CN110330676A - 一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法。填料颗粒尺寸越小，越容易实现在聚合物的均匀分散，并且与基体形成的界面更大，界面效应更显著。本发明如下：一、将基体聚合物加入到极性溶剂中。二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中。三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂。四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上。五、从流延承载片上取下雏形薄膜，并熔融后淬火，得到复合薄膜材料。本发明在铝箔直接混合陶瓷填料、基体聚合物和偶联剂，简化了制备步骤，并提高了耦合效果；利用铝箔上附着有致密氧化层的特点，避免了流延承载片在偶联剂的作用下与基体聚合物发生偶联，导致复合薄膜无法取下的问题。

Description

一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法
技术领域
本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法。
背景技术
电介质可用来制造电感、电容、滤波器等无源器件。目前，电介质在几乎所有的电子设备和微电子领域都起到了至关重要的用处。近几年，印刷电路板内部电容器、随机动态存储器以及半导体场效应晶体管的集成缩小化，研究小型、轻薄的新型高介电介质材料成为当今信息功能材料以及微电子领域的前沿课题。尺寸轻薄但性能突出的电子元件可以使元件小型化，降低成本，提高电子产品的电气性能。在无源器件中，因为电容器可以起到退耦、旁路、滤波等作用，因此得到特别的关注。制备电容器材料的要求具有高介电常数、高电场强度、低介质损耗和高极化值。常见电容器材料有铁电陶瓷材料与聚合物材料两类，聚合物拥有较高的杨氏模量和高介电场强，其击穿场强接近400MV/m，但是介电常数较低，影响储能密度，如常见的复合材料聚合物有聚丙烯BOPP介电常数在2～5之间，聚乙烯PE的介电常数在2～3之间，含氟聚合物PVDF的介电常数为8-10。另一方面，陶瓷颗粒二氧化钛(TiO2)等具有较高的介电常数，高电位移以及低剩余极化，但是其击穿场强非常低。因此，将二者优势结合在一起开发出具有高电场强度和高电位移，低剩余极化和高介电复合材料非常有意义。此外，复合材料还具有易加工、优良的电性能、成本较低等优点。将陶瓷填料均匀分散在聚合物基体中组成复合体系，开发出新的陶瓷填料/聚合物复合材料具有很大的意义。陶瓷填料分散在聚合物中，陶瓷填料的尺寸和两相界面的相容性对复合材料的介电性能有着很大的影响。一般来说，填料颗粒尺寸越小，越容易实现在聚合物的均匀分散，并且与基体形成的界面更大，界面效应更显著。另外，要想提高填料在基体中的分散性，往往需要在陶瓷填料和聚合物基体组成的复合体系中加入偶联剂来提高两者的相容性，采用偶联剂对复合体系进行处理便是一种行之有效的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法。
本发明的具体步骤如下：
步骤一、将基体聚合物加入到极性溶剂中，并在40～80℃温度下至完全溶解，形成聚合物溶液。
步骤二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中，搅拌，超声振荡，形成初始悬浮液。
步骤三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂，充分搅拌，超声振荡，循环2～5次，形成稳定的偶联悬浮液。
步骤四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上。流延承载片上覆盖有铝箔。然后将流延承载片置于60～120℃温度下干燥，去除混合悬浮液中的极性溶剂，流延承载片上形成雏形薄膜。
步骤五、从流延承载片上取下雏形薄膜。并将雏形薄膜置于180～250℃的烘箱中熔融60min～4h，随后淬火30min～1h，得到复合薄膜材料。
进一步地，步骤一中，搅拌时长为6～12h。
进一步地，步骤一中，所得聚合物溶液的溶液浓度在3～100g/L之间。
进一步地，步骤一中极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮或二甲基乙酰胺的分析纯溶剂。基体聚合物采用为聚偏氟乙烯、P(VDF-CTFE)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)或P(VDF-HFP)。
进一步地，步骤二中，搅拌、超声振荡循环2～5次。
进一步地，步骤二中，每升聚合物溶液加入1～100g陶瓷填料。陶瓷填料为纳米级陶瓷填料，粒径R为1～600nm。所述的陶瓷填料的材料为TiO2、SiO2、BaTiO3中的一种或多种。
进一步地，步骤三中加入的偶联剂质量为步骤二中加入陶瓷填料质量的0.1～20％；偶联剂采用质量浓度为99％的3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液或质量浓度为97％的(3-疏基丙基)三甲氧基硅烷溶液。
进一步地，步骤三中，在悬浮液中加入偶联剂的方法具体步骤如下：
①.初始悬浮液在持续搅拌的同时，将偶联剂滴入到悬浮液中。
②.将步骤①所得的悬浮液，继续进行搅拌30min～4h，超声振荡10min～2h，循环2～5次，得到充分偶联处理后的混合溶液。
进一步地，步骤五中，淬火的环境为-196～0℃的液体。
本发明具有的有益效果是：
1、本发明采用偶联剂对混合悬浮液中陶瓷填料表面和基体聚合物表面耦合，提高了填料与聚合物之间的界面相容性，使填料在聚合物中有更好的分散性。
2、本发明在铝箔直接混合陶瓷填料、基体聚合物和偶联剂，简化了制备步骤，并提高了耦合效果；利用铝箔上附着有致密氧化层的特点，避免了流延承载片在偶联剂的作用下与基体聚合物发生偶联，导致复合薄膜无法取下的问题。
3、本发明在添加填料和在悬浮液中加入偶联剂过程中，多次循环搅拌和超声振荡，可以进一步减小填料在聚合物中的团聚，充分提高填料的分散性，使薄膜的质量大大提高。
4、本发明所采用的纳米级陶瓷填料，粒径在1～600nm之间，尺寸足够小以便于增加填料和聚合物间的接触面积，易于在聚合物中分散开，进而提升薄膜的介电性能。
5、本发明制备的复合薄膜具有韧性好，厚度薄，介电常数高，损耗小的特点，制备方法简单，易于大批量生产。
6、本发明利用聚偏氟乙烯基聚合物作为基体，采用具有优异介电性能的纳米级陶瓷粒子作为填料，陶瓷填料有着高介电常数和低介电损耗，使用偶联剂对复合材料体系中陶瓷颗粒和复合物基体偶联，制备出复合材料。经过测试发现复合薄膜材料拥有高介电常数和和低介电损耗等优异性能。
附图说明
图1为本发明所得的复合薄膜材料的截面扫描电镜图；
图2为本发明所得的复合薄膜材料的介电常数与工作频率的关系图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步说明。
一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，具体步骤如下：
步骤一、将基体聚合物加入到极性溶剂中，并在40～80℃温度下搅拌6～12h，直至完全溶解，形成澄清透明的聚合物溶液，溶液浓度在3～100g/L之间。极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)或二甲基乙酰胺(DMAC)的分析纯溶剂。基体聚合物采用为聚偏氟乙烯(PVDF)或基于PVDF的P(VDF-CTFE)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)、P(VDF-HFP)中的一种。
步骤二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中，搅拌，超声振荡，循环2～5次，形成稳定的初始悬浮液。掺杂浓度为每升聚合物溶液加入1～100g陶瓷填料。陶瓷填料为纳米级陶瓷填料，粒径R为1～500nm，通过固相法、水热法或溶胶凝胶法制备获得。陶瓷填料尺寸足够小以便于增加填料和聚合物间的接触面积，易于在聚合物中分散开，进而提升薄膜的介电性能。所述的陶瓷填料的材料为TiO2、SiO2、BaTiO3陶瓷材料中的一种或多种。
步骤三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂，充分搅拌，超声振荡，循环2～5次，形成稳定的偶联悬浮液，加入的偶联剂质量为步骤二中加入陶瓷填料质量的0.1～20％；偶联剂采用质量浓度为99％的3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液或质量浓度为97％的(3-疏基丙基)三甲氧基硅烷溶液。偶联剂用于偶联陶瓷填料和聚合物溶液表面。
步骤四、取步骤三所得的偶联悬浮液，采用流延法均匀涂覆到流延承载片上。流延承载片上覆盖有铝箔。然后将流延承载片置于60～120℃温度下干燥30min～4h，蒸发去除混合悬浮液中的极性溶剂，流延承载片上形成雏形薄膜。
步骤五、从流延承载片上取下雏形薄膜。并将雏形薄膜置于180～250℃的烘箱中熔融60min～4h，随后立即放入-196～0℃的液体中淬火30min～1h，得到复合薄膜材料。
本发明中，步骤三在悬浮液中加入偶联剂的方法，具体步骤如下：
①.保持陶瓷填料和聚合物的悬浮液在磁力搅拌台搅拌的同时，用5ml的注射器将偶联剂滴入到悬浮液中。
②.将步骤①所得的含有陶瓷填料、偶联剂和基体聚合物的悬浮液，继续进行磁力搅拌30min～4h，超声振荡10min～2h，循环2～5次，得到充分偶联处理后的混合溶液。
陶瓷填料和聚合物悬浮液经偶联剂改性前后，分别对其进行表征测试。
本发明步骤五所得的复合薄膜材料的截面扫描电镜图如图1所示，可清晰看出复合材料薄膜中的陶瓷填料分散均匀，且陶瓷填料与基体聚合物之间连接完好。可见，偶联剂、陶瓷填料及基体聚合物直接混合偶联的方法对陶瓷填料与基体聚合物分界面的连接有良好的耦合作用。
以本发明去除偶联剂部分所得的复合薄膜作为对照组；本发明所得的复合薄膜作为实验组，进行介电常数、介电损耗的测试和对比。介电常数与工作频率的关系图如图2所示，图2中，点画线对应实验组；实线对应对照组；可以看出，在0～20kHz的工作频率内，实验组的介电常数均高于对照组；在常用的100～1000Hz频率下，实验组的介电常数明显优于对照组；特别是100Hz的工作频率下，实验组的介电常数在86，是处理前的悬浮液所制薄膜介电常数的3倍。
介电常数与工作频率的关系图如图2所示，图2中，点画线对应实验组；实线对应对照组；可以看出，在0～20kHz的工作频率内，实验组的介电常数均高于对照组；在常用的100～1000Hz频率下，实验组的介电常数明显优于对照组；特别是100Hz的工作频率下，实验组的介电常数在86，是处理前的悬浮液所制薄膜介电常数的3倍。

Claims (9)

1.一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一、将基体聚合物加入到极性溶剂中，并在40～80℃温度下至完全溶解，形成聚合物溶液；
步骤二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中，搅拌，超声振荡，形成初始悬浮液；
步骤三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂，充分搅拌，超声振荡，循环2～5次，形成稳定的偶联悬浮液；
步骤四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上；流延承载片上覆盖有铝箔；然后将流延承载片置于60～120℃温度下干燥，去除混合悬浮液中的极性溶剂，流延承载片上形成雏形薄膜；
步骤五、从流延承载片上取下雏形薄膜；并将雏形薄膜置于180～250℃的烘箱中熔融60min～4h，随后淬火30min～1h，得到复合薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中，搅拌时长为6～12h。
3.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中，所得聚合物溶液的溶液浓度在3～100g/L之间。
4.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮或二甲基乙酰胺的分析纯溶剂；基体聚合物采用为聚偏氟乙烯、P(VDF-CTFE)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)或P(VDF-HFP)。
5.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤二中，搅拌、超声振荡循环2～5次。
6.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤二中，每升聚合物溶液加入1～100g陶瓷填料；陶瓷填料为纳米级陶瓷填料，粒径R为1～600nm；所述的陶瓷填料的材料为TiO2、SiO2、BaTiO3中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤三中加入的偶联剂质量为步骤二中加入陶瓷填料质量的0.1～20％；偶联剂采用质量浓度为99％的3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液或质量浓度为97％的(3-疏基丙基)三甲氧基硅烷溶液。
8.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤三中，在悬浮液中加入偶联剂的方法具体步骤如下：
①.初始悬浮液在持续搅拌的同时，将偶联剂滴入到悬浮液中；
②.将步骤①所得的悬浮液，继续进行搅拌30min～4h，超声振荡10min～2h，循环2～5次，得到充分偶联处理后的混合溶液。
9.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤五中，淬火的环境为-196～0℃的液体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111205579A (zh) * 2020-02-22 2020-05-29 杭州电子科技大学 一种高效率耐高温氮化铝/聚合物复合材料及其制备方法
CN111303576A (zh) * 2020-02-29 2020-06-19 杭州电子科技大学 基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料及其制备方法
CN111812338A (zh) * 2020-07-24 2020-10-23 上海安翰医疗技术有限公司 潜血检测薄膜及其制备方法、应用和潜血检测试剂盒
WO2022017518A1 (zh) * 2020-07-24 2022-01-27 上海安翰医疗技术有限公司 制备聚离子薄膜的方法、聚离子薄膜以及检测试剂盒

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012006416A2 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Rensselaer Polytechnic Institute High dielectric constant ceramic filler particles, composites and methods for making same
CN104985896A (zh) * 2015-06-26 2015-10-21 广东工业大学 高介电常数的陶瓷-聚合物复合材料及其制备方法
CN108752612A (zh) * 2018-06-01 2018-11-06 杭州电子科技大学 基于pmma三明治结构的高储能介电复合材料制备方法
CN108948603A (zh) * 2018-06-01 2018-12-07 杭州电子科技大学 基于表面改性反铁电陶瓷填料的复合薄膜材料的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012006416A2 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Rensselaer Polytechnic Institute High dielectric constant ceramic filler particles, composites and methods for making same
CN104985896A (zh) * 2015-06-26 2015-10-21 广东工业大学 高介电常数的陶瓷-聚合物复合材料及其制备方法
CN108752612A (zh) * 2018-06-01 2018-11-06 杭州电子科技大学 基于pmma三明治结构的高储能介电复合材料制备方法
CN108948603A (zh) * 2018-06-01 2018-12-07 杭州电子科技大学 基于表面改性反铁电陶瓷填料的复合薄膜材料的制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111205579A (zh) * 2020-02-22 2020-05-29 杭州电子科技大学 一种高效率耐高温氮化铝/聚合物复合材料及其制备方法
CN111303576A (zh) * 2020-02-29 2020-06-19 杭州电子科技大学 基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料及其制备方法
CN111812338A (zh) * 2020-07-24 2020-10-23 上海安翰医疗技术有限公司 潜血检测薄膜及其制备方法、应用和潜血检测试剂盒
WO2022017518A1 (zh) * 2020-07-24 2022-01-27 上海安翰医疗技术有限公司 制备聚离子薄膜的方法、聚离子薄膜以及检测试剂盒
CN111812338B (zh) * 2020-07-24 2024-02-27 上海安翰医疗技术有限公司 潜血检测薄膜及其制备方法、应用和潜血检测试剂盒

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