CN110333220B - 磷烯晶向的识别方法、装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种磷烯晶向的识别方法，该方法包括：获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；从目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出目标特征峰对应的拉曼强度数据；基于预设的目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到待识别磷烯的晶向所在角度。本申请能够在拉曼系统散射光路无检偏模式下，实现对磷烯的晶向识别。
Description
技术领域
本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种磷烯晶向的识别方法、装置及电子设备。
背景技术
对于黑磷或者磷烯的晶向识别，现有的实验手段主要包括基于TEM(Transmissionelectron microscope，透射电子显微镜)、AFM(Atomic Force Microscope，原子力显微镜)等的显微观测法、角分辨电导率方法以及红外、拉曼等光谱类手段。其中，角分辨电导率方法是接触式的测量，空间分辨率与角分辨灵敏度均较低；显微观测的方式难以实现无损、在线的定量测量；红外光谱测量的光谱分辨率与设备的空间分辨率也难以满足微小尺度的磷烯材料的精准测量；基于偏振拉曼光谱能够快速、精确、无接触地识别磷烯的晶向。
目前，基于偏振拉曼光谱的晶向识别过程中，通常采用平行偏振(协同)的偏振构型，即所探测的散射光偏振方向与激发光偏振方向始终保持平行。在该偏振构型下，通过以一定步长在一周范围内(360度)连续转偏并采集不同偏振方向下的拉曼信息，拟合偏振角度与所对应光谱中Ag 2子峰拉曼强度的关系曲线，来判断磷烯的晶向。然而，该方法需要采用能够连续转偏的平行偏振构型，但大多数通用的显微拉曼系统因缺少专用配件而难以直接实现，因此只能采用转动样品的方式，不仅难以确保原位，更难以适用于复杂结构或者加载环境下的探测。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供一种磷烯晶向的识别方法、装置及电子设备，能够在拉曼系统散射光路无检偏模式下，实现对磷烯的晶向识别。
根据本申请的一个方面，提供一种磷烯晶向的识别方法，所述方法包括：获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，所述拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；从所述目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出所述目标特征峰对应的拉曼强度数据；基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度。
在一些实施例中，当所述目标特征峰为B2g特征峰时，基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度的步骤，包括：
利用所述B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合所述B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第一晶向所在角度；
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第一晶向所在角度；
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，当所述目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度的步骤，包括：
利用所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度；
式中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ(Zigzag)晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，所述方法还包括：
求取所述第二晶向所在角度和所述第三晶向所在角度的平均值；
将所述平均值作为所述待识别磷烯的第四晶向所在角度。
根据本申请的另一方面，提供一种磷烯晶向的识别装置，所述装置包括：
信息获取模块，用于获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，所述拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；
数据提取模块，用于从所述目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出所述目标特征峰对应的拉曼强度数据；
拟合模块，用于基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度。
在一些实施例中，当所述目标特征峰为B2g特征峰时，所述拟合模块还用于：
利用所述B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合所述B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第一晶向所在角度；
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第一晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，当所述目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，所述拟合模块还用于：
利用所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度；
式中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，所述装置还包括：晶向角度确定模块，用于：
求取所述第二晶向所在角度和所述第三晶向所在角度的平均值；将所述平均值作为所述待识别磷烯的第四晶向所在角度。
根据本申请的另一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器、存储介质和总线，所述存储介质存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储介质之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，以执行如上述磷烯晶向的识别方法中的一个或多个方法的步骤。
根据本申请的另一个方面，提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如上述磷烯晶向的识别方法中的一个或多个方法的步骤。
上述任一方面所述的磷烯晶向的识别方法和装置中，首先获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；该拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；然后从上述目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出该目标特征峰对应的拉曼强度数据；最后基于预设的该目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对该目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到待识别磷烯的晶向所在角度，本申请能够在拉曼系统散射光路无检偏模式下，实现对磷烯的晶向识别。
为使本申请实施例的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下面将结合实施例，并配合所附附图，作详细说明。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的一种磷烯晶向的识别方法的流程图；
图2示出了本申请实施例所提供的一种磷烯晶向的识别方法中的一种技术原理示意图；
图3示出了本申请实施例所提供的一种磷烯晶向的识别方法中的一种识别结果的示意图；
图4示出了本申请实施例所提供的一种磷烯晶向的识别方法中另一种识别结果的示意图；
图5示出了本申请实施例所提供的一种磷烯晶向的识别装置的结构示意图；
图6示出了本申请实施例所提供的一种电子设备的示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有的基于偏振拉曼光谱的晶向识别方式，通常采用平行偏振(协同)的偏振构型，对于大多数缺少专用配件的显微拉曼系统来说，无法方便地实现磷烯晶向的识别。基于此，本申请实施例提供一种磷烯晶向的识别方法、装置及电子设备，能够在拉曼系统散射光路无检偏模式下，实现对磷烯的晶向识别。
为便于对本实施例进行理解，首先对本申请实施例所公开的一种磷烯晶向的识别方法进行详细介绍。
图1提供了一种磷烯晶向的识别方法的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤S102，获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息。
首先，准备好待识别的磷烯，也就是样品的制备过程，以识别“机械剥离少层磷烯晶体方向”为例，利用胶带实现将块体的单晶黑磷剥离至单层或少层磷烯。其次，通过没有检偏器的拉曼系统对待识别磷烯进行目标特征峰的拉曼散射光谱信息的采集，目标特征峰包括：B2g特征峰、Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰。具体的，拉曼系统散射光路没有检偏器，入射光路插入光轴方向连续可调的半波片。通过连续转动半波片实现入射光偏振方向的改变，采集入射光在不同偏振方向时磷烯的原始拉曼散射光谱信息。比如：选择无检偏模式的拉曼散射配置，光学显微下寻找少层磷烯，聚焦入射光到样品表面。设逆时针角度为正，逆时针旋转半波片，每次旋转5°，共旋转180°，实现入射光偏振角度从0°(如图2中的X轴方向)开始以10°步长逆时针旋转，共旋转360°。在37个不同的入射光偏振角度下，采集无检偏模式时的磷烯目标特征峰的拉曼散射光谱信息。
步骤S104，从目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出目标特征峰对应的拉曼强度数据。
比如：从B2g特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出B2g特征峰在入射光不同偏振方向时的特征峰光强数据，即拉曼强度数据。
其它目标特征峰，如Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰。同理，也可以提取出Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰分别对应的拉曼强度数据。
表1给出了B2g特征峰在入射光不同偏振方向时的特征峰光强数据，表2给出了Ag 1峰在入射光不同偏振方向时的特征峰光强数据，表3给出了Ag 2峰在入射光不同偏振方向时的特征峰光强数据，
表1
表2
表3
步骤S106，基于预设的目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到待识别磷烯的晶向所在角度。
上述每个目标特征峰均对应有拉曼散射强度公式，通过公式对拉曼强度数据的拟合，可以得到待识别磷烯的晶向所在角度。
本申请实施例提供的磷烯晶向的识别方法，利用预设的无检偏模式时的拉曼散射强度公式，拟合无检偏模式时入射光在不同偏振方向时目标特征峰光强的实验数据，识别磷烯晶向，并确定磷烯晶向所在角度。无检偏的偏振拉曼测试，对拉曼仪器系统的配置条件要求较低，易于实现，而且无需反复开启光谱仪箱体，减少对光谱系统稳定性及仪器整体寿命的影响。
在一种优选实施方式中，当目标特征峰为B2g特征峰时，可以利用B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合入射光在不同偏振方向时B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到待识别磷烯的第一晶向所在角度，实现磷烯晶向的识别。第一拉曼散射强度公式(1)如下：
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是待识别磷烯的第一晶向所在角度；
为入射光相对水平X轴的偏振角度，如图2所示。
例如，通过上述公式(1)拟合拟合表1中的数据，所得到的拟合曲线如图3所示，磷烯的第一晶向所在角度为21.6°。
在另一种优选的实施方式中，当目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，还可以利用Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，实现磷烯晶向的识别。第二拉曼散射强度公式(2)如下：
其中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ(Zigzag)晶向相对水平方向X轴的夹角，也是待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度，如图2。
例如，通过上述公式(2)拟合拟合表2、表3中的数据，所得到的拟合曲线如图4所示，磷烯的第二晶向所在角度为28.1°、磷烯的第三晶向所在角度为28.4°。
在另一种优选的实施方式中，求取第二晶向所在角度和第三晶向所在角度的平均值，将平均值作为待识别磷烯的第四晶向所在角度。即，第四晶向所在角度＝(第二晶向所在角度+第三晶向所在角度)/2。例如，基于采用式(2)对表2、3数据的拟合结果，第四晶向所在角度为(28.1°+28.4°)/2＝28.25°。
本申请实施例提供了一种可以供大多数显微拉曼系统通用且方便的磷烯晶向识别方法，操作简单，识别结果准确。
基于上述方法实施例，图5示出了本申请实施例提供的一种磷烯晶向的识别装置的框图，该装置包括：信息获取模块602、数据提取模块604和拟合模块606。
其中，信息获取模块602，用于获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；数据提取模块604，用于从目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出目标特征峰对应的拉曼强度数据；拟合模块606，用于基于预设的目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到待识别磷烯的晶向所在角度。
在一些实施例中，当目标特征峰为B2g特征峰时，上述拟合模块606还用于：
利用B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到待识别磷烯的第一晶向所在角度；
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是待识别磷烯的第一晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，当目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，上述拟合模块606还用于：
利用Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度；
式中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，
为入射光相对水平X轴的偏振角度。
在一些实施例中，上述装置还包括：晶向角度确定模块，用于：求取第二晶向所在角度和第三晶向所在角度的平均值；将平均值作为待识别磷烯的第四晶向所在角度。
上述模块可以经由有线连接或无线连接彼此连接或通信。有线连接可以包括金属线缆、光缆、混合线缆等，或其任意组合。无线连接可以包括通过LAN、WAN、蓝牙、ZigBee、或NFC等形式的连接，或其任意组合。两个或更多个模块可以组合为单个模块，并且任何一个模块可以分成两个或更多个单元。
为便于理解，图6示出根据本申请的一些实施例的可以实现本申请思想的电子设备700的示例性硬件和软件组件的示意图。例如，处理器720可以用于电子设备700上，并且用于执行本申请中的功能。
电子设备700可以是通用计算机或特殊用途的计算机，两者都可以用于实现本申请的磷烯晶向的识别方法。本申请尽管仅示出了一个计算机，但是为了方便起见，可以在多个类似平台上以分布式方式实现本申请描述的功能，以均衡处理负载。
例如，电子设备700可以包括连接到网络的网络端口710、用于执行程序指令的一个或多个处理器720、通信总线730和不同形式的存储介质740，例如，磁盘、ROM或RAM，或其任意组合。示例性地，计算机平台还可以包括存储在ROM、RAM或其他类型的非暂时性存储介质或其任意组合中的程序指令。根据这些程序指令可以实现本申请的方法。电子设备700还包括计算机与其他输入输出设备(例如键盘、显示屏)之间的输入/输出(Input/Output，I/O)接口750。
为了便于说明，在电子设备700中仅描述了一个处理器。然而，应当注意，本申请中的电子设备700还可以包括多个处理器，因此本申请中描述的一个处理器执行的步骤也可以由多个处理器联合执行或单独执行。例如，若电子设备700的处理器执行步骤A和步骤B，则应该理解，步骤A和步骤B也可以由两个不同的处理器共同执行或者在一个处理器中单独执行。例如，第一处理器执行步骤A，第二处理器执行步骤B，或者第一处理器和第二处理器共同执行步骤A和B。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如上述任一的磷烯晶向的识别方法的步骤。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考方法实施例中的对应过程，本申请中不再赘述。在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另外，在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种磷烯晶向的识别方法，其特征在于，所述方法包括：
获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，所述拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；
从所述目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出所述目标特征峰对应的拉曼强度数据；
基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度；所述目标特征峰包括：B2g特征峰、Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰；
当所述目标特征峰为B2g特征峰时，基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度的步骤，包括：
利用所述B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合所述B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第一晶向所在角度；
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第一晶向所在角度，j为入射光相对水平X轴的偏振角度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度的步骤，包括：
利用所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度；
式中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，j为入射光相对水平X轴的偏振角度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
求取所述第二晶向所在角度和所述第三晶向所在角度的平均值；
将所述平均值作为所述待识别磷烯的第四晶向所在角度。
4.一种磷烯晶向的识别装置，其特征在于，所述装置包括：
信息获取模块，用于获取待识别磷烯的目标特征峰的拉曼散射光谱信息；其中，所述拉曼散射光谱信息为在拉曼系统散射光路无检偏模式下，在不同入射光偏振方向时采集的目标特征峰的原始拉曼散射光谱信息；
数据提取模块，用于从所述目标特征峰的拉曼散射光谱信息中，提取出所述目标特征峰对应的拉曼强度数据；
拟合模块，用于基于预设的所述目标特征峰对应的拉曼散射强度公式，对所述目标特征峰对应的拉曼强度数据进行拟合，得到所述待识别磷烯的晶向所在角度；所述目标特征峰包括：B2g特征峰、Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰；
当所述目标特征峰为B2g特征峰时，所述拟合模块还用于：
利用所述B2g特征峰对应的第一拉曼散射强度公式(1)，拟合所述B2g特征峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第一晶向所在角度；
其中，
代表B2g特征峰在无检偏模式时的拉曼散射强度；Γ、Λ、Ψ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第一晶向所在角度，j为入射光相对水平X轴的偏振角度。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，当所述目标特征峰为Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰时，所述拟合模块还用于：
利用所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的第二拉曼散射强度公式(2)，拟合所述Ag特征峰的第一子峰Ag 1峰或者所述Ag特征峰的第二子峰Ag 2峰对应的拉曼强度数据，得到所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度；
式中，
代表无检偏模式时Ag特征峰的拉曼散射强度；Γ、Λ代表磷烯拉曼散射特征的常数参量；θ为磷烯的锯齿形ZZ晶向相对水平方向X轴的夹角，也是所述待识别磷烯的第二晶向所在角度、第三晶向所在角度，j为入射光相对水平X轴的偏振角度。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：晶向角度确定模块，用于：
求取所述第二晶向所在角度和所述第三晶向所在角度的平均值；将所述平均值作为所述待识别磷烯的第四晶向所在角度。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储介质和总线，所述存储介质存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储介质之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，以执行时执行如权利要求1至3任一所述的磷烯晶向的识别方法的步骤。
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