CN110218175A - 一种通式化合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了下式结构的通式化合物：其中，R1选自C6～C30的芳基或稠环芳基、C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；R2和R3分别独立选自氢、C1‑C12的烷基、C1‑C8的烷氧基、C6～C30的芳基或稠环芳基、C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；m和n分别独立选自1至4的整数；L选自单键，或选自C1‑C12的烷基、C1‑C8的烷氧基、C5‑C30的亚芳基、C3‑C30的杂环亚芳基；Ar1和Ar2分别独立选自C6‑C30的芳基或稠环芳基；Ar3和Ar4分别独立选自C6‑C30的芳基或稠环芳基、C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基。本发明同时保护采用上述通式化合物的有机电致发光器件。本发明的化合物作为OLED发光层中的空穴传输材料时，表现出优异的器件性能和稳定性。

Description

一种通式化合物及其应用
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料领域，具体说涉及一种新型通式化合物以及采用该类通式化合物的有机电致发光器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。由美籍华裔教授邓青云(Ching W.Tang)于1979年在实验室中发现。OLED显示技术具有自发光、广视角、高对比度、耗电低、响应速度快等优点。但是，作为高端显示屏，价格上也会比液晶电视要贵。其中，OLED本身具有利用有机薄膜，并将电压施于其所组成的装置上发光的固有特性，所以开发合适的有机薄膜材料一直是OLED行业的研究重点，有利于加快OLED在显示技术中的产业化进程。
一般用于OLED的材料包括发光材料、辅助材料和电极材料。其中辅助材料主要包括载流子传输材料、载流子注入材料和载流子阻挡材料。不同的辅助材料在器件中所起的功能和作用不同,因此对不同的辅助材料通常具有不同的功能要求。
空穴传输材料是以传输空穴为主,在OLED中,包含空穴传输材料的空穴传输层的作用是提高空穴在器件中的传输效率,并将电子阻挡在发光层内,实现载流子的最大复合。OLED用空穴传输材料首先要求其具有较高的空穴迁移率,分子的三线态能级要高于发光层的激发能量,要避免与发光层形成激基复合物,另外还需要满足以下条件:(1)具有良好的成膜性,能够形成无缺陷的均一且无定形的薄膜；(2)具有较高的热稳定性,较高的熔点和玻璃化转换温度；(3)具有适当的最高分子占据轨道(HOMO)能级,能够保证空穴在各个界面之间的有效注入与传输。虽然目前OLED的老化机理尚未完全清楚，但是有研究表明有机层物理形态的变化是影响OLED老化的因素之一，例如由于器件操作时产生的热引起有机层的熔融与结晶，不但会破坏薄膜的均一性，还会破坏空穴传输层同阳极以及有机层之间良好的界面接触，从而导致器件的效率和寿命下降。
因此目前有机空穴传输材料的研究重点在于如何提高材料的成膜性及热稳定性。为了提高材料的稳定性，通常使用具有较高熔点和玻璃化转换温度的空穴传输材料。从分子设计的角度来看，具有不对称结构的、空间位阻大的化合物，例如具有成对偶联结构、星形结构、枝化结构和螺形结构的化合物，能够降低分子与分子间的凝聚力，减少结晶的倾向，提高材料的玻璃化转变温度，进而有可能提高相应器件的性能。
早期商用的空穴传输材料为如下结构(e.g.EP-721935)：
然而，这种材料在产线应用的时候，由于其横纵迁移率不均衡问题，使像素出现串扰不良；因此专利CN103108859公开了另一种商用材料，
这种材料无论在溶解性还是迁移率都比上一种材料性能提高很多，然而其材料性能匹配产业化进程仍有很大的进步空间，因此，本专利公开了一系列新型空穴传输材料，并在器件中应用，表现出优异的器件性能。
发明内容
本发明提供一种由式(1)所示的通式化合物：
具体说，式(Ⅰ)中所使用的符号和标记的含义如下：
表示任意芳环；“……”表示取代基可以连接在苯环任意位点。
R1选自C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；
R2和R3分别独立选自氢、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；其中的m和n分别独立选自1至6的整数；
L选自单键，或选自C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C5-C30的取代或者未取代的亚芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂环亚芳基；
Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基；
Ar3和Ar4分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；
上述的取代基团分别独立选自卤素、C1～C10的烷基或环烷基、烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团。
进一步的，Ar1和Ar2优选为：苯基、萘基。
进一步的，本发明的通式化合物如如下述(Ⅱ-1)-(II-10)所示：
其中，Ar3和Ar4、L、R1和R2和R3的定义与在通式(Ⅰ)中相同。
进一步的，Ar3和Ar4优选为：苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴、茚并芴、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基，二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并硒吩基、咔唑基、苯基咔唑基。
进一步的，R1优选为苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴、茚并芴、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基，二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并硒吩基、咔唑基、苯基咔唑基。
进一步的，L优选为亚苯基、亚萘基。
更进一步地，本发明的通式化合物优选出下列1-40的结构化合物：
本发明同时保护上述通式(Ⅰ)所述的化合物的应用，该应用为在有机电致发光器件的发光层中作为空穴传输材料。
本发明同时保护上述的结构化合物的应用，所述应用为在有机电致发光器件的发光层中作为空穴传输材料。
本发明同时保护一种有机电致发光器件，该器件包括第一电极、第二电极和插入所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层，其特征在于，所述有机层中包括至少一种由通式(Ⅰ)表示的化合物：
其中：R1选自C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；
R2和R3分别独立选自氢、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；m和n分别独立选自1至6的整数；
L选自单键，或选自C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C5-C30的取代或者未取代的亚芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂环亚芳基；
Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基；
Ar3和Ar4分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；
上述的取代基团分别独立选自卤素、C1～C10的烷基或环烷基、烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团。
本发明设计的新型通式化合物，以三芳胺类结构为母核，为了提高化合物在器件制备过程的耐受性，引入同样具有良好传输特性的刚性结构咔唑类衍生物。三芳胺在电场作用下形成NH4 +，其连接的苯环相当于π电子的注入，NH4 +越稳定越有利于HOMO能级的提高，相应的空穴更容易注入到空穴传输层，因此为了增加与芳胺连接的取代基团的给电子特性，本发明设置的桥连结构为型。
对于这种桥连结构：首先，邻位的连接方式为了缓和结构中的刚性，增加整个分子的溶解性；其次，相对比与间位的连接方式，在空间上有更大的自由度，从分子的电子云分布上可以看出，LUMO能级主要分布在桥连基团上，邻位设计相比于间位拉高了LUMO能级，这对于电子从发光层溢出到空穴传输层有更好的抑制作用，有利于减少漏电流，对于器件寿命和性能都有积极作用；最后，从分子的电子云分布上可以看出，HOMO能级主要分布在三芳胺上，所以相比于单个苯环结构，桥连结构共轭的增加对于提高HOMO能级，降低空穴注入势垒，降低启动电压，或者在器件制备中减少空穴注入层厚度，降低成本。
附图说明
图1是本发明的一种有机电致发光器件结构示意图；
其中110代表玻璃基板，120代表阳极，130代表空穴注入层，140代表空穴传输层，150代表发光层，160代表电子传输层，170代表电子注入层，180代表阴极。
图2是本发明的化合物5的最高占据分子轨道(HOMO)；
图3是本发明的化合物5的最低未占据分子轨道(LUMO)。
实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
实施例中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。实施例中所用的各种化学药品如石油醚、乙酸乙酯、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、磷酸钾、咔唑、1-(4-溴苯基)-4-氯联苯、二(4-联苯基)胺、三(二亚苄基丙酮)二钯、四(三苯基膦)钯、2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(Sphos)、三叔丁基膦四氟硼酸盐、磷酸三钾、叔丁醇钠、1,4-二氧六环等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到。
本发明中的中间体和化合物的分析检测使用ABSCIEX质谱仪(4000QTRAP)和布鲁克核磁共振仪(400M)。
参照下面的实施例来更具体地描述本发明，但是本发明并不局限于这些实施例。
用于有机电致发光器件的空穴传输层的本发明通式(1)表示的化合物，可采用咔唑和卤代物通过钯催化的Buchwald-Hartwig偶联反应合成得到中间体，然后再与芳胺类化合物继续进行Buchwald-Hartwig偶联。代表性合成路线如下：
其中，式中符号与在通式(1)中的含义相同。
具体化合物的合成实施例：
实施例1
化合物1的合成
中间体1-1的合成；
氮气保护下，于装有机械搅拌的四口瓶中，冷凝管的500mL四口瓶中加入原料咔唑(30g,180mmol,1eq),1-(4-溴苯基)-4-氯联苯(61.4g,180mmol,1eq)，三(二亚苄基茚丙酮)二钯(5.0g,5.4mmol,3％eq)，三叔丁基膦四氟硼酸盐(3.1g,10.8mmol,6％eq)，叔丁醇钠(26g,270mmol,1.5eq)，300mL甲苯80℃反应24h。降至室温后，直接加入250mL水分液，水相用200mL二氯甲烷萃取三次，合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在石油醚中煮洗，过滤得白色粉末27g。
化合物1的合成；
氮气保护下，于装有机械搅拌的四口瓶中，冷凝管的500mL四口瓶中加入1-1(27g,63mmol,1eq),二(4-联苯基)胺(20.2g,63mmol,1eq)，三(二亚苄基茚丙酮)二钯(1.7g,1.9mmol,3％eq)，三叔丁基膦四氟硼酸盐(1.1g,3.78mmol,6％eq)，叔丁醇钠(9g,94.5mmol,1.5eq)，300mL甲苯80℃反应24h。降至室温后，直接加入250mL水分液，水相用200ml二氯甲烷萃取三次，合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在石油醚中煮洗，过滤得白色粉末10g。
化合物1的质谱数据：MS(MALDI-TOF,m/z)calcd for Chemical Formula:C54H38N2:714.30.Found:714.5[M]+；
同理，用类似方法我们合成如下表所示化合物：
器件实施例
实施方式
有机发光二极管包括位于基板上的第一电极和第二电极，以及位于电极之间的有机材料，第一电极和第二电极之间包括空穴传输层、发光层、电子传输层。
基板使用有机发光显示器所用的基板，例如：玻璃、聚合物材料以及带有TFT元器件的玻璃和聚合物材料等。
阳极材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料，也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料，也可以是PEDOT等有机导电材料，及上述材料的多层结构。
阴极为镁银混合物、LiF/Al、ITO等金属、金属混合物、氧化物
器件中还可以包括位于空穴传输层与阳极之间的空穴注入层HI1-HI4
空穴传输层可以但不限于以下所罗列的HT1-HT32
本发明的化合物可以但不限于和以下磷光主体材料GPH1-GPH80搭配使用。
磷光掺杂剂可以但不限于以下所罗列的GPD1-GPD57等。
电子传输层可以但不限于以下所罗列的ET1-ET57等。
器件中还可以包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合。
LiQ,LiF,NaCl,CsF,Li2O,Cs2CO3,BaO,Na,Li,Ca。
本专利发明的化合物用于发光层中的空穴传输材料，HT-32和HT-2分别为对比实施例1和对比实施例2。
本对比实施例中有机电致发光器件制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HI-1作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-32作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH8蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-12蒸镀速率8％比例设定，蒸镀总膜厚为30nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-29，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
器件实施例1
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物1。
器件实施例2
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物2。
器件实施例3
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物3。
器件实施例4
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物5。
器件实施例5
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物8。
器件实施例6
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物12。
器件实施例7
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物22。
器件实施例8
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物26。
器件实施例9
本发明化合物作为空穴传输材料。
采用与对比实施例相同的方法制备得到有机电致发光器件，不同在于，将HT-32替换为本发明中合成的化合物30。
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用数字源表及亮度计测定实施例1～9以及对比实施例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到10000cd/m2时的电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率。
本发明器件实施例中公开的具体优选结构化合物应用在有机电致发光器件中的器件性能检测数据详见下表：
器件例 HTM Voltage(V)/10000cd/m<sup>2</sup> CE(cd/A)/10000cd/m<sup>2</sup>
对比实施例1 化合物HT-32 5.7 26
对比实施例2 化合物HT-2 6.2 31
器件实施例1 化合物1 4.5 57
器件实施例2 化合物2 4.7 53
器件实施例3 化合物3 4.4 59
器件实施例4 化合物5 4.4 57
器件实施例5 化合物8 4.3 67
器件实施例6 化合物12 4.8 50
器件实施例7 化合物22 4.2 63
器件实施例8 化合物26 5.0 43
器件实施例9 化合物30 5.1 41
在有机电致发光器件结构中其他材料相同的情况下，采用本发明的这类通式化合物代替对比器件实施例中的现有技术中的化合物HT-32作为空穴传输材料，器件实施例1-9中所制备器件的工作电压相比较于采用现有技术化合物HT-32作为空穴传输材料所制备的对比例中的电压值5.7V均有所降低，同时实施例1-9中所制备器件在10000cd/m2亮度下测得的电流效率也相较于对比例所制备器件的电流效率值26cd/A均有非常明显的提升；同时对比常见商用材料HT-2，本发明中相应的电压和电流效率仍有明显提升。
由此可见，当本发明的此类通式化合物应用于有机电致发光器件中时，所制备的OLED器件相对于采用现有技术中材料所制备的器件来看，其寿命和发光效率两个方面的性能都取得了非常好的提升效果，因而有机电致发光器件具备更优良的性能。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种通式化合物，如下式(Ⅰ)所示：
其中：R1选自C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；
R2和R3分别独立选自氢、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；m和n分别独立选自1至6整数；
L选自单键，或选自C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C5-C30的取代或者未取代的亚芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂环亚芳基；
Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基；
Ar3和Ar4分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；
上述的取代基团分别独立选自卤素、C1～C10的烷基或环烷基、烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团。
2.根据权利要求1所述的通式化合物，其中：
Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C20的芳基或稠环芳基；
Ar3和Ar4分别独立选自取代或者未取代的C6-C20的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C20的杂环芳基或稠环杂芳基；
R2和R3分别独立选自氢、C1-C5的烷基、C1-C5的烷氧基、C6～C20的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C20的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；
L选自C5-C20的取代或者未取代的亚芳基；
上述的取代基团选自C1～C5的烷基或环烷基、C1～C6的烷氧基、C6～C20的芳烃或稠环芳烃基团、C3～C20的杂芳烃或稠环杂芳烃基团。
3.根据权利要求1或2所述的通式化合物，如下述(Ⅱ-1)-(Ⅱ-10)所示：
其中，Ar3和Ar4、L、R1和R2和R3的定义与在通式(Ⅰ)中相同。
4.根据权利要求1或2所述的通式化合物，其中：
Ar1和Ar2分别独立选自苯基或萘基；
Ar3和Ar4分别独立选自苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺
二芴、茚并芴、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基，二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并硒吩基、咔唑基、苯基咔唑基；
R1选自苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴、茚并芴、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基，二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并硒吩基、咔唑基、苯基咔唑基；
L选自亚苯基、亚萘基。
5.根据权利要求1或2所述的的通式化合物，选自下述具体结构式：
6.权利要求1或2所述的通式化合物的应用，所述应用为在有机电致发光器件的发光层中作为空穴传输材料。
7.根据权利要求5所述的结构化合物的应用，所述应用为在有机电致发光器件的发光层中作为空穴传输材料。
8.一种有机电致发光器件，该器件包括第一电极、第二电极和插入所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层，其特征在于，所述有机层中包括至少一种由通式(Ⅰ)表示的化合物：
其中：R1选自C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；
R2和R3分别独立选自氢、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基；m和n分别独立选自1至6的整数；
L选自单键，或选自C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C5-C30的取代或者未取代的亚芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂环亚芳基；
Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基；
Ar3和Ar4分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；
上述的取代基团分别独立选自卤素、C1～C10的烷基或环烷基、烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团。
9.根据权利要求8所述的的有机电致发光器件，其中的通式化合物选自下述(Ⅱ-1)-(Ⅱ-10)所示：
其中，Ar3和Ar4、L、R1和R2和R3的定义与在通式(Ⅰ)中相同。
10.根据权利要求8或9所述的的有机电致发光器件，其中的通式化合物选自下述具体结构式：
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