CN110277471A - 基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，包括：对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层；对氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层；对本征层进行表面纹理化处理；对表面纹理化得到的硅片进行扩散；对扩散后的硅片进行刻蚀抛光；对刻蚀抛光后的硅片进行背面氧化铝与氮化硅沉积；对背面氧化铝与氮化硅沉积后的硅片进行正面氮化硅沉积；利用腐蚀性铝浆在正面氮化硅沉积后的硅片上进行开槽与形成背场；对开槽与形成背场后的硅片通过正面丝网印刷形成正面接触。本发明通过研发高效电池制备工艺，以降低电池生产成本，最终实现规模量产效应，利用现有设备就能生产，简单有效、成本可控，可形成高开路电压晶体硅电池。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法。
背景技术
随着全球能源危机的日益严重，开发研制新能源成为当今能源领域一个主要课题。太阳能以其无污染、取之不竭以及无地域性限制等特点成为新能源开发研制的一个主要对象。利用太阳电池进行光伏发电是当今利用太阳能的一个主要方式。太阳能电池的载体是晶体硅片，由于晶体硅片存在不同的缺陷。
P型太阳能电池在太阳能电池的生产制造过程中，基本围绕着两个重点，一个是提高太阳能电池的光电转换效率，另一个是降低太阳能电池的生产成本。目前，降低太阳能电池成本已达到平价上网范围，为进一步降低生产成本先只能提升提太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法。
为解决上述问题，本发明提供一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，包括：
对硅片进行抛光处理；
对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层；
对所述氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层；
对所述本征层进行表面纹理化处理，以增加陷光效果；
对所述表面纹理化得到的硅片进行扩散；
对扩散后的硅片进行刻蚀抛光；
对刻蚀抛光后的硅片进行背面氧化铝与氮化硅沉积；
对背面氧化铝与氮化硅沉积后的硅片进行正面氮化硅沉积；
利用腐蚀性铝浆在正面氮化硅沉积后的硅片上进行开槽与形成背场；
对开槽与形成背场后的硅片通过正面丝网印刷形成正面接触。
进一步的，在上述方法中，对硅片进行抛光处理中，
所述抛光处理后的硅片的反射率为35％-40％。
进一步的，在上述方法中，对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层中，
所述氧化层的厚度为≤2nm。
进一步的，在上述方法中，对所述氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层中，
所述本征层的厚度为500nm。
与现有技术相比，本发明提供了一种高效晶体硅电池的制作方法，本发明旨在通过研发高效电池制备工艺，以降低电池生产成本，最终实现规模量产效应，可应用于规模化生产的高效电池工艺路线，利用现有设备就能生产，工艺本身成本和技术难度低于P型TOPCOn电池，在现有的PERC电池工艺方面实现简单有效、成本可控，可形成高开路电压晶体硅电池。
附图说明
图1是本发明一实施例的基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，本发明提供一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，包括：
步骤S1，对硅片进行抛光处理；
优选的，所述抛光处理后的硅片的反射率为35％-40％；
步骤S2，对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层；
优选的，所述氧化层的厚度为≤2nm；
步骤S3，对所述氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层；
优选的，所述本征层的厚度为500nm；
步骤S4，对所述本征层进行表面纹理化处理，以增加陷光效果；
步骤S5，对所述表面纹理化得到的硅片进行扩散；
步骤S6，对扩散后的硅片进行刻蚀抛光；
步骤S7，对刻蚀抛光后的硅片进行背面氧化铝与氮化硅沉积；
步骤S8，对背面氧化铝与氮化硅沉积后的硅片进行正面氮化硅沉积；
步骤S9，利用腐蚀性铝浆在正面氮化硅沉积后的硅片上进行开槽与形成背场；
步骤S10，对开槽与形成背场后的硅片通过正面丝网印刷形成正面接触。
在此，本发明提供了一种高效晶体硅电池的制作方法，本发明旨在通过研发高效电池制备工艺，以降低电池生产成本，最终实现规模量产效应，可应用于规模化生产的高效电池工艺路线，利用现有设备就能生产，工艺本身成本和技术难度低于P型TOPCOn电池，在现有的PERC电池工艺方面实现简单有效、成本可控，可形成高开路电压晶体硅电池。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (4)
1.一种基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
对硅片进行抛光处理；
对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层；
对所述氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层；
对所述本征层进行表面纹理化处理，以增加陷光效果；
对所述表面纹理化得到的硅片进行扩散；
对扩散后的硅片进行刻蚀抛光；
对刻蚀抛光后的硅片进行背面氧化铝与氮化硅沉积；
对背面氧化铝与氮化硅沉积后的硅片进行正面氮化硅沉积；
利用腐蚀性铝浆在正面氮化硅沉积后的硅片上进行开槽与形成背场；
对开槽与形成背场后的硅片通过正面丝网印刷形成正面接触。
2.如权利要求1所述的基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，其特征在于，对硅片进行抛光处理中，
所述抛光处理后的硅片的反射率为35％-40％。
3.如权利要求1所述的基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，其特征在于，对抛光处理后的硅片进行氧化处理得到氧化层中，
所述氧化层的厚度为≤2nm。
4.如权利要求1所述的基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法，其特征在于，对所述氧化层沉积后进行Poly层沉积得到本征层中，
所述本征层的厚度为500nm。
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| CN115377252A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-11-22 | 英利能源发展(天津)有限公司 | 一种抑制pecvd法生长多晶硅表面爆膜的方法 |
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