CN110246945A - Led芯片及其制造方法、显示面板以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED芯片及其制造方法、显示面板以及电子设备。所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；形成贯穿所述有源层和第二半导体层且与所述第一半导体层电连接第一接触电极；在所述第二半导体层上形成与所述第二半导体层电连接的第二接触电极；在所述第一接触电极上形成与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，所述第一扩展电极包括用于焊接的多个凹点；在所述第二接触电极上形成与所述第二接触电极电连接且与所述第一扩展电极相隔离的第二扩展电极，所述第二扩展电极包括用于焊接的多个凹点。本发明提高了显示面板的良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种LED芯片及其制造方法、显示面板以及电子设备。
背景技术
微发光二极体显示器(Micro-LED Display)为新一代的显示技术，它以微LED单元作为亚像素实现图像显示。与液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术相比，Micro-LED显示面板可以在不借助外部光源的情况下实现图像显示，提高了显示面板的轻薄度。此外，与同样可以自发光显示的有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相比，Micro-LED显示面板的寿命较长，因而成为业界研究的热点。
参考图1，示意出了现有技术一种LED芯片的剖视图。LED芯片包括：蓝宝石衬底1，依次位于蓝宝石衬底上的N型氮化镓2、量子阱层3和P型氮化镓4，位于P型氮化镓4上的氧化铟锡层5，位于氧化铟锡层5上的第一接触电极6，以及与所述N型氮化镓2电连接的第二接触电极7。
Micro-LED显示时，在所述第一接触电极6和第二接触电极7上加载电压，使量子阱层3发光，通过控制量子阱层3的发光强度并结合彩色化技术，使每个LED芯片均作为一个亚像素单元，进而实现图像的显示。
然而，随着LED芯片电极尺寸的减小，Micro-LED显示面板的坏点数量成倍增多，从而影响了显示面板的良率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种LED芯片及其制造方法、显示面板以及电子设备，提高显示面板的良率。
为了解决所述技术问题，本发明提供一种LED芯片，包括：第一半导体层；依次位于第一半导体层上的有源层和第二半导体层；第一接触电极，贯穿所述有源层和第二半导体层且与所述第一半导体层电连接；第二接触电极，位于第二半导体层上且与所述第二半导体层电连接；第一扩展电极，位于所述第一接触电极上且与所述第一接触电极电连接，所述第一扩展电极包括用于焊接的多个凹点；第二扩展电极，位于所述第二接触电极上、与所述第二接触电极电连接且与所述第一扩展电极相隔离，所述第二扩展电极包括用于焊接的多个凹点。
可选地，所述第一扩展电极或第二扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点；或者，所述第一扩展电极或第二扩展电极的部分区域用于形成所述多个凹点。
可选地，所述第一扩展电极和第二扩展电极为圆形扩展电极，所述圆形扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点。
可选地，所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，构成形成表面；所述第一接触电极和所述第二接触电极为圆形接触电极；所述圆形扩展电极在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。
可选地，所述圆形扩展电极和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。
可选地，所述第一扩展电极和第二扩展电极中的圆形区域用于形成所述多个凹点。
可选地，所述第一接触电极包括主接触电极，以及至少一个与所述主接触电极相隔离的辅接触电极；所述第一扩展电极包括覆盖所述主接触电极的主扩展电极，覆盖所述辅接触电极的辅扩展电极，以及连接所述主扩展电极和所述辅扩展电极的线形扩展电极；所述主扩展电极位于所述主接触电极上方的圆形区域形成有所述多个凹点。
可选地，所述第二接触电极包括主接触电极，以及至少一个与所述主接触电极相连的延长电极；所述第二扩展电极覆盖所述主接触电极和所述延长电极，所述第二扩展电极位于所述主接触电极上方的圆形区域用于形成所述多个凹点。
可选地，所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，用于构成形成表面；所述主接触电极为圆形接触电极；所述圆形区域在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。
可选地，所述圆形区域和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。
可选地，LED芯片还包括：第一绝缘层，位于所述第一接触电极和所述第二接触电极之间，与所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平。
可选地，还包括：第二绝缘层，位于所述第一扩展电极与所述第二扩展电极之间，用于实现所述第一扩展电极与第二扩展电极的隔离。
可选地，所述第二绝缘层的厚度大于第一扩展电极或第二扩展电极的厚度。
可选地，所述凹点为圆形、正多边形或不规则形凹点。
可选地，所述凹点的开口尺寸在8nm～10μm的范围内。
可选地，所述第一扩展电极或第二扩展电极中相邻凹点的间距在8nm～10μm的范围内。
可选地，所述第一扩展电极或第二扩展电极的厚度在20nm～2μm的范围内。
可选地，所述第一扩展电极或第二扩展电极的材料为金属。
相应地，本发明还提供一种LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；形成贯穿所述有源层和第二半导体层且与所述第一半导体层电连接第一接触电极；在所述第二半导体层上形成与所述第二半导体层电连接的第二接触电极；在所述第一接触电极上形成与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，所述第一扩展电极包括用于焊接的多个凹点；在所述第二接触电极上形成与所述第二接触电极电连接、且与所述第一扩展电极相隔离的第二扩展电极，所述第二扩展电极包括用于焊接的多个凹点。
可选地，通过纳米压印或光刻形成所述第一扩展电极和第二扩展电极。
可选地，所述第一接触电极和所述第二接触电极之间还形成有第一绝缘层，与所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，构成形成表面；形成所述第一扩展电极和第二扩展电极的步骤包括：在所述形成表面上覆盖纳米压印胶；通过纳米压印技术图形化所述纳米压印胶，形成纳米压印图形层；在所述纳米压印图形层上和所述纳米压印图形层之间的形成表面上形成第一导电层；去除位于纳米压印图形层上的第一导电层，保留在所述形成表面上的第一导电层用于构成所述第一扩展电极和第二扩展电极；去除所述纳米压印图形层。
可选地，形成第一导电层的步骤包括：通过蒸镀工艺形成所述第一导电层。
可选地，形成第一导电层的步骤包括：所述第一导电层的厚度小于所述纳米压印图形层的厚度。
可选地，去除位于纳米压印图形层上第一导电层的步骤包括：通过剥离工艺去除所述纳米压印图形层上的第一导电层。
可选地，形成第一接触电极和第二接触电极的步骤包括：形成贯穿所述有源层和第二半导体层且露出所述第一半导体层的第一开口；在所述第一开口的底部、侧壁和所述第二半导体层上覆盖第一绝缘材料层；图形化所述第一绝缘材料层，露出所述第一开口的底部并在第二半导体层上形成第二开口；在所述第一开口和第二开口中填充第二导电层；平坦化所述第二导电层和所述第一绝缘材料层，位于所述第一开口中的第二导电层用于构成所述第一接触电极；位于所述第二开口中的第二导电层用于构成第二接触电极。
可选地，还包括：在所述第一扩展电极和第二扩展电极之间形成第二绝缘层。
可选地，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一扩展电极或所述第二扩展电极的厚度。
可选地，所述形成第二绝缘层的步骤包括：在所述第一扩展电极、第二扩展电极及形成表面上覆盖第二绝缘材料层；通过光刻工艺图形化所述第二绝缘材料层，形成所述第二绝缘层。
相应地，本发明还提供一种显示面板，包括：驱动背板，包括：基板，以及位于基板上的多个电路单元，所述电路单元包括第一电性端子和第二电性端子；倒置于所述驱动背板上的多个LED芯片，所述LED芯片为本发明所述的LED芯片，所述LED芯片的第一扩展电极通过所述凹点焊接于所述第一电性端子，所述LED芯片的第二扩展电极通过所述凹点焊接于所述第二电性端子。
可选地，所述基板为柔性基板、折叠基板或拉伸基板。
相应地，本发明还提供一种电子设备，包括本发明所述的显示面板。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明形成与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，还形成与所述第二接触电极电连接的第二扩展电极，所述第一扩展电极和所述第二扩展电极均包括用于焊接的多个凹点，这样，在将LED芯片焊接在驱动背板上时，用于焊接的凹点可以容纳焊料，增加了焊料与第一扩展电极和第二扩展电极的接触面积，可以使所述第一扩展电极或第二扩展电极与驱动背板具有较强的焊接力，从而不容易从驱动背板上脱落而发生脱焊现象，减少了坏点产生的几率，进而提高了显示面板的良率。
附图说明
图1为现有技术一种LED芯片的剖视图；
图2至图10为本发明LED芯片制造方法一实施例的示意图；
图11为本发明LED芯片一实施例的剖视图；
图12为图11所示LED芯片的俯视图；
图13为本发明LED芯片另一实施例的俯视图；
图14为本发明LED芯片再一实施例的俯视图；
图15为本发明LED芯片又一实施例的俯视图；
图16为本发明LED芯片又一实施例的俯视图；
图17为本发明LED芯片又一实施例的俯视图；
图18为本发明LED芯片又一实施例的俯视图；
图19为本发明显示面板一实施例的剖视图。
具体实施方式
由背景技术可知，随着LED芯片电极尺寸的减小，Micro-LED显示面板的坏点数量成倍增多，从而影响了Micro-LED显示面板的良率。现结合图1分析Micro-LED显示面板坏点数量增多的原因：
实际Micro-LED的制造过程中，在制造完成图1所示的LED芯片之后，去除LED芯片的蓝宝石衬底1，并将多个LED芯片邦定(bonding)在驱动背板上，从而实现LED芯片的批量转移。
具体地说，邦定的过程通过焊接工艺使第一接触电极6或第二接触电极7与所述驱动背板相连，从而使所述驱动背板上的电路单元可以向所述第一接触电极6和第二接触电极7加载电压。
但随着LED芯片尺寸的缩小，第一接触电极6和第二接触电极7的尺寸缩小到几个微米甚至纳米级别。由于接触面积小，第一接触电极6或第二接触电极7与驱动背板焊接的结合力减小，LED芯片脱焊的几率增加，从而导致Micro-LED显示面板坏点数量的增多。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种LED芯片的制造方法，形成与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，还形成与所述第二接触电极电连接的第二扩展电极，所述第一扩展电极和所述第二扩展电极均包括多个凹点，所述多个凹点用于焊接。这样，在将LED芯片焊接在驱动背板上时，用于焊接的凹点也可以容纳焊料，增加了焊料与第一扩展电极和第二扩展电极的接触面积，可以使所述第一扩展电极或第二扩展电极与驱动背板具有较强的焊接力，从而不容易从驱动背板上脱落而发生脱焊现象，进而提高了显示面板的良率。
参考图2至图10，示出了本发明LED芯片制造方法一实施例的示意图。需要说明的是，为了使附图简洁、清楚，此处以一个LED芯片作为示例。所述LED芯片制造方法包括：
如图2所示，提供衬底100。所述衬底100用于为LED的功能层提供生长表面。
本实施例中，所述衬底100为蓝宝石(sapphire)衬底，与氮化镓材料具有较好的晶格匹配。在其他实施例中，所述衬底还可以是碳化硅。
如图3所示，在衬底100上依次形成第一半导体层101、有源层102和第二半导体层102。所述第一半导体层101、有源层102和第二半导体层102用于构成发光二极管的管芯，为LED芯片的功能层。
本实施例中，所述第一半导体层101的材料为N型氮化镓；所述有源层102为氮化铟镓材料的量子阱层；所述第二半导体层103的材料为P形氮化镓。
实际工艺中，可以通过金属有机化合物气相外延(Metal Organic ChemicalVaporDeposition，MOCVD)的方法形成所述第一半导体层101、有源层102和第二半导体层102。
结合参考图4和图5，形成贯穿所述有源层102和第二半导体层103且与所述第一半导体层101电连接第一接触电极106；在所述第二半导体层103上形成与所述第二半导体层103电连接的第二接触电极107。
所述第一接触电极106和第二接触电极107分别用于向所述第一半导体层101和第二半导体层103加载电压。
具体地，形成第一接触电极106和第二接触电极107的步骤包括：
如图4所示，形成贯穿所述有源层102和第二半导体层103且露出所述第一半导体层101的第一开口104。
具体地，通过MESA光刻图形化所述有源层102和第二半导体层103，形成所述第一开口104。
需要说明的是，本实施例还通过隔离结构(Isolation)光刻，形成贯穿所述第一半导体层101、有源层102和第二半导体层103并露出所述衬底100的沟道，用于定义单个LED芯片的区域，并使LED芯片之间相隔离。
继续参考图4，本实施例在形成所述第一开口104之后，还在第二半导体层103上形成欧姆接触层105，用于降低后续形成的第二接触电极107与所述第二半导体层103之间的接触电阻。
本实施例中，所述欧姆接触层105的材料为氧化铟锡。
具体地，可以通过物理气相沉积或溅射工艺形成氧化铟锡层，之后通过光刻去除位于第一开口104底部和侧壁上的氧化铟锡层，从而形成位于所述第二半导体层103表面的欧姆接触层105。
如图5所示，本实施例还在形成欧姆接触层105之后，形成第一绝缘层108，用于隔离后续形成的第一接触电极106和第二接触电极107。
具体地，在所述第一开口104(如图4所示)的底部、侧壁和所述第二半导体层103上形成第一绝缘材料层；图形化所述第一绝缘材料层，露出所述第一开口(如图4所示)的底部并在第二半导体层103上形成第二开口(图中未标注)，形成第一绝缘层108。所述第一绝缘层108在所述第一开口104和第二开口处分别定义出第一接触电极106和第二接触电极107的位置。
需要说明的是，本实施例中，所述第二半导体层103上形成有欧姆接触层105，在形成第一绝缘材料层时，所述第一绝缘材料层与位于第二半导体层103上的所述欧姆接触层105相接触；在形成第二开口时，所述第二开口露出的是第二半导体层103上方的欧姆接触层105。
其中，所述第一绝缘层108的材料为氧化硅或氮化硅。可以通过光刻工艺图形化所述第一绝缘材料层，形成第一绝缘层108。
继续参考图5，在第一开口104(如图4所示)中形成第一接触电极106，在所述第二开口(图中未标注)中形成第二接触电极107。
具体地，在所述第一开口104和第二开口中填充第二导电层，平坦化所述第二导电层和所述第一绝缘材料层，位于所述第一开口104(如图4所示)中的第二导电层用于构成所述第一接触电极106；位于所述第二开口中的第二导电层用于构成第二接触电极107。
平坦化工艺之后，第一接触电极106和第二接触电极107的表面齐平，构成形成表面A，所述第一绝缘层108也与所述第一接触电极106和第二接触电极107的表面齐平，为后续形成第一扩展电极和第二扩展电极提供基础。
结合参考图6至图10，在所述第一接触电极106上形成与所述第一接触电极106电连接的第一扩展电极111，所述第一扩展电极111包括用于焊接的多个凹点130；在所述第二接触电极107上形成与所述第二接触电极107电连接、且与所述第一扩展电极111相隔离的第二扩展电极121，所述第二扩展电极121包括用于焊接的多个凹点130。
所述第一扩展电极111为所述第一接触电极106的扩展电极，所述第一扩展电极111中形成有多个凹点130，用于放置焊料并与驱动电路焊接，进而实现第一接触电极106与驱动电路的电连接。
相应地，所述第二扩展电极121为所述第二接触电极107的扩展电极，所述第二扩展电极121中形成有多个凹点130，用于放置焊料并与驱动电路焊接，进而实现第二接触电极107与驱动电路的电连接。
本实施例通过纳米压印的方法形成带有凹点130的第一扩展电极111和第二扩展电极121。具体地，包括以下步骤：
如图6所示，在所述形成表面A上覆盖纳米压印胶140。
本实施例中，所述纳米压印胶140为聚合物薄膜，可以通过涂布的方法在形成表面A覆盖纳米压印胶140。
需要说明的是，如果纳米压印胶140的厚度过小，则后续形成的第一扩展电极和第二扩展电极的厚度过小(因为第一扩展电极和第二扩展电极厚度需小于纳米压印胶140的厚度)，凹点深度不够不利于焊接强度的增加；如果纳米压印胶140的厚度过大，则容易造成材料的浪费并增加纳米压印过程的难度，相应地，本实施例中，所述纳米压印胶140的厚度在1μm～10μm的范围内。
如图7所示，通过纳米压印技术图形化所述纳米压印胶140(如图6所示)，形成纳米压印图形层109。
所述纳米压印图形层109用作后续形成的第一扩展电极和第二扩展电极的掩膜版，用于定义第一扩展电极和第二扩展电极的位置和图形。
具体地，提供纳米压印的模具，通过模具对所述纳米压印胶140进行压印，将模具的图形转移到纳米压印胶140中，从而图形化所述纳米压印胶140，形成纳米压印图形层109。
需要说明的是，本实施例第一扩展电极和第二扩展电极是通过两次图形转移形成的，相应地，所述模具的图形与待形成的第一扩展电极和第二扩展电极的图形一致。例如：模具中凹部(或凸部)图形的位置、图形与第一扩展电极和第二扩展电极中形成凹部(或凸部)的位置、图形一致。
如图8所示，在所述纳米压印图形层109上和所述纳米压印图形层109之间的形成表面A上形成第一导电层110。
所述第一导电层110位于所述形成表面A的部分用于形成第一扩展电极和第二扩展电极。
本实施例中，所述第一导电层110的材料为金属，例如：金、银或铝等。金属可以反光，从而可以提高LED芯片的出光效率。
实际工艺中，可以通过蒸镀的方法形成所述第一导电层110。在其他实施例中，还可以通过溅射或电镀工艺形成所述第一导电层110。
本实施例中，所述第一导电层110的厚度小于所述纳米压印图形层109的厚度，从而使形成表面A上第一导电层110的顶面低于所述纳米压印图形层109的顶面，从而使形成表面A上的第一导电层110与位于纳米压印图形层109顶面的第一导电层110相分离，以便于在后续过程中通过去除所述纳米压印图形层109一并去除其顶面上的第一导电层110，并保留位于形成表面A上的第一导电层110。
需要说明的是，如果所述第一导电层110的厚度过小，则第一扩展电极和第二扩展电极的厚度较小，相应地，所述第一扩展电极和第二扩展电极中凹点的深度较小，不利于增加焊接增强；如果所述第一导电层110的厚度过大，则第一扩展电极和第二扩展电极的厚度过大，容易增加第一接触电极106、第二接触电极107与驱动电路之间的电阻，还容易造成凹点的深宽比过大而增加焊料的填充难度。相应地，所述第一导电层110的厚度在20nm～2μm的范围内。
如图9和图10所示，去除位于纳米压印图形层109(如图8所示)上的第一导电层110，保留在所述形成表面A上的第一导电层110用于构成所述第一扩展电极111和第二扩展电极121。
去除所述纳米压印图形层109后，原纳米压印图形层109所占据空间的一部分用于形成凹点130。
本实施例中，通过剥离(lift off)工艺去除所述纳米压印图形层109上的第一导电层110。具体地，可以通过胶带剥离所述纳米压印图形层109上的第一导电层110。
在去除位于纳米压印图形层109上的第一导电层110的步骤之后，去除所述纳米压印图形层109。
具体地，在剥离所述纳米压印图形层109上的第一导电层110之后，通过刻蚀工艺去除所述纳米压印图形层109。所述刻蚀工艺可以是干刻或湿刻。
参考图10，为图9所示的俯视图，本实施例中，所述第一扩展电极111和第二扩展电极121为圆形扩展电极，所述圆形扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点130。后续焊接过程中，焊料容易形成一圆形延展面，本实施例LED芯片制造方法形成带有多个凹点130的圆形扩展电极，与所述圆形延展面形状相匹配，可以通过较小的扩展电极面积获得较大的焊接面积，进而提高了第一扩展电极111和第二扩展电极121的利用率。
此外，图10中所述多个凹点130的形状为圆形。圆形凹点130的工艺较为简单，提高了LED芯片的制造效率。
需要说明的是，在其他实施例中，还可以形成其他形状的第一扩展电极和第二扩展电极，所述多个凹点可以形成于第一扩展电极和第二扩展电极的全部区域或部分区域，所述凹点也可以是三角形、正方形等形状。实际应用中，通过设置不同的模具形成所述第一扩展电极和第二扩展电极。
还需要说明的是，本实施例中，通过纳米压印工艺形成所述第一扩展电极和第二扩展电极。在其他实施例中，还可以通过光刻工艺形成所述第一扩展电极和第二扩展电极。
需要说明的是，如图11和图12所示，在其他实施例中，还可以在所述第一扩展电极111和第二扩展电极121之间形成第二绝缘层112。所述第二绝缘层112用于实现第一扩展电极111和第二扩展电极121之间的隔离。
在所述第一扩展电极111、第二扩展电极121以及第一扩展电极111和第二扩展电极121之间的形成表面A上覆盖第二绝缘材料层，图形化所述第二绝缘材料层形成第二绝缘层112。
所述第二绝缘层112的材料为氮化硅或氧化硅等。可以通过光刻工艺图形化所述第二绝缘材料层，形成第二绝缘层112。
本实施例中，所述第二绝缘层112的厚度大于所述第一扩展电极111或所述第二扩展电极121的厚度。这样，第二绝缘层112除了实现第一扩展电极111和第二扩展电极121的电性隔离，还可以在焊接过程中，对不同扩展电极上的焊料也实现物理隔离，进而实现电性隔离。具体地，所述第二绝缘层112的厚度在1μm～10μm的范围内。
需要说明的是，本发明LED制造方法还可以不形成所述第二绝缘层，在将LED芯片焊接到驱动电路上时，通过精确的焊接工艺控制可以使分别位于第一扩展电极、第二扩展电极上的焊料不连接在一起，从而避免造成第一扩展电极和第二扩展电极之间的短路问题。
为了制造显示面板，在完成LED芯片制造之后，还需要去除LED芯片中的衬底100，将LED芯片焊接至驱动背板上实现批量转移。所述驱动背板上包括多个电路单元，所述LED芯片的第一扩展电极111与电路单元的第一电性端子相连，所述LED芯片的第二扩展电极121与电路单元的第二电性端子相连，通过所述电路单元对所述LED芯片的第一接触电极106和第二接触电极107加载电压，进而使LED芯片中的有源层102发光。
具体地，使第一扩展电极111与驱动背板的第一电性端子焊接，并使第二扩展电极121与驱动背板的第二电性端子焊接，第一扩展电极111和第二扩展电极121中的凹点130用于焊接，焊料位于凹点130中可以增加焊料与第一扩展电极111和第二扩展电极121的接触面积，从而提高了焊接强度，避免LED芯片从驱动背板脱落的问题，进而减小了坏点产生的概率、提高了良率。
为了解决所述技术问题，本发明还提供一种LED芯片，包括：与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，以及与所述第二接触电极电连接的第二扩展电极；所述第一扩展电极和所述第二扩展电极均包括用于焊接的多个凹点。这样，在将LED芯片焊接在驱动背板上时，用于焊接的凹点也可以容纳焊料，增加了焊料与第一扩展电极和第二扩展电极的接触面积，可以使所述第一扩展电极或第二扩展电极与驱动背板具有较强的焊接力，从而不容易从驱动背板上脱落而发生脱焊现象，进而提高了显示面板的良率。
继续参考图11和图12，分别示出了本发明LED芯片一实施例的剖视图和俯视图。本实施例LED芯片包括：
第一半导体层101、依次位于第一半导体层101上的有源层102和第二半导体层103。所述第一半导体层101、有源层102和第二半导体层102用于构成发光二极管的管芯，为LED芯片的功能层。本实施例中，所述第一半导体层101位于衬底100上。
具体地，所述第一半导体层101的材料为N型氮化镓；所述有源层102为氮化铟镓材料的量子阱层；所述第二半导体层103的材料为P形氮化镓。
第一接触电极106，贯穿所述有源层102和第二半导体层103且与所述第一半导体层101电连接；第二接触电极107，位于第二半导体层103上且与所述第二半导体层103电连接；所述第一接触电极106、第二接触电极107分别用于向所述第一半导体层101、第二半导体层103加载电压。
本实施例中，所述第一接触电极106和第二接触电极107的表面齐平，用于构成形成表面A。
第一接触电极106与有源层102以及第二半导体层103之间还形成有第一绝缘层108，用于实现第一接触电极106与有源层102以及第二半导体层103的电性隔离。
需要说明的是，所述第一绝缘层108还位于所述第二半导体层103上方、且位于第一接触电极106以及第二接触电极107之间。所述第一绝缘层108与所述第一接触电极106和第二接触电极107的表面齐平。
本实施例中，所述第一绝缘层108的材料为氧化硅或氮化硅。
所述第二半导体层103与所述第二接触电极107之间还形成有欧姆接触层105，用于降低第二接触电极107与所述第二半导体层103之间的接触电阻。本实施例中，所述欧姆接触层105的材料为氧化铟锡。
所述LED芯片还包括：第一扩展电极111，位于所述第一接触电极106上且与所述第一接触电极106电连接，所述第一扩展电极111包括用于焊接的多个凹点130；第二扩展电极121，位于所述第二接触电极107上、与所述第二接触电极107电连接且与所述第一扩展电极111相隔离，所述第二扩展电极121包括用于焊接的多个凹点130。
如图12所示，本实施例中，所述第一扩展电极111和第二扩展电极121为圆形扩展电极，所述圆形扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点130。后续焊接过程中，焊料容易形成一圆形延展面，本实施例LED芯片中带有多个凹点130的圆形扩展电极与所述圆形延展面形状相匹配，可以通过较小的扩展电极的面积获得较大的焊接面积，进而提高第一扩展电极111和第二扩展电极121的利用率。
在其他实施例中，所述第一扩展电极和第二扩展电极还可以为其他形状，例如椭圆形扩展电极、跑道形扩展电极、多边形扩展电极等，且所述扩展电极的全部区域均形成多个凹点。
本实施例中，所述第一接触电极106和所述第二接触电极107为圆形接触电极；所述圆形扩展电极在所述形成表面A的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面A的投影面积。也就是说，所述第一扩展电极111和第二扩展电极121在形成表面A的投影面积较大，这样可以增大第一扩展电极111和第二扩展电极121的焊接面积。
尤其对于第一接触电极106而言，所述第一接触电极106贯穿所述有源层102和第二半导体层103，相应地，所述第一接触电极106通常为横截面较小的电极，这样可以减小第一接触电极106对LED发光面积的影响。而本实施例中，通过设置与第一接触电极106电连接的第一扩展电极111，所述第一扩展电极111面积的增大不影响LED发光面积，因此可以通过增大第一扩展电极111的面积，可以增加第一扩展电极111与驱动电路的焊接面积，进而提高第一接触电极106与驱动电路的焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第一扩展电极和第二扩展电极的投影面积还可以等于或者略小于所述第一接触电极和第二接触电极的投影面积。因为所述第一扩展电极和第二扩展电极中形成有多个凹点，所述多个凹点的侧壁仍然可以起到增加焊接面积的作用，进而增加焊接强度的作用。
结合参考图11和图12，所述圆形扩展电极和所述圆形接触电极在所述形成表面A的投影构成同心圆结构。这样在LED芯片与驱动电路焊接时，焊料位于同心圆的圆心位置处，可以保证驱动电路与圆形扩展电极之间，以及圆形扩展电极与圆形接触电极之间均具有较大的接触面积，从而提高焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第一扩展电极与第一接触电极电连接、所述第二扩展电极与所述第二接触电极电连接即可，所述圆形扩展电极和所述圆形接触电极在所述形成表面A的投影还可以是相交圆、内切圆或内含圆结构。
本实施例中，所述第一扩展电极111和第二扩展电极121的材料为金属，例如：金、银或铝等。金属可以反光，从而可以提高LED芯片的出光效率。在其他实施例中，第一扩展电极和第二扩展电极还可以是其他导电材料。
如果第一扩展电极111和第二扩展电极121的厚度过小，相应地，所述第一扩展电极111和第二扩展电极121中凹点130的深度较小，容易影响焊接力增强的效果；如果第一扩展电极111和第二扩展电极121的厚度过大，容易增加第一接触电极106、第二接触电极107与驱动电路之间的电阻，还容易造成凹点130的深宽比过大而增加焊料的填充难度。相应地，第一扩展电极111和第二扩展电极121的厚度在20nm～2μm的范围内。
如图12所示，位于所述第一扩展电极111和第二扩展电极121中的凹点130为圆形，圆形凹点形成工艺较为简单。
需要说明的是，如果所述凹点130开口尺寸过大(或相邻凹点130之间间距过小)，容易影响第一扩展电极111与第一接触电极106之间或者第二扩展电极121与第二接触电极107之间接触面积，从而影响电连接效果；如果所述凹点130开口尺寸过小(或相邻凹点130之间间距过大)，则不利于焊接面积的增加，进而影响焊接效果，相应地，所述凹点130的开口尺寸在8nm～10μm的范围内，所述第一扩展电极111或第二扩展电极121中相邻凹点的间距在8nm～10μm的范围内。
继续参考图11和图12，本实施LED芯片还包括：第二绝缘层112，位于所述第一扩展电极111与所述第二扩展电极121之间，用于实现所述第一扩展电极111与第二扩展电极121的隔离。
本实施例中，所述第二绝缘层112的厚度大于所述第一扩展电极111或所述第二扩展电极121的厚度。这样，第二绝缘层112除了实现第一扩展电极111和第二扩展电极121的电性隔离，还可以在焊接过程中，对不同扩展电极上的焊料实现物理隔离，进而实现电性隔离。具体地，所述第二绝缘层112的厚度在1μm～10μm的范围内。
所述第二绝缘层112的材料为氮化硅或氧化硅等。
需要说明的是，在其他实施例中，还可以不设置所述第二绝缘层，在将LED芯片焊接到驱动电路上时，通过精确的焊接工艺控制使分别位于第一扩展电极、第二扩展电极上的焊料不连接在一起，从而避免造成第一扩展电极和第二扩展电极之间的短路问题。
参考图13，示出了本发明LED芯片另一实施例的俯视图。本实施例与前一实施例的相同之处不再赘述，不同之处在于，本实施例LED芯片中所述第一扩展电极的部分区域用于形成多个凹点。
本实施例中，所述第一接触电极406包括主接触电极4061，以及两个与所述主接触电极4061相隔离的辅接触电极4062。其中，所述主接触电极4061为接触面积较大、与焊接位置相对应的电极。
所述主接触电极4061和所述辅接触电极4062相隔离，分布在LED芯片的不同位置，可增大LED芯片中电流的分布，增强LED芯片出光的均匀性。
需要说明的是，本实施例中，辅接触电极4062的数量为两个，在其他实施例中，为了增大电流分布，所述辅接触电极4062的数量至少为一个。
所述第一扩展电极411包括覆盖所述主接触电极4061的主扩展电极4111，覆盖所述辅接触电极4062的辅扩展电极4112，以及连接所述主扩展电极4111和所述辅扩展电极4112的线形扩展电极4113；所述主扩展电极4111位于所述主接触电极4061上方的圆形区域(虚线所示)形成有实现焊接的多个凹点430。
后续焊接过程中，焊料容易形成一圆形延展面，第一扩展电极411中形成有多个凹点430的圆形区域与所述圆形延展面形状相匹配。
所述第一接触电极406和所述第二接触电极407的表面齐平，构成形成表面(图中未标注)。本实施例中，所述主接触电极4061为圆形接触电极，且所述圆形区域在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。也就是说，用于实现焊接的圆形区域投影面积较大，这样可以增大LED芯片与驱动电路之间的焊接面积，进而增加焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述圆形区域还可以等于或者略小于所述圆形接触电极的投影面积。
本实施例中，所述圆形区域和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。这样在LED芯片与驱动电路焊接时，焊料位于同心圆的圆心位置处，可以保证驱动电路与第一扩展电极411的圆形区域之间，以及第一扩展电极411的圆形区域与圆形接触电极之间均具有较大的接触面积，从而提高焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述圆形区域与所述圆形接触电极在所述形成表面的投影还可以是相交圆、内切圆或内含圆结构。
如图13所示，第二接触电极407包括圆形主接触电极，以及与圆形主接触电极相连的两条线形延长电极，可增大LED芯片中电流的分布，增强LED芯片出光均匀性。
本实施例中，第二扩展电极412为覆盖所述圆形主接触电极的圆形扩展电极，且所述圆形扩展电极的全部区域用于形成多个凹点430。也就是说，本实施例中，第二扩展电极412并未完全覆盖所述第二接触电极407。
参考图14，示出了本发明LED芯片再一实施例的示意图。本实施例LED芯片与图11和图12所示实施例的相同之处不再赘述，不同之处在于，本实施例LED芯片中第二扩展电极521的部分区域用于形成所述多个凹点530。
本实施例中，第二接触电极507包括主接触电极5071，以及与主接触电极5071相连的两条延长电极5072，以增大LED芯片中电流的分布，进而增强LED芯片出光均匀性。
需要说明的是，本实施例中，延长电极5072的数量为两个，在其他实施例中，为了增大电流分布，所述延长电极5072的数量至少为一个。
本实施例中，所述第二扩展电极521覆盖所述主接触电极5071和延长电极5072，所述第二扩展电极521与第二接触电极507具有较大的接触面积，从而提高了第二扩展电极521与第二接触电极507之间电连接的可靠性。所述第二扩展电极521位于所述主接触电极5071上方的圆形区域(虚线区域)形成有用于焊接的多个凹点530。
后续焊接过程中，焊料容易形成一圆形延展面，第二扩展电极521中形成有凹点530的圆形区域与所述圆形延展面形状相匹配。
本实施例中，所述主接触电极5071为圆形接触电极，且所述圆形区域在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。也就是说，用于实现焊接的圆形区域投影面积较大，这样可以增大LED芯片与驱动电路之间的焊接面积，进而增加焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述圆形区域还可以等于或者略小于所述圆形接触电极的投影面积。
本实施例中，所述圆形区域和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。这样在LED芯片与驱动电路焊接时，焊料位于同心圆的圆心位置处，可以保证驱动电路与第二扩展电极521的圆形区域之间，以及第二扩展电极521的圆形区域与圆形接触电极之间均具有较大的接触面积，从而提高焊接强度。
需要说明的是，在其他实施例中，所述圆形区域与所述圆形接触电极在所述形成表面的投影还可以是相交圆、内切圆或内含圆结构。
如图14所示，本实施例第一接触电极506为圆形主接触电极，第一扩展电极511覆盖所述圆形主接触电极，且所述第一扩展电极511也是部分区域(圆形区域)用于形成多个凹点530。
本实施例中，所述第一扩展电极511通过第二绝缘层512与所述第一扩展电极521实现电性绝缘。
需要说明的是，本实施例中，所述第一扩展电极511和第二扩展电极521均在部分区域(圆形区域)中形成用于焊接的凹点530。如图15所示，在其他实施例中，所述第一扩展电极611和第二扩展电极621还可以在全部区域中形成用于焊接的凹点630。在焊接过程时，焊料位于第一扩展电极611或第二扩展电极621的任何区域均可以形成在凹点630中，减小了焊接位置对准的难度，从而可以增强焊接强度。
还需要说明的是，在前述实施例中，所述第一接触电极或第二接触电极为圆形接触电极，或者，所述第一接触电极或第二接触电极的主接触电极为圆形接触电极。本发明LED芯片中用于实现焊接接触的为第一扩展电极或第二扩展电极，因此，所述第一接触电极或第二接触电极的形状还可以其他形状，例如，如图16所示，所述第一接触电极706或第二接触电极707为条形电极。所述第一接触电极或第二接触电极还可以是方块形电极、椭圆形电极、梯形电极等。
还需要说明的是，在前述实施例中，第一扩展电极或第二扩展电极中凹点的形状均为圆形。本发明LED芯片中凹点还可以是其他形状，例如：如图17所示，凹点206形状为正方形；或者，如图18所示，凹点306的形状为三角形。所述凹点还可以是正五边形、正六边形等的正多边形。此外所述凹点还可以为不规则形凹点。
还需要说明的是，本发明LED芯片可以由本发明LED芯片的制造方法形成，也可以采用其他制造方法形成。
相应地，本发明还提供一种显示面板，参考图19，示出了本发明显示面板一实施例的示意图。所述显示面板包括：
驱动背板20，包括：基板24，以及位于基板24上的多个电路单元(图中未示出)，所述电路单元包括第一电性端子21和第二电性端子22，用于向LED芯片加载电压。
倒置于所述驱动背板20上的多个LED芯片，所述LED芯片的第一扩展电极111通过所述凹点焊接于所述第一电性端子21，所述LED芯片的第二扩展电极121通过所述凹点焊接于所述第二电性端子22。
其中，所述LED芯片为本发明提供的LED芯片，相关描述在此不再赘述。
本实施例中，所述第一扩展电极111与所述第一接触电极106电连接，且所述第一接触电极106与第一半导体层101电连接，因此，电路单元通过所述第一电性端子21向第一半导体层101加载电压。相应地，所述第二扩展电极121与所述第二接触电极107电连接，且所述第二接触电极107与第二半导体层103电连接，因此，电路单元通过所述第二电性端子22向第二半导体层103加载电压。在第一半导体层101和第二半导体层103加载电压之后，所述有源层102发光，且从靠近所述第一半导体层101的一侧出光。
本实施例中，所述第一半导体层101为N型半导体层，所述第二半导体层102为P型半导体层。相应地，所述第一电性端子21为负极连接端，所述第二电性端子22为正极连接端。
如图19所示，所述LED芯片中第一扩展电极111的凹点中填充有焊料30，并与第一电性端子21焊接；第二扩展电极121的凹点中填充有焊料30，并与第二电性端子22焊接。所述焊料30填充在凹点内增加了焊接面积，增强了焊接强度，从而可以减少LED芯片从驱动背板20脱焊的问题，减少坏点产生的几率，进而提高了显示面板的良率。
具体地，所述基板24可以是刚性基板，也可以是柔性基板、折叠基板或拉伸基板。
本发明还提供一种电子设备，包括本发明提供的显示面板。所述显示面板中坏点产生的几率较小，相应地，所述电子设备的可靠性好、使用寿命长、返修率低。
所述电子设备可以是手机、近眼显示装置(VR或AR)、电视机或可穿戴设备等。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (31)
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
第一半导体层；
依次位于第一半导体层上的有源层和第二半导体层；
第一接触电极，贯穿所述有源层和第二半导体层且与所述第一半导体层电连接；
第二接触电极，位于第二半导体层上且与所述第二半导体层电连接；
第一扩展电极，位于所述第一接触电极上且与所述第一接触电极电连接，
所述第一扩展电极包括用于焊接的多个凹点；
第二扩展电极，位于所述第二接触电极上、与所述第二接触电极电连接且与所述第一扩展电极相隔离，所述第二扩展电极包括用于焊接的多个凹点。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极或第二扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点；或者，
所述第一扩展电极或第二扩展电极的部分区域用于形成所述多个凹点。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极和第二扩展电极为圆形扩展电极，所述圆形扩展电极的全部区域用于形成所述多个凹点。
4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，构成形成表面；
所述第一接触电极和所述第二接触电极为圆形接触电极；
所述圆形扩展电极在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。
5.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述圆形扩展电极和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。
6.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极和第二扩展电极中的圆形区域用于形成所述多个凹点。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一接触电极包括主接触电极，以及至少一个与所述主接触电极相隔离的辅接触电极；
所述第一扩展电极包括覆盖所述主接触电极的主扩展电极，覆盖所述辅接触电极的辅扩展电极，以及连接所述主扩展电极和所述辅扩展电极的线形扩展电极；
所述主扩展电极位于所述主接触电极上方的圆形区域形成有所述多个凹点。
8.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第二接触电极包括主接触电极，以及至少一个与所述主接触电极相连的延长电极；
所述第二扩展电极覆盖所述主接触电极和所述延长电极，所述第二扩展电极位于所述主接触电极上方的圆形区域用于形成所述多个凹点。
9.如权利要求7或8所述的LED芯片，其特征在于，所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，用于构成形成表面；
所述主接触电极为圆形接触电极；
所述圆形区域在所述形成表面的投影面积大于所述圆形接触电极在所述形成表面的投影面积。
10.如权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述圆形区域和所述圆形接触电极在所述形成表面的投影构成同心圆结构。
11.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，LED芯片还包括：第一绝缘层，位于所述第一接触电极和所述第二接触电极之间，与所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平。
12.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第二绝缘层，位于所述第一扩展电极与所述第二扩展电极之间，用于实现所述第一扩展电极与第二扩展电极的隔离。
13.如权利要求12所述的LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于第一扩展电极或第二扩展电极的厚度。
14.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，所述凹点为圆形、正多边形或不规则形凹点。
15.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，所述凹点的开口尺寸在8nm～10μm的范围内。
16.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极或第二扩展电极中相邻凹点的间距在8nm～10μm的范围内。
17.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极或第二扩展电极的厚度在20nm～2μm的范围内。
18.如权利要求1～8任意一项权利要求所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极或第二扩展电极的材料为金属。
19.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在衬底上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；
形成贯穿所述有源层和第二半导体层且与所述第一半导体层电连接第一接触电极；
在所述第二半导体层上形成与所述第二半导体层电连接的第二接触电极；
在所述第一接触电极上形成与所述第一接触电极电连接的第一扩展电极，所述第一扩展电极包括用于焊接的多个凹点；
在所述第二接触电极上形成与所述第二接触电极电连接、且与所述第一扩展电极相隔离的第二扩展电极，所述第二扩展电极包括用于焊接的多个凹点。
20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，通过纳米压印或光刻形成所述第一扩展电极和第二扩展电极。
21.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述第一接触电极和所述第二接触电极的表面齐平，构成形成表面；形成所述第一扩展电极和第二扩展电极的步骤包括：
在所述形成表面上覆盖纳米压印胶；
通过纳米压印技术图形化所述纳米压印胶，形成纳米压印图形层；
在所述纳米压印图形层上和所述纳米压印图形层之间的形成表面上形成第一导电层；
去除位于纳米压印图形层上的第一导电层，保留在所述形成表面上的第一导电层用于构成所述第一扩展电极和第二扩展电极；
去除所述纳米压印图形层。
22.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，形成第一导电层的步骤包括：通过蒸镀工艺形成所述第一导电层。
23.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，形成第一导电层的步骤包括：所述第一导电层的厚度小于所述纳米压印图形层的厚度。
24.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，通过剥离工艺去除所述纳米压印图形层上的第一导电层。
25.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，形成第一接触电极和第二接触电极的步骤包括：
形成贯穿所述有源层和第二半导体层且露出所述第一半导体层的第一开口；
在所述第一开口的底部、侧壁和所述第二半导体层上覆盖第一绝缘材料层；
图形化所述第一绝缘材料层，露出所述第一开口的底部并在第二半导体层上形成第二开口；
在所述第一开口和第二开口中填充第二导电层；
平坦化所述第二导电层和所述第一绝缘材料层，位于所述第一开口中的第二导电层用于构成所述第一接触电极；位于所述第二开口中的第二导电层用于构成第二接触电极。
26.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一扩展电极和第二扩展电极之间形成第二绝缘层。
27.如权利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一扩展电极或所述第二扩展电极的厚度。
28.如权利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述形成第二绝缘层的步骤包括：
在所述第一扩展电极、第二扩展电极及形成表面上覆盖第二绝缘材料层；
通过光刻工艺图形化所述第二绝缘材料层，形成所述第二绝缘层。
29.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板，包括：基板，以及位于基板上的多个电路单元，所述电路单元包括第一电性端子和第二电性端子；
倒置于所述驱动背板上的多个LED芯片，所述LED芯片为权利要求1～18任一项权利要求所述的LED芯片，所述LED芯片的第一扩展电极通过所述凹点焊接于所述第一电性端子，所述LED芯片的第二扩展电极通过所述凹点焊接于所述第二电性端子。
30.如权利要求29所述的显示面板，其特征在于，所述基板为柔性基板、折叠基板或拉伸基板。
31.一种电子设备，包括如权利要求29或30所述的显示面板。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110867462A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114171662A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| TWI792283B (zh) * | 2021-04-27 | 2023-02-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體結構與使用其的微型發光二極體顯示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103247743A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-08-14 | 安徽三安光电有限公司 | 贴面式发光器件及其制作方法 |
| EP2388836A3 (en) * | 2010-05-18 | 2013-10-09 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | High-efficiency light-emitting diode and method of fabricating the same |
| CN104091874A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-08 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5726797B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| CN103367591B (zh) * | 2012-04-09 | 2016-02-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管芯片 |
| JP2014236038A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
| CN105702823A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-06-22 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种小型led芯片及其制造方法 |
| TWI723207B (zh) * | 2016-08-18 | 2021-04-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 微型發光二極體及其製造方法 |
| CN107546303B (zh) * | 2017-08-25 | 2019-06-21 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2388836A3 (en) * | 2010-05-18 | 2013-10-09 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | High-efficiency light-emitting diode and method of fabricating the same |
| CN103247743A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-08-14 | 安徽三安光电有限公司 | 贴面式发光器件及其制作方法 |
| CN104091874A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-08 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110867462A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| WO2021082132A1 (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| WO2023122962A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 显示装置 |
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