CN110346988A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于,提供一种在显示装置完成后也能够将可容易读取的信息码以节省空间的方式配置于基板非重叠区域内的显示装置。在阵列基板(12)的不与CF基板(11)重叠的基板非重叠区域(NOA),将用于将设置于CF基板(11)的保护电极层(导电体的一个示例)(19)与大地电连接的接地焊盘(端子焊盘的一个示例)(30)的至少一部分设为可透射光的透明电极部(光透射部)(32),使二维码(信息码的一个示例)(40)以在俯视时与接地焊盘(30)重叠并且透明电极部(32)覆盖二维码(40)的上表面的方式设置。
Description
技术领域
本说明书公开的技术涉及一种显示装置。
背景技术
作为根据电信号显示图像的显示单元,已知有在第一基板与具有比第一基板大的面积的板面的第二基板之间密封有电光学物质的构成的显示面板。电光学物质是指,通过电信号(电流信号或电压信号)的供给而透射率、亮度这样的光学的特性发生变化的物质,例如包含液晶、有机EL等。第二基板在俯视时被划分为,以与第一基板重叠的方式配置的基板重叠区域和以其一个侧缘部从第一基板的一个侧缘延伸的方式配置且不与第一基板重叠的基板非重叠区域。在基板重叠区域内的图像显示区域,向配置于该区域的电光学物质供给电信号,从而从第一基板的外面侧显示可读取的图像。并且在基板非重叠区域安装COG(chip on glass)有用于供给电信号的电子部件等,形成有用于对用于传输电信号的传输部件等进行连接的端子焊盘。在基板非重叠区域还设置有记载有用于实施基板的制造、检査的历史管理的信息等的信息码。
近年来,正在推进显示面板的异形化、狭窄边框化,基板非重叠区域的面积缩小。为了应对上述情况,正在推进端子焊盘、信息码自身的缩小,另一方面,谋求将端子焊盘、信息码以节省空间的方式配置于基板的技术。
下述专利文献1中公开了,在液晶显示装置中,在和阵列基板(相当于所述的第二基板)经由基板间导通材料与对置基板(相同地相当于第一基板)导通的基板间导通区域平面性地重叠的位置,从显示面板的背面侧、即阵列基板的外面侧标注可读取的识别标记(相同地相当于信息码),来应对显示面板的狭窄边框化并且确保识别标记形成区域的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-255853号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在所述的液晶显示装置中,在显示面板中在具有其它作用的元件(基板间导通材料)的背面侧重叠配置识别标记,实现了节省空间化。然而,在通常的构成的透射型液晶显示装置中,在阵列基板的外面侧、即显示面板的背面侧安装有背光源单元。由此,在显示装置的完成后,为了从显示面板的背面侧读取识别标记图案,而需要对背光源单元进行拆装。另一方面,在与对置基板的基板间导通区域平面性地重叠的位置,设置有用于遮光的不透明的遮光层(黑矩阵层、BM层)。由此,为了从显示面板的表面侧(图像显示面侧)读取识别标记图案,需要在遮光层上开口,存在有导致光泄漏的可能性。因此,在液晶显示装置的完成后,从任意的面均无法容易地读取识别标记图案。
本技术是基于所述那样的实际情况而完成的,其目的在于,在显示装置的完成后也能够将可容易地读取的信息码以节省空间的方式配置于基板非重叠区域内。
解决问题的手段
本说明书公开显示装置,具备:
显示单元,其具有第一基板以及第二基板,并根据电信号显示图像;
端子焊盘,其用于将设置于所述第一基板或所述第二基板的导电体与用于供给所述电信号的信号源或大地电连接;及
信息码,其可光学读取地表示信息,
所述第二基板俯视时被划分为,以与所述第一基板重叠的方式配置的基板重叠区域、和以一个侧缘部从所述第一基板的一个侧缘延伸的方式配置且不与所述第一基板重叠的基板非重叠区域,
所述端子焊盘的至少一部分为可透射光的光透射部,
所述端子焊盘以及所述信息码被设为,在所述第二基板中与所述第一基板对置的一个板面上的所述基板非重叠区域,俯视时相互重叠并且所述光透射部覆盖所述信息码的上表面。
所述“导电体”除包含由金属、导电体树脂等导电性物质形成的布线以外,还包含电极等导电性构件。此外,“电连接”不仅包含导电性的构件彼此直接连接的情况,还包含经由其他导电性的构件间接地连接的情况。“可透射光”优选,以可透射可视光的方式形成为透明的部件,但并不限定于此,还包含以可透射红外光、激光等特定的波长的光的方式形成的部件,能够通过照射这些光读取信息码所示的信息即可。
根据所述构成,通过以俯视时与端子焊盘重叠的方式设置信息码,能够在基板非重叠区域内以节省空间的方式配置。在此,信息码在第二基板的一个板面上的基板非重叠区域,配置于形成端子焊盘的一部分的光透射部的下层,因此能够从端子焊盘的上方光学性地读取信息码。在显示装置制造工序中,在信息码以及端子焊盘的形成后,即使在端子焊盘的光透射部的上表面附着形成导电路的一部分的不透明的导电带、导电糊剂,也可根据需要将其去除并利用酒精进行擦拭等,从而能够从端子焊盘的上方、即显示面板的表面侧光学性地读取信息码。在信息的读取后,如果在光透射部的上表面再粘贴或者再涂布导电带、导电糊剂,则能够直接使用显示装置。另外,作为第二基板,通常使用透明的基板。在该情况下,也能够从第二基板的其他板面侧、即作为显示单元的显示面板的背面侧读取信息码,因此对于无需在显示面板的背面侧安装背光源单元的反射型液晶显示装置、有机EL显示装置是有用的。如此,根据本技术,在显示装置的完成后也能够将可容易读取的信息码以节省空间的方式配置于基板非重叠区域上。
发明效果
根据本技术,在应对由显示面板的异形化、狭窄边框化引起的基板非重叠区域的缩小的同时,例如能够实施显示装置的可追溯性管理(制造、检査的历史管理)。另外,信息码所示的信息并不限于可追溯性管理,也能够预先将各种信息标注于显示装置。
附图说明
图1为表示第一实施方式的液晶显示装置的液晶面板的平面构成的概要的示意图。
图2为表示图1的A-A截面构成的概要的示意图。
图3为表示图1的B-B截面构成的概要的示意图。
图4A为表示接地焊盘的平面构成的概要的示意图。
图4B为表示二维码的平面构成的概要的示意图。
图4C为表示重叠配置的接地焊盘以及二维码的平面构成的概要的示意图。
图5为表示图1的C-C截面构成的概要的示意图。
图6为表示第二实施方式的、重叠配置的接地焊盘以及二维码的平面构成的概要的示意图(导电糊剂涂布前)。
图7为表示导电糊剂涂布状态的图6的D-D截面构成的概要的示意图。
图8为表示第三实施方式的重叠配置的接地焊盘以及二维码的平面构成的概要的示意图(导电糊剂涂布前)。
图9为表示涂布有导电糊剂的状态的图8的E-E截面构成的概要的示意图。
具体实施方式
<第一实施方式>
根据图1至图5对第一实施方式进行说明。在第一本实施方式中,例示了具备位置输入功能的液晶显示装置(显示装置的一个示例)1。另外,在各附图的一部分示出X轴、Y轴以及Z轴,各轴向在各图中以成为同一方向的方式描绘。此外,将图2、图3、图6、以及图8的上侧作为表侧,将这些图的下侧作为背侧,针对多个同一构件,有时对一个构件标注附图标记而对于其他构件省略附图标记。
第一本实施方式的液晶显示装置1用于便携式电话终端(包含智能电话等)、笔记本电脑(包含平板型笔记本电脑等)、可穿戴终端(包含智能手表等)、便携式信息终端(包含电子书、PDA等)、便携式游戏机、及数字相框等各种电子设备(未图示)。因此,液晶面板10的画面尺寸为几英寸~十几英寸程度,通常为按照小型或中小型分类的大小。本技术应用并不限定于这样的显示装置,但对于整体比较小且基板非重叠区域的面积特别小的显示装置是特别有用的。
对液晶显示装置1的概要构成进行说明。
如图1所示,液晶显示装置1至少具备:作为整体而呈竖长的长方形并在表面显示图像的液晶面板(显示单元的一个示例)10、和安装于液晶面板10的背面侧并照射用于显示的照明光的背光源单元。对于背光源单元省略图示,但具有相对于液晶面板10发出白色的光(白色光)的光源(例如LED等)、对来自光源的光赋予光学作用而转换为面状的光的光学构件等。如参照图2等在下文叙述那样,第一本实施方式中例示的液晶面板10是内装有触控面板传感器的、所谓的内嵌型的触控面板。另外,也可以是在液晶面板10的表侧配置例如未图示的框状构件(边框),以夹入的方式保持液晶面板10的外周部分(后述的非显示区域NAA)的构成。
对液晶面板10进行说明。
如图1所示,液晶面板10作为整体呈竖长的方形(矩形),分别统一为,其长边方向为Y轴向,短边方向为X轴向。液晶面板10被划分为可显示图像的显示区域(有源区域)AA和呈包围显示区域AA的窄边框状(框状)并且不可显示图像的非显示区域(无源区域)NAA。另外,图1中比CF基板11小一圈的框状的单点划线表示显示区域AA的外形,该单点划线的外侧的区域为非显示区域NAA。
液晶面板10通过粘贴一对基板11、12而成,配置于表侧的是CF基板(为对置基板,相当于第一基板)11,配置于背侧(背面侧)的是阵列基板(为显示装置用基板、有源矩阵基板,相当于第二基板)12。另外,在液晶面板10中,图像以从表侧的面、即CF基板11的外侧的板面可目视确认的方式显示。如图1所示,阵列基板12为,板面的面积比CF基板11大且短边的长度尺寸与CF基板11大概相同,但长边的长度尺寸形成得比CF基板11大,以使形成一方(图1所示的上侧)的短边的侧缘对齐的状态粘贴相对于CF基板11。因此,包含阵列基板12的另一方(图1所示的下侧)的短边的侧缘部(相当于一个侧缘部)从CF基板11的下侧的侧缘(相当于一个侧缘)延伸,并以横跨规定范围的方式存在于不与CF基板11重合的区域。在阵列基板12中,将与CF基板11俯视时重叠的区域设为基板重叠区域OA,将与CF基板11俯视时不重叠的区域设为基板非重叠区域NOA。如图1所示,在基板重叠区域OA的中央部划分所述的显示区域AA,基板重叠区域OA的外周端部为非显示区域NAA。在基板非重叠区域NOA,其整个区域为非显示区域NAA。并且,在基板非重叠区域NOA安装有用于供给显示功能、触控面板功能的各种信号的各种电子部件。另外,第一本实施方式的阵列基板12为,基板非重叠区域NOA的两个角部被切掉而异形化,伴随于此基板非重叠区域NOA的面积缩小。
在相互呈对置状的一对基板11、12之间,如图2以及图3所示,至少夹装有包含作为电光学物质的液晶分子的液晶层13和用于密封液晶层13的密封部14。密封部14在作为非显示区域NAA的基板重叠区域OA的外周端部以横跨该外周端部的整周而延伸的方式,设置于两基板11、12之间,作为整体俯视时呈方形的框状(无端环状)。利用该密封部14,在两基板11、12的外周端部保持与液晶层13的厚度对应的间隔(单元间隙)。另外,在粘贴液晶面板10的制造工序中的分别单独制造而成的CF基板11以及阵列基板12时设置密封部14,因此与两基板11、12中的外周端部的最内表面接触并且位于最上层。此外,如图2所示,在显示区域AA中的两基板11、12之间,夹装有用于保持单元间隙的光感应间隙材料18。另外,在两基板11、12的最外侧的面分别粘贴有偏振板11P、12P。
接着,参照图2以及图3对液晶面板10的内部构造进行说明。另外,在图2以及图3中,内部构造的各种构造物的图示被简单化。
CF基板11以及阵列基板12分别具备由无碱玻璃、石英玻璃等构成的透明的玻璃基板11G、12G,在各个玻璃基板11G、12G上通过已知的光刻法等层压有多个膜。
对设置于阵列基板12的基板重叠区域OA的构造进行说明。
如图2以及图3所示,在玻璃基板12G的内表面(表侧的面、与CF基板11对置的板面)上,分别在显示区域AA设置有像素电路部21,在非显示区域NAA设置有周边电路部22以及接线部23。在这些上层设置有两层平坦化层28,在显示区域AA中的平坦化层28的上层设置有还作为触控电极26发挥功能的共用电极25、电极间绝缘层(层间绝缘膜)29、以及像素电极24。
虽省略详细的图示,但形成于玻璃基板12G上的显示区域AA内的像素电路部21至少具有:传输扫描信号的栅极布线(扫描布线)、传输图像信号的源极布线(信号布线)、及作为与栅极布线以及源极布线连接的开关元件的TFT(Thin Film Transistor)。
栅极布线由形成于玻璃基板12G上表面的第一金属层构成,沿着X轴向延伸并沿着Y轴向空开间隔排列设置多根。源极布线例如隔着由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx,例如x=2)等透明的绝缘材料形成的栅极绝缘层,而由配置于第一金属层的上层侧的第二金属层构成,沿着Y轴向延伸并沿着X轴向空开间隔排列配置多根。第一金属层以及第二金属层例如由铜、钛等金属材料形成。TFT为已知的结构,具有由半导体层构成的沟道部等,所述半导体层由例如氧化铟镓锌(IGZO)等氧化物半导体材料形成。虽图2等中未示出,但TFT除与栅极布线以及源极布线连接以外,还在设置于平坦化层28的接触孔中与像素电极24连接。基于传输至栅极布线的扫描信号TFT被驱动,通过经由TFT的沟道部而传输至源极布线的图像信号向像素电极24供给,像素电极24以规定的电位被充电。
在像素电路部21的上层侧隔着平坦化层28等设置有由第二透明电极层构成的像素电极24。在显示区域AA内,TFT以及像素电极24配置于俯视时被栅极布线以及源极布线包围的区域,沿着X轴向以及Y轴向矩阵状地并列配置有多个。并且,在像素电极24的下层侧隔着电极间绝缘层29而设置有由第一透明电极层构成的共用电极25。另外,第一透明电极层与第二透明电极层均由ITO(Indium Tin Oxide)等透明电极材料形成。配置于像素电极24与共用电极25之间的电极间绝缘层29例如由与上述的栅极绝缘层同样的材料形成。第一本实施方式的共用电极25兼具作为检测伴随着位置输入的静电容量的变化的电极(后述的触控电极26)的作用,作为整体具有与显示区域AA同等的大小,但呈格子状被分割为多个片段。多个各片段远大于像素电极24,分别与多个像素电极24重叠,并且,分别与后述的驱动器50连接。至少在图像显示期间,向共用电极25的各片段供给大致同等的基准电位,在像素电极24之间会产生基于向像素电极24充电的电位的电位差。在基于共用电极25与像素电极24之间的电位差而产生的电场中,在沿着阵列基板12的板面的成分的基础上,还包括包含相对于阵列基板12的板面的法线方向的成分的边缘电场(倾斜电场)。因此,该液晶面板10为,利用边缘电场对液晶层13所包含的液晶分子的取向状态进行控制的所谓的FFS(FringeField Switching)模式。在图像非显示期间,如详细地在下文中叙述那样,构成共用电极25的各片段作为触控电极26发挥功能,触控电极26通过分别连接的驱动器50计算出静电容量的变化,来特定显示区域AA中的输入位置(内嵌触控面板功能)。
虽省略详细的说明,但在形成于玻璃基板12G上的非显示区域NAA内的周边电路部22,包含一对栅极驱动器电路部、预充电电路部、以及SSD(Source Shared Driving)电路部22A。
栅极驱动器电路部分别配置于阵列基板12的非显示区域NAA中的一对长边部,以沿着Y轴向而横跨显示区域AA的大致整体长度延伸的方式设置。各栅极驱动器电路部与从显示区域AA引出的各栅极布线连接,从而能够按顺序扫描各栅极布线来对各TFT进行驱动。预充电电路部配置于阵列基板12的非显示区域NAA中的与安装有驱动器50的一侧相反侧的短边部,以沿着X轴向横跨显示区域AA的大致整体长度延伸的方式设置。预充电电路部与从显示区域AA向与驱动器50侧相反侧引出的各源极布线等连接,例如具有如下功能:在从驱动器50向各源极布线供给图像信号之前向各源极布线供给预充电信号,预先以规定的电位对各像素电极24进行充电的预充电功能等。SSD电路部22A配置于阵列基板12的非显示区域NAA中的安装有驱动器50的一侧的短边部,以沿着X轴向横跨显示区域AA的大致整体长度延伸的方式设置。SSD电路部与从显示区域AA向驱动器50侧引出的各源极布线连接,具有将从驱动器50供给的图像信号向各源极布线分配的开关功能。
以上说明的周边电路部22配置为,俯视时以从四面横跨大致整周的方式包围方形的显示区域AA。另外,在图2以及图3所示的周边电路部22配置有SSD电路部22A。周边电路部22俯视时在非显示区域NAA配置于比密封部14靠内部并与显示区域AA相邻,并配置为夹装于像素电路部21与接线部23之间,与密封部14非重叠。另外,各电路部利用设置于后述的基底布线部20的未图示的连接布线分别与驱动器50连接。
周边电路部22所包含的各电路部均包含:由构成栅极布线、源极布线的第一金属层以及第二金属层构成的布线、由这些金属层以及与上述的沟道部相同的半导体层构成的TFT等电路元件、由栅极绝缘层构成的绝缘膜。也就是说,各电路部作为配置于非显示区域NAA的各金属层以及半导体层等基底,在玻璃基板12G上形成为单片。
在接线部23中,形成周边电路部22的布线、源极布线等与由其它金属层构成的连接布线相连。在接线部23中设置有通过对夹装于金属层间的绝缘层进行开口而用于对布线彼此进行接线的接触孔(未图示)。接线部23俯视时配置于比非显示区域NAA中的周边电路部22靠外部,大部分成为与密封部14俯视时重叠的配置。另外,在阵列基板12的基板非重叠区域NOA中的玻璃基板12G上,以与接线部23相邻的方式设置有基底布线部20,利用布置于基底布线部20内的各连接布线与安装于基底布线部20上的后述的驱动部件、信号传输部件连接。
在阵列基板12中的像素电路部21、周边电路部22以及接线部23的上层侧,如图2以及图3所示,设置有平坦化层28。平坦化层28由第一平坦化层(第一有机绝缘层)28A以及第二平坦化层(第二有机绝缘层)28B构成。第一平坦化层28A以及第二平坦化层28B在阵列基板12的基板重叠区域以横跨显示区域AA和非显示区域NAA的范围的方式设置为大概整面状。第一平坦化层28A以及第二平坦化层28B例如由丙烯酸树脂(例如PMMA等)等有机绝缘材料构成,具有比由无机材料构成的其他绝缘层大的厚度,可起到使自身的下层侧产生的台阶平坦化的功能。第一平坦化层28A配置于像素电路部21、周边电路部22以及接线部23的紧挨着的上侧并从上侧对它们进行覆盖,并配置于第二平坦化层28B的下层侧。在配置于第一平坦化层28A的上侧的第二平坦化层28B的更加上侧设置有上述的共用电极25。虽图中未示出,但在第一平坦化层28A以及第二平坦化层28B,在显示区域AA开设形成有用于使像素电极24等与像素电路部21连接的接触孔。
本实施方式的液晶面板10兼具显示图像的显示功能、基于显示的图像对使用者输入的位置(输入位置)进行检测的触控面板功能(位置输入功能),使用于发挥其中的触控面板功能的触控面板图案一体化(内嵌化)。该触控面板图案为所谓的投影型静电容量方式,其检测方式为自电容方式。
触控面板图案专门设置于一对基板11、12中的阵列基板12侧,由阵列基板12的显示区域AA内呈矩阵状排列配置的多个触控电极(位置检测电极)触控电极26构成。因此,液晶面板10中的显示区域AA与可检测输入位置的触控区域(位置输入区域)大致一致,非显示区域NAA与不可检测输入位置的非触控区域(非位置输入区域)大致一致。使用者基于目视确认的液晶面板10的显示区域AA的图像进行位置输入,当未图示的手指(位置输入体)靠近液晶面板10的表侧的面(显示面)时,在作为导电体的手指与触控电极26之间形成有静电容量。由此,由处于手指的附近的触控电极26检测到的静电容量,伴随着手指靠近而发生变化,与处于远离手指的触控电极26不同,因此能够基于上述情况对输入位置进行检测。
在本实施方式中,如上述那样,共用电极25在图像非显示期间作为触控电极26发挥功能。更详细而言,通过将共用电极25分隔为大致格子状而俯视时分割为棋盘格状且电气独立的多个片段,分别构成触控电极26。多个触控电极26俯视时呈方形,在显示区域AA沿着X轴向以及Y轴向而呈矩阵状分别排列配置有多个,使阵列基板12分别与形成为矩阵状的多个像素电极24重叠。在多个触控电极26选择性地连接有设置于阵列基板12的多个触控布线(位置检测布线)27。
触控布线27在阵列基板12上与源极布线重叠且以平行的方式沿着Y轴向延伸,与沿着Y轴向排列的多个触控电极26中的特定的触控电极26选择性地连接。而且触控布线27与内置检测电路的驱动器50连接。另外,检测电路也可以隔着柔性基板60而安装于液晶面板10的外部。触控布线27将显示功能的基准电位信号和触控功能的触控信号(位置检测信号)以不同的定时向触控电极26供给。其中的基准电位信号以相同的定时向所有触控布线27传输,从而所有触控电极26成为基准电位并作为共用电极25发挥功能。
触控布线27如图2以及图3所示,配置于第一平坦化层28A的上侧且第二平坦化层28B的下层侧,由作为与栅极布线、源极布线不同的金属层的第三金属层构成。在夹装于触控布线27与触控电极26(共用电极25)之间的第二平坦化层28B,开设形成有未图示的触控布线用接触孔(位置检测布线用接触孔),触控布线27与触控电极26连接。触控布线27以横切所有的触控电极26的方式大概沿着Y轴向延伸,但通过触控布线用接触孔的平面配置仅相对于特定的触控电极26选择性地连接。此外,触控布线27在上述的接线部23与由其它金属层构成的连接布线相连。
对设置于CF基板11的构造进行说明。
如图2以及图3所示,在CF基板11的玻璃基板11G的内表面(背侧的面、与阵列基板12对置的板面)上,在显示区域AA,在与各像素电极24重叠的位置设置有许多个滤色器15。滤色器15呈现红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这三个颜色并沿着X轴向重复交替地排列配置,并且它们沿着Y轴向延伸,从而作为整体配置为条状。在玻璃基板11G的内表面上还为了对相邻的滤色器15间进行分隔来防止混色等,而遮光部(黑矩阵)16设置于横跨显示区域AA和非显示区域NAA的范围。遮光部16在显示区域AA呈与栅极布线以及源极布线重叠的格子状,但在非显示区域NAA呈整面状。在滤色器15以及遮光部16的上层(液晶层侧)形成有外涂层(对置侧绝缘膜)17。外涂层17在CF基板11上呈大概整面状设置于横跨显示区域AA和非显示区域NAA的范围。外涂层17与两平坦化层28A、28B同样地,例如由丙烯酸树脂(例如PMMA等)等有机材料构成,发挥使自身的下层侧产生的台阶平坦化的功能。在外涂层17上,在显示区域AA设置有遮光部16的位置,选择性地突出形成有光感应间隙材料18。光感应间隙材料18例如能够由与外涂层17相同的材料形成,通过其突出端与阵列基板12抵接,可起到维持规定的单元间隙的功能。
另外,如图2以及图3所示,在两基板11、12中的与液晶层13接触的最内表面,分别设置有用于使液晶层13所包含的液晶分子取向的取向层11M、12M。取向层11M、12M均例如由聚酰亚胺构成,例如为通过照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而能够使液晶分子沿着该光的照射方向取向的光取向膜。取向层11M、12M分别在各基板11、12至少呈整面状形成于显示区域AA的大致整个区域。即,阵列侧的取向层12M在至少显示区域AA从上层侧遍及整个区域地覆盖包含像素电极24等的构造物。CF侧的取向层11M在至少显示区域AA从上层侧覆盖外涂层17的整个区域以及光感应间隙材料18。
在此,在第一本实施方式的CF基板11上,在玻璃基板11G的外侧(表侧的面、和与阵列基板12对置的板面相反侧的板面)设置有保护电极层19。在保护电极层19的更靠外侧设置有上述的偏振板11P,但偏振板11P形成得比玻璃基板11G小一圈,在CF基板11的基板非重叠区域NOA侧(图1中的下侧、图2以及图3中的左侧)的侧缘部,保护电极层19露出。该保护电极层19能够由与设置于阵列基板12的第一透明电极层以及第二透明电极层同样的透明电极材料形成。保护电极层19可起到保护液晶面板10免受外部噪声的影响的功能,以横跨玻璃基板11G的外侧面(液晶面板10的表侧的面)的整个区域的方式呈整面状设置。
接下来,对设置于阵列基板12的基板非重叠区域NOA的构造进行说明。
如图2所示,在玻璃基板12G的表侧的面上的基板非重叠区域NOA,以与设置于基板重叠区域OA的接线部23相邻的方式设置有基底布线部20。虽省略详细的说明,但从形成周边电路部22的布线、源极布线等像上述那样引出接线部23中更换连接的连接布线,并配置于基底布线部20内,和用于与各安装部件等连接的端子连接。在基底布线部20内还布置有用于向液晶面板10的各构件供给接地电位的接地布线36,例如经由后述的柔性基板60等与大地连接。
在第一本实施方式中,如图1以及图2所示,作为用于供给显示功能、触控面板功能的各种信号的部件,驱动器(面板驱动部件)50以及柔性基板(信号传输部件)60安装于基板非重叠区域NOA的表侧的面。
驱动器50由在内部具有驱动电路的LSI芯片构成,并相对于阵列基板12安装COG(ChipOn Glass),对由柔性基板60传输的各种信号进行处理。柔性基板60在具有绝缘性以及挠性的基材上形成有多根布线图案,液晶面板10的阵列基板12与设置于液晶面板10的外部的信号源80连接,从而将从信号源80输出的各种信号向液晶面板10传输。
所述的驱动器50以及柔性基板60,例如隔着各向异性导电膜(ACF:AnisotropicConductive Film),相对于设置于基底布线部20的表侧的面的端子、端子焊盘电连接且机械连接。或者也可以是经由连接器等进行连接的构成。
那么,在第一本实施方式中,在基板非重叠区域NOA,在与配置于基底布线部20内的接地布线36连接的端子上形成有接地焊盘(端子焊盘的一个示例)30。接地焊盘30为了向设置于CF基板11的保护电极层19供给接地电位而成为用于与大地连接的构造,如图1以及图3所示,从保护电极层19的一端部以横跨接地焊盘30的上表面的方式涂布导电糊剂39,从而保护电极层19与接地焊盘30连接。并且,在第一本实施方式中,在接地焊盘30的下层侧(基底布线部20以及玻璃基板12G侧),重叠配置有记载有用于对液晶面板10进行识别管理的信息的二维码(信息码的一个示例)40。以下,参照图3至图5对这些构造以及配置详细地进行说明。
首先,参照图3、图4A以及图5等对接地焊盘30的构造进行说明。
如图3所示,接地焊盘30包含金属部31和透明电极部32。金属部31由金属材料构成,并形成为使上述的基底布线部20的上表面(与玻璃基板12G的抵接面相反侧的面)与接地布线36连接。如图4A所示,第一本实施方式的金属部31俯视时呈一方(图1、图4A以及图4C下方)开口的大致U字状,并形成为从三面包围后述的二维码40的方形框状。另一方面,透明电极部32为可透射可视光的光透射部并由透明电极材料构成,俯视时呈与金属部31大致相同的大小的方形,以从上层侧(表侧)封闭形成于金属部31的内侧的开口的方式重叠。在第一本实施方式中,如图3以及图5所示,在金属部31与透明电极部32之间配置有由透明的绝缘性材料构成的绝缘膜33。第一本实施方式的绝缘膜33形成于除了端子、端子焊盘的形成区域的基板非重叠区域NOA的整个区域,以覆盖金属部31、后述的二维码40的金属基材41、以及设置有上述部件的基底布线部20的上表面的方式形成。在第一本实施方式的接地焊盘30中,在配置于金属部31的上表面的绝缘膜33开设形成有多个接触孔33C。在接触孔33C中以填埋被去除的绝缘膜33的间隔的方式设置有金属埋设膜34,下表面配置为与金属部31接触,上表面配置为与透明电极部32接触。由此,CF基板11的保护电极层19经由导电糊剂39、透明电极部32、金属埋设膜34、金属部31与接地布线36电连接。另外,通过将金属埋设膜34埋设于接触孔33C,能够抑制因绝缘膜33侧缘的台阶而在透明电极部32中产生膜破裂等缺陷的情况。金属埋设膜34根据接触孔33C的状态等适当配置即可。
另外,金属部31例如能够使用与由形成于上述的像素电路部21内的第一金属层或第二金属层构成的源极布线、栅极布线同样的材料来形成,绝缘膜33例如能够使用与作为绝缘层的第一平坦化层28A同样的材料来形成,金属埋设膜34例如能够使用与由第三金属层构成的触控布线27同样的材料来形成,透明电极部32例如能够使用与由第二透明电极层构成的像素电极24同样的材料来形成。通过如此设置,在形成构成基板重叠区域OA中的各构造的层的同时,能够按顺序层压形成构成接地焊盘30的各部。
接着,参照图3、图4B以及图5等对二维码40的构造进行说明。
第一本实施方式的二维码40沿着横(水平)、竖(垂直)这双方向具有信息,如图3以及图5所示,在形成于基底布线部20的上表面的由金属材料构成的方形的金属基材41上开设形成有很多圆形的孔42。即,在二维码40中,根据设置于金属基材41的孔42的大小、数量、配置而记载有各种信息。第一本实施方式的金属基材41形成为比被划分为上述的接地焊盘30的金属部31的内侧的开口小一圈的方形。
另外,金属基材41例如能够使用与上述的金属部31同样的材料形成。通过如此设置,在基板重叠区域OA内形成由第一金属层或第二金属层构成的源极布线、栅极布线,在基板非重叠区域NOA形成金属部31的同时,能够形成金属基材41。此时,例如能够在通过光刻法布置形成源极布线、栅极布线等时一并开设形成孔42。
接着,参照图3、图4C以及图5等对接地焊盘30与二维码40的相对配置进行说明。
接地焊盘30与二维码40,在基板非重叠区域NOA,以俯视时相互重叠的方式配置。在第一本实施方式中,接地焊盘30的透明电极部32比二维码40的金属基材41大,如图4C所示,在被划分为金属部31的内侧的开口内,以不与金属部31连接的状态(分离状态)配置有金属基材41。通过如此配置,透明电极部(光透射部)32覆盖金属基材41的上表面整体,在能够从接地焊盘30的上表面目视确认配置于金属部31的内侧的金属基材41的孔42的状态下,重叠配置有接地焊盘30和二维码40。
在此,如图3以及图5所示,与金属部31的上表面同样地,金属基材41的上表面也被绝缘膜33覆盖,但与透明电极部32相同地绝缘膜33也由透明的材料形成,因此不会影响二维码的目视确认性。在第一本实施方式中,金属基材41成为与信号源80、大地电独立的状态。
如以上所述,第一本实施方式所涉及的液晶显示装置1具备:
液晶面板(显示单元的一个示例)10,其具有CF基板(第一基板)11以及阵列基板(第二基板)12,并根据电信号显示图像;
接地焊盘(端子焊盘的一个示例)30,其用于将设置于CF基板11的保护电极层(导电体的一个示例)19与大地电连接;及
二维码(信息码的一个示例)40,其可光学读取地表示信息,
阵列基板12俯视时被划分为:以与CF基板11重叠的方式配置的基板重叠区域OA、和以一个侧缘部从CF基板11的一个侧缘延伸的方式配置且不与CF基板11重叠的基板非重叠区域NOA,
接地焊盘30的至少一部为可透射光的透明电极部(光透射部的一个示例)32,
接地焊盘30以及二维码40被设为,在阵列基板12中与CF基板11对置的表侧的板面(一个板面)上的基板非重叠区域NOA,俯视时相互重叠并且透明电极部32覆盖二维码40的上表面。
根据所述第一本实施方式的结构,通过以俯视时与接地焊盘30重叠的方式设置二维码40,能够在基板非重叠区域NOA内以节省空间的方式配置。在此,二维码40在阵列基板12的基板非重叠区域NOA中的表侧的板面上,配置于形成接地焊盘30的一部分的透明电极部32的下层侧(基底布线部20侧、玻璃基板12G侧),因此能够从接地焊盘30的上方光学性地读取二维码40。二维码40由于其表面整体被透明电极部32覆盖,因此能够保护二维码40免受污染、损坏。另外,根据第一本实施方式的结构,从基板重叠区域OA内到基板非重叠区域NOA的基底布线部20,能够保持与以往同样的布线路径,因此能够使用已有的制造设备利用现有的经验技术来实现液晶面板10的制造。在显示装置制造工序中,在二维码40以及接地焊盘30的形成后,即使在接地焊盘30的透明电极部32的上表面附着有用于与保护电极层19连接的不透明的导电糊剂39,也能够根据需要将其去除并利用酒精进行擦拭等,从接地焊盘30的上方、即液晶面板10的表面侧可光学性地读取二维码40。在信息的读取后,如果在透明电极部32的上表面再涂布导电糊剂,则液晶显示装置1能够直接使用。另外,阵列基板12的基板使用可透射光的板材,通常使用玻璃基板12G那样的透明的基板。在该情况下,从阵列基板12的背面侧(其他板面侧)、即液晶面板10的背面侧也可读取二维码40,因此对于无需在液晶面板10的背面侧安装背光源单元的反射型液晶显示装置、有机EL显示装置是特别有用的。
如此,根据第一本实施方式的结构,在液晶显示装置1的完成后也能够将可容易地读取的二维码40以节省空间的方式配置于基板非重叠区域NOA上。该结果为,能够在应对由液晶面板10的异形化、狭窄边框化引起的基板非重叠区域NOA的缩小的同时高效地实施面板设计,例如能够实现液晶显示装置1的可追溯性管理(制造、检査的历史管理)。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
接地焊盘30由金属材料构成并具有与信号源或大地连接的金属部31,
透明电极部32由透明电极材料构成并构成为与保护电极层19以及金属部31电连接,
二维码40具有由金属材料构成的金属基材41。
根据所述第一本实施方式的结构,能够由与显示面板的形成通常使用的材料同样的材料形成接地焊盘30以及二维码40。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
阵列基板12具有:
金属层(例如形成栅极布线、源极布线的第一金属层或第二金属层),其形成于表侧的板面上的基板重叠区域OA;及
透明电极层(例如形成像素电极24的第二透明电极层),其形成于所述金属层的上层,
金属部31以及金属基材41由形成所述金属层的金属材料构成,
透明电极部32由形成所述透明电极层的透明电极材料构成。
此外,阵列基板12还具有由配置于所述金属层与所述透明电极层之间的透明的树脂材料构成的绝缘层(例如第一平坦化层28A),
绝缘膜33由形成所述绝缘层的透明的树脂材料构成。
在阵列基板12的基板重叠区域OA,通过层压形成由各种材料构成的层,从而设置有用于驱动液晶面板10的像素电路部21、电极、及与它们连接的布线等,并配置用于防止导电层间的短路的绝缘层。布线等通过光刻法等图案形成各种图案来形成金属层,电极等通过光刻法等图案形成各种图案来形成透明电极层。根据所述第一本实施方式的结构,在基板重叠区域OA内形成金属层、绝缘层、透明电极层的同时,能够依次层压形成由同样的材料构成的接地焊盘30以及二维码40,能够实现构成以及制造工序的简化。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
金属基材41在俯视时,以其整体与透明电极部32重叠的方式配置。
根据所述构成,像第一本实施方式那样,在接地焊盘30的透明电极部32比二维码40的金属基材41的外形大的情况下,例如在金属基材41的周围形成金属部31,以覆盖金属基材41的整体的方式配置透明电极部32,从而能够使接地焊盘30以及二维码40的配置所需的面积最小化。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
接地焊盘30为,用于对保护电极层19和大地进行电连接的接地焊盘。
假设,通过接近地配置由导电性的金属构成的二维码40,即使存在有对接地焊盘30的导电性能带来影响的可能性,如果是接地电路,则因这样的影响产生不良情况的可能性也比较低。由此,接地焊盘30适于作为重叠配置二维码40的端子焊盘。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
二维码40为,在竖横的两个方向具有信息的二维码。
二维码需要恒定的面积,另一方面,能够表示非常多的信息。本技术对于以节省空间的方式将这样的需要比较大的面积的二维码40配置于基板上是特别有用的。
在所述第一本实施方式的液晶显示装置1中,
液晶面板10为,在CF基板11以及阵列基板12之间封入有液晶的液晶面板。
本技术在许多领域中被利用,对于强烈要求异形化、狭窄边框化的液晶显示装置是特别有用的。
<第二实施方式>
根据图6以及图7对第二实施方式进行说明。在第一实施方式中,例示了接地焊盘30的透明电极部32比二维码40的金属基材41大且金属基材41整体被透明电极部32覆盖的构成。与此相对,在第二本实施方式中,例示与接地焊盘230的透明电极部232相比二维码240的金属基材的外形较大的构成。在第一实施方式中,两构件30、40以可相互分离的状态配置,在第二本实施方式中,两构件230、240以被整合的状态配置于基板非重叠区域NOA内。以下,省略与所述的第一实施方式同样的构造、作用以及效果的重复的说明(第三实施方式也是同样的),对第二本实施方式的接地焊盘230以及二维码240进行说明。
在第二本实施方式中,在二维码240的金属基材与接地焊盘230的金属部作为金属膜250一体形成这一点,与第一实施方式所记载的部件大不相同。
如图6所示,金属膜250以与接地布线36连接的方式形成。并且,在该金属膜250的上层隔着绝缘膜233配置有透明电极部(光透射部)232。如图6所示,第二本实施方式的透明电极部232形成为,俯视时呈比金属膜250小一圈的方形。在与绝缘膜233的透明电极部232重叠的位置,形成有比透明电极部232小的接触孔233C,透明电极部232与金属膜250接触而电连接。由此,保护电极层19经由导电糊剂239、透明电极部232、金属膜250、接地布线36与大地连接。如此,金属膜250作为接地焊盘230的金属部发挥功能。另一方面,如图6等所示,在呈方形的金属膜250,以规定的位置以及大小开设形成有很多孔242,利用该孔242表示信息,从而作为二维码240的金属基材发挥功能。另外,在图6以及图7中,例示在与透明电极部232重叠的部分的绝缘膜233设置有多个接触孔233C的构造。此外,第二本实施方式的接触孔233C构成为,未配置有由配置于第一实施方式的接触孔33C的不透明的金属材料构成的金属埋设膜。
在所述第二本实施方式的显示装置中,
接地焊盘230的金属部与二维码240的金属基材通过金属膜250一体形成,
在俯视时,透明电极部232配置为,其整体与金属膜250重叠。
根据所述第二本实施方式的结构,例如在为了记载许多信息而将二维码240的金属基材的外形形成得比接地焊盘230的透明电极部232大的情况下,接地焊盘230整体以收纳于二维码240的配置区域内的方式重叠配置,由此能够使两构件230、240的配置所需的面积最小化。此时,利用金属膜250一体形成二维码240的金属基材与接地焊盘230的金属部、即金属膜250兼具作为二维码240的金属基材的功能和作为接地焊盘230的金属部的功能,由此能够实现构成的简化。
<第三实施方式>
根据图8以及图9对第三实施方式进行说明。在第三本实施方式中,在接地焊盘330的透明电极部332与二维码340的金属基材以具有同等的外形的方式形成这一点,与第二实施方式不同。以下,对第三本实施方式的接地焊盘330以及二维码340进行说明。
在第三本实施方式中,二维码340的金属基材与接地焊盘330的金属部通过金属膜350一体形成。
如图8所示,金属膜350以与接地布线36连接的方式形成,在其上层配置有透明电极部(光透射部)332。如图8所示,第三本实施方式的透明电极部332形成为,俯视时呈与金属膜350同等的大小的方形。在第三本实施方式中,在绝缘膜333的透明电极部332与金属膜350重叠的位置形成有接触孔333C,透明电极部332与金属膜350电连接。由此,保护电极层19经由导电糊剂339、透明电极部332、金属膜350、接地布线36与大地连接。如此,金属膜350作为接地焊盘330的金属部发挥功能。另一方面,如图8等所示,在呈方形的金属膜350以规定的位置以及大小开设形成有很多孔342,还作为二维码340的金属基材发挥功能。另外,如图8以及图9所示,第三本实施方式的接触孔333C形成为,具有与透明电极部332以及金属膜350大致同等的比较大的面积。与第一实施方式以及第二实施方式不同,在该接触孔333C中未埋设有金属埋设膜,而成为透明电极部332与金属膜350(金属部)直接连接的构造。由不透明的金属材料构成的金属埋设膜未埋设于接触孔333C,因此能够从透明电极部332的上方目视确认配置于接触孔333C内的孔342。
如以上所述,在第三本实施方式的显示装置中,
接地焊盘(端子焊盘的一个示例)330的金属部与二维码(信息码的一个示例)的金属基材通过金属膜350一体形成,
金属膜350在俯视时,其整体与透明电极部(光透射部的一个示例)332重叠,且
透明电极部332配置为在俯视时,其整体与金属膜350重叠。
即,在俯视时,接地焊盘330的透明电极部332配置为,其轮廓与金属膜350的轮廓大致一致。
根据所述第三本实施方式的结构,二维码340以及接地焊盘330具有相同的外形,两构件330、340以使轮廓一致的状态重叠配置,因此能够最高效地利用基板非重叠区域NOA的面积。
<其他实施方式>
本技术并不限定于通过所述叙述以及附图说明的实施方式,例如如下那样的实施方式也包含于本技术范围。
(1)在所述实施方式中,示出了端子焊盘以及信息码在俯视时呈矩形框状或者方形的示例,但并不限定于此。能够匹配基板非重叠区域NOA内可确保的空间而形成为各种形状,例如圆弧状、圆盘状,扇形状、三角形状、甚至不定形状。
(2)在所述实施方式中,示出了在触控面板图案半内嵌化的液晶面板中,重叠配置有用于将设置于CF基板上的保护电极层与大地连接的接地焊盘、信息码的示例,但并不限定于此。液晶面板也可以不具有触控面板功能,接地焊盘也可以是用于使保护电极层以外的导电体与大地连接的焊盘。此外,不仅相对于用于供给接地电位的接地焊盘,相对于用于对信号源和导电体进行连接并供给各种电信号的端子焊盘,也能够广泛应用本技术。此外,在所述实施方式中,示出了导电体与端子焊盘使用导电糊剂进行连接的示例,但并不限定于此,例如也可能通过导电带进行电连接。
(3)在所述实施方式中,例示了作为显示单元而对具有透射型的液晶面板的显示装置应用本技术的情况,但并不限定于此。还能够将本技术应用于反射型的液晶面板、其他种类的显示面板(有机EL面板、PDP(等离子显示面板面板)、EPD(电泳显示面板面板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)显示面板等)等。根据对在显示面板的背面侧(图像显示面的相反面侧)无需附设背光源单元等的显示装置应用本技术,能够使用玻璃基板等透明基板构成第二基板,由此在显示装置的完成后也能够从显示面板的背面侧直接读取信息码,是特别优选的。其中,对于可期待今后在许多领域中的扩大利用的有机EL显示装置,本技术是有用的。
(4)在所述的实施方式中,例示了针对按照小型或中小型分类的液晶面板应用本说明书的技术的情况,但在画面尺寸例如为20英寸~90英寸且按照中型或大型(超大型)分类的显示装置中也能够应用本技术。
附图标记说明
1…液晶显示装置(显示装置的一个示例);10…液晶面板(显示单元的一个示例);11…CF基板(对置基板。相当于第一基板);11G、12G…玻璃基板;12…阵列基板(显示装置用基板、有源矩阵基板。相当于第二基板);13…液晶层;19…保护电极层(导电体的一个示例);20…基底布线部;24…像素电极;27…触控布线(位置检测布线);28A…第一平坦化层;30、230、330…接地焊盘(端子焊盘的一个示例);31…金属部;32、232、332…透明电极部(光透射部的一个示例);33、233、333…绝缘膜;33C、233C、333C…接触孔;34…金属埋设膜;36…接地布线;39、239、339…导电糊剂;40、240、340…二维码(信息码的一个示例);41…金属基材;42、242、342…孔;250、350…金属膜;AA…显示区域(有源区域);NAA…非显示区域(无源区域);OA…基板重叠区域;NOA…基板非重叠区域。
Claims (9)
1.一种显示装置,其特征在于,具备:
显示单元,其具有第一基板以及第二基板,并根据电信号显示图像;
端子焊盘,其用于将设置于所述第一基板或所述第二基板的导电体与用于供给所述电信号的信号源或大地电连接;及
信息码,其可光学读取地表示信息,
所述第二基板俯视时被划分为,以与所述第一基板重叠的方式配置的基板重叠区域、和以一个侧缘部从所述第一基板的一个侧缘延伸的方式配置且不与所述第一基板重叠的基板非重叠区域,
所述端子焊盘的至少一部分为可透射光的光透射部,
所述端子焊盘以及所述信息码被设为,在所述第二基板中与所述第一基板对置的一个板面上的所述基板非重叠区域,俯视时相互重叠并且所述光透射部覆盖所述信息码的上表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述端子焊盘由金属材料构成并具有与所述信号源或所述大地连接的金属部,
所述光透射部由透明电极材料构成并构成为与所述导电体以及所述金属部电连接,
所述信息码具有由金属材料构成的金属基材。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第二基板具有:
金属层,其形成于所述一个板面上的所述基板重叠区域;及
透明电极层,其形成于所述金属层的上层,
所述金属部以及所述金属基材由形成所述金属层的金属材料构成,
所述光透射部由形成所述透明电极层的透明电极材料构成。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,
所述金属基材在俯视时,以其整体与所述光透射部重叠的方式配置。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述金属部和所述金属基材由金属膜一体形成,
所述光透射部在俯视时,以其整体与所述金属膜重叠的方式配置。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述端子焊盘为用于对所述导电体和所述大地进行电连接的接地焊盘。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述信息码在竖横的两个方向上具有信息的二维码。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述显示单元为在所述第一基板以及所述第二基板之间封入有液晶的液晶面板。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述显示单元为在所述第一基板以及所述第二基板之间封入有机EL的有机EL面板。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113453414A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 三赢科技(深圳)有限公司 | 双面二维码及其制作方法、柔性电路板 |
WO2022073284A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102578498B1 (ko) * | 2018-10-24 | 2023-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200094244A (ko) | 2019-01-29 | 2020-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP7237665B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN111142288B (zh) * | 2020-02-25 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置 |
US11803086B2 (en) * | 2020-12-22 | 2023-10-31 | Innolux Corporation | Electronic device and manufacturing method thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09127473A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Advanced Display:Kk | 液晶表示装置およびその製品情報記録方法 |
JP2002040960A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法 |
JP2003228036A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
JP2003255853A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
US20170092593A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
CN107167951A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-09-15 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板 |
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- 2019-04-01 US US16/371,604 patent/US10651130B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09127473A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Advanced Display:Kk | 液晶表示装置およびその製品情報記録方法 |
JP2002040960A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法 |
JP2003228036A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
JP2003255853A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
US20170092593A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
CN107167951A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-09-15 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113453414A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 三赢科技(深圳)有限公司 | 双面二维码及其制作方法、柔性电路板 |
WO2022073284A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Also Published As
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US10651130B2 (en) | 2020-05-12 |
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191018 |
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