CN110303419B - 一种抛光设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种抛光设备及方法,所述抛光设备包括:至少一个第一抛光头,每一个第一抛光头包括:第一材质的第一吸盘,当第一吸盘用于固定待处理硅片时,待处理硅片的第一表面与第一吸盘贴合连接;至少一个第二抛光头,每一个第二抛光头包括:第二材质的第二吸盘,所述第二材质的硬度大于所述第一材质,当第二吸盘用于固定待处理硅片时,待处理硅片的第一表面与第二吸盘贴合连接;至少一个抛光盘,抛光盘与第一抛光头和第二抛光头可转动连接,通过第一抛光头和第二抛光头分别将待处理硅片的与第一表面相对的第二表面在抛光盘上进行研磨处理,这样可以提高待处理硅片表面的平整度,还可以减少待处理硅片表面颗粒的残留数量,从而得到表面性能优异的硅片。

Description

一种抛光设备及方法
技术领域
本发明涉及硅片加工领域,特别涉及一种抛光设备及方法。
背景技术
硅材料是制造超大规模集成电路的主要衬底材料,随着半导体行业的飞速发展,对衬底材料的精度要求也越来越高,因而对硅片的质量要求越来越严格,尤其对硅片表面平整度的要求。但是,现有的抛光设备和方法无法满足硅片的质量要求。
发明内容
本发明实施例提供了一种抛光设备及方法,以解决现有的抛光设备和方法无法满足硅片的质量要求的问题。
第一方面,为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种抛光设备,包括:
至少一个第一抛光头,每一个第一抛光头包括:第一材质的第一吸盘,当所述第一吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接;
至少一个第二抛光头,每一个第二抛光头包括:第二材质的第二吸盘,所述第二材质的硬度大于所述第一材质,当所述第二吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接;
至少一个抛光盘,所述抛光盘与所述第一抛光头和所述第二抛光头可转动连接,通过所述第一抛光头和所述第二抛光头分别将待处理硅片的与所述第一表面相对的第二表面在所述抛光盘上进行研磨处理。
可选地,所述第一抛光头还包括:
第一本体,所述第一本体上设置有第一容纳空间;
所述第一吸盘包括:
第一材质的第一连接件,所述第一连接件位于所述第一容纳空间中,所述第一容纳空间内注有第一流体,所述第一流体对所述第一连接件的第一表面施加第一压力;
第二连接件,所述第二连接件与所述第一连接件的与第一表面相对设置的第二表面贴合连接,所述第二连接件上设置有第二容纳空间,所述待处理硅片通过第一压力吸附固定在所述第二容纳空间中。
可选地,所述第二抛光头还包括:
第二本体,所述第二本体上设置有第三容纳空间;
所述第二吸盘包括:
第二材质的第三连接件,所述第三连接件位于所述第三容纳空间中,所述第三容纳空间内注有第二流体,所述第二流体对所述第三连接件的第一表面施加第二压力,所述第三连接件设置有第四容纳空间;
第四连接件,所述第四容纳空间内注有第三流体,所述第三流体对所述第四连接件的第一表面施加第三压力,所述第四连接件设置有第五容纳空间,所述待处理硅片通过所述第二压力和所述第三压力吸附固定在所述第五容纳空间中。
可选地,所述抛光设备还包括:
至少两个移栽结构,每个移栽结构上设置有多个移栽台,所述移栽台用于在进行研磨处理前放置待处理硅片;
至少一个机械臂,所述机械臂用于将一个移栽结构上的待处理硅片传送至另一个移栽结构上。
可选地,所述第一抛光头和所述第二抛光头的数量为至少两个时,所述抛光设备还包括:
第一索引结构,所述第一索引结构与所述第一抛光头连接,所述第一索引结构用于带动所述第一抛光头从一个抛光盘的上方移动至另外一个抛光盘的上方;
第二索引结构,所述第二索引结构与所述第二抛光头连接,所述第二索引结构用于带动所述第二抛光头从一个抛光盘的上方移动至另外一个抛光盘的上方。
可选地,所述第一材质为橡胶,所述第二材质为陶瓷。
第二方面,本发明实施例还提供了一种抛光方法,应用于如上所述的抛光设备,该抛光方法包括:
通过第一材质的第一吸盘将待处理硅片吸附在第一抛光头上,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的与第一表面相对的第二表面在所述抛光盘上研磨第一预设时间;
再通过第二材质的第二吸盘将待处理硅片吸附在第二抛光头上,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的第二表面在所述抛光盘上研磨第二预设时间。
可选地,所述将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上研磨第一预设时间,包括:
采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上进行第一预设次数的研磨,所述第一预设次数的研磨时间的总和为第一预设时间。
可选地,所述将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上研磨第二预设时间,包括:
采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上进行第二预设次数的研磨,所述第二预设次数的研磨时间的总和为第二预设时间。
可选地,所述第一材质为橡胶,所述第二材质为陶瓷。
本发明的实施例具有如下有益效果:
在本发明实施例中,该抛光设备将第一抛光头和第二抛光头集成在一起,其中第一抛光头设置有第一材质的第一吸盘,通过第一吸盘可以分区域调整第一抛光头对待处理硅片的研磨压力,从而通过调节待处理硅片表面所承受的研磨压力,来提高待处理硅片表面的平整度。同时,第二抛光头设置有第二材质的第二吸盘,通过第二抛光头对待处理硅片进行研磨处理,能很好地改善待处理硅片表面的局部平整度,同时还可以减少金属颗粒污染,从而减少待处理硅片表面颗粒的残留数量,进而得到表面性能优异的硅片。
附图说明
图1为本发明实施例的抛光设备的结构示意图;
图2为本发明实施例的第一抛光头的结构示意图;
图3为本发明实施例的第二抛光头的结构示意图;
图4为本发明实施例的抛光方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
一般地,抛光工艺包括粗抛和精抛两步,粗抛光主要作用是去除硅片表面的损伤层和提高硅片表面的平整度;精抛光主要是通过抛光头带动硅片在粘贴有抛光板的抛光垫上进行多次不同条件研磨,从而提高表面的平整度和减少硅片表面颗粒等。但是,在硅片的精抛光过程中,抛光头均采用单一材质,难以在满足平整度的前提下同时满足去除损伤层和表面颗粒等需求,进而使得生产所得的硅片质量较低。
为此,参见图1,本发明实施例提供了一种抛光设备,可以将该抛光设备用于硅片的精抛光过程中。该抛光设备包括:至少一个第一抛光头11、至少一个第二抛光头12和至少一个抛光盘13。其中,每一个第一抛光头11包括:第一材质的第一吸盘(图中未示出),当所述第一吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接;每一个第二抛光头12包括:与所述第一材质不同的第二材质的第二吸盘(图中未示出),当所述第二吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接;所述抛光盘13与所述第一抛光头11和所述第二抛光头12可转动连接,通过所述第一抛光头11和所述第二抛光头12分别将待处理硅片的与所述第一表面相对的第二表面在所述抛光盘13上进行研磨处理。
在本发明实施例中,所述第一材质可以为橡胶,橡胶是指具有可逆形变的高弹性聚合物材料,在室温下富有弹性,在很小的外力作用下能产生较大形变,除去外力后能恢复原状。因此,通过第一材质的第一吸盘可以分区域调整第一抛光头11对待处理硅片的研磨压力,从而通过调节待处理硅片表面所承受的研磨压力,来提高待处理硅片表面的平整度。
在本发明实施例中,所述第二材质的硬度大于第一材质的硬度,所述第二材质可以为陶瓷,陶瓷材料是指用天然或合成化合物经过成形和高温烧结制成的一类无机非金属材料。由于陶瓷材质的表面形貌稳定,其散热性能好,采用第二抛光头12对待处理硅片进行研磨处理,能很好地改善待处理硅片表面的局部平坦度,同时还可以减少金属颗粒污染,从而提高待处理硅片表面颗粒的残留数量。
进一步地,在对待处理硅片进行精抛光过程中,可以首先采用第一抛光头11对待处理硅片进行研磨处理,来提高待处理硅片的平整度。在维持平整度的基础上,采用第二抛光头12对待处理硅片再次进行研磨处理,来去除待处理硅片的表面颗粒和降低金属杂质含量。
在本发明实施例中,可以将一个或多个第一抛光头11同时在一个抛光盘13上对待处理硅片进行研磨处理,例如:图1所示的情形为两个第一抛光头11同时在一个抛光盘13上进行研磨处理的情形。同样地,可以将一个或多个第二抛光头12同时在一个抛光盘13上对待处理硅片进行研磨处理,例如:图1所示的情形为两个第二抛光头12同时在一个抛光盘13上进行研磨处理的情形。
另外,所述第一抛光头11和所述第二抛光头12可以在相同的或不同的抛光盘13上进行研磨处理,其中图1所示的情形为第一抛光头11和第二抛光头12分别在不同的抛光盘13上进行研磨处理的情形,需要说明的是,本发明实施例并不仅限于图1所示的情形。
继续参见图1,所述抛光设备还包括:至少两个移栽结构14;每个移栽结构14上设置有多个移栽台141,所述移栽台141用于在进行研磨处理前放置待处理硅片。
在一些实施方式中,每个移栽结构14上设置有多个移栽台141,每个所述移栽台141可以放置一个待处理硅片,可以理解的是,一个移栽结构14上可以放置多个硅片。其中可以根据实际需要确定所述移栽台141的数量,例如:图1所示的是一个移栽结构14上设置有6个移栽台141的情形。需要说明的是,本发明实施例并不具体限定每个移栽结构14上的移栽台141的数量。
具体地,所述移栽结构14为圆柱形结构,在所述移栽结构14上设置有多个圆形的移栽台141,所述移栽台141可以以对称或非对称的方式设置在所述移栽结构14上。例如:参见图1所示,6个移栽台141围绕所述移栽结构14的中心以对称方式设置。需要说明的是,所述移栽台141的设置方式并不仅限于图1所示的情形。
通常地,在将待处理硅片从一个工艺运送至下一个工艺时,需要将待处理硅片卸载至容量为13ea或者25ea的片盒中,再集中将片盒通过水车运转至下一个工艺。在通过此种方式的运输过程中,不同硅片之间容易交叉污染。同时,水车也容易受外界环境的污染。
继续参见图1,为了解决硅片运输过程中的交叉污染的问题,所述抛光设备还包括:至少一个机械臂15;所述机械臂15用于将一个移栽结构14上的待处理硅片传送至另一个移栽结构14上。这样采用机械臂15传递硅片时,可以避免将硅片卸载至片盒再通过片盒运输的复杂工艺,同时单片传递硅片能降低污染风险。
除此之外,所述机械臂15还可以用于将待处理硅片从第一片盒18传送至移栽结构14上,或者将完成研磨处理的硅片传动至第二片盒19中。需要说明的是,可以根据机械臂15要实现的作用确定机械臂15的设置位置。例如:当机械臂15用于将一个移栽结构14上的待处理硅片传送至另一个移栽结构14上时,可以将机械臂15设置在两个移栽结构14之间。
需要说明的是,以上有关所述机械臂15的作用以及设置位置的描述只是示例并非限定,可以理解的是,本发明实施例中并不具体限定所述机械臂15的作用和设置位置。
进一步地,所述抛光设备还包括:底座(图中未示出),所述抛光盘13和所述移栽结构14均与所述底座可转动连接,所述机械臂15与底座固定连接。
继续参见图1,所述第一抛光头11和所述第二抛光头12的数量为至少两个时,所述抛光设备还包括:第一索引结构16和第二索引结构17;其中,所述第一索引结构16与所述第一抛光头11连接,所述第一索引结构16用于带动所述第一抛光头11从一个抛光盘13的上方移动至另外一个抛光盘13的上方;所述第二索引结构17与所述第二抛光头12连接,所述第二索引结构17用于带动所述第二抛光头12从一个抛光盘13的上方移动至另外一个抛光盘13的上方。
例如:参见图1,与第一抛光头11对应的抛光盘13有3个,分别包括:第一抛光盘131、第二抛光盘132和第三抛光盘133,每个抛光盘上可以有2个第一抛光头11同时进行研磨处理,可以理解的是,通过该抛光设备可以同时处理6片硅片。以图1所示的情形为例,假设与第一抛光盘131对应的为第一抛光头A,与第二抛光盘132对应的为第一抛光头B,与第三抛光盘133对应的为第一抛光头C,以及位于移栽结构14上方的第一抛光头D。第一抛光头A、第一抛光头B和第一抛光头C分别在第一抛光盘131、第二抛光盘132和第三抛光盘133上研磨第一时间后,第一索引结构16可以带动第一抛光头A、第一抛光头B和第一抛光头C和第一抛光头D同时向预设方向转动预设角度,可以使得所述第一抛光头D位于所述第一抛光盘131上方,第一抛光头A位于第二抛光盘132的上方,所述第一抛光头B位于第三抛光盘133的上方,以及所述第一抛光头C位于所述移栽结构14的上方,按照此种方式所述第一抛光头D、第一抛光头B和第一抛光头C分别在第一抛光盘131、第二抛光盘132和第三抛光盘133上研磨第二时间后,可以通过第一索引结构16再次带动第一抛光头A、第一抛光头B和第一抛光头C和第一抛光头D同时向预设方向转动预设角度,然后再次研磨第三时间,重复以上过程。同时,第二抛光头12的研磨处理流程与第一抛光头的研磨处理流程相同。
参见图2,在上述实施例的基础上,所述第一抛光头11还包括:第一本体111,所述第一本体111上设置有第一容纳空间112。对应地,所述第一吸盘包括:第一材质的第一连接件113和第二连接件114;所述第一连接件113位于所述第一容纳空间112中,所述第一容纳空间112内注有第一流体,所述第一流体对所述第一连接件113的第一表面施加第一压力;所述第二连接件114与所述第一连接件113的与第一表面相对设置的第二表面贴合连接,所述第二连接件114上设置有第二容纳空间1141,所述待处理硅片2通过第一压力吸附固定在所述第二容纳空间1141中。
在本发明实施例中,所述第一流体可以为气体或液体,例如:所第一流体可以为水。需要说明的是,在本发明实施例中并不具体限定所述第一流体的具体结构形式。
参见图3,在上述实施例的基础上,所述第二抛光头12还包括:第二本体121,所述第二本体121上设置有第三容纳空间122;对应地,所述第二吸盘包括:第二材质的第三连接件123和第四连接件124;所述第三连接件123位于所述第三容纳空间122中,所述第三容纳空间122内注有第二流体,所述第二流体对所述第三连接件123的第一表面施加第二压力,所述第三连接件123设置有第四容纳空间1231;所述第四容纳空间1231内注有第三流体,所述第三流体对所述第四连接件124的第一表面施加第三压力,所述第四连接件124设置有第五容纳空间1241,所述待处理硅片2通过所述第二压力和所述第三压力吸附固定在所述第五容纳空间1241中。
在本发明实施例中,所述第二流体可以为气体或液体,例如:所第二流体可以为水。在本发明实施例中并不具体限定所述第二流体的具体结构形式。
在本发明实施例中,该抛光设备将第一抛光头11和第二抛光头12集成在一起,其中第一抛光头11设置有第一材质的第一吸盘,通过第一吸盘可以分区域调整第一抛光头11对待处理硅片的研磨压力,从而通过调节待处理硅片表面所承受的研磨压力,来提高待处理硅片表面的平整度。同时,第二抛光头12设置有第二材质的第二吸盘,通过第二抛光头对待处理硅片进行研磨处理,能很好地改善待处理硅片表面的局部平坦度,同时还可以减少金属颗粒污染,从而提高待处理硅片表面颗粒的残留数量,从而得到表面性能优异的硅片。
为了解决现有的抛光设备和方法无法满足硅片的质量要求的问题,本发明实施例还提供了一种抛光方法,该抛光方法的实施原理与抛光设备的实施原理相似,相似之处不再赘述。
参见图4,本发明实施例还提供了一种抛光方法,采用如上所述的抛光设备对零件进行抛光,其中零件可以为晶圆或硅片等。该抛光方法具体步骤如下所示:
步骤401:通过第一材质的第一吸盘将待处理硅片吸附在第一抛光头11上,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的与第一表面相对的第二表面在所述抛光盘13上研磨第一预设时间;
在本发明实施例中,所述第一材质可以为橡胶,橡胶是指具有可逆形变的高弹性聚合物材料,在室温下富有弹性,在很小的外力作用下能产生较大形变,除去外力后能恢复原状。因此,通过第一材质的第一吸盘可以分区域调整第一抛光头11对待处理硅片的研磨压力,从而通过调节待处理硅片表面所承受的研磨压力,来提高待处理硅片表面的平整度。
在本发明实施例中,步骤401具体包括:采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上进行第一预设次数的研磨,所述第一预设次数的研磨时间的总和为第一预设时间。
在本发明实施例中,步骤401进一步包括:首先采用第一抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第一时间;再采用第二抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第二时间;最终采用第三抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第三时间,所述第一时间、所述第二时间和所述第三时间之和为第一预设时间。
需要说明的是,所述第一抛光液、所述第二抛光液和所述第三抛光液的研磨粒径大小可以根据研磨精度确定,所述第一抛光液、所述第二抛光液和所述第三抛光液的研磨粒径大小依次递减,可以理解的是,所述第一抛光液的研磨粒径是三者中最大的,所述第三抛光液的研磨粒径是三者中最小的。
在本发明实施例中,所述第一时间、所述第二时间和所述第三时间的分配比例可以根据研磨精度确定,例如:可以将所述第一时间、所述第二时间和所述第三时间设置为相同时间。需要说明的是,以上有关所述第一时间、所述第二时间和所述第三时间的描述只是示例并非限定,可以理解的是,本发明实施例并不具体限定所述第一时间、所述第二时间和所述第三时间的大小以及分配比例。
步骤402:再通过第二材质的第二吸盘将待处理硅片吸附在第二抛光头12上,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的第二表面在所述抛光盘13上研磨第二预设时间。
在本发明实施例中,所述第二材质可以为陶瓷,陶瓷材料是指用天然或合成化合物经过成形和高温烧结制成的一类无机非金属材料。由于陶瓷材质的表面形貌稳定,其散热性能好,采用第二抛光头12对待处理硅片进行研磨处理,能很好地改善待处理硅片表面的局部平坦度。同时,陶瓷材质会减少金属颗粒污染,从而提高待处理硅片表面颗粒的残留数量。
在本发明实施例中,步骤402具体包括:采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上进行第二预设次数的研磨,所述第二预设次数的研磨时间的总和为第二预设时间。
在本发明实施例中,步骤402进一步包括:首先采用第四抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第四时间;再采用第五抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第五时间;最终采用第六抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘13上研磨第六时间,所述第四时间、所述第五时间和所述第六时间之和为第二预设时间。
同样地,所述第四抛光液、所述第五抛光液和所述第六抛光液的研磨粒径大小可以根据研磨精度确定,所述第四抛光液、所述第五抛光液和所述第六抛光液的研磨粒径大小依次递减,可以理解的是,所述第四抛光液的研磨粒径是三者中最大的,所述第六抛光液的研磨粒径是三者中最小的。
在本发明实施例中,所述第四时间、所述第五时间和所述第六时间的分配比例可以根据研磨精度确定,例如:可以将所述第四时间、所述第五时间和所述第六时间设置为相同时间。需要说明的是,以上有关所述第四时间、所述第五时间和所述第六时间的描述只是示例并非限定,可以理解的是,本发明实施例并不具体限定所述第四时间、所述第五时间和所述第六时间的大小以及分配比例。
为了便于理解本发明实施例的抛光方法,接下来以图1所示的结构对抛光方法进行示例性说明。
其中,至少一个待处理硅片置于第一片盒18中,例如:第一片盒18中一共容纳有13ea或者25ea的待处理硅片。其中该移栽结构14设置有6个移栽台141,可以将移栽台141进行编号,其中移栽台141上所示的数字可以为移栽台141所对应的编号。
首先,通过机械臂15将第一片盒18中的待处理硅片放置到移栽结构14的编号为1的移栽台141上,然后将放置有待处理硅片的移栽台141旋转至第一等待区,其中图1中编号为2的移栽台141所处的位置即为第一等待区。
需要说明的是,可以在第一等待区的位置清洗夹取待处理硅片的第一吸盘。
然后,抛光盘13包括:第一抛光盘131、第二抛光盘132和第三抛光盘133。第一抛光头11通过第一材质的第一吸盘夹取处于第一等待区的待处理硅片,然后通过第一索引结构16旋转带动第一抛光头11旋转至第一抛光盘131上,将待处理硅片在第一抛光盘131上研磨第一时间后,再次通过第一索引结构16旋转带动第一抛光头11旋转至第二抛光盘132上,将待处理硅片在第二抛光盘132上研磨第二时间后,再次通过第一索引结构16旋转带动第一抛光头11旋转至第三抛光盘133上,将待处理硅片在第三抛光盘133上研磨第三时间后,再次通过第一索引结构16旋转带动第一抛光头11旋转至移栽结构14的第一等待区处,并将硅片卸载至编号为1的移栽台141上。
然后,将编号为1的移栽台141旋转至编号为3的移栽台141所处位置,进而通过机械臂15将待处理硅片传送至编号为4的移栽台141上,将编号为4的移栽台141旋转至第二等待区,其中编号为5的移栽台141所处的位置即为第二等待区。
然后,抛光盘13还包括:第四抛光盘134、第五抛光盘135和第六抛光盘136。第二抛光头12通过第二材质的第二吸盘夹取处于第二等待区的待处理硅片,然后通过第二索引结构17旋转带动第二抛光头12旋转至第四抛光盘134上,将待处理硅片在第四抛光盘134上研磨第四时间后,再次通过第二索引结构17旋转带动第二抛光头12旋转至第五抛光盘135上,将待处理硅片在第五抛光盘135上研磨第五时间后,再次通过第二索引结构17旋转带动第二抛光头12旋转至第六抛光盘136上,将待处理硅片在第六抛光盘136上研磨第六时间后,再次通过第二索引结构17旋转带动第二抛光头12旋转至移栽结构14的第二等待区处,并将硅片卸载至编号为4的移栽台141上。
需要说明的是,可以在第二等待区的位置清洗夹取待处理硅片的第二吸盘。
然后,将编号为4的移栽台141旋转至图1中编号6的移栽台141所处的位置,并通过机械臂15将处理完成的硅片输送至第二片盒19中,一个待处理硅片的研磨处理过程结束。
需要说明的是,通过本发明实施例的抛光设备可以同时处理多个硅片,其他硅片的研磨处理过程重复以上过程即可。
在本发明实施例中,首先采用第一抛光头11对待处理硅片研磨第一预设时间,然后再采用第二抛光头12对待处理硅片研磨第二预设时间。其中通过第一抛光头11可以分区域调整第一抛光头11对待处理硅片的研磨压力,从而通过调节待处理硅片表面所承受的研磨压力,来提高待处理硅片表面的平整度。同时通过第二抛光头12对待处理硅片进行研磨处理,能很好地改善待处理硅片表面的局部平坦度,同时还可以减少金属颗粒污染,从而减少待处理硅片表面颗粒的残留数量,从而得到表面性能优异的硅片。
另外,通过机械臂15输送待处理硅片可以避免将硅片卸载至片盒再通过片盒运输的复杂工艺,同时单片传递硅片能降低污染风险。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种抛光设备,其特征在于,包括:
至少一个第一抛光头,每一个第一抛光头包括:第一材质的第一吸盘,当所述第一吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接;
至少一个第二抛光头,每一个第二抛光头包括:第二材质的第二吸盘,所述第二材质的硬度大于所述第一材质,当所述第二吸盘用于固定待处理硅片时,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接;
至少一个抛光盘,所述抛光盘与所述第一抛光头和所述第二抛光头可转动连接,通过所述第一抛光头和所述第二抛光头分别将待处理硅片的与所述第一表面相对的第二表面在所述抛光盘上进行研磨处理。
2.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述第一抛光头还包括:
第一本体,所述第一本体上设置有第一容纳空间;
所述第一吸盘包括:
第一材质的第一连接件,所述第一连接件位于所述第一容纳空间中,所述第一容纳空间内注有第一流体,所述第一流体对所述第一连接件的第一表面施加第一压力;
第二连接件,所述第二连接件与所述第一连接件的与第一表面相对设置的第二表面贴合连接,所述第二连接件上设置有第二容纳空间,所述待处理硅片通过第一压力吸附固定在所述第二容纳空间中。
3.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述第二抛光头还包括:
第二本体,所述第二本体上设置有第三容纳空间;
所述第二吸盘包括:
第二材质的第三连接件,所述第三连接件位于所述第三容纳空间中,所述第三容纳空间内注有第二流体,所述第二流体对所述第三连接件的第一表面施加第二压力,所述第三连接件设置有第四容纳空间;
第四连接件,所述第四容纳空间内注有第三流体,所述第三流体对所述第四连接件的第一表面施加第三压力,所述第四连接件设置有第五容纳空间,所述待处理硅片通过所述第二压力和所述第三压力吸附固定在所述第五容纳空间中。
4.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述抛光设备还包括:
至少两个移栽结构,每个移栽结构上设置有多个移栽台,所述移栽台用于在进行研磨处理前放置待处理硅片;
至少一个机械臂,所述机械臂用于将一个移栽结构上的待处理硅片传送至另一个移栽结构上。
5.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述第一抛光头和所述第二抛光头的数量为至少两个时,所述抛光设备还包括:
第一索引结构,所述第一索引结构与所述第一抛光头连接,所述第一索引结构用于带动所述第一抛光头从一个抛光盘的上方移动至另外一个抛光盘的上方;
第二索引结构,所述第二索引结构与所述第二抛光头连接,所述第二索引结构用于带动所述第二抛光头从一个抛光盘的上方移动至另外一个抛光盘的上方。
6.根据权利要求1至5任一项所述的抛光设备,其特征在于,所述第一材质为橡胶,所述第二材质为陶瓷。
7.一种抛光方法,其特征在于,应用于如权利要求1至6任一项所述的抛光设备,所述抛光方法包括:
通过第一材质的第一吸盘将待处理硅片吸附在第一抛光头上,所述待处理硅片的第一表面与所述第一吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的与第一表面相对的第二表面在所述抛光盘上研磨第一预设时间;
再通过第二材质的第二吸盘将待处理硅片吸附在第二抛光头上,所述待处理硅片的第一表面与所述第二吸盘贴合连接,并将所述待处理硅片的第二表面在所述抛光盘上研磨第二预设时间。
8.根据权利要求7所述的抛光方法,其特征在于,所述将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上研磨第一预设时间,包括:
采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上进行第一预设次数的研磨,所述第一预设次数的研磨时间的总和为第一预设时间。
9.根据权利要求7所述的抛光方法,其特征在于,所述将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上研磨第二预设时间,包括:
采用不同研磨粒径的抛光液将所述待处理硅片的第二表面在抛光盘上进行第二预设次数的研磨,所述第二预设次数的研磨时间的总和为第二预设时间。
10.根据权利要求7所述的抛光方法,其特征在于,所述第一材质为橡胶,所述第二材质为陶瓷。
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