CN110221457B - 光调制器以及使用该光调制器的光收发器模块 - Google Patents

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Abstract

光调制器以及使用该光调制器的光收发器模块。一种光调制器，该光调制器具有设置在基板的同一端的光输入端口和光输出端口；形成在所述基板中并被配置成形成Mach‑Zehnder干涉仪的光波导对，所述光波导对的一端连接到所述光输入端口，并且所述光波导对的另一端连接到所述光输出端口，所述光波导对具有弯曲部分；沿光波导对设置在所述弯曲部分中的凹槽；以及将高频电信号施加到所述光波导对的信号电极，其中，所述信号电极具有在与所述凹槽相交的部分处具有增大的横截面积的扩展部分。

Description

光调制器以及使用该光调制器的光收发器模块
技术领域
本发明涉及光调制器以及使用该光调制器的光收发器模块。
背景技术
通常，在光调制器中，射频(RF)电极和直流(DC)电极用于向光波导施加电场。根据生成多级(multi-level)光信号所需的光波导数量提供多个RF电极。向RF电极中的每一个输入几十Gbps的驱动信号。另一方面，向DC电极施加偏置电压。将偏置电压调节成使得输入RF信号的打开/关闭状态与从光调制器输出的光信号的打开和关闭相对应。
针对光调制器芯片的材料，使用具有电光效应的晶体材料(如铌酸锂(LN))。虽然LN光波导中的光损耗小，但是电光效应不够大，因此，为了保持低驱动电压，增加了电极的长度。因此，调制器芯片本身的长度变得长达70mm至90mm。此外，输入光纤和输出光纤连接到容纳调制器芯片的封装件(package)的任一端。该封装件的总长度也有所增加。
如图1所示，通过弯曲整个光波导111以使它们在调制器芯片100上向后折返，调制器芯片的长度可以缩短到35mm至40mm。例如，参见日本专利公开No.2006-47746。利用这种结构，输入光纤和输出光纤布置在封装件300的同一端，并且可以缩短封装件300的总长度。
通过弯曲波导(被设计成使光的传播方向改变180度)来形成折返部分110。为了减小芯片尺寸，希望减小弯曲波导的曲率半径；然而，减小波导的曲率半径可能导致穿过波导的光的辐射损失增加。为了防止光向外曲线逸出，沿着折返部分110中的弯曲波导的外曲线向基板提供诸如凹槽的低折射部分120。
RF信号经由内插器201从RF输入端子施加到调制器芯片100，并且DC电压经由继电器板202从DC输入端子施加到调制器芯片100。在图1的结构(DC输入端子和RF输入端子布置在调制器芯片100的同一侧)中，RF信号穿过DC电极组与折返部分110之间的空间被提供至光波导111。因为DC电极与折返部分110之间需要空间以便引入RF电极，所以DC电极的长度变短
随着DC电极缩短，DC控制电压电平增加。此外，由于DC输入端子和RF输入端子彼此相邻，因此会在DC信号与RF信号之间产生串扰。
发明内容
待解决的技术问题
为了解决上述技术问题，可以采用图2的RF输入端子布置在光纤输入/输出端口的相反端的结构。通过将RF输入端子与DC输入端子分开，可以减少串扰并且使得DC电极具有足够的长度。
然而，利用这种结构，RF电极沿着折返部分110的弯曲波导与形成在低折射部分120中的凹槽相交。可能发生电断开并且调制器芯片的产率可能降低。此外，由于制造工艺或工艺条件的变化，信号线的特性阻抗可能会发生很大变化并且高频信号可能会被轻易地反射。
因此，本发明的目的是提供一种新颖的结构，该结构实现了小型化光调制器的高产率并减少了特性阻抗的变化。
解决技术问题的手段
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，一种光调制器具有：
基板；
设置在所述基板的同一端的光输入端口和光输出端口；
设置在所述基板中且被配置成形成Mach-Zehnder干涉仪的光波导对，所述光波导对的一端连接到所述光输入端口，并且所述光波导对的另一端连接到所述光输出端口，所述光波导对具有弯曲部分；
沿光波导对设置在所述弯曲部分中的凹槽；以及
将高频电信号施加到所述光波导对的信号电极，
其中，所述信号电极具有在与所述凹槽相交的部分处具有增大的横截面积的扩展部分。
利用这种结构，实现了小型化的光调制器的高产率，并且可以减少特性阻抗的变化。
本发明的目的和优点将借助于权利要求中特别指出的元件和组合来实现和获得。应理解，前面的一般性描述和下列详细描述二者都是示例性的和说明性的，并不是对要求保护的发明的限制。
附图说明
图1是用于对具有折返部分的光调制器中出现的技术问题进行说明的图；
图2例示了由发明人构思的用于解决图1的结构中出现的技术问题的布局设计；
图3例示了根据第一实施方式的光调制器的结构；
图4A是光调制器芯片的平面图；
图4B是沿图4A的A-A'线截取的、例示了沿图3和图4A的弯曲波导设置的凹槽结构的横截面图；
图5是图3的折返部分的放大图；
图6是在与凹槽相交的部分处局部增加了信号电极的厚度的结构示例的示意性横截面图；
图7例示了根据第二实施方式的光调制器的结构；
图8是图7的折返部分的放大图；
图9例示了根据第三实施方式的光调制器的结构；
图10是图9的第二凹槽区域的放大图；
图11是在与第二凹槽区域相交的位置处增加了RF电极的厚度的结构示例的横截面图；以及
图12是使用实施方式的光调制器的光模块的示意性框图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图3是第一实施方式的光调制器1A的示意图。光调制器1A具有调制器芯片100，在该调制器芯片100上形成有一组光波导111。调制器芯片100可以与内插器板201和202一起布置在封装件300中，通过内插器板201和202从外部提供偏置电压和高频驱动信号。
在调制器芯片100中，形成在基板101上的光波导111发生弯曲，从而在折返部分110A产生180度的转向，在该折返部分110A中，通过光波导111传播的光的方向改变几乎180度。光输入端口Pin和光输出端口Pout设置在基板101的同一端(沿着基板101的纵轴的任一侧)。光波导111的一端连接到光输入端口Pin，并且另一端连接到光输出端口Pout。通过在光输入端口Pin与光输出端口Pout之间延伸的光波导111形成调制器。
在图3的示例中，通过使用彼此平行布置的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)类型的IQ调制器115和IQ调制器116来采用偏振复用。IQ调制器115具有形成同相(I)通道的一对光波导以及形成正交相(Q)通道的一对光波导。类似地，IQ调制器116具有提供I通道的一对光波导以及提供Q通道的一对光波导。IQ调制器115和116中的每一个通过正交相移键控(QPSK)生成2位光信号，并且从调制器芯片100输出总共4位光信号。
IQ调制器115和IQ调制器116中的每一个具有基于MZI的I通道波导对和基于MZI的Q通道波导对。IQ调制器115和116可以称为“主MZI”。I通道波导和Q通道波导中的每一个进一步分支成两个波导，以形成基于MZI的波导对。IQ调制器115和116的I通道分支和Q通道分支可以称为“子MZI”。在折返部分110A中，存在形成Mach-Zehnder干涉仪的四对光波导，并且总共八个光波导111以预定的曲率半径一起弯曲。
基板101可以是具有电光效应的晶体基板，诸如铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO2)等。形成IQ调制器115和116的光波导111可以通过将相对于电光晶体具有高固溶度的金属(诸如钛)图案化而制造在基板101中。然后对该图案化的基板进行热扩散、质子交换和其它处理，由此制造具有高折射率的光传输光波导111。
光波导111在马上到达折返部分110A之前基本上平行于光输入端口Pin延伸，但Y形结除外。然后，相邻波导之间的距离朝着折返部分110A逐渐变窄，在该折返部分110A中，光波导111以小曲率半径弯曲。在离开折返部分110A时，相邻波导之间的距离逐渐增加，并且光波导111再次平行地朝向光输出端口Pout延伸，但Y形结除外。
利用光波导111平行延伸所在的区域将DC电压和RF信号施加到调制器芯片100，从而增加电极的长度并减小DC偏置控制电压和RF驱动电压。
在折返部分110A中，在弯曲波导中将可能发生光的辐射损失。随着光波导111的曲率半径变小以缩减调制器芯片100的尺寸，辐射损失将增加。为了防止辐射损失，向具有弯曲光波导111的折返部分110A提供低折射结构120。低折射结构120具有折射率低于光波导111的折射率的空气层。
图4A和图4B例示了设置在折返部分110A中的低折射结构120的凹槽结构。图4A是光波导111的平面图，图4B是沿A-A'线截取的横截面图。
通过例如干法刻蚀，沿着各个光波导111的外曲线在基板101中形成凹槽121。在凹槽121内部是空气层，该空气层的折射率低于光波导111的折射率。光波导111中的每一个在凹槽121之间(一个凹槽沿相应光波导111的外曲线形成，一个凹槽沿着下一个内部光波导111的外曲线设置)延伸，由此形成伪脊形波导。该结构可以增强光在光波导111中的限制并且抑制来自弯曲波导的辐射损失。形成有光波导111和凹槽121的基板101的整个表面覆盖有诸如Al2O3、SiO2或其它合适材料的缓冲层123。
回到图3，DC电极被提供给波导的在光输入端口Pin与折返部分110A之间延伸的平行部分。例如，DC电极105M被提供给每个IQ调制器115和116(形成主MZI)的I通道和Q通道，并且DC电极105S被提供给每个I通道和Q通道中的形成子MZI的光波导对。根据需要，DC电极105M和105S可以统称为“DC电极105”。
DC电极105经由缓冲层123布置在光波导111上方。外部提供DC电压的DC输入端子经由内插器板202连接到相关联的DC电极105，以将DC偏置电压施加到光调制器。
被施加射频(RF)信号的信号电极103被提供给光波导111的在折返部分110A与光输出端口Pout之间延伸的直段部分。信号电极103被提供给四个子MZI中的每一个。用于外部地输入高频驱动信号的RF输入端子经由内插器板201连接到相关联的信号电极103。
内插器板201设置在调制器芯片100的端面上，并且且与光输入端口Pin和光输出端口Pout相反。由于这种布置，RF信号横跨沿折返部分110A中的弯曲波导形成的凹槽121输入到IQ调制器115和116。如果金属电极材料在凹槽121的内壁上的气相沉积或干镀的条件由于工艺条件中的细微差异而变化，则将可能在凹槽121的边缘处发生物理或电断开。
在该实施方式中，通过在与凹槽121相交的位置处局部增加信号电极103的横截面积来补偿工艺条件中的变化。可以通过例如增加信号电极103的线宽来增加信号电极103的横截面积。
图5是图3所示的折返部分110A的放大图。连接到内插器板201的信号电极103与弯曲光波导111以及沿光波导111的外曲线设置在折返部分110A中的凹槽121相交。在低折射部分120(参见图3)中，信号电极103具有在与凹槽121相交的部分处具有增加的宽度的扩展部分103W。通过局部增加信号电极的宽度，信号电极103的横截面积有所增加。
通过在与凹槽121相交的位置处增加信号电极103的横截面积，可以防止互连的断开或劣化，并且保持互连的可靠性。即使信号电极尺寸由于工艺条件的波动而变化，横截面积尺寸的误差率也会降低。因此，特性阻抗的变化减小，并且可以抑制高频信号的反射。
为了增加信号电极103的横截面积，代替或者除了增加信号线的宽度，还可以增加信号电极103的厚度。
图6例示了信号电极103的结构示例，该信号电极103在与折返部分110A中的凹槽121相交的部分处具有增加的厚度。假设信号电极103横跨凹槽121在相交部分处的厚度是Tg且信号电极103的另一部分的厚度是Tr，则形成满足Tg>Tr的信号电极103。与凹槽121相交的信号电极103的厚度Tg优选大于凹槽121的深度，以便以可靠的方式防止电极材料在凹槽121的边缘处的气相沉积量不足。
在折返部分110A中，信号电极103的表面可以不必是平坦的。只要满足Tg>Tr并且Tg大于凹槽121的深度即可，信号电极103的顶面可以是不均匀的(显示出凹槽121的横截面形状)。
通过重复制造抗蚀图案和电镀工艺(无论是湿法还是干法)，可以局部改变信号电极103的厚度。
再次回到图3，通过使用电连接到RF输入端子的信号电极103，根据输入数据的逻辑值，高频驱动信号被输入到IQ调制器115的I通道和Q通道以及IQ调制器116的I通道和Q通道。信号电极103终止于调制器芯片100的与用于DC供电的内插器板202相反的侧边缘处。
接地电极102提供相对于施加到信号电极103的电信号的参考电位。在该示例中，基板101是Z切割基板，其中晶体的Z轴沿垂直于基板表面的方向取向。信号电极103直接设置在每个子MZI中的一个光波导111的上方，接地电极102设置在子MZI的另一个光波导111上。
在输入电信号时，在信号电极103与接地电极102之间产生电场，并且形成MZ干涉仪的一对光波导111的折射率由于电光效应而发生改变。传播光的光相位改变，并且在MZ干涉仪的输出端处组合的光信号的强度被调制。
在IQ调制器115或116中的一个的输出端，光的偏振方向被偏振旋转器“PR”旋转，并且由偏振光束组合器“PBC”多路复用彼此正交的两个偏振波。例如，TM波从输入端口Pin输入，分成一个用于IQ调制器115且另一个用于IQ调制器116的两个光分量，IQ调制器115的输出光通过偏振旋转器“PR”被转换成TE波。从IQ调制器116输出的TM波和经偏振旋转的TE波被PBC多路复用。多路复用光信号从输出端口Pout输出到传输线(光纤)。
在图3的结构中，在与沿弯曲波导设置在调制器芯片100的折返部分110A中的凹槽121相交的位置处扩展信号电极103的横截面积尺寸。可以防止信号线在凹槽121附近的劣化以及信号线的由于工艺波动而导致的特性阻抗变化。因此，实现了紧凑且可靠的光调制器。
此外，可以沿着光波导111将DC电极105设计的足够长，并且可以将DC偏置控制电压保持在低水平。
<第二实施方式>
图7是根据第二实施方式的光调制器1B的示意图。光调制器1B采用第一实施方式的光调制器1A的结构作为基本结构。相同的部件由相同的符号表示，并且省略多余的解释。
调制器芯片100在与光输入端口Pin和光输出端口Pout相反的一侧具有光波导111的折返部分110B。光波导111弯曲成使得光传播方向在折返部分110B中被改变大约180度。正如第一实施方式中的那样，凹槽121沿弯曲波导形成。
在第二实施方式中，对应于信号电极103的在与凹槽121相交的部分处的横截面积的扩展来调整信号电极103与接地电极102之间的间隙。
图8是折返部分110B的放大视图。在与信号电极103的位于与沿弯曲波导设置的凹槽121相交的区域中的扩展部分相邻的部分处调整接地电极102的图案。随着信号电极103的宽度局部增加以增加其横截面积，特性阻抗在扩展部分处减小。为了避免这种情况，在信号电极103的扩展部分103W周围提供宽间隙区域104W，以便在信号电极103与接地电极102之间提供适当的间隙。
通过提供宽间隙区域104W，高频信号线的特性阻抗保持恒定，并且可以抑制射频信号的反射。
接地电极102的具有设置到规定部分的宽间隙区域104W的上述图案适用于在与凹槽121相交的部分中具有局部增加的厚度的已调整厚度的信号电极103的结构。利用信号电极103在加厚部分处的增大的横截面积，高频信号线的特性阻抗在该部分处减小。通过在已调整厚度的部分处加宽信号电极103与接地电极102之间的间隙，可以补偿特性阻抗的减小。高频信号线的特性阻抗保持恒定，并且抑制高频信号分量的反射。
第二实施方式的结构可以使用弯曲波导实现调制器芯片100的小型化，同时抑制特性阻抗的变化并保持调制器芯片100的产率。
<第三实施方式>
图9是根据第三实施方式的光调制器1C的示意图。光调制器1C采用第一实施方式的光调制器1A的结构作为基本结构。相同的部件由相同的符号表示，并且省略多余的解释。
在第三实施方式中，用于RF输入的内插器板201设置在与用于调制器芯片100的DC输入的内插器板202相反的一侧。DC电极105M和105S设置在光输入端口Pin与折返部分110C之间并且位于光波导对(该光波导对形成MZ干涉仪)直段且平行延伸的区域中。信号电极103在折返部分110C与光输出端口Pout之间的区域中被提供给光波导111。
因为内插器板201布置在与内插器板202相反的侧边缘处，所以信号电极103不与折返部分110C中的弯曲波导相交，在该折返部分110C中，光波导111以小曲率半径弯曲。然而，在折返区域110C旁边是弯曲区域130，在该弯曲区域130中，光波导111仍然弯曲并且随着两个相邻波导之间的距离逐渐增加而朝着光输出端口Pout延伸。尤其是，光波导111的曲率在曲线内是大的，并且在更弯曲的曲线处将可能发生光的辐射损失。
为了防止这种情况，沿着以一定曲率水平弯曲的那些光波导111的外曲线向弯曲区域130提供第二凹槽122，从而抑制光的辐射损失。通过沿着光波导111的外曲线在弯曲区域130中设置第二凹槽122，光波导111的曲率半径可以保持尽可能小，并且调制器芯片100变得紧凑。
图10是弯曲区域130的放大视图。信号电极103的一部分或全部可以与形成在弯曲区域130中的第二凹槽122交叉或相交。这样的信号电极103中的每一个都具有扩展部分103W，其中，在与第二凹槽122相交的区域中，截面面积有所增加。可以通过增加信号电极103的宽度和厚度中的至少一个来加宽信号电极103的横截面积。
代替或者除了在与第二凹槽122相交的部分处增加信号电极103的宽度的结构，可以如图11所示增加信号电极103的厚度。假设信号电极103的设置在第二凹槽122中的厚度是“Tg'”且信号电极103的位于除第二凹槽122之外的区域中的厚度是“Tr'”，那么形成满足Tg'>Tr'的信号电极103。通过在与第二凹槽122相交的部分处局部增加信号电极103的厚度，可以防止电或物理断开，并且在小型化光调制器1C中保持可靠性。
当在与第二凹槽122相交的部分处局部增加信号电极103的横截面积时，可以调整接地电极102的图案，以便如在第二实施方式中那样保持或加宽信号电极103的扩展部分周围的间隙。通过在信号电极103与接地电极102之间提供适当量的间隙，高频信号线的特性阻抗可以保持稳定。
<光收发器模块的应用>
图12是使用实施方式的光调制器1的光收发器模块10的示意性框图。光模块10具有光调制器1、光前端接收机电路2、诸如激光二极管(LD)的光源3、电路芯片4以及诸如数字信号处理器(DSP)的信号处理器5。第一实施方式至第三实施方式的光调制器1A至1C中的任何一个可以用作光调制器1。
电路芯片4可以包括驱动器(DRV)和跨阻抗放大器(TIA)，该驱动器(DRV)用于基于输入数据生成用于驱动光调制器1的高速驱动信号，该跨阻抗放大器(TIA)用于将从光前端接收机电路提供的光电流信号转换成电压信号。当光调制器1被封装在封装件300(该封装件300如上述实施方式中那样设置有调制器芯片100以及内插器板201和202)中时，驱动器电路可以布置在光调制器1的封装件300中。在第三实施方式的结构(在该第三实施方式中，在与调制器芯片100的输入和输出端口相反的端部处存在开放空间)中，可以以有效的方式利用封装件300内部的空间。
从光源3输出的光束的一部分被输入到光调制器1，并且剩余的光被输入到光前端接收机电路2。在调制器芯片100的光输入端口Pin处接收提供给光调制器1的光分量。由光调制器1根据输入数据调制的光信号输出到光纤7。从光源3提供给光前端接收机电路2的另一个光分量用作本地振荡器光，以检测从光纤6接收的光信号。
DSP 5通过驱动器电路产生要输入到光调制器1的数据信号。DSP 5还将由光前端接收机电路2检测到的并作为电压信号由电路芯片4产生的模拟电信号转换成数字形式并解调接收信号。
在该光收发器模块10中，光调制器1具有折返部分110(在该折返部分110中，光波导折返几乎180度)，因此，调制器芯片本身变得紧凑。沿折返部分110中的弯曲波导的外周或者从折返部分110朝向直段部分或平行部分延伸的弯曲波导的外周设置用于提供空气层的凹槽，从而抑制光的辐射损失。在与凹槽相交的部分处局部增加信号电极103的横截面积。因此，抑制了互连的断开或劣化，并且减少了由于工艺变化引起的特性阻抗波动的不利影响。因此，实现了紧凑且稳定的光收发器模块10。
本发明不限于上述实施方式，并且在本发明的范围内可以有许多修改和变化。上述实施方式的结构不仅适用于DP-QPSK光调制器，而且适用于任何合适的光调制器(例如具有180度弯曲波导的16-QAM或QPSK光调制器)。针对长距离光学传递，利用电光效应且具有较少光损耗的光调制器是优选的。然而，实施方式的电极结构也可以应用于利用电吸收效应的半导体光调制器。例如，当多个MZI型硅波导以小曲率半径弯曲并且当高频电调制信号与穿过硅波导的光的传播速度之间需要速度匹配时，实施方式的电极结构是有效适用的。
尽管在上述实施方式中，DC电极105设置在光输入侧，而信号电极103设置在光输出侧，但是本发明不限于这种结构。实施方式的上述结构适用于RF输入端和RF终端两者都被提供给光输入端侧并且信号电极103与沿着弯曲波导形成的凹槽相交的布局。
本文所述的所有示例和条件性语言旨在用于教导目的，以帮助读者理解本发明以及发明人所贡献的关于促进本领域发展的概念，并且本文所述的所有示例和条件性语言应被解释为不限于这些具体说明的示例和条件，本说明书中的这些示例的结构也不涉及表现本发明的优越性或低劣性。尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但是应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种改变、替换和更改。

Claims (17)

1.一种光调制器，所述光调制器包括：
基板；
光输入端口和光输出端口，所述光输入端口和所述光输出端口设置在所述基板的同一端；
光波导对，所述光波导对设置在所述基板中并且形成Mach-Zehnder干涉仪，所述光波导对的一端连接到所述光输入端口，并且所述光波导对的另一端连接到所述光输出端口，所述光波导对具有弯曲部分；
凹槽，所述凹槽沿所述光波导对设置在所述弯曲部分中；以及
信号电极，所述信号电极将高频电信号施加到所述光波导对，
其中，所述信号电极在与所述凹槽相交的部分处具有横截面积增大的扩展部分，所述信号电极通过覆盖所述弯曲部分中的所述凹槽的边缘和底部来与所述凹槽相交。
2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的宽度大于未与所述凹槽相交的另一部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于未与所述凹槽相交的另一部分的厚度。
4.根据权利要求2所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于未与所述凹槽相交的所述另一部分的厚度。
5.根据权利要求2所述的光调制器，所述光调制器还包括：
与所述基板上的所述信号电极设置在同一平面上的接地电极，
其中，所述信号电极与所述接地电极之间的间隙在所述信号电极的所述扩展部分周围变宽。
6.根据权利要求3所述的光调制器，所述光调制器还包括：
与所述基板上的所述信号电极设置在同一平面上的接地电极，
其中，所述信号电极与所述接地电极之间的间隙在所述信号电极的所述扩展部分周围变宽。
7.根据权利要求4所述的光调制器，所述光调制器还包括：
与所述基板上的所述信号电极设置在同一平面上的接地电极，
其中，所述信号电极与所述接地电极之间的间隙在所述信号电极的所述扩展部分周围变宽。
8.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
9.根据权利要求2所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
10.根据权利要求3所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
11.根据权利要求4所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
12.根据权利要求5所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
13.根据权利要求6所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
14.根据权利要求7所述的光调制器，其中，所述信号电极的所述扩展部分的厚度大于与所述凹槽相交的部分处的所述凹槽的深度。
15.根据权利要求1所述的光调制器，
其中，所述光波导对的所述弯曲部分形成弯曲波导，在所述弯曲波导处，光的传播方向折返180度，并且
其中，沿所述弯曲波导的外曲线形成所述凹槽。
16.根据权利要求1所述的光调制器，
其中，所述光波导对具有折返部分，在所述折返部分中，光的传播方向折返180度，
其中，所述光波导对的所述弯曲部分处在位于所述折返部分与所述光输入端口或所述光输出端口之间的弯曲区域中，在所述弯曲区域中，所述光波导对之间的距离改变，并且
其中，在所述弯曲区域中沿所述光波导对的外曲线形成所述凹槽。
17.一种光收发器模块，所述光收发器模块包括：
具有光调制器的光发射机；和
光接收机，
其中，所述光调制器具有：
基板；
光输入端口和光输出端口，所述光输入端口和所述光输出端口设置在所述基板的同一端；
光波导对，所述光波导对设置在所述基板中并且形成Mach-Zehnder干涉仪，所述光波导对的一端连接到所述光输入端口，并且所述光波导对的另一端连接到所述光输出端口，所述光波导对具有弯曲部分；
凹槽，所述凹槽沿所述光波导对设置在所述弯曲部分中；以及
信号电极，所述信号电极将高频电信号施加到所述光波导对，并且
其中，所述信号电极在与所述凹槽相交的部分处具有横截面积增大的扩展部分，所述信号电极通过覆盖所述弯曲部分中的所述凹槽的边缘和底部来与所述凹槽相交。
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