipment for semiconductor processing
CN102899636A (zh) * 2012-09-26 2013-01-30 中微半导体设备(上海)有限公司 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2526755B2 (ja) * 1991-11-12 1996-08-21 ダイキン工業株式会社 海上コンテナ用冷凍装置の運転制御装置
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
DE19904311A1 (de) * 1998-02-06 1999-08-12 Nat Semiconductor Corp Verfahren zum Aufbringen eines kohlenstoffdotierten Dünnfilms aus Siliciumoxid auf ein Substrat
TW505770B (en) * 2000-05-02 2002-10-11 Nishiyama Corp Temperature controller
JP2002134664A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体冷却装置及びその制御方法
JP4041722B2 (ja) * 2002-11-05 2008-01-30 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US7178353B2 (en) 2004-02-19 2007-02-20 Advanced Thermal Sciences Corp. Thermal control system and method
KR100684902B1 (ko) * 2005-05-30 2007-02-20 삼성전자주식회사 온도 조절 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고상기 장치의 온도를 제어하는 방법
US20080006044A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Ziming Tan Method for controlling temperature
EP2198217B1 (en) 2007-10-09 2017-05-10 BE Aerospace, Inc. Thermal control system
US9558980B2 (en) * 2008-04-30 2017-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters
JP5185790B2 (ja) * 2008-11-27 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2010159945A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Sho Cho 温度制御装置の冷凍機制御方法
US8453468B1 (en) * 2009-03-18 2013-06-04 Be Aerospace, Inc. System and method for thermal control of different heat loads from a single source of saturated fluids
KR101132186B1 (ko) * 2010-04-07 2012-04-05 주식회사 대일 산업용 냉각기의 온도제어 시스템
JP6320897B2 (ja) * 2014-10-24 2018-05-09 株式会社ラスコ 温度制御方法
KR101752740B1 (ko) * 2015-07-23 2017-06-30 유니셈(주) 반도체 공정용 칠러의 전력 절감방법
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050221020A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
TW200535277A (en) * 2004-03-30 2005-11-01 Tokyo Electron Ltd Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
US20050279384A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Guidotti Emmanuel P Method and processing system for controlling a chamber cleaning process
US20070091537A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
US20090126378A1 (en) * 2007-11-20 2009-05-21 Hyun-Myung Oh Chiller of etch equipment for semiconductor processing
CN102899636A (zh) * 2012-09-26 2013-01-30 中微半导体设备(上海)有限公司 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法

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