CN110312333A - 石墨烯智能芯片 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种石墨烯智能芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括通过绝缘结构，所述绝缘结构内印刷有至少一层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的多个六角形呈六角空心结构，所述结缘结构包括上层绝缘板和下层绝缘板，所述上层绝缘板和所述下层绝缘板连接；还包括沿所述上层绝缘板的边缘或下层绝缘板的边缘设置的导电条，所述结缘结构上还设置有与所述导电条电路连接的电路焊接口。本申请实施例将石墨烯材料作为芯片的主要结构，不仅起到了提高导电导热效率的作用，还解决了现有技术中芯片双回路、稳定性差的问题，而导电条的设置，则进一步加快了芯片的导电导热速度。
Description
技术领域
本申请涉及石墨烯技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯智能芯片。
背景技术
芯片是电子元器件、电路的主要载体，能够将电能转换为热能的电子元件，主要应用在取暖、保暖、烘干、工业和管道加热及恒温设备等领域。然而相关技术中，芯片大所采用劣质依托外材料，这就使得，芯片存在安全性、防水性及抗腐蚀性较差的问题，直接导致影响芯片的寿命和性能的稳定性，容易因电压不稳定或过载，导致安全问题。同时，相关技术中，芯片还存在电能利用率低，间断性频振推成芯片长时间处于超负荷状态，因此耗电量相对较高。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种石墨烯智能芯片，以解决上述问题。
本申请实施例提供了一种石墨烯智能芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括通过绝缘结构，所述绝缘结构内印刷有至少一层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的多个六角形呈六角空心结构，所述结缘结构包括上层绝缘板和下层绝缘板；
还包括沿所述上层绝缘板的边缘或下层绝缘板的边缘设置的导电条，所述结缘结构上还设置有与所述导电条电路连接的电路焊接口。
进一步地，所述上层绝缘板和所述下层绝缘板烘压连接。
进一步地，所述绝缘结构内还设置有加热层，以及与所述加热层电路连接加热接口。
进一步地，所述石墨烯薄膜表面覆盖有绝缘保护薄膜层。
进一步地，所述绝缘保护薄膜层为PVC薄膜、PE薄膜、PET薄膜中至少一种。
进一步地，所述石墨烯薄膜按照预定温度印刷至所述绝缘结构体内。
进一步地，所述预定温度为40摄氏度。
进一步地，所述石墨烯薄膜为波浪状薄膜，且波峰、波谷分别对应的位移相等。
在本申请实施例将石墨烯材料作为芯片的主要结构，不仅起到了提高导电导热效率的作用，还解决了现有技术中芯片双回路、稳定性差的问题，而导电条的设置，则进一步加快了芯片的导电导热速度。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是本申请实施例提供的石墨烯智能芯片的爆炸结构示意图；
图中：
1、上层绝缘板；2、石墨烯薄膜；3、下层绝缘板；4、导电条。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本申请中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”、“套接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
参考图1，本申请提供了一种石墨烯智能芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括绝缘结构，所述绝缘结构内印刷有至少一层石墨烯薄膜2，所述石墨烯薄膜的多个六角形呈六角空心结构，所述结缘结构包括上层绝缘板 1和下层绝缘板3；
还包括沿所述上层绝缘板的边缘或下层绝缘板的边缘设置的导电条4，所述结缘结构上还设置有与所述导电条电路连接的电路焊接口。
具体应用时，通过电路焊接口焊接电线后，可以在上层绝缘板和所述下层绝缘通过灌胶进行密封处理，从而实现防水目的。具体应用时，可以沿所述上层绝缘板内测边缘或所述下层绝缘板内测的内部边缘设置喷覆灌胶，形成灌胶圈，并将石墨烯薄膜印刷在所述上层绝缘板或所述下层绝缘板上。具体应用时，可以采用焊接的方式，在绝缘板内设置导电条，以便通过导电条与石墨烯薄膜电连接，以在通电后，使石墨烯快速发热、导电。同时，所述石墨烯薄膜的多个六角形呈六角空心结构，则解决了现有芯片存储在电路双回路问题，解决了芯片的频变稳定性差，初始启动负荷高的问题。
本申请实施例中，通过烘压技术将上层绝缘板和所述下层绝缘板烘压制在一起。
本实施例通过沿所述上层绝缘板的边缘或下层绝缘板的边缘设置的导电条，使得导电条的长度与上层绝缘板或下层绝缘板的长度相等，保证了导电条与石墨烯薄膜长度接近甚至相等，扩大了导电条与石墨烯薄膜的接触范围，因此，在导电条通电后，能够快速加热石墨烯薄膜，实现提高本申请提供的基于石墨烯的芯片的导电导热速度。而灌胶层的设置则起到了密封所述上层绝缘板和所述下层绝缘板的作用，提高了基于石墨烯的芯片的防水性。
本申请实施例中，采用的是二维结构的石墨烯结构，即包含六角元胞 (等角六边形)的石墨烯薄膜，通过这种二维结构的石墨烯薄膜，使得本申请提供的芯片具有优异的光学、电学、力学特性。
在一些实现方式中，所述绝缘结构内还设置有加热层，所述加热层电路连接焊接电路焊接口，具体应用时，加热层一般通过将纳米电气石粉覆盖在石墨烯薄膜以形成加热层，以在通电后，通过加热层与石墨烯薄膜的热交换提高整个芯片的加热速度。具体应用时，还可以将加热层设置为金属网，以通过金属网与石墨烯的导热，进一步加快石墨烯基板的加热速度。
在一些实现方式中，所述石墨烯薄膜表面覆盖有绝缘保护薄膜层，具体应用时，所述绝缘保护薄膜层为PVC薄膜、PE薄膜、PET薄膜中至少一种，通过绝缘保护薄膜层起到防止漏电的作用，即通过绝缘保护薄膜层以及绝缘结构体实现双重防漏电目的。
在一些实现方式中，所述石墨烯薄膜按照预定温度印刷至所述绝缘结构体内。本申请实施例中，石墨烯薄膜的数量至少为1。进一步地，所述预定温度为40摄氏度。具体应用时，石墨烯薄膜的数量一般根据温度来确定，温度为40度，那么做墙暖时，需要印刷两层甚至多层石墨烯薄膜。
在一些实现方式中，所述石墨烯薄膜为波浪状薄膜，且波峰、波谷分别对应的位移相等。
本申请实施例中，石墨烯薄膜的六角空心结构起到了提高导电性的作用，通过焊接口实现与电气设备的连接，从而通过导电条加热石墨烯，起到快速加热的目的。
具体应用时，上层绝缘层和下层绝缘层可以相同的材料，也可以采用不同的材料。本申请实施例中，将上层绝缘层和下层绝缘层可以采用环氧树脂片、外材料等，起到绝缘目的。
在一些实现方式中，石墨烯薄膜为波浪状薄膜，且波峰、波谷分别对应的位移相等。波浪状薄膜的设置，增大了上层绝缘层和下层绝缘层内部石墨烯薄膜的面积。具体应用时，不同石墨烯薄膜间隔设置在波峰波之间。具体应用时，相邻两个波峰之前的距离相等。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种石墨烯智能芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体包括绝缘结构，所述绝缘结构内印刷有至少一层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的多个六角形呈六角空心结构，所述结缘结构包括上层绝缘板和下层绝缘板；
还包括沿所述上层绝缘板的边缘或下层绝缘板的边缘设置的导电条，所述结缘结构上还设置有与所述导电条电路连接的电路焊接口。
2.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述上层绝缘板和所述下层绝缘板烘压连接。
3.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述绝缘结构内还设置有加热层，以及与所述加热层电路连接加热接口。
4.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述石墨烯薄膜表面覆盖有绝缘保护薄膜层。
5.根据权利要求4所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述绝缘保护薄膜层为PVC薄膜、PE薄膜、PET薄膜中至少一种。
6.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述导电条为铜导片，且所述铜导片按照预定间隔设置。
7.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述石墨烯薄膜按照预定温度印刷至所述绝缘结构体内。
8.根据权利要求7所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述预定温度为40摄氏度。
9.根据权利要求1所述的石墨烯智能芯片，其特征在于，所述石墨烯薄膜为波浪状薄膜，且波峰、波谷分别对应的位移相等。
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