CN110265768B - 天线模块 - Google Patents

天线模块 Download PDF

Info

Publication number
CN110265768B
CN110265768B CN201811338045.4A CN201811338045A CN110265768B CN 110265768 B CN110265768 B CN 110265768B CN 201811338045 A CN201811338045 A CN 201811338045A CN 110265768 B CN110265768 B CN 110265768B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring layer
antenna
disposed
filter
antenna module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811338045.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110265768A (zh
Inventor
金斗一
郑大权
许荣植
白龙浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN110265768A publication Critical patent/CN110265768A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110265768B publication Critical patent/CN110265768B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/08—Radiating ends of two-conductor microwave transmission lines, e.g. of coaxial lines, of microstrip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
    • H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/40—Radiating elements coated with or embedded in protective material
    • H01Q1/405—Radome integrated radiating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
    • H01Q1/521—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure reducing the coupling between adjacent antennas
    • H01Q1/523—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure reducing the coupling between adjacent antennas between antennas of an array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/29—Combinations of different interacting antenna units for giving a desired directional characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/0414—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna in a stacked or folded configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H01L2224/21—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms of an individual HDI interconnect
    • H01L2224/214—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Support Of Aerials (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

本公开提供一种天线模块，所述天线模块包括：连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；天线封装件，包括多个天线构件和多个馈线过孔，所述多个天线构件发送或接收射频(RF)信号，所述多个馈线过孔在一端处分别电连接到所述多个天线构件并在另一端处分别电连接到与所述至少一个布线层对应的布线，并且所述天线封装件位于所述连接构件的第一表面上；集成电路(IC)，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以接收中频(IF)信号或基带信号并传输RF信号或者接收RF信号并传输IF信号或基带信号；以及滤波器，对IF信号或基带信号进行滤波。

Description

天线模块
本申请要求于2018年3月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0028803号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种天线模块。
背景技术
移动通信数据通信量趋于逐年快速增长。正在积极地进行技术开发以在无线网络中实时支持快速增长的数据。例如，接收和发送用于物联网(IoT)、增强现实(AR)、虚拟现实(VR)、与社交网络服务(SNS)相结合的直播VR/AR、自动驾驶、同步视图(使用紧凑型相机的用户视图的实时图像传输)、应用等的数据需要支持大量数据交换的通信(例如，第5代(5G)通信、毫米波(mmWave)通信等)。
因此，已经积极研究了包括5G通信的毫米波通信，并且已经针对允许天线模块的商业化/标准化以顺利地实现毫米波通信进行了积极研究。
高频带(例如，24GHz、28GHz、36GHz、39GHz、60GHz等)的RF信号在传输过程中容易被吸收并导致损耗，从而通信质量会大幅度降低。因此，用于高频带通信的天线需要与现有技术天线技术的技术方法不同的技术方法，可能需要开发特殊技术(诸如，用于确保天线增益、使天线和射频集成电路(RFIC)集成化、确保有效的各向同性辐射功率等的单独的功率放大器)。
传统地，提供毫米波通信环境的天线模块根据高频使用IC和天线设置在基板上并且通过同轴电缆连接以满足高水平的天线性能(例如，发送/接收比、增益、方向性等)的结构。然而，这种结构会导致天线布局空间不足、天线形状的自由度受到限制、天线与IC之间的干扰增大以及天线模块的尺寸/成本增大。
发明内容
本公开的一方面可提供一种天线模块，该天线模块可通过其中有效地集成有天线、集成电路(IC)以及滤波器的结构而小型化同时确保高水平的天线性能。
根据本公开的一方面，一种天线模块可包括：连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；天线封装件，包括多个天线构件和多个馈线过孔，所述多个天线构件发送或接收射频(RF)信号，所述多个馈线过孔在一端处分别电连接到所述多个天线构件并在另一端处分别电连接到与所述至少一个布线层对应的布线，并且所述天线封装件位于所述连接构件的第一表面上；集成电路(IC)，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以接收中频(IF)信号或基带信号并传输射频(RF)信号或者接收RF信号并传输IF信号或基带信号；以及滤波器，设置在所述IC的外部，并且对IF信号或基带信号进行滤波。
根据本公开的另一方面，一种天线模块可包括：连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；天线封装件，包括多个天线构件和多个馈线过孔，所述多个天线构件发送或接收射频(RF)信号，所述多个馈线过孔在一端处分别电连接到所述多个天线构件并在另一端处分别电连接到与所述至少一个布线层对应的布线，并且所述天线封装件位于所述连接构件的第一表面上；集成电路(IC)，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以接收中频(IF)信号或基带信号并传输射频(RF)信号或者接收RF信号并传输IF信号或基带信号；支撑构件，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以允许IF信号或基带信号通过所述支撑构件；以及滤波器，设置在所述支撑构件上。
根据本公开的另一方面，一种天线模块可包括：集成电路(IC)，具有有效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘；连接构件，设置在所述集成电路的所述有效表面上，所述连接构件包括布线层和绝缘层，所述布线层电连接到所述连接焊盘；天线封装件，设置在所述连接构件上，所述天线封装件包括天线构件和馈线过孔，所述天线构件被配置为发送和/或接收射频(RF)信号，所述馈线过孔均具有电连接到所述天线构件中的一个的第一端以及电连接到所述布线层的第二端；以及滤波器，设置在所述集成电路的外部，所述滤波器被配置为对中频信号(IF)和/或基带信号进行滤波。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块的框图；
图2是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括中频集成电路(IFIC)的结构的框图；
图3是根据本公开的示例性实施例的天线模块的侧视图；
图4是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括IF IC的结构的侧视图；
图5是示出滤波器设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的连接构件上的结构的示图；
图6是示出滤波器设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的支撑构件的上表面上的结构的示图；
图7是示出滤波器设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的支撑构件的内层中的结构的示图；
图8是示出IC和IF IC一起设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的结构的示图；
图9是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块中的滤波器和容纳空间的示图；
图10是示出在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的第二连接构件中设置的滤波器的示图；
图11A至图11D是示出在根据本公开的示例性实施例的天线模块中设置的各种类型的滤波器的示图；
图12是根据本公开的示例性实施例的天线模块的俯视图；
图13A至图13C分别是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块的天线封装件的腔的示例的透视图；
图14是根据本公开的示例性实施例的天线模块的天线封装件的示例的透视图；
图15是示意性示出电子装置系统的示例的框图；
图16是示意性示出电子装置的示例的透视图；
图17A和图17B是示意性示出在对扇入型半导体封装件进行封装之前和之后的状态的截面图；
图18是示意性示出扇入型半导体封装件的封装工艺的截面图；
图19是示意性示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并最终安装在电子装置的主板上的情况的截面图；
图20是示意性示出扇入型半导体封装件嵌在中介基板中并最终安装在电子装置的主板上的情况的截面图；
图21是扇出型半导体封装件的示意性截面图；以及
图22是示意性示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的截面图。
具体实施方式
现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或程式化组件的形状和尺寸等。
然而，本公开可按照不同的形式例示，并且不应被理解为限于在此所阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。
在此使用的术语“示例性实施例”不指相同的示例性实施例，而是被提供以强调与另一示例性实施例的特定特征或特性的不同的特定特征或特性。然而，在此提供的示例性实施例被视为能够通过彼此整体组合或者彼此部分组合来实现。例如，除非在此提供相反或矛盾的描述，否则在特定示例性实施例中描述的一个元件即使没有在另一示例性实施例中被描述，仍可被理解为与另一示例性实施例相关的描述。
在说明书中，组件与另一组件的“连接”的含义包括通过第三组件间接连接以及两个组件之间的直接连接。此外，“电连接”指包括物理连接和物理断开的概念。可理解的是，当使用“第一”和“第二”提及元件时，元件不被“第一”和“第二”所限制。可仅出于使元件与其他元件区分开的目的而使用“第一”和“第二”，并且“第一”和“第二”可以不限制元件的顺序或重要性。在一些情况下，在不脱离在此阐述的权利要求的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。
这里，在附图中确定了上部、下部、上侧、下侧、上表面、下表面等。例如，第一连接构件设置在重新分布层上方的水平面上。然而，权利要求不限于此。此外，竖直方向指上述向上的方向和向下的方向，水平方向指方向与上述向上的方向和向下的方向垂直的方向。在这种情况下，竖直截面指沿着竖直方向上的平面被截取的情况，并且其示例可以是附图中示出的截面图。此外，水平截面指沿着水平方向上的平面被截取的情况，并且其示例可以是附图中示出的平面图。
在此使用的术语仅用于描述示例性实施例，而非限制本公开。在这种情况下，除非上下文另外解释，否则单数形式包括复数形式。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块的框图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的天线模块(模块1)可具有其中集成有天线10a、IC 20a和滤波器30a的结构。
天线10a可远程地接收或发送射频(RF)信号，并且可将接收到的RF信号发送到IC20a或从IC 20a接收用于发送的RF信号。天线10a可包括多个天线构件以进一步改善天线性能。
IC 20a可将接收到的RF信号转换为中频(IF)信号或基带信号，并且可将转换后的IF信号或基带信号传输到IF IC、基带IC或者设置在天线模块(模块1)外部的通信调制解调器。IC 20a可将从IF IC、基带IC或设置在天线模块(模块1)外部的通信调制解调器接收的IF信号或基带信号转换为RF信号，并且可将转换后的RF信号传输到天线10a。这里，RF信号的频率(例如，24GHz、28GHz、36GHz、39GHz和60GHz)可高于IF信号的频率(例如，2GHz、5GHz和10GHz)。同时，IC 20a可执行频率转换、放大、滤波、相位控制和产生功率中的至少一些以产生转换后的信号。
滤波器30a可对来自IC 20a的转换后的IF信号或基带信号进行滤波，并且可设置在IC 20a的外部。例如，滤波器30a可以是具有预定通带(例如，800MHz和2.4GHz)的带通滤波器或具有预定截止频率(例如，12GHz和15GHz)的高通滤波器或低通滤波器。
根据滤波器30a处的滤波，可减少IF信号或基带信号中包括的噪声。由于RF信号中包含的噪声取决于IF信号或基带信号中包含的噪声，因此RF信号中包含的噪声可与IF信号或基带信号中包含的噪声的减少一起减少。
因此，即使不使用用于对RF信号进行滤波的附加滤波器，天线模块(模块1)也可容易地满足噪声特性的要求规范。因此，天线模块(模块1)可减小与用于对RF信号进行滤波的附加滤波器占据的空间一样大的尺寸。
此外，当天线10a包括用于天线性能(例如，发送/接收比、增益、线性度等)的多个天线构件时，可能会需要增大用于对RF信号进行滤波的附加滤波器的量，这里，在天线模块(模块1)中使用滤波器30a可去除分别对应于多个天线构件的附加滤波器。因此，可通过减小被多个滤波器占据的空间的大小来减小天线模块(模块1)的尺寸，同时确保天线性能。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括IF IC的结构的框图。
参照图2，根据本公开的示例性实施例的天线模块(模块2)可具有其中集成有天线10b、IC 20b、IF IC 25b和滤波器30b的结构。
天线10b可远程地接收或发送RF信号，并且可将接收到的RF信号发送到IC 20b或从IC 20b接收用于发送的RF信号。天线10b可通过包括多个天线构件来进一步改善天线性能。
IC 20b可将接收到的RF信号转换为IF信号，并且可将转换后的IF信号发送到IFIC 25b。IC 20b可将从IF IC 25b接收的IF信号转换为RF信号，并且可将转换后的RF信号发送到天线10b。这里，RF信号的频率(例如，24GHz、28GHz、36GHz、39GHz和60GHz)高于IF信号的频率(例如，2GHz、5GHz和10GHz)。
IF IC 25b可将接收到的IF信号转换为基带信号，并且可将转换后的基带信号传输到基带IC或者位于天线模块(模块2)外部的通信调制解调器。IF IC 25b可将从基带IC或位于天线模块(模块2)外部的通信调制解调器接收的基带信号转换为IF信号，并且可将转换后的IF信号传输到IC 20b。
滤波器30b可对来自IC 20b的转换后的IF信号进行滤波，并且可位于IC 20b的外部。例如，滤波器30b可以是具有预定通带(例如，800MHz、2.4GHz)的带通滤波器或具有预定截止频率(例如，12GHz、15GHz)的高通滤波器或低通滤波器。
根据滤波器30b处的滤波，可减少IF信号中包括的噪声。由于RF信号中包含的噪声取决于IF信号中包含的噪声，因此RF信号中包含的噪声可与IF信号中包含的噪声的减少一起减少。
因此，即使不使用用于对RF信号进行滤波的附加滤波器，天线模块(模块2)也可容易地满足噪声特性的要求规范。因此，天线模块(模块2)可减小与用于对RF信号进行滤波的附加滤波器占据的空间一样大的尺寸。
此外，当天线10b包括用于天线性能(例如，发送/接收比、增益、线性度等)的多个天线构件时，可能会需要增大用于对RF信号进行滤波的附加滤波器的量，这里，在天线模块(模块2)中使用滤波器30b可去除分别对应于多个天线构件的附加滤波器。因此，可通过减小被多个滤波器占据的空间的大小来减小天线模块(模块2)的尺寸，同时确保天线性能。
图3是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块的侧视图。
参照图3，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括天线10c、第二定向天线15c、IC 20c、滤波器30c、无源组件40c、基板50c和子基板60c。
基板50c可包括至少一个布线层51c以及至少一个绝缘层52c，并且可包括贯穿绝缘层以使多个布线层电连接的至少一个过孔。例如，基板50c可被实现为印刷电路板(PCB)，并且可具有上部天线封装件和下部连接构件结合的结构。例如，天线封装件可根据RF信号的发送和接收效率来设计，并且连接构件可根据布线效率来设计。
天线10c可设置在基板50c的顶部上以在上表面方向上发送和接收RF信号，并且可利用多个天线构件来实现。例如，具有贴片天线的结构的天线10c可被设置为与基板50c的上表面相邻。
第二定向天线15c可被设置为与基板50c的侧表面相邻，以在侧向方向上发送和接收RF信号。例如，第二定向天线15c可具有偶极天线或微带天线的结构。
根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括天线10c和第二定向天线15c两者以形成全向辐射图案。
IC 20c和无源组件40c可被设置为抵接基板50c的下表面。无源组件40c可包括电容器(例如，多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器或片式电阻器以向IC 20c提供必要的阻抗。
子基板60c可设置在基板50c的下表面上并提供用于IF信号或基带信号的路径。子基板60c可实现为安装在天线模块的外侧上并且用于支撑天线模块的支撑构件。
滤波器30c可设置在子基板60c上。因此，滤波器30c可与IF信号或基带信号的路径相邻以对IF信号或基带信号进行滤波，从而改善滤波性能，并且基板50c可确保与滤波器30c对应的额外空间，以减小尺寸或者进一步提高布线效率。
图4是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括IF IC的结构的侧视图。
参照图4，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括天线10d、第二定向天线15d、IC 20d、IF IC 25d、滤波器30d、基板50d和子基板60d。
基板50d可包括至少一个布线层51d以及至少一个绝缘层52d，并且可包括贯穿绝缘层以使多个布线层电连接的至少一个过孔。
第二定向天线15d可设置在基板50d的上表面上并抵接基板50d的侧表面，以在侧向方向和/或上表面方向上发送和接收RF信号，并且可具有诸如片式天线的三维结构。
IC 20d、IF IC 25d和滤波器30d可设置在基板50d的下表面上。例如，滤波器30d可被设置为与IF IC 25d相邻、与IC 20d相邻或者位于在IC 20d与IF IC 25d之间。因此，滤波器30d可对IF信号的路径附近的IF信号进行滤波，以改善滤波性能。
图5是示出滤波器位于根据本公开的示例性实施例的天线模块中的连接构件处的结构的示图。
参照图5，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括基板，所述基板具有天线封装件100a和连接构件200a结合的结构。
天线封装件100a可包括：多个天线构件115a，被配置为发送或接收RF信号；多个馈线过孔120a，分别在其一端处电连接到多个天线构件115a并且在另一端处电连接到与连接构件200a的至少一个布线层210a对应的布线；以及介电层140a，比连接构件200a的至少一个绝缘层220a厚，并且天线封装件100a可位于连接构件200a的顶部上。因此，根据本公开的示例性实施例的天线模块可在上表面方向上形成辐射图案以发送和接收RF信号。
由于馈线过孔120a的长度和介电层140a的厚度，可自由地设计针对多个天线构件115a的RF信号发送操作和接收操作的边界条件，并且可去除不必要的边界条件(例如，层间距、层间插入件等)。因此，由于馈线过孔120a和介电层140a提供有利于多个天线构件115a的RF信号的发送和接收操作的边界条件(例如，小的制造公差、短的电长度、平滑的表面、大的额外空间、介电常数的调整等)，因此可改善多个天线构件115a的天线性能。
介电层140a可利用诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂或者浸渍有诸如玻璃纤维(玻璃布或玻璃织物)的芯材料以及无机填料的树脂(例如，半固化片、ABF(Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)等)形成，并且可根据设计利用感光绝缘树脂(感光介质(PID))形成。例如，介电层140a可根据所需的材料性质利用通常的覆铜层叠板(CCL)或玻璃或陶瓷基绝缘材料形成。根据设计，介电层140a可利用具有高于连接构件200a的至少一个绝缘层220a的介电常数的介电常数Dk的材料形成。
根据设计，天线封装件100a还可包括布置在多个天线构件115a上并与多个天线构件115a一起发送或接收第一RF信号的多个导向器构件110a。形成有多个导向器构件110a的层的量可根据天线模块的增益和高度的设计条件来确定。因此，层的量不限于一个。
根据设计，天线封装件100a可包括镀覆构件160a，镀覆构件160a被设置为围绕馈线过孔120a中的每个的侧表面以形成多个腔。多个腔可提供有利于形成多个天线构件115a的辐射图案的边界条件(例如，小的制造公差、短的电长度、平滑的表面、大的额外空间、介电常数控制等)，并且可改善多个天线构件115a之间的隔离度。
根据设计，天线封装件100a还可包括被设置为与连接构件200a相邻的腔接地层165a。腔接地层165a可改善天线封装件100a与连接构件200a之间的隔离度。
根据设计，天线封装件100a还可包括设置在多个天线构件115a上的包封构件150a。在处于液态的包封构件150a向下渗透的状态下，其可从液态变为固态。因此，可改善天线封装件100a的结构稳定性。此外，包封构件150a可在形成工艺中与多个导向器构件110a一起形成。包封构件150a可利用感光包封剂(PIE)、ABF(Ajinomoto build-up film)、环氧树脂成型化合物(EMC)等形成，但不限于此。
导向器构件110a、天线构件115a、馈线过孔120a、镀覆构件160a和腔接地层165a可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，并且可通过诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、减成法、加成法、半加成工艺(SAP)、改进的SAP(MSAP)等的镀覆法形成，但不限于此。
参照图5，连接构件200a可包括至少一个布线层210a、至少一个绝缘层220a、布线过孔230a、连接焊盘240a、钝化层250a和电连接结构290a，并且可具有与铜重新分布层(RDL)的结构相似的结构。
例如，连接构件200a中包括的至少一个布线层210a、至少一个绝缘层220a和布线过孔230a中的每种中的一些和另一些可独立地制造并且可随后通过连接焊盘240a、钝化层250a和电连接结构290a彼此连接。根据设计，至少一个布线层210a、至少一个绝缘层220a和布线过孔230a可一体地制造，从而可省略连接焊盘240a、钝化层250a和电连接结构290a。
参照图5，根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括IC 300a、无源组件350a和子构件400a。
IC 300a可具有：有效表面(例如，上表面)，电连接到至少一个布线层210a；以及无效表面(例如，下表面)，设置在有效表面的相对侧上。IC 300a可将RF信号传输到天线封装件100a，并且可从天线封装件100a接收RF信号。
子构件400a可从天线模块的外部接收IF信号或基带信号，或者可将IF信号或基带信号传输到外部。例如，子构件400a可根据设计被实现为支撑构件或者可被实现为同轴电缆连接器或插座。
参照图5，根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括设置在连接构件200中的滤波器280a。例如，滤波器280a可设置在与至少一个布线层210a的层相同的层上，并且可电连接到与至少一个布线层210a对应的布线。
图6是示出滤波器设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的支撑构件的上表面上的结构的示图。
参照图6，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括天线封装件100a、连接构件200a、IC 300b、包封剂305b、上布线层310b、下布线层320b、电连接结构340b、支撑构件355b、芯绝缘层356b、芯过孔360b以及芯镀覆构件365b。
IC 300b可具有：有效表面(例如，上表面)，电连接到至少一个布线层210a；以及无效表面(例如，下表面)，设置在有效表面的相对侧上。IC 300b可将RF信号传输到天线封装件100a，并且可从天线封装件100a接收RF信号。
包封剂305b可密封IC 300b的至少一部分。包封剂305b可保护IC 300b免受外部电冲击/物理冲击/化学冲击的影响，并且可利用PIE、ABF、EMC等形成，但不限于此。
上布线层310b可设置在支撑构件355b的顶部上，或者与连接构件200a相邻并将IC300b的有效表面和芯过孔360b电连接。因此，IC 300b可确保IF信号或基带信号的传输路径。
下布线层320b可设置在支撑构件355b的底部上，并且可电连接到芯过孔360b。
电连接结构340b可在支撑构件355b的底部上将芯过孔360b电连接到天线模块的外部。例如，电连接结构340b可具有诸如焊球、引脚和焊盘的结构的结构。
支撑构件355b可包括至少一个芯布线层、至少一个芯绝缘层356b以及芯过孔360b。芯过孔360b可以是用于使IF信号或基带信号通过的路径。
也就是说，IF信号或基带信号可顺序地通过电连接结构340b、芯过孔360b、上布线层310b以及IC 300b。
芯镀覆构件365b可设置在支撑构件355b的朝向IC 300b的方向上的侧表面上。芯镀覆构件365b可改善IC 300b与支撑构件355b之间的隔离度，以减少IF信号或基带信号的噪声。此外，芯镀覆构件365b可有效地将IC 300b中产生的热散发到天线模块的外部。
参照图6，根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括设置在支撑构件355b的顶部上的滤波器280b。滤波器280b可通过上布线层310b电连接到芯过孔360b或IC 300b。
在一些实施例中，钝化层357b可设置在下布线层320b上，以物理地并且化学地保护下布线层320b。钝化层357b可包括用于电连接结构340b的开口。钝化层357b可利用诸如聚酰亚胺等的合适的绝缘材料形成。
图7是示出滤波器设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的支撑构件的内层中的结构的示图。
参照图7，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括设置在支撑构件355b的内部的滤波器380b。也就是说，滤波器380b可设置在支撑构件355b的芯布线层中。例如，滤波器380b可具有使用多个芯布线层的三维结构，从而可具有波导结构或基于晶圆的结构。也就是说，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括具有各种结构的滤波器。
同时，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括：上接地图案(未示出)，设置在上布线层310b中并在其上端处与滤波器380b叠置；以及下接地图案，设置在下布线层320b中并在下端处与滤波器380b叠置。因此，可减少从天线模块外部或天线封装件100a中提供到滤波器380b的噪声。
图8是示出IC和IF IC一起设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的结构的示图。
参照图8，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括设置在连接构件200a的下表面上的IC 301b和IF IC 302b。
IC 301b和IF IC 302b可通过上布线层310b或连接构件200a的至少一个布线层210a电连接。支撑构件355b可被设置为围绕IC 301b和IF IC 302b中的每个。支撑构件355b的一部分可设置在IC 301b与IF IC 302b之间。由于芯镀覆构件365b设置在支撑构件355b的侧表面上，因此IC 301b和IF IC 302b可减小施加在彼此上的负面影响(例如，电磁噪声、热)。
这里，滤波器380b可设置在支撑构件355b中，并且可电结合到IF IC 302b以对IF信号进行滤波。
同时，滤波器380b可通过支撑构件355b的芯过孔360b电连接到支撑构件355b的芯布线层、上布线层310b或者下布线层320b。
图9是示出根据本公开的示例性实施例的天线模块中的滤波器和容纳空间的示图。
参照图9，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括滤波器280c，滤波器280c设置在连接构件200a的下表面上并设置在支撑构件355b的容纳空间307c中。
也就是说，当滤波器280c的体积大时，支撑构件355b可使用容纳空间307c提供用于布置滤波器280c的空间。因此，根据本公开的示例性实施例的天线模块可使用各种类型/尺寸的滤波器280c。此外，支撑构件355b还可具有围绕无源组件的第二容纳空间。
图10是示出设置在根据本公开的示例性实施例的天线模块中的第二连接构件处的滤波器的示图。
参照图10，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括：第二连接构件390d，设置在连接构件200a的下表面上；以及IC 300b，设置在第二连接构件390d的下表面上。
第二连接构件390d可包括至少一个第二布线层391d以及至少一个第二绝缘层392d，并且可具有面积比连接构件200a的上表面和下表面的面积小的上表面和下表面。
连接构件200a可从天线封装件100a的下表面以层为单位顺序地形成，第二连接构件390d可从IC 300b的上表面以层为单位顺序地形成。其后，连接构件200a的下表面和第二连接构件390d的上表面可彼此接合。因此，根据本公开的示例性实施例的天线模块可确保大量的布线层和绝缘层，从而向IC 300b提供更多的接地，以更有效地辅助IC 300b的操作或改善IC 300b与天线封装件100a之间的布线效率。
此外，根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括滤波器380d，滤波器380d设置在第二连接构件390d的至少一个第二布线层391d中。由于连接构件200a和第二连接构件390d而确保了更多数量的布线层和绝缘层，天线模块可稳定地提供用于布置滤波器380d的空间。
根据本公开的示例性实施例的天线模块还可包括设置在第二连接构件390d的下表面上的第二支撑构件385d、第二芯绝缘层386d以及第二芯镀覆构件387d。因此，可改善IC300b与芯过孔360b或滤波器380d之间的隔离度。
图11A至图11D是示出在根据本公开的示例性实施例的天线模块中设置的各种形式的滤波器的示图。
参照图11A至图11D，在根据本公开的示例性实施例的天线模块中设置的滤波器280e、280f、280g和280h可被实现为具有与IF信号的频率对应的阻抗的各种类型的导体图案，并且可分别设置在连接构件和支撑构件的绝缘层220e、220f、220g和220h中。
同时，根据本公开的示例性实施例的天线模块可包括：第一滤波器，设置在IC外部并具有参考频率的通带，以对IF信号或基带信号进行滤波；第二滤波器，设置在IC外部，并且具有频率低于参考频率的通带，以对IF信号或基带信号进行滤波；以及第三滤波器，设置在IC外部，并且具有频率高于参考频率的通带，以对IF信号或基带信号进行滤波。也就是说，由于根据本公开的示例性实施例的天线模块可单独地对各种IF信号进行滤波，因此其可针对各种通信标准进行优化以便进行操作。
图12是根据本公开的示例性实施例的天线模块的俯视图。
参照图12，多个导向器构件110-1、110-2、110-3、110-4、110-5、110-6、110-7、110-8和110-9中的每个可被与其对应的镀覆构件160-1、160-2、160-3、160-4、160-6、160-7、160-8和160-9以及多个屏蔽过孔190-1、190-2、190-3、190-4、190-5、190-6、190-7、190-8和190-9中的至少一个围绕。如果天线模块不包括多个导向器构件，则多个导向器构件110-1、110-2、110-3、110-4、110-5、110-6、110-7、110-8和110-9可用多个天线构件来代替。
同时，图12中所示的多个导向器构件或多个天线构件的数量、布置和形状不受限制。例如，图12中所示的多个导向器构件的数量可以为4个或16个。
同时，图12中所示的多个屏蔽过孔可用镀覆构件来代替，并且图12中所示的镀覆构件可用多个屏蔽过孔来代替。
图13A至图13C是分别示出本公开的天线封装件的腔的示例的透视图。
参照图13A，腔可包括导向器构件110e、天线构件115e、馈线过孔、电连接结构、介电层130e和镀覆构件160e中的至少一些。这里，镀覆构件160e可被布置为围绕腔的侧表面。也就是说，腔的下表面可被设置在连接构件的上表面上的接地图案覆盖。
参照图13B，腔可包括导向器构件110f、天线构件115f、馈线过孔120f、电连接结构125f、介电层130f和镀覆构件160f中的至少一些。这里，镀覆构件160f可被布置为覆盖腔的下表面的一部分。也就是说，腔的侧表面可被镀覆构件围绕。因此，可改善天线封装件相对于连接构件和IC的隔离度。
参照图13C，腔可包括天线构件110g、馈线过孔120g、电连接结构125g、和介电层130g中的至少一些。也就是说，腔的侧表面可被介电层的侧表面围绕，并且腔的下表面可被设置在连接构件的上表面上的接地图案覆盖。
同时，当天线封装件和连接构件结合时，电连接结构125f和125g可连接到连接构件的至少一个布线层中的对应的布线。例如，电连接结构125f和125g可被实现为电极、引脚、焊球、焊盘等。
图14是示出根据本公开的天线封装件100d的示例的透视图。
参照图14，天线封装件可包括多个导向器构件110d、腔130d、介电层140d、镀覆构件160d、多个第二定向天线构件170c和170d以及多个偶极天线175c和175d，从而根据本公开的示例性实施例的天线模块可形成全向辐射图案。
多个导向器构件110d可在z轴方向上与对应的天线构件一起发送和接收RF信号。
多个第二定向天线构件170c和170d可被设置为在z轴方向上与天线封装件的边缘相邻地竖立。多个第二定向天线构件170c和170d中的一个可在x轴方向上发送和接收第二RF信号，另一个可在y轴方向上发送和接收第二RF信号。
多个偶极天线175c和175d可设置在介电层140d与和天线封装件的边缘相邻的包封构件之间。偶极天线175c和175d中的一个可在x轴方向上发送和接收第三RF信号，另一个可在y轴方向上发送和接收第三RF信号。根据设计，多个偶极天线175c和175d中的至少一些可用单极天线来代替。
同时，在本公开中论述的连接构件、支撑构件、芯过孔、IC和IF IC可根据在下文中描述的扇出型半导体封装件来实现。将参照图15至图22详细地描述扇出型半导体封装件，以帮助理解扇出型半导体封装件。
图15是示意性示出电子装置系统的示例的框图。
参照图15，电子装置1000容纳主板(或母板)1010。主板1010物理连接和/或电连接到芯片相关组件1020、网络相关组件1030以及其他组件1040。所述组件还可通过各种信号线1090与任意其他电子组件(将稍后描述)连接。
芯片相关组件1020包括：存储芯片，诸如易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如，ROM)、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，CPU)、图形处理器(例如，GPU)、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器、专用集成电路(ASIC)等，但芯片相关组件1020不限于此，并且可包括任意其他类型的芯片相关电子组件。此外，这些芯片相关组件1020可彼此组合。
网络相关组件1030可包括：Wi-Fi(电工电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、WiMAX(IEEE 802.16族等)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPS、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、3G、4G、5G以及在上述协议之后指定的任何其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，并且可包括多个无线标准或协议或者有线标准或协议中的任意其他协议。此外，网络相关组件1030可与芯片相关组件1020组合。
其他组件1040包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等，但其他组件1040不限于此，并且可包括用于各种其他目的的无源组件。还应理解的是，其他组件1040可结合芯片相关组件1020和/或网络相关组件1030彼此组合。
根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括可物理连接和/或电连接到主板1010或者可不物理连接和/或不电连接到主板1010的其他电子组件。所述其他电子组件包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速度计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储装置(例如，硬盘驱动器)(未示出)、致密盘(CD)(未示出)、数字通用光盘(DVD)(未示出)等。然而，这些其他电子组件不限于此，并且可根据电子装置1000的类型而包括用于各种目的的其他电子组件。
电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数码摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板电脑、膝上型电脑、上网本、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车等。然而，电子装置1000不限于此，并且可以是处理数据的任意其他电子装置。
图16是示意性示出电子装置的示例的透视图。
参照图16，电子装置可以是例如智能电话1100。射频集成电路(RF IC)可以以半导体封装件的形式应用于智能电话1100，并且天线可以以基板或者模块的形式应用。由于RFIC和天线在智能电话1100中电连接，因此天线信号可在各个方向上辐射(R)。包括RF IC的半导体封装件和包括天线的基板或模块可以以各种形式应用于诸如智能电话等的电子装置。
通常，半导体芯片中集成有许多微电子电路，但半导体芯片本身可能不能用作成品的半导体产品，并且具有被外部物理冲击或者化学冲击损坏的可能性。因此，半导体芯片本身不被按照原样使用而是被封装，以使处于封装状态的半导体芯片用在电子装置中。
从电连接的角度看，需要半导体封装的理由是因为半导体芯片与电子装置的主板之间的电路宽度存在差异。具体地，在半导体芯片的情况下，连接焊盘的尺寸以及连接焊盘之间的间距非常小。同时，在电子装置中使用的主板的情况下，电子组件安装焊盘的尺寸以及电子组件安装焊盘之间的间距比半导体芯片的尺寸大得多。因此，可能难以将半导体芯片直接安装在这样的主板上，并且需要可缓解半导体芯片和主板之间的电路宽度的差异的封装技术。
通过这样的封装技术制造的半导体封装件可根据结构和目的而分为扇入型半导体封装件和扇出型半导体封装件。
在下文中，将参照附图详细地描述扇入型半导体封装件和扇出型半导体封装件。
图17A和图17B是示意性示出在对扇入型半导体封装件进行封装之前和之后的状态的截面图。
图18是示意性示出扇入型半导体封装件的封装工艺的截面图。
参照图17A、图17B以及图18，半导体芯片2220可以是例如处于裸态的集成电路(IC)，包括：主体2221，包括硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等；连接焊盘2222，形成在主体2221的一个表面上，并且包括诸如铝(Al)等的导电材料；以及钝化层2223(诸如氧化物膜或氮化物膜)，形成在主体2221的一个表面上并且覆盖连接焊盘2222的至少一部分。这里，由于连接焊盘2222非常小，因此即使在中等尺寸等级PCB上也难以安装IC，更不用说在电子装置等的主板上安装IC。
为了使连接焊盘2222重新布线，根据半导体芯片2220的尺寸在半导体芯片2220上形成连接构件2240。连接构件2240可通过如下步骤形成：使用诸如感光绝缘(感光介质，PID)树脂的绝缘材料在半导体芯片2220上形成绝缘层2241，形成使连接焊盘2222开口的通路孔2243h，并且随后形成布线图案2242和过孔2243。其后，形成用于保护连接构件2240的钝化层2250，形成开口2251，并且随后形成凸块下金属层2260等。也就是说，通过一系列工艺制造包括例如半导体芯片2220、连接构件2240、钝化层2250和凸块下金属层2260的扇入型半导体封装件2200。
如上所述，扇入型半导体封装件可具有半导体芯片的连接焊盘(例如，输入/输出(I/O)端子)都设置在装置内部的封装件形式，可具有良好的电特性并且可以以低成本生产。因此，将被设置在智能电话中的许多装置以扇入型半导体封装件的形式来制造，并且正在朝向实现小尺寸和快速信号传输而发展。
然而，在扇入型半导体封装件中，所有I/O端子必须设置在半导体芯片的内部，从而存在很多空间限制。因此，难以将这样的结构应用于具有大量的I/O端子的半导体芯片或者具有小尺寸的半导体芯片。此外，由于该弱点，可能无法将扇入型半导体封装件直接安装在电子装置的主板上。虽然在半导体芯片的I/O端子的尺寸和间距通过重新布线工艺被增大，但是I/O端子可能仍不具有足以被直接安装在电子装置的主板上的尺寸和间距。
图19是示意性示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并最终安装在电子装置的主板上的情况的截面图。
图20是示意性示出扇入型半导体封装件嵌在中介基板中并最终安装在电子装置的主板上的情况的截面图。
参照图19和图20，扇入型半导体封装件2200的半导体芯片2220的连接焊盘2222(即，I/O端子)再次通过中介基板2301重新布线，并且安装在中介基板2301上的扇入型半导体封装件2200可最终安装在电子装置的主板2500上。这里，电连接结构2270等可通过底部填充树脂2280等固定，并且半导体芯片2220的外侧可利用成型材料2290等覆盖。可选地，扇入型半导体封装件2200可嵌在单独的中介基板2302中，半导体芯片2220的连接焊盘2222(即，I/O端子)可再次通过处于嵌入状态的中介基板2302重新布线，并且扇入型半导体封装件2200可最终安装在电子装置的主板2500上。
以这种方式，由于扇入型半导体封装件难以直接安装在电子装置的主板上，因此扇入型半导体封装件可安装在单独的中介基板上并且随后通过封装工艺再次安装在电子装置的主板上，或者可嵌在中介基板中并且随后安装在电子装置的主板上。
图21是示出扇出型半导体封装件的截面图。
参照图21，在扇出型半导体封装件2100中，例如，半导体芯片2120的外侧通过包封剂2130保护，并且半导体芯片2120的连接焊盘2122通过连接构件2140重新布线到半导体芯片2120的外侧。这里，钝化层2150还可形成在连接构件2140上，并且凸块下金属层2160还可形成在钝化层2150的开口中。电连接结构2170还可形成在凸块下金属层2160上。半导体芯片2120可以是包括主体2121、连接焊盘2122和钝化膜(未示出)等的IC。连接构件2140可包括：绝缘层2141；重新布线层2142，形成在绝缘层2141上；以及过孔2143，将连接焊盘2122和重新布线层2142电连接。
如上所述，扇出型半导体封装件具有I/O端子通过形成在半导体芯片上的连接构件重新布线并且甚至设置在半导体芯片的外侧的形式。如上所述，在扇入型半导体封装件中，半导体芯片的所有I/O端子必须设置在半导体芯片的内部，因此，如果装置尺寸减小，则焊球尺寸和间距必须减小，并且结果是可能无法使用标准化的焊球布局。相比之下，在扇出型半导体封装中，由于I/O端子通过形成在半导体芯片上的连接构件重新布线并且甚至设置在半导体芯片的外侧，因此虽然半导体芯片的尺寸减小，但是仍可按照原样使用标准化的焊球布局。因此，即使在不使用在下文中描述的单独的中介基板的情况下，扇出型半导体封装件也可安装在电子装置的主板上。
图22是示意性示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的截面图。
参照图22，扇出型半导体封装件2100可通过电连接结构2170等安装在电子装置的主板2500上。也就是说，如上所述，扇出型半导体封装件2100可包括连接构件2140，连接构件2140可在半导体芯片2120上使连接焊盘2122重新布线到超出半导体芯片2120的尺寸以外的扇出区域，可按照原样使用标准化的焊球布局，结果，即使在不使用单独的中介基板等的情况下，扇出型半导体封装件2100也可安装在电子装置的主板2500上。
以这种方式，由于即使在不使用单独的中介基板的情况下，扇出型半导体封装件也可安装在电子装置的主板上，因此扇出型半导体封装件的厚度可小于使用中介基板的扇入型半导体封装件的厚度，以实现小尺寸和小厚度。此外，由于扇出型半导体封装件具有优异的热特性和电特性，因此其特别适合于移动产品。此外，扇出型半导体封装件可被实现为比通常的使用PCB的叠层封装(POP)类型更紧凑，并且可解决由于弯曲现象而引起的问题。
同时，扇出型半导体封装指的是用于将半导体芯片安装在电子装置的主板上并且用于保护半导体芯片免受外部冲击的封装技术，并且具有与诸如中介基板的PCB(其在尺寸、用途等方面不同，并且具有嵌在其中的扇入型半导体封装件)的构思不同的构思。
如上所述，由于根据本公开的示例性实施例的天线模块具有其中有效地集成有天线、IC和滤波器的结构，因此天线模块具有高水平的天线性能并且可容易地小型化。
在根据本公开的示例性实施例的天线模块中，由于其中设置有滤波器的空间的结构可以是多样化的，因此天线模块可具有多种形式/数量的滤波器。
在根据本公开的示例性实施例的天线模块中，由于改善了设置有滤波器的空间的电磁屏蔽性能，因此可改善滤波器的滤波性能。
在根据本公开的示例性实施例的天线模块中，由于滤波器可与IF信号或基带信号的路径相邻，因此可改善滤波器的滤波效率。
因为用于与多个天线构件中的每个对应的RF信号的滤波器的必要性减小，所以可以使根据本公开的示例性实施例的天线模块小型化，同时确保参考天线的性能。
虽然上面已示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims (23)

1.一种天线模块，包括：
连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；
天线封装件，包括多个天线构件和多个馈线过孔，所述多个天线构件被配置为发送或接收射频信号，所述多个馈线过孔在第一端处分别电连接到所述多个天线构件并在第二端处分别电连接到与所述至少一个布线层对应的布线，并且所述天线封装件位于所述连接构件的第一表面上；
集成电路，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，所述集成电路被配置为：接收中频信号或基带信号并传输射频信号，或者接收射频信号并传输中频信号或基带信号；
支撑构件，设置在所述连接构件的第二表面上并且包括芯布线层和上布线层；以及
滤波器，设置在所述集成电路的外部并且被包括在所述芯布线层和所述上布线层中的至少一者中，所述滤波器被配置为对中频信号或基带信号进行滤波。
2.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述支撑构件电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以允许中频信号或基带信号通过所述支撑构件。
3.根据权利要求2所述的天线模块，其中，
所述支撑构件包括芯过孔、所述芯布线层以及至少一个芯绝缘层，所述芯过孔在一端处电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线。
4.根据权利要求3所述的天线模块，其中，
所述支撑构件包括：所述芯布线层；所述上布线层，设置在所述芯布线层的顶部上；以及下布线层，设置在所述芯布线层的底部上，
所述滤波器被包括在所述芯布线层中，
所述上布线层包括与所述滤波器叠置的上接地图案，并且
所述下布线层包括与所述滤波器叠置的下接地图案。
5.根据权利要求2所述的天线模块，其中，
所述支撑构件还包括芯镀覆构件，所述芯镀覆构件设置在所述支撑构件的朝向所述集成电路的方向上的侧表面上。
6.根据权利要求1所述的天线模块，所述天线模块还包括：
中频集成电路，设置在所述连接构件的所述第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，所述中频集成电路被配置为：接收基带信号以传输中频信号，或者接收中频信号以传输基带信号。
7.根据权利要求6所述的天线模块，其中，
所述支撑构件具有设置在所述集成电路和所述中频集成电路之间的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的天线模块，所述天线模块还包括：
第二连接构件，包括至少一个第二布线层以及至少一个第二绝缘层，并且设置在所述连接构件和所述集成电路之间，
其中，所述第二连接构件的面对所述连接构件的表面的面积小于所述连接构件的所述第二表面的面积，并且
所述滤波器还设置在所述第二连接构件的所述至少一个第二布线层中。
9.根据权利要求1所述的天线模块，所述天线模块还包括：
包封剂，对所述集成电路的至少一部分和所述支撑构件的至少一部分进行包封，
其中，所述集成电路具有与所述连接构件接触的有效表面以及暴露于所述包封剂的无效表面。
10.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述天线封装件还包括介电层，所述介电层被设置为围绕所述多个馈线过孔中的每个并且具有比所述至少一个绝缘层的厚度大的厚度。
11.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述天线封装件还包括镀覆构件，所述镀覆构件被设置为围绕所述多个馈线过孔中的每个。
12.根据权利要求1所述的天线模块，所述天线模块还包括：
第二滤波器，设置在所述集成电路的外部，并且具有频率低于所述滤波器的通带的频率的通带；以及
第三滤波器，设置在所述集成电路的外部，并且具有频率高于所述滤波器的所述通带的频率的通带。
13.一种天线模块，包括：
连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；
天线封装件，包括多个天线构件和多个馈线过孔，所述多个天线构件被配置为发送或接收射频信号，所述多个馈线过孔在一端处分别电连接到所述多个天线构件并在另一端处分别电连接到与所述至少一个布线层对应的布线，并且所述天线封装件位于所述连接构件的第一表面上；
集成电路，设置在所述连接构件的第二表面上，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，所述集成电路被配置为：接收中频信号或基带信号并传输射频信号，或者接收射频信号并传输中频信号或基带信号；
支撑构件，设置在所述连接构件的第二表面上且包括芯布线层和上布线层，并且电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线，以允许中频信号或基带信号通过所述支撑构件；以及
滤波器，被包括在所述芯布线层和所述上布线层中的至少一者中。
14.根据权利要求13所述的天线模块，其中，
所述支撑构件还包括：芯过孔，在一端处电连接到与所述至少一个布线层对应的所述布线；至少一个芯绝缘层；所述上布线层，设置在所述芯布线层的顶部上；以及下布线层，设置在所述芯布线层的底部上，
所述滤波器被包括在所述芯布线层中，
所述上布线层包括与所述滤波器叠置的上接地图案，并且
所述下布线层包括与所述滤波器叠置的下接地图案。
15.一种天线模块，包括：
集成电路，具有有效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘；
连接构件，设置在所述集成电路的所述有效表面上，所述连接构件包括布线层和绝缘层，所述布线层电连接到所述连接焊盘；
天线封装件，设置在所述连接构件上，所述天线封装件包括天线构件和馈线过孔，所述天线构件被配置为发送和/或接收射频信号，所述馈线过孔均具有电连接到所述天线构件中的一个的第一端以及电连接到所述布线层的第二端；
滤波器，设置在所述集成电路的外部，所述滤波器被配置为对中频信号和/或基带信号进行滤波；以及
支撑构件，围绕所述集成电路并且包括芯布线层和上布线层，所述连接构件设置在所述支撑构件上，
其中，所述滤波器被包括在所述芯布线层和所述上布线层中的至少一者中。
16.根据权利要求15所述的天线模块，其中，所述集成电路被配置为接收中频信号或基带信号并传输射频信号，或者接收射频信号并传输中频信号或基带信号。
17.根据权利要求15所述的天线模块，其中，所述支撑构件包括腔和芯镀覆构件，在所述腔中设置有所述集成电路，所述芯镀覆构件设置在所述腔的侧壁上。
18.根据权利要求15所述的天线模块，所述天线模块还包括：
中频集成电路，设置在所述支撑构件中并且包括有效表面，在所述有效表面上具有连接焊盘，所述中频集成电路的所述连接焊盘电连接到所述连接构件的所述布线层，其中，所述中频集成电路被配置为：接收基带信号以传输中频信号，或者接收中频信号以传输基带信号。
19.根据权利要求18所述的天线模块，其中，所述支撑构件包括腔和芯镀覆构件，在所述腔中设置有所述集成电路，所述芯镀覆构件设置在所述腔的侧壁上。
20.根据权利要求15所述的天线模块，所述天线模块还包括：
第二连接构件，设置在所述集成电路的所述有效表面上，并且将所述集成电路的所述连接焊盘电连接到所述连接构件的所述布线层，其中
所述第二连接构件的面对所述连接构件的表面的面积小于所述连接构件的面对所述第二连接构件的表面的面积，并且
所述滤波器还设置在所述第二连接构件的至少一个第二布线层中。
21.根据权利要求15所述的天线模块，所述天线模块还包括：
无源组件，设置在所述支撑构件中，并且电连接到所述连接构件的所述布线层。
22.根据权利要求15所述的天线模块，其中，所述天线封装件还包括介电层，所述介电层被设置为围绕所述馈线过孔中的每个并且具有比所述连接构件的所述绝缘层的厚度大的厚度。
23.根据权利要求15所述的天线模块，其中，所述天线封装件还包括镀覆构件，所述镀覆构件被设置为围绕所述馈线过孔中的每个。
CN201811338045.4A 2018-03-12 2018-11-12 天线模块 Active CN110265768B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0028803 2018-03-12
KR1020180028803A KR102017159B1 (ko) 2018-03-12 2018-03-12 안테나 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110265768A CN110265768A (zh) 2019-09-20
CN110265768B true CN110265768B (zh) 2021-03-16

Family

ID=67842760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811338045.4A Active CN110265768B (zh) 2018-03-12 2018-11-12 天线模块

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10741509B2 (zh)
JP (1) JP6707108B2 (zh)
KR (1) KR102017159B1 (zh)
CN (1) CN110265768B (zh)
TW (1) TWI720320B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10263342B2 (en) 2013-10-15 2019-04-16 Northrop Grumman Systems Corporation Reflectarray antenna system
US11075456B1 (en) * 2017-08-31 2021-07-27 Northrop Grumman Systems Corporation Printed board antenna system
KR102028714B1 (ko) * 2017-12-06 2019-10-07 삼성전자주식회사 안테나 모듈 및 안테나 모듈 제조 방법
KR102017159B1 (ko) * 2018-03-12 2019-09-02 삼성전자주식회사 안테나 모듈
US11081453B2 (en) 2018-07-03 2021-08-03 Mediatek Inc. Semiconductor package structure with antenna
US10804188B2 (en) * 2018-09-07 2020-10-13 Intel Corporation Electronic device including a lateral trace
US10944164B2 (en) 2019-03-13 2021-03-09 Northrop Grumman Systems Corporation Reflectarray antenna for transmission and reception at multiple frequency bands
US10892549B1 (en) 2020-02-28 2021-01-12 Northrop Grumman Systems Corporation Phased-array antenna system
KR20220006784A (ko) * 2020-07-09 2022-01-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈
CN111987410A (zh) * 2020-08-26 2020-11-24 广东通宇通讯股份有限公司 一种模块化afu结构
CN114156654A (zh) * 2020-09-07 2022-03-08 讯芯电子科技（中山）有限公司 天线装置和天线装置制造方法
CN115347380A (zh) * 2021-05-13 2022-11-15 台达电子工业股份有限公司 天线阵列装置
JP2022178778A (ja) * 2021-05-21 2022-12-02 日本電気株式会社 サンプルホルダ、および超伝導量子計算機
US20230127033A1 (en) * 2021-10-25 2023-04-27 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device with low loss waveguide interface and method therefor
US11961776B2 (en) * 2021-11-30 2024-04-16 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device with connector in package and method therefor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344146A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Tdk Corp 高周波モジュールとその製造方法
JP2004015160A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Tdk Corp アンテナ付モジュール
KR20050065861A (ko) * 2003-12-24 2005-06-30 엘지전자 주식회사 광대역 무선 송수신 모듈
CN104851878A (zh) * 2014-02-14 2015-08-19 日月光半导体制造股份有限公司 具有天线的半导体封装结构及其制造方法
CN107078405A (zh) * 2014-10-20 2017-08-18 株式会社村田制作所 无线通信模块

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329949B1 (en) 2000-03-09 2001-12-11 Avaya Technology Corp. Transceiver stacked assembly
GB0108655D0 (en) * 2001-04-06 2001-05-30 Koninkl Philips Electronics Nv Microwave circuit
JP2003188338A (ja) * 2001-12-13 2003-07-04 Sony Corp 回路基板装置及びその製造方法
JP4023166B2 (ja) * 2002-01-25 2007-12-19 ソニー株式会社 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール
SG165149A1 (en) 2003-10-22 2010-10-28 Zhang Yue Ping Integrating an antenna and a filter in the housing of a device package
US7236065B2 (en) 2004-04-28 2007-06-26 Nokia Corporation Integrated RF-front end having an adjustable antenna
JP4486035B2 (ja) 2005-12-12 2010-06-23 パナソニック株式会社 アンテナ装置
JP4892253B2 (ja) * 2006-02-28 2012-03-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置
US7518229B2 (en) * 2006-08-03 2009-04-14 International Business Machines Corporation Versatile Si-based packaging with integrated passive components for mmWave applications
US20110032685A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Sony Corporation Interposer, module, and electronics device including the same
US9190738B2 (en) * 2010-04-11 2015-11-17 Broadcom Corporation Projected artificial magnetic mirror
US8349648B2 (en) * 2010-06-15 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming RF FEM with IC filter and IPD filter over substrate
US9196958B2 (en) * 2012-07-26 2015-11-24 Apple Inc. Antenna structures and shield layers on packaged wireless circuits
US9230926B2 (en) * 2013-08-31 2016-01-05 Infineon Technologies Ag Functionalised redistribution layer
US9331030B1 (en) * 2014-12-15 2016-05-03 Industrial Technology Research Institute Integrated antenna package and manufacturing method thereof
KR102117473B1 (ko) 2015-03-18 2020-06-01 삼성전기주식회사 실장 기판 모듈, 안테나 장치 및 실장 기판 모듈 제조 방법
JP6596927B2 (ja) * 2015-05-27 2019-10-30 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
CN105846841B (zh) * 2016-03-21 2018-08-28 中国电子科技集团公司第五十五研究所 硅基三维立体集成接收前端
JP6674824B2 (ja) 2016-04-05 2020-04-01 株式会社ユーシン 多層基板回路モジュール、無線通信装置およびレーダ装置
KR102017159B1 (ko) * 2018-03-12 2019-09-02 삼성전자주식회사 안테나 모듈

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344146A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Tdk Corp 高周波モジュールとその製造方法
JP2004015160A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Tdk Corp アンテナ付モジュール
KR20050065861A (ko) * 2003-12-24 2005-06-30 엘지전자 주식회사 광대역 무선 송수신 모듈
CN104851878A (zh) * 2014-02-14 2015-08-19 日月光半导体制造股份有限公司 具有天线的半导体封装结构及其制造方法
CN107078405A (zh) * 2014-10-20 2017-08-18 株式会社村田制作所 无线通信模块

Also Published As

Publication number Publication date
TW201939707A (zh) 2019-10-01
JP6707108B2 (ja) 2020-06-10
JP2019161631A (ja) 2019-09-19
TWI720320B (zh) 2021-03-01
US20190279950A1 (en) 2019-09-12
US10741509B2 (en) 2020-08-11
US11469193B2 (en) 2022-10-11
KR102017159B1 (ko) 2019-09-02
CN110265768A (zh) 2019-09-20
US20200365536A1 (en) 2020-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110265768B (zh) 天线模块
CN110265786B (zh) 天线模块
US11031675B2 (en) Antenna module
KR102314698B1 (ko) 안테나 모듈 및 안테나 패키지
CN109273823B (zh) 天线模块及其制造方法
KR102025906B1 (ko) 안테나 모듈
CN109390667B (zh) 天线模块
KR102019354B1 (ko) 안테나 모듈
CN109887903B (zh) 天线模块及其制造方法
KR102254877B1 (ko) 안테나 모듈
KR102034308B1 (ko) 안테나 모듈
KR102069235B1 (ko) 안테나 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant