CN110212863B - 校准晶体振荡器的方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种校准晶体振荡器的方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，上述初始温度大于0℃；在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准。本申请在晶体振荡器处于低温环境时，仍旧能够保持较高的精准度。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种校准晶体振荡器的方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
晶体振荡器作为一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为电子设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号，例如在GNSS(Global Navigation Satellite System，全球导航卫星系统)定位中，可以通过将卫星发射信号到达GNSS接收模组的时间乘以电磁波的传播速率，来估算卫星与终端设备之间的距离。其中，由于电子设备的时钟准确度会直接影响到GNSS的定位精度，因此，非常有必要对晶体振荡器进行校准。
发明内容
本申请第一方面提供一种校准晶体振荡器的方法，该方法包括：
基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃；
在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；
基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准。
优选地，所述利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数的步骤包括：
基于所述若干个温度采样点与所述第一参数进行曲线拟合，确定拟合曲线函数；
基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数。
优选地，所述晶体振荡器设置于电子设备内，所述电子设备接入通信网络，所述确定所述频率偏差函数对应的第二参数的步骤之后，所述方法还包括：
在所述电子设备与所述通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集所述晶体振荡器的实时频率；
利用采集到的所述实时频率的偏差值，修正所述第二参数。
优选地，所述基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数的步骤之前，所述方法还包括：
将所述晶体振荡器所在校准环境的温度调节至所述初始温度；
调用预置的频率偏差函数f(t)＝C3·(t-t0)3+C2·(t-t0)2+C1·(t-t0)+C0，其中，f(t)表示频率偏差值，t表示所述校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示所述第一参数，C1表示所述第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得。
优选地，所述确定出目标频率偏差函数的步骤之后，所述方法还包括：
在所述晶体振荡器工作时，采集所述晶体振荡器当前的工作温度，基于所述工作温度与所述目标频率偏差函数，计算出频率偏差值；
利用所述频率偏差值对所述晶体振荡器的频率进行校准。
本申请第二方面提供一种校准晶体振荡器的装置，该装置包括：
第一参数确定模块，用于基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃；
第二参数确定模块，用于在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；
校准确定模块，用于基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准。
优选地，所述第二参数确定模块具体用于：
基于所述若干个温度采样点与所述第一参数进行曲线拟合，确定拟合曲线函数；基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数。
优选地，所述晶体振荡器设置于电子设备内，所述电子设备接入通信网络，所述装置还包括：
采集模块，用于在所述电子设备与所述通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集所述晶体振荡器的实时频率；
修正模块，用于利用采集到的所述实时频率的偏差值，修正所述第二参数。
优选地，所述装置还包括：
温度调节模块，用于将所述晶体振荡器所在校准环境的温度调节至所述初始温度；
调用模块，用于调用预置的频率偏差函数f(t)＝C3·(t-t0)3+C2·(t-t0)2+C1·(t-t0)+C0，其中，f(t)表示频率偏差值，t表示校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示所述第一参数，C1表示所述第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得。
优选地，校准确定模块用于，在所述晶体振荡器工作时，采集所述晶体振荡器当前的工作温度，基于所述工作温度与所述目标频率偏差函数，计算出频率偏差值；利用所述频率偏差值对所述晶体振荡器的频率进行校准。
本申请实施例第三方面提供一种电子设备，包括晶体振荡器、存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现第一方面的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
本申请实施例第四方面提供一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现第一方面的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
本申请所提供的一种校准晶体振荡器的方法，基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，然后在校准环境的温度从上述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，确定上述频率偏差函数对应的第二参数，基于该第一参数与第二参数，确定出目标频率偏差函数，以在晶体振荡器工作时，对晶体振荡器的频率进行校准。其中，上述初始温度大于0℃，上述预置温度小于或等于0℃，即本申请中的温度采样点涵盖了较低温度的采样点，能够更好的优化晶体振荡器在低温环境的频率偏差，同时，本申请中通过逐步计算上述频率偏差函数对应的第一参数与第二参数，可以有效提升校准准确度，从而使晶体振荡器在处于低温环境时，仍旧能够保持较高的精准度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中一种电子设备的结构框图；
图2为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的流程示意图；
图3为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的子流程示意图；
图4为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的另一流程示意图；
图5为本申请实施例中校准晶体振荡器的装置的程序模块示意图；
图6为本申请实施例中校准晶体振荡器的装置的另一程序模块示意图。
具体实施方式
为使得本申请的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参照图1，图1为本申请实施例中一种电子设备的结构框图。本申请实施例提供的校准晶体振荡器的方法可应用于如图1所示的电子设备100中。示例性的，电子设备100可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种(图1中只示例性的示出了一种形态)。具体的，电子设备100可以为移动电话或智能电话(例如，基于iPhone TM，基于Android TM的电话)，便携式游戏设备(例如Nintendo DS TM，PlayStationPortable TM，Gameboy Advance TM，iPhone TM)、膝上型电脑、PDA(Personal DigitalAssistant，掌上电脑)、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备，其它可穿戴设备(诸如智能手表)。在一些情况下，电子设备100可以执行多种功能(例如播放音乐，显示视频，存储图片以及接收和发送电话呼叫)。
其中，电子设备100可以包括存储和处理电路110。该存储和处理电路110可以包括存储器，例如硬盘驱动存储器、非易失性存储器(例如闪存或用于形成固态驱动器的其它电子可编程只读存储器等)、易失性存储器(例如静态或动态随机存取存储器等)等，本申请实施例不作限制。存储和处理电路110中的处理电路可以用于控制电子设备100的运转。该处理电路可以基于一个或多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、功率管理单元、音频编解码器芯片、专用集成电路、显示驱动器集成电路等来实现。
存储和处理电路110可用于运行电子设备100中的软件，例如操作系统、应用软件等。这些软件可以用于执行一些控制操作，例如，基于触摸传感器的触摸事件检测，与在多个(例如分层的)显示器上显示信息相关联的功能，与执行无线通信功能相关联的操作，与收集和产生音频信号相关联的操作，与收集和处理按钮按压事件数据相关联的控制操作，以及电子设备100中的其它功能等，本申请实施例不作限制。
电子设备100还可以包括输入-输出电路120。输入-输出电路120可用于使电子设备100实现数据的输入和输出，即允许电子设备100从外部设备接收数据和也允许电子设备100将数据从电子设备100输出至外部设备。
输入-输出电路120可以进一步包括传感器121。传感器121可以包括环境光传感器，基于光和电容的接近传感器，温度传感器，触摸传感器(例如，基于光触摸传感器和/或电容式触摸传感器，其中，触摸传感器可以是触控显示屏的一部分，也可以作为一个触摸传感器结构独立使用)，加速度传感器，和其它传感器等。
输入-输出电路120还可以包括通信单元122，通信单元122可以用于为电子设备100提供与外部设备通信的能力。通信单元122可以包括模拟和数字输入-输出接口电路，和基于射频信号和/或光信号的无线通信电路。通信单元122中的无线通信电路可以包括射频收发器电路、功率放大器电路、低噪声放大器、开关、滤波器和天线。举例来说，通信单元122中的无线通信电路可以包括用于通过发射和接收近场耦合电磁信号来支持近场通信(NearField Communication，NFC)的电路。例如，通信单元122可以包括近场通信天线和近场通信收发器。通信单元122还可以包括蜂窝电话收发器和天线，无线局域网收发器电路和天线等。
电子设备100还包括晶体振荡器130，包括石英晶体振荡器等。
基于上述电子设备100描述本申请实施例中校准晶体振荡器的方法。
具体的，请参阅图2，图2为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的流程示意图，该方法包括：
步骤201、基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃。
本实施例中，在对晶体振荡器进行校准之前，先将晶体振荡器所在校准环境的温度调节至初始温度，该初始温度大于0℃，比如可以是常温或室温(30℃左右)。然后调用预置的频率偏差函数：
f(t)＝C3·(t-t0)3+C2·(t-t0)2+C1·(t-t0)+C0
其中，f(t)表示频率偏差值，t表示所述校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示所述第一参数，C1表示所述第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得。
其中，在将上述校准环境的温度t调节至表示初始温度t0时，由于t＝t0，因此f(t)＝C0。然后调整晶体振荡器内部的电容阵列，保证频率偏差值f(t)保持在±2ppm以内，并记录C0当前的值为上述第一参数。
步骤202、在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃。
本实施例中，可以通过液氮、温箱等方式逐渐降低晶体振荡器所在校准环境的温度，如可以逐渐从常温(30℃)降低至0℃或者低于0℃。
其中，在将上述校准环境的温度从初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，该温度采样点的数量大于或等于3个，然后利用这若干个温度采样点与上述第一参数C0，确定出上述频率偏差函数对应的第二参数C1。
步骤203、基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准。
本实施例中，在确定出上述第一参数C0与第二参数C1之后，即可基于第一参数C0与第二参数C1，建立方程组，计算出上述频率偏差函数中的第三参数C2与第四参数C3，从而确定出上述频率偏差函数f(t)中的所有参数，得到校准用的目标频率偏差函数。
其中，在得到上述目标频率偏差函数之后，即可将该目标频率偏差函数写入上述晶体振荡器或者电子设备中，后续在晶体振荡器工作时，即可根据晶体振荡器自身的工作温度，并结合上述目标频率偏差函数，对晶体振荡器的频率进行校准。
本申请实施例所提供的一种校准晶体振荡器的方法，基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，然后在校准环境的温度从上述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，确定上述频率偏差函数对应的第二参数，基于该第一参数与第二参数，确定出目标频率偏差函数，以在晶体振荡器工作时，对晶体振荡器的频率进行校准。其中，上述初始温度大于0℃，上述预置温度小于或等于0℃，即本申请中通过逐步计算上述频率偏差函数对应的第一参数与第二参数，可以有效提升校准准确度，同时，本申请中的温度采样点涵盖了较低温度的采样点，能够更好的优化晶体振荡器在低温环境的频率偏差，使电子设备在处于低温环境时，晶体振荡器仍旧能够保持较高的精准度。
进一步地，基于上述实施例，参照图3，图3为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的子流程示意图，本申请实施例中，上述步骤202中描述的利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数的步骤包括：
步骤301、基于所述若干个温度采样点与所述第一参数进行曲线拟合，确定拟合曲线函数。
步骤302、基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数。
其中，曲线拟合主要是由给定的离散数据点，建立数据关系(数学模型)，求出一系列微小的直线段把这些插值点连接成曲线，只要插值点的间隔选择得当，就可以形成一条光滑的曲线，然后用函数或参数方程来表示该曲线。在本实施例中，可以利于上述若干个温度采样点与第一参数进行曲线拟合，得到拟合曲线函数，然后将该拟合曲线函数确定为上述第二参数与上述频率偏差值之间的函数关系式，从而确定出上述第二参数。
其中，可以采用最小二乘法的方式来进行曲线拟合。
即本申请实施例所提供的校准晶体振荡器的方法，采用了多个低温段的温度采样点，通过曲线拟合的方式来确定频率偏差函数对应的第二参数，可以有效保障第二参数的准确度，从而能够更精确的优化晶体振荡器在低温环境的频率偏差。
进一步地，基于上述实施例，请参阅图4，图4为本申请实施例中校准晶体振荡器的方法的另一流程示意图，上述校准晶体振荡器的方法包括：
步骤401、基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃。
步骤402、在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃。
步骤403、基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数。
步骤404、在所述晶体振荡器工作时，采集所述晶体振荡器当前的工作温度，基于所述工作温度与所述目标频率偏差函数，计算出频率偏差值。
步骤405、利用所述频率偏差值对所述晶体振荡器的频率进行校准。
即在本实施例中，在确定出上述目标频率偏差函数之后，即可将该目标频率偏差函数写入上述晶体振荡器或者电子设备中，后续在晶体振荡器工作时，采集该晶体振荡器当前的工作温度，然后将该工作温度值代入上述目标频率偏差函数，即可计算出频率偏差值，然后基于该频率偏差值对晶体振荡器的频率进行补偿，即可完成校准。
其中，上述步骤401至步骤403所描述的内容与上述实施例中步骤201至步骤203所描述的内容一致，具体可参照上述实施例中步骤201至步骤203所描述的内容，在此不再赘述。
进一步地，基于上述实施例，在本申请实施例中，若上述晶体振荡器设置于电子设备内，且在该电子设备接入通信网络时，上述校准晶体振荡器的方法还包括：
在电子设备与通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集晶体振荡器的实时频率，然后利用采集到的实时频率的偏差值，修正上述第二参数。
具体的，在实际使用过程中，随着电子设备使用环境的变化，有可能会导致上述晶体振荡器的校准精准度，因此，为了保障校准精准度，可以在电子设备使用过程中，采集晶体振荡器的实时频率，确定晶体振荡器的频率偏差值是否大于预设的偏差阈值(如2ppm)，如果大于，则表示当前的校准结果存在缺陷，此时则可以利用采集到的实时频率的偏差值，通过调节上述第二参数的大小，来调整晶体振荡器的频率补偿值，使得晶体振荡器的频率偏差值小于上述偏差阈值。
即本申请实施例所提供的校准晶体振荡器的方法，在晶体振荡器设置于电子设备内，并投入实际应用之后，还可以通过采集晶体振荡器的实时频率，来不断的修正上述第二参数，从而提升集晶体振荡器的校准精准度。
进一步地，本申请还提供一种校准晶体振荡器的装置500。请参阅图5，图5为本申请实施例中校准晶体振荡器的装置的程序模块示意图，该装置500包括：
第一参数确定模块501，用于基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃。
第二参数确定模块502，用于在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃。
校准确定模块503，用于基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准。
其中，上述装置还包括：
温度调节模块，用于将所述晶体振荡器所在校准环境的温度调节至所述初始温度；
调用模块，用于调用预置的频率偏差函数：
f(t)＝C3·(t-t0)3+C2·(t-t0)2+C1·(t-t0)+C0
其中，f(t)表示频率偏差值，t表示校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示所述第一参数，C1表示所述第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得。
本申请实施例所提供的一种校准晶体振荡器的装置500，可以实现：基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，然后在校准环境的温度从上述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，确定上述频率偏差函数对应的第二参数，基于该第一参数与第二参数，确定出目标频率偏差函数，以在晶体振荡器工作时，对晶体振荡器的频率进行校准。其中，上述初始温度大于0℃，上述预置温度小于或等于0℃，即本申请中通过逐步计算上述频率偏差函数对应的第一参数与第二参数，可以有效提升校准准确度，同时，本申请中的温度采样点涵盖了较低温度的采样点，能够更好的优化晶体振荡器在低温环境的频率偏差，使电子设备在处于低温环境时，晶体振荡器仍旧能够保持较高的精准度。
进一步地，第二参数确定模块502具体用于：
基于所述若干个温度采样点与所述第一参数进行曲线拟合，确定拟合曲线函数；基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数。
即本申请实施例所提供的校准晶体振荡器的装置500，采用了多个低温段的温度采样点，通过曲线拟合的方式来确定频率偏差函数对应的第二参数，可以有效保障第二参数的准确度，从而能够更精确的优化晶体振荡器在低温环境的频率偏差。
进一步地，请参阅图6，图6为本申请实施例中校准晶体振荡器的装置的另一程序模块示意图，该装置500包括：
第一参数确定模块501，用于基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃。
第二参数确定模块502，用于在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃。
校准确定模块503，用于基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数。
采集模块601，用于在所述电子设备与所述通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集所述晶体振荡器的实时频率；
修正模块602，用于利用采集到的实时频率的偏差值，修正所述第二参数。
即本申请实施例所提供的校准晶体振荡器的装置500，在晶体振荡器设置于电子设备内，并投入实际应用之后，还可以通过采集晶体振荡器的实时频率，来不断的修正上述第二参数，从而提升集晶体振荡器的校准精准度。
进一步地，校准确定模块503用于：在所述晶体振荡器工作时，采集所述晶体振荡器当前的工作温度，基于所述工作温度与所述目标频率偏差函数，计算出频率偏差值；利用所述频率偏差值对所述晶体振荡器的频率进行校准。
即在本实施例中，在确定出上述目标频率偏差函数之后，即可将该目标频率偏差函数写入上述晶体振荡器或者电子设备中，后续在晶体振荡器工作时，采集该晶体振荡器当前的工作温度，然后将该工作温度值代入上述目标频率偏差函数，即可计算出频率补偿值，然后基于该频率补偿值对晶体振荡器的频率进行补充，即可完成校准。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括晶体振荡器、存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时，实现上述任意一个实施例中的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
示例性的，校准晶体振荡器的方法的计算机程序主要包括：基于晶体振荡器所在校准环境的初始温度，确定预置频率偏差函数对应的第一参数，所述初始温度大于0℃；在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，所述目标频率偏差函数用于在所述晶体振荡器工作时，对所述晶体振荡器的频率进行校准。另外，计算机程序也可以被分割成一个或多个模块，一个或者多个模块被存储在存储器中，并由处理器执行，以完成本发明。一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述计算机程序在计算设备中的执行过程。例如，计算机程序可以被分割成如图5所示的第一参数确定模块501、第二参数确定模块502及校准确定模块503。
处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
本申请实施例还提供一种可读存储介质，该可读存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，实现上述实施例中任意一个实施例中的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简便描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定都是本申请所必须的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上为对本申请所提供的一种校准晶体振荡器的方法、装置、电子设备及存储介质的描述，对于本领域的技术人员，依据本申请实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (7)
1.一种校准晶体振荡器的方法，其特征在于，所述方法包括：
将晶体振荡器所在校准环境的温度调节至初始温度，所述初始温度大于0℃；
调用预置频率偏差函数f(t)＝C3·(t-t0)3 +C2·(t-t0 )2+C1·(t-t0)+C0，其中，f(t)表示频率偏差值，t表示所述校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示第一参数，C1表示第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得；
基于所述晶体振荡器所在校准环境的所述初始温度，确定所述预置频率偏差函数对应的第一参数；
在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；
基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准；
其中，所述利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数的步骤包括：
基于所述若干个温度采样点与所述第一参数，采用最小二乘法的方式进行曲线拟合，确定拟合曲线函数；所述拟合曲线函数为所述第二参数与所述频率偏差值的函数关系式；
基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数。
2.如权利要求1所述的校准晶体振荡器的方法，其特征在于，所述晶体振荡器设置于电子设备内，所述电子设备接入通信网络，所述确定所述频率偏差函数对应的第二参数的步骤之后，所述方法还包括：
在所述电子设备与所述通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集所述晶体振荡器的实时频率；
利用采集到的所述实时频率的偏差值，修正所述第二参数。
3.如权利要求1所述的校准晶体振荡器的方法，其特征在于，所述确定出目标频率偏差函数的步骤之后，所述方法还包括：
在所述晶体振荡器工作时，采集所述晶体振荡器当前的工作温度，基于所述工作温度与所述目标频率偏差函数，计算出频率偏差值；
利用所述频率偏差值对所述晶体振荡器的频率进行校准。
4.一种校准晶体振荡器的装置，其特征在于，所述装置包括：
温度调节模块，用于将晶体振荡器所在校准环境的温度调节至初始温度，所述初始温度大于0℃；
调用模块，用于调用预置频率偏差函数f(t)＝C3·(t-t0)3 +C2·(t-t0 )2+C1·(t-t0)+C0，其中，f(t)表示频率偏差值，t表示所述校准环境的温度，t0表示所述初始温度，C0表示第一参数，C1表示第二参数，C2表示第三参数，C3表示第四参数，且C2、C3是基于C0、C1计算所得；
第一参数确定模块，用于基于所述晶体振荡器所在校准环境的所述初始温度，确定所述预置频率偏差函数对应的第一参数；
第二参数确定模块，用于在所述校准环境的温度从所述初始温度降低至预置温度的过程中，采集若干个温度采样点，并利用所述若干个温度采样点与所述第一参数，确定所述频率偏差函数对应的第二参数，所述预置温度小于或等于0℃；
校准确定模块，用于基于所述第一参数与所述第二参数，确定出目标频率偏差函数，并在所述晶体振荡器工作时，利用所述目标频率偏差函数对所述晶体振荡器的频率进行校准；
其中，所述校准确定模块，还用于基于所述若干个温度采样点与所述第一参数，采用最小二乘法的方式进行曲线拟合，确定拟合曲线函数，及基于所述拟合曲线函数确定所述第二参数，所述拟合曲线函数为所述第二参数与所述频率偏差值的函数关系式。
5.如权利要求4所述的校准晶体振荡器的装置，其特征在于，所述晶体振荡器设置于电子设备内，所述电子设备接入通信网络，所述装置还包括：
采集模块，用于在所述电子设备与所述通信网络对应的通信基站交互的过程中，采集所述晶体振荡器的实时频率；
修正模块，用于利用采集到的所述实时频率的偏差值，修正所述第二参数。
6.一种电子设备，包括晶体振荡器、存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时，实现权利要求1至3任意一项所述的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
7.一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1至3任意一项所述的校准晶体振荡器的方法中的各个步骤。
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